JPS63242990A - 単結晶インゴツト製造装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔概要〕 本発明は単結晶インゴット製造装置において、引き上げ
た単結晶インゴットをネットで包み且つネットの下端を
プルチャンバに接続することにより、単結晶インゴット
の振れを制限してネックの折損が起こりにくくすると共
に、単結晶インゴットを床上に降ろすまで単結晶インゴ
ットをネットで包んだままとし、たとえネックが折損し
てもネットで受けて単結晶インゴットが落下しないよう
にしたものである。

〔産業上の利用分野〕

本発明は単結晶インゴット製造装置に関する。

成長された単結晶インゴットは高価なものであり、損傷
させることなく製造装置より取り出される必要がある。

大口径である重量の大きい単結晶インゴットの場合には
、人手による取扱いが困難となるため、中結晶インゴッ
ト製造装置は、プルチャンバをその内部に成長した単結
晶インゴットを収納したまま炉体の横に移動させ、その
後に単結晶インゴットを床上に降ろして単結晶インゴッ
トを取り出す方式を採っている。

この装置では、例えば、プルチャンバを横に移動させる
ときに、内部に収容した単結晶インゴットが振れてプル
チャンバの内壁と衝突し、このときの衝撃によりネック
が折れ、単結晶インゴットが落下し破損してしまう事故
が起き易く、この対策を講する必要がある。

（従来例） 第１０図は従来の単結晶インゴット製造装置の１例の一
部を示す。同図中、１はプルチャンバ、２はシードホル
ダ、３はワイヤである。同図は単結晶インゴット４がプ
ルチャンバ１内にまで引き上げられた状態を示す。

５は複数のビンであり、プルチャンバ１にその側面より
差し込んで固定しである。各ビン５の先端が単結晶イン
ゴット４の周面に当接している。

このビン５により、単結晶インゴット４はプルチャンバ
１内での振れが制限されている。

第１１図は従来の単結晶インゴット製造装置の別の例の
一部を示す。同図中、第１０図に示す構成部分と同一部
分には同一符号を付し、その説明は省略する。

６は受は皿部材であり、例えば紙面に垂直な面内で回動
してプルチャンバ１内に入っており、先端の受は皿部７
により単結晶インゴット４の下端を受けている。

上記の各装置では、プルチャンバ１を横に移動させると
きの単結晶インゴット４の振れが防止され、ネック８は
折損・しにくくなっている。

〔発明が解決しようとする問題点〕

ワイヤ３が送り出され、単結晶インゴット４はプルチャ
ンバ１より抜は出して床上にまで降ろされて取り出され
る。この単結晶インゴットを降ろす過程でもネック８の
折損が起りうる。上記のビン５及び受は皿部材６は単結
晶インゴット４を降ろすのに邪魔となるため、ビン５及
び受は皿部材６は外されて無効となっており、降ろす途
中でネック８が折損すると単結晶インゴット４は落下し
て破損してしまうという問題点があった。

〔問題点を解決するための手段〕

本発明は、シードホルダをワイヤで引き上げて単結晶イ
ンゴットを炉体よりプルチャンバ内に引き上げ、その後
上記プルチャンバを炉体より切り離し、横に移動させ、
上記ワイヤを送り出して上記単結晶インゴットを下げ上
記プルチャンバ外に露出させて床上に降ろして取り出す
単結晶インゴット製造装置において、 上記プルチャンバ内に、上記シートホルダと実質上一体
向に上下動し、引き上げられた単結晶インゴットを包み
込む筒状のネット装置を設け、上記単結晶インゴットが
引き上げられた後、該ネット装置の下端を閉じ、上記プ
ルチャンバと接続して、上記プルチャンバを横に移動さ
せ、該ネット装置の下端は閉じたままで上記プルチャン
バとの接続を解除し、上記単結晶インゴットを降ろし、 上記単結晶インゴットを床上に降ろした後に該ネット装
置の下端を開いて上記単結晶インボッ［・を取り出すよ
うにしたものである。

（作用） 単結晶インゴットが引き上げられた後にネット装置の下
端を閉じて上記プルチャンバと接続することは、単結晶
インゴットのプルチャンバ内での振れを制限し、プルチ
ャンバ横移動時におけるネット折損が防止される。

プルチャンバ横移動後、ネット装置とプルチャンバとの
接続を解除するも、ネット装置の下端を閉じたままとす
ることは、単結晶インゴットを床上に降ろす過程でたと
えネックが折損しても単結晶インゴットはネット装置に
より受は止められ、床上に落下して損傷する事故が防止
される。

〔実施例〕

第１図は本発明の単結晶インゴット製造装置の一実施例
の要部を示す。

第２図乃至第９図は本発明の単結晶インゴット製造装置
の一実施例の単結晶インゴット引き上げから取り出しま
での動作を示す。

各図中、１０は炉体、１１はプルチャンバ、１２はプル
チャンバ移動機構である。プルチャンバ１２は径が２０
０ｍ＋＋、　長さが１２００．と大型であり、径が１０
０１Ｍ、長さが８００姻と大サイズの半導体製造用のシ
リコンの単結晶インゴット１３が製造される。

１４は本発明の要部をなすネット装置である。

このネット装置１４は、径が０．５ｓのタングステンワ
イヤで編んだ径が１５０ｒｒｖｔｔの筒状のネット１５
と、筒状ネット１５の上端が全周に亘って接続された円
板１６と、筒状ネット１５の下端のすだれ状の複数の鎖
１７とよりなる。

円板１６は、厚さが５ｓｍであり、中央の径１０Ｍのテ
ーパ孔１８にワイヤ１９が挿通しており、中央部をワイ
ヤ１９の先端に接続されているシードホルダ２０に係止
される。

第１図の状態では、ネット装＠１４の円板１６が、プル
チャンバ１１の上端より４０ｃｒＲの位置にプルチャン
バ１１に差し込まれている複数の係止ビン２１に係止さ
れており、筒状ネット１５は筒状を保ってプルチャンバ
１１内に懸吊されている。

ワイヤ１９がドラム２２に巻ぎ取られるにつれて、単結
晶インゴット１３が成長されつつプルチャンバ１１内に
具体的には、筒状ネット１５内に引き上げられる。

単結晶インゴット１３の引き上げ途中で、シードホルダ
２０が円板１６に当接し、以後は第３図に示すように単
結晶インゴット１３と共にネット装置１４も単結晶イン
ゴット１３を包むように引き上げられる。

第３図に示すように単結晶インゴット１３の引き上げが
完了すると、ゲートバルブ２３を閉める。

次いで、第４図に示すように、移動機構１２によりプル
チャンバ１１を上昇させて炉体１０より１００Ｍ浮かせ
、炉体１０より切り離す。鎖１７はすだれ状となってい
る。

次いで、第１図、第５図、第６図に示すように、半径３
　ｃｍの手内部材を組み合わせた止め具２４により筒状
ネット１５の下端を閉じ、鎖１７を放射状に張ってプル
チャンバ１１の下端周囲のビン２５に接続する。

この状態で、第７図に示すように、移動ｍ構１２により
プルチャンバ１１を旋回させて、炉体１０より横にずら
す。

ワイヤ１９により懸吊されている単結晶インゴット１３
は、筒状ネット１５に包まれており、筒状ネット１５の
下端は放射状に張られた鎖１７により、上端は円板１６
により共にプルチャンバ１１の径方向の移動を制限され
ている。

このため、プルチャンバ１１を横に移動する過程での単
結晶インゴット１３の振れが効果的に制限され、然して
ネック２６が折損する事故は効果的に防止される。

なお、この過程で、何らかの原因でネック２６がたとえ
折損したとしても、単結晶インゴット１３は筒状ネット
１５により受は止められて落下せず、単結晶インゴット
１３を損傷させたり、単結晶インゴット製造装置を破損
させたりする事故は未然に防止される。

次いで、第８図に示すように、鎖１７をビン２４より外
す。止め具２３は付いたままであり、筒状ネット１５の
下端は閉じている。また係止ビン２１を抜（。

この状態で、第９図に示すように、ドラム２２よりワイ
ヤ１９が送り出され、単結晶インゴット１３は下降しプ
ルチャンバ１１を抜は出て、床（図示せず）上に降ろさ
れる。

単結晶インゴット１３は筒状ネット１５に包まれており
、且つ円板１６はシードホルダ２０に係止されているた
め、上記の降ろす過程でネック２６が折損したとしても
、単結晶インゴット１３は筒状ネット１５により受は止
められ、単結晶インゴット１３が床上に落下して損傷す
る事゛故は防止される。

ｆｆ１ｌに止め具２４を外し、筒状ネット１５の下端を
開き、単結晶インゴット１３が安全に取り出される。

上記のように、重量の大きい大口径の単結晶インゴット
１３であっても、損傷させることなく、安全且つ確実に
取り出すことができる。

〔発明の効果〕

本発明によれば、プルチャンバを炉体より切り離して横
に移動させる過程では、単結晶インゴットはネット装置
に包み込まれ、且つネット装置の下端がプルチャンバと
接続されているため、単結晶インゴットの振れが制限さ
れ、振れが原因でのネックの折損を防止出来る。単結晶
インゴットをプルチャンバより床上に降ろす過程では、
単結晶インゴットはシードホルダと一体的に下動するネ
ット装置により包み込まれているため、下降の途中でネ
ックが折損したとしても単結晶インゴットはネッ１〜装
置に受は止められ、落下を防止出来る。

これにより、成長させた重畳の大なる大口径の単結晶イ
ンゴットを、安全且つ確実に取り出すことが出来る。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の単結晶インゴット製造装置の一実施例
の要部をなすネット装置が単結晶インゴットを包み込ん
だ状態を示す斜視図、第２図は本発明の単結晶インゴッ
ト製造装置の一実施例の単結晶インゴット引き上げ時の
状態を示す図、 第３図は単結晶インゴット引き上げ完了後の状態を示す
図、 第４図はプルチャンバを炉体より切り離した状態を示す
図、 第５図は筒状ネットの下端を閉じ、鎖を張って接続した
状態を示す図、 第６図は第５図中■−■線方向よりみた矢視図、第７図
はプルチャンバを炉体の横に移動させた状態を示す図、 第８図は単結晶インゴットを降ろす準備が完了した状態
を示す図、 第９図は単結晶インゴットを下降させた状態を示す図、 第１０図は従来の半導体製造装置の１例の一部を示す図
、 第１１図は従来の半導体製造装置の別の例の一部を示す
図である。 図において、 １０は炉体、 １１はプルチャンバ、 １２はプルチャンバ移動機構、 １３は単結晶インゴット、 １４はネット装置、 １５は筒状ネット、 １６は円板、 １γは鎖、 １９はワイヤ、 ２０はシードホルダ、 ２１は係止ビン、 ２４は止め具、 ２５はビンである。 ＝　／１７ｒｗ辷ヤン八。 第３図 嬉４図 第５図 １６図 プνし＋ｖｚへ１−Ａｆ＃ｙｙＷｒに移動さ仕ム状籾、
ヒＲすｂ］第７図 障４も曲を鋒うす１幅何口か１とゴしたＡ尺′簡、εイ
ζす毛づ第８図 軍紹函を下降１１状祢飼Ｉ図 第９図 第１Ｏ図 第■図

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 シードホルダ（２０）をワイヤ（１９）で引き上げて単
   結晶インゴット（１３）を炉体（１０）よりプルチャン
   バ（１１）内に引き上げ、その後上記プルチャンバを炉
   体より切り離し、横に移動させ、上記ワイヤ（１９）を
   送り出して上記単結晶インゴット（１３）を下げ上記プ
   ルチャンバ（１１）外に露出させて床上に降ろして取り
   出す単結晶インゴット製造装置において、 上記プルチャンバ（１１）内に、上記シードホルダ（２
   ０）と実質上一体的に上下動し、引き上げられた単結晶
   インゴット（１３）を包み込む筒状のネット装置（１４
   、１５、１６、１７）を設け、 上記単結晶インゴット（１３）が引き上げられた後、該
   ネット装置（１４）の下端を閉じ、上記プルチャンバ（
   １１）と接続して、上記プルチャンバ（１１）を横に移
   動させ、 該ネット装置（１４）の下端は閉じたままで上記プルチ
   ャンバ（１１）との接続を解除し、上記単結晶インゴッ
   ト（１３）を降ろし、 上記単結晶インゴット（１３）を床上に降ろした後に該
   ネット装置の下端を開いて上記単結晶インゴット（１３
   ）を取り出すようにしたことを特徴とする単結晶インゴ
   ット製造装置。