JP2956568B2 - 単結晶引上げ装置 - Google Patents
単結晶引上げ装置Info
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- JP2956568B2 JP2956568B2 JP3283196A JP3283196A JP2956568B2 JP 2956568 B2 JP2956568 B2 JP 2956568B2 JP 3283196 A JP3283196 A JP 3283196A JP 3283196 A JP3283196 A JP 3283196A JP 2956568 B2 JP2956568 B2 JP 2956568B2
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ＣＺ法による単結
晶の製造に使用される単結晶引上げ装置に関し、更に詳
しくはその単結晶の落下を防止することができる単結晶
引上げ装置に関する。
晶の製造に使用される単結晶引上げ装置に関し、更に詳
しくはその単結晶の落下を防止することができる単結晶
引上げ装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来より、単結晶シリコンの製造には、
ＣＺ法による引上げが多用されている。その引上げ装置
は、ワイヤの下端に装着した種結晶を坩堝内の原料融液
に漬け、ワイヤを回転させながら上昇させることによ
り、原料融液から単結晶を引上げる構成となっている。
ＣＺ法による引上げが多用されている。その引上げ装置
は、ワイヤの下端に装着した種結晶を坩堝内の原料融液
に漬け、ワイヤを回転させながら上昇させることによ
り、原料融液から単結晶を引上げる構成となっている。
【０００３】ＣＺ法により製造される単結晶は、これま
では直径が８インチで重量が１００ｋｇ前後のものが主
流であった。しかし、最近になって更なる大径化が求め
られ、重量が２００ｋｇ以上に達する単結晶の製造も企
画され、これに伴って単結晶の落下事故が大きな問題に
なってきた。
では直径が８インチで重量が１００ｋｇ前後のものが主
流であった。しかし、最近になって更なる大径化が求め
られ、重量が２００ｋｇ以上に達する単結晶の製造も企
画され、これに伴って単結晶の落下事故が大きな問題に
なってきた。
【０００４】すなわち、単結晶の引上げ中、その荷重は
直径が細かくしかも単結晶の最上部と接する種結晶に集
中し、単結晶が重くなるにつれてその種結晶が破断しや
すくなるのである。そして種結晶が破断した場合は、単
結晶が坩堝内の原料融液中に落下し、大事故に至るおそ
れもある。
直径が細かくしかも単結晶の最上部と接する種結晶に集
中し、単結晶が重くなるにつれてその種結晶が破断しや
すくなるのである。そして種結晶が破断した場合は、単
結晶が坩堝内の原料融液中に落下し、大事故に至るおそ
れもある。
【０００５】このような単結晶の落下事故を防止するた
めに、引上げ初期に単結晶のトップ部にクビレ部を意図
的に形成し、そのクビレ部を複数の爪により周囲からク
ランプして、単結晶を引上げる技術が開発されている
（特開平３−２８５８９３号公報等）。
めに、引上げ初期に単結晶のトップ部にクビレ部を意図
的に形成し、そのクビレ部を複数の爪により周囲からク
ランプして、単結晶を引上げる技術が開発されている
（特開平３−２８５８９３号公報等）。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】単結晶のトップ部に形
成したクビレ部を複数の爪により周囲からクランプして
引上げを行えば、複数の爪が不用意に開かない限り、単
結晶の落下事故は防止される。
成したクビレ部を複数の爪により周囲からクランプして
引上げを行えば、複数の爪が不用意に開かない限り、単
結晶の落下事故は防止される。
【０００７】しかし、従来の引上げ技術では、結晶引上
げ軸に対して対称なクビレ部を形成することが困難であ
る。そのため、クビレ部をクランプして単結晶の育成を
行った場合、単結晶が芯円性を損ない、有転位化や直径
制御精度の低下を生じるという問題がある。また、クビ
レ部をクランプする際に、単結晶に外力を与えることに
なり、単結晶の振れを誘発する。
げ軸に対して対称なクビレ部を形成することが困難であ
る。そのため、クビレ部をクランプして単結晶の育成を
行った場合、単結晶が芯円性を損ない、有転位化や直径
制御精度の低下を生じるという問題がある。また、クビ
レ部をクランプする際に、単結晶に外力を与えることに
なり、単結晶の振れを誘発する。
【０００８】本発明の目的は、単結晶の落下を確実に防
止し、且つその防止に伴う引上げへの悪影響を回避する
ことができる単結晶引上げ装置を提供することにある。
止し、且つその防止に伴う引上げへの悪影響を回避する
ことができる単結晶引上げ装置を提供することにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明の単結晶引上げ装
置は、上記目的を達成するために、ワイヤの下端に装着
した種結晶により単結晶を保持して原料融液から引上
げ、且つ引上げ速度等の制御により単結晶のトップ部に
クビレ部を形成する引上げ装置本体と、ワイヤの延長線
の周囲に設けた複数の爪の内側を単結晶のクビレ部より
上の部分が下から上へ通過するときに複数の爪が開き、
クビレ部より上の部分が複数の爪の内側を下から上へ通
過した後は、複数の爪がワイヤと共に上昇すると共に、
結晶外周面に非接触の状態でクビレ内に嵌合して、単結
晶が落下したときにクビレ部より上の部分を係止する単
結晶落下防止手段とを具備する点に特徴がある。
置は、上記目的を達成するために、ワイヤの下端に装着
した種結晶により単結晶を保持して原料融液から引上
げ、且つ引上げ速度等の制御により単結晶のトップ部に
クビレ部を形成する引上げ装置本体と、ワイヤの延長線
の周囲に設けた複数の爪の内側を単結晶のクビレ部より
上の部分が下から上へ通過するときに複数の爪が開き、
クビレ部より上の部分が複数の爪の内側を下から上へ通
過した後は、複数の爪がワイヤと共に上昇すると共に、
結晶外周面に非接触の状態でクビレ内に嵌合して、単結
晶が落下したときにクビレ部より上の部分を係止する単
結晶落下防止手段とを具備する点に特徴がある。
【００１０】
【発明の実施の形態】以下に本発明の実施の態様を図示
例に基づいて説明する。図１は本発明を実施した単結晶
引上げ装置の１例についてその主要部の概要を示す立面
図、図２は同引上げ装置に装備された単結晶落下防止手
段の縦断面図および底面図、図３は同引上げ装置の使用
状態を示す模式立面図である。
例に基づいて説明する。図１は本発明を実施した単結晶
引上げ装置の１例についてその主要部の概要を示す立面
図、図２は同引上げ装置に装備された単結晶落下防止手
段の縦断面図および底面図、図３は同引上げ装置の使用
状態を示す模式立面図である。
【００１１】本引上げ装置は、図１に示すように、シリ
コンの融液からシリコンの単結晶１０を引き上げる引上
げ装置本体３０と、引上げ中の単結晶１０の落下を防止
するために引上げ装置本体３０に付設された単結晶落下
防止手段４０とを具備する。
コンの融液からシリコンの単結晶１０を引き上げる引上
げ装置本体３０と、引上げ中の単結晶１０の落下を防止
するために引上げ装置本体３０に付設された単結晶落下
防止手段４０とを具備する。
【００１２】引上げ装置本体３０は、従来の引上げ装置
と基本的に同じであって、種結晶２０を保持するシード
チャック３１をワイヤ３２の下端に連結し、種結晶２０
を融液に浸漬した状態からワイヤ３２を回転させながら
巻き上げることにより、融液から単結晶１０を引上げる
と共に、単結晶１０のトップ部を引上げる段階で引上げ
速度等を制御することによりトップ部にクビレ部１１を
形成する構成となっている。
と基本的に同じであって、種結晶２０を保持するシード
チャック３１をワイヤ３２の下端に連結し、種結晶２０
を融液に浸漬した状態からワイヤ３２を回転させながら
巻き上げることにより、融液から単結晶１０を引上げる
と共に、単結晶１０のトップ部を引上げる段階で引上げ
速度等を制御することによりトップ部にクビレ部１１を
形成する構成となっている。
【００１３】引上げ装置本体３０に付設された単結晶落
下防止手段４０は、内側中心部をワイヤ３２が貫通する
スリーブ４１を有する。スリーブ４１は、図２および図
３に示すように、下面が開放し上面に天板４２を設けた
円筒体であって、内側にシードチャック３１を収容する
ことができる。天板４２の中心部にはワイヤ挿通孔が設
けられ、天板４２の下面にはコイルスプリングからなる
緩衝材４３が同心状に取付けられている。
下防止手段４０は、内側中心部をワイヤ３２が貫通する
スリーブ４１を有する。スリーブ４１は、図２および図
３に示すように、下面が開放し上面に天板４２を設けた
円筒体であって、内側にシードチャック３１を収容する
ことができる。天板４２の中心部にはワイヤ挿通孔が設
けられ、天板４２の下面にはコイルスプリングからなる
緩衝材４３が同心状に取付けられている。
【００１４】スリーブ４１の下端部内面には、周方向に
９０°の間隔をあけて４つの縦溝４９が設けられてい
る。４つの縦溝４９内には爪４４が設けられている。各
爪４４は、スリーブ４１の中心線に直角な支持軸４５に
より中間部が回動自在に支持され、外力を受けない状態
では自重により後部が係止軸４６に下方から当接して爪
先が内側へ閉じた状態に固定される。これにより、各爪
４４は爪先に下向きの外力を受けても爪先が下方に開く
ことはないが、爪先に上向きの外力を受けた場合は爪先
が上方に開放する。
９０°の間隔をあけて４つの縦溝４９が設けられてい
る。４つの縦溝４９内には爪４４が設けられている。各
爪４４は、スリーブ４１の中心線に直角な支持軸４５に
より中間部が回動自在に支持され、外力を受けない状態
では自重により後部が係止軸４６に下方から当接して爪
先が内側へ閉じた状態に固定される。これにより、各爪
４４は爪先に下向きの外力を受けても爪先が下方に開く
ことはないが、爪先に上向きの外力を受けた場合は爪先
が上方に開放する。
【００１５】爪先が内側へ閉じた状態で４つの爪４４の
内側に形成される空間の大きさは、単結晶１０のトップ
部に形成されるクビレ部１１の最小外径より大きく、且
つクビレ部１１よりの上方の部分の最大外径より小さく
設定される。また、爪先が上方へ完全開放したときに４
つの爪４４の内側に形成される空間の大きさは、単結晶
１０のクビレ部１１より上方の部分の最大外径、及びシ
ードチャック３１の最大外径のいずれもより大きく設定
される。
内側に形成される空間の大きさは、単結晶１０のトップ
部に形成されるクビレ部１１の最小外径より大きく、且
つクビレ部１１よりの上方の部分の最大外径より小さく
設定される。また、爪先が上方へ完全開放したときに４
つの爪４４の内側に形成される空間の大きさは、単結晶
１０のクビレ部１１より上方の部分の最大外径、及びシ
ードチャック３１の最大外径のいずれもより大きく設定
される。
【００１６】これらの設定により、４つの爪４４の内側
を、単結晶１０のクビレ部１１より上方の部分およびシ
ードチャック３１は下から上へ通過することができる。
しかし、単結晶１０のクビレ部１１より上方の部分が４
つの爪４４の内側を上方から下へ通過することは不可能
である。
を、単結晶１０のクビレ部１１より上方の部分およびシ
ードチャック３１は下から上へ通過することができる。
しかし、単結晶１０のクビレ部１１より上方の部分が４
つの爪４４の内側を上方から下へ通過することは不可能
である。
【００１７】次に、本引上げ装置を用いた単結晶の製造
方法について説明する。
方法について説明する。
【００１８】引上げ前および引上げ初期段階において
は、図１に示すように、単結晶に落下防止手段４０のス
リーブ４１を複数本のワイヤ４８により定位置に吊り下
げ、そのスリーブ４１内に引上げ用のワイヤ３２を挿通
させることにより、スリーブ４１の下方にシードチャッ
ク３１を位置させる。そして、シードチャック３１に保
持された種結晶２０を融液に浸け、ワイヤ３２を回転さ
せながら上昇させることにより、融液から単結晶１０を
引き上げる。また、単結晶１０の引上げ速度等を制御す
ることにより、単結晶１０のトップ部にクビレ部１１を
形成する。
は、図１に示すように、単結晶に落下防止手段４０のス
リーブ４１を複数本のワイヤ４８により定位置に吊り下
げ、そのスリーブ４１内に引上げ用のワイヤ３２を挿通
させることにより、スリーブ４１の下方にシードチャッ
ク３１を位置させる。そして、シードチャック３１に保
持された種結晶２０を融液に浸け、ワイヤ３２を回転さ
せながら上昇させることにより、融液から単結晶１０を
引き上げる。また、単結晶１０の引上げ速度等を制御す
ることにより、単結晶１０のトップ部にクビレ部１１を
形成する。
【００１９】単結晶１０の引上げを更に継続すると、ス
リーブ４１の下端部内側に設けられた４つの爪４４の内
側をシードチャック３１が下から上に通過する。これに
続いて、単結晶１０のクビレ部１１より上方の部分が４
つの爪４４の内側を下から上へ通過する。その結果、図
３（Ａ）に示すように、単結晶１０のいわゆるショルダ
ーにスリーブ４１が載る。この状態では、４つの爪４４
は単結晶１０のクビレ内に結晶表面に対して非接触の状
態で嵌合し、内側へ完全に閉じた状態となる。
リーブ４１の下端部内側に設けられた４つの爪４４の内
側をシードチャック３１が下から上に通過する。これに
続いて、単結晶１０のクビレ部１１より上方の部分が４
つの爪４４の内側を下から上へ通過する。その結果、図
３（Ａ）に示すように、単結晶１０のいわゆるショルダ
ーにスリーブ４１が載る。この状態では、４つの爪４４
は単結晶１０のクビレ内に結晶表面に対して非接触の状
態で嵌合し、内側へ完全に閉じた状態となる。
【００２０】単結晶１０のショルダーにスリーブ４１が
載った後は、そのスリーブ４１はワイヤ３２により単結
晶１０と共に上方へ引き上げられる。単結晶１０は全期
間を通して種結晶２０に保持され、ワイヤ３２により引
き上げられるので、クビレ部１１をクランプした場合に
問題となる芯円性の低下や振れは生じない。スリーブ４
１を単結晶１０のショルダーに載せず、ワイヤ３２等に
より支持した場合は、スリーブ４１が単結晶１０に対し
て完全に非接触状態となり、接触部を通した放熱がなく
なるので、これによる単結晶１０の温度分布変化も防止
される。
載った後は、そのスリーブ４１はワイヤ３２により単結
晶１０と共に上方へ引き上げられる。単結晶１０は全期
間を通して種結晶２０に保持され、ワイヤ３２により引
き上げられるので、クビレ部１１をクランプした場合に
問題となる芯円性の低下や振れは生じない。スリーブ４
１を単結晶１０のショルダーに載せず、ワイヤ３２等に
より支持した場合は、スリーブ４１が単結晶１０に対し
て完全に非接触状態となり、接触部を通した放熱がなく
なるので、これによる単結晶１０の温度分布変化も防止
される。
【００２１】単結晶１０の引上げ中に種結晶２０が破断
した場合は、図３（Ｂ）に示すように、単結晶１０のク
ビレ部１１より上方の部分が４つの爪４４の爪先に当た
るが、爪４４は下方へは開放しないので、クビレ部１１
より上方の部分が４つの爪４４の爪先に係止される。そ
のため、単結晶１０はスリーブ４１を介してワイヤ３２
により保持され、その落下が防止される。このとき、天
板４２がシードチャック３１の上面により支持される
が、両者に衝突による衝撃は緩衝材４３の収縮により吸
収される。
した場合は、図３（Ｂ）に示すように、単結晶１０のク
ビレ部１１より上方の部分が４つの爪４４の爪先に当た
るが、爪４４は下方へは開放しないので、クビレ部１１
より上方の部分が４つの爪４４の爪先に係止される。そ
のため、単結晶１０はスリーブ４１を介してワイヤ３２
により保持され、その落下が防止される。このとき、天
板４２がシードチャック３１の上面により支持される
が、両者に衝突による衝撃は緩衝材４３の収縮により吸
収される。
【００２２】かくして、単結晶１０の落下が確実に防止
され、且つその防止に伴う引上げへの悪影響が回避され
る。
され、且つその防止に伴う引上げへの悪影響が回避され
る。
【００２３】８インチのシリコン単結晶を引上げる場合
に本引上げ装置を用いた。比較のために落下防止対策の
ない一般の引上げ装置と、単結晶のトップ部に形成した
クビレ部をクランプする従来装置とを用いた。それぞれ
の場合の有転位化率および結晶直径の最大誤差を表１に
示す。有転位化率とは全引上げ回数に対する有転位化発
生引上げ回数の比である。
に本引上げ装置を用いた。比較のために落下防止対策の
ない一般の引上げ装置と、単結晶のトップ部に形成した
クビレ部をクランプする従来装置とを用いた。それぞれ
の場合の有転位化率および結晶直径の最大誤差を表１に
示す。有転位化率とは全引上げ回数に対する有転位化発
生引上げ回数の比である。
【００２４】
【表１】
【００２５】表１から分かるように、本引上げ装置を使
用しても有転位化率および最大誤差は対策なしの場合と
実質的に同じである。これに対しクビレ部をクランプす
る従来装置の場合は、これらが大幅に増大する。本引上
げ装置が単結晶落下防止に伴う悪影響を実質的に生じな
いことが明らかである。
用しても有転位化率および最大誤差は対策なしの場合と
実質的に同じである。これに対しクビレ部をクランプす
る従来装置の場合は、これらが大幅に増大する。本引上
げ装置が単結晶落下防止に伴う悪影響を実質的に生じな
いことが明らかである。
【００２６】爪４４は上記例では４個としたが、複数で
あれば単結晶１０の落下を防止することができる。
あれば単結晶１０の落下を防止することができる。
【００２７】
【発明の効果】以上に説明した通り、本発明の単結晶引
上げ装置は、引上げ中は単結晶のトップ部に形成された
クビレ部をクランプせず、種結晶が破断したときのみク
ビレ部を利用して単結晶を保持するので、単結晶の落下
を確実に防止することができ、しかもその防止に伴う引
上げへの悪影響を可及的に回避することができる。従っ
て、大径単結晶の引上げ技術の確立に多大の貢献を果た
すことができる。
上げ装置は、引上げ中は単結晶のトップ部に形成された
クビレ部をクランプせず、種結晶が破断したときのみク
ビレ部を利用して単結晶を保持するので、単結晶の落下
を確実に防止することができ、しかもその防止に伴う引
上げへの悪影響を可及的に回避することができる。従っ
て、大径単結晶の引上げ技術の確立に多大の貢献を果た
すことができる。
【図１】本発明を実施した単結晶引上げ装置の１例につ
いてその主要部の概要を示す立面図である。
いてその主要部の概要を示す立面図である。
【図２】同引上げ装置に装備された単結晶落下防止手段
の縦断面図および底面図である。
の縦断面図および底面図である。
【図３】同引上げ装置の使用状態を示す模式立面図であ
る。
る。
１０ 単結晶 １１ クビレ部 ２０ 種結晶 ３０ 引上げ装置本体 ３１ シードチャック ３２ ワイヤ ４０ 単結晶落下防止手段 ４１ スリーブ ４４ 爪
Claims (1)
- 【請求項１】 ワイヤの下端に装着した種結晶により単
結晶を保持して原料融液から引上げ、且つ引上げ速度等
の制御により単結晶のトップ部にクビレ部を形成する引
上げ装置本体と、ワイヤの延長線の周囲に設けた複数の
爪の内側を単結晶のクビレ部より上の部分が下から上へ
通過するときに複数の爪が開き、クビレ部より上の部分
が複数の爪の内側を下から上へ通過した後は、複数の爪
がワイヤと共に上昇すると共に、結晶外周面に非接触の
状態でクビレ内に嵌合して、単結晶が落下したときにク
ビレ部より上の部分を係止する単結晶落下防止手段とを
具備することを特徴とする単結晶引上げ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3283196A JP2956568B2 (ja) | 1996-01-25 | 1996-01-25 | 単結晶引上げ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3283196A JP2956568B2 (ja) | 1996-01-25 | 1996-01-25 | 単結晶引上げ装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09202691A JPH09202691A (ja) | 1997-08-05 |
| JP2956568B2 true JP2956568B2 (ja) | 1999-10-04 |
Family
ID=12369781
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3283196A Expired - Fee Related JP2956568B2 (ja) | 1996-01-25 | 1996-01-25 | 単結晶引上げ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2956568B2 (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TW541365B (en) * | 1996-08-30 | 2003-07-11 | Sumitomo Sitix Corp | Single crystal pulling method and single crystal pulling device |
| US6139633A (en) * | 1996-09-03 | 2000-10-31 | Sumitomo Metal Industries, Ltd. | Single crystal pulling apparatus |
| DE19737605A1 (de) * | 1997-08-28 | 1999-03-04 | Wacker Siltronic Halbleitermat | Verfahren und Vorrichtung zur Entlastung eines Impfkristalls |
| JP4662362B2 (ja) * | 2006-02-14 | 2011-03-30 | コバレントマテリアル株式会社 | 単結晶引上装置 |
-
1996
- 1996-01-25 JP JP3283196A patent/JP2956568B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH09202691A (ja) | 1997-08-05 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
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| R350 | Written notification of registration of transfer |
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| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
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