JPS63242922A - 超電導材料 - Google Patents
超電導材料Info
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- JPS63242922A JPS63242922A JP62077237A JP7723787A JPS63242922A JP S63242922 A JPS63242922 A JP S63242922A JP 62077237 A JP62077237 A JP 62077237A JP 7723787 A JP7723787 A JP 7723787A JP S63242922 A JPS63242922 A JP S63242922A
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Classifications
-
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- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
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- H10N60/855—Ceramic materials
- H10N60/857—Ceramic materials comprising copper oxide
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-
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- Y10S505/779—Other rare earth, i.e. Sc,Y,Ce,Pr,Nd,Pm,Sm,Eu,Gd,Tb,Dy,Ho,Er,Tm,Yb,Lu and alkaline earth, i.e. Ca,Sr,Ba,Ra
-
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- Y10S505/78—Yttrium and barium-, e.g. YBa2Cu307
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
この発明は、たとえば、電力用の超電導マグネット応用
製品やコンピュータ、赤外センサに使用されるジミセフ
ソン素子などに用いられる、新規な超電導材料に関する
もので、特に、セラミックス系の超電導材料に関するも
のである。
製品やコンピュータ、赤外センサに使用されるジミセフ
ソン素子などに用いられる、新規な超電導材料に関する
もので、特に、セラミックス系の超電導材料に関するも
のである。
［従来の技術］
超電導材料の分野において、最も意義のある特性として
は、超電導状態になる温度すなわ＃５ａ界温度がより高
いことである。なぜなら、１ｑられる臨界温度によって
、使用される冷却媒体、ひいては、実用化の範囲が決定
づけられるからである。
は、超電導状態になる温度すなわ＃５ａ界温度がより高
いことである。なぜなら、１ｑられる臨界温度によって
、使用される冷却媒体、ひいては、実用化の範囲が決定
づけられるからである。
従来、超電導材料の臨界温度はせいぜい２３に前債であ
り、冷却媒体としては、通常、臨界温度より十分低い液
体ヘリウムが使用されてきた。
り、冷却媒体としては、通常、臨界温度より十分低い液
体ヘリウムが使用されてきた。
［発明が解決しようとする問題点］
しかしながら、液体ヘリウムは高価であり、また蒸発を
防ぐためにＴＸａな真空断熱容器を使用Ｖざるを１蔓な
かった。
防ぐためにＴＸａな真空断熱容器を使用Ｖざるを１蔓な
かった。
ところが、最近、セラミックス系の材料にａ３いて超電
導現象を示すことがわかってきている。この材料は、そ
の結晶構造かに２ＮｉＦＡ型層状ペロブスカイト構造で
、化学式が一般的に、＜ Ａ Ｉ−ｘＢｘ ） ｚ Ｃ
ｏ＜＝ｙで表わされる酸化物である。この材料によれば
、４０に前後の臨界温度を示すことがわかっている。し
かし、この材料によっても、冷却媒体としては高価な液
体ヘリウムを使用する必要がある。一方、冷却媒体とし
て非常に安価なものとして液体窒素があり、その沸点温
度は７７にである。したがって、臨界湿度が７７に以上
になると、液体ヘリウムに代わり、非常に安価な液体窒
素が使用できるようになり、超ｒａ導実用化の範囲が飛
躍的に拡大することが期待できる。
導現象を示すことがわかってきている。この材料は、そ
の結晶構造かに２ＮｉＦＡ型層状ペロブスカイト構造で
、化学式が一般的に、＜ Ａ Ｉ−ｘＢｘ ） ｚ Ｃ
ｏ＜＝ｙで表わされる酸化物である。この材料によれば
、４０に前後の臨界温度を示すことがわかっている。し
かし、この材料によっても、冷却媒体としては高価な液
体ヘリウムを使用する必要がある。一方、冷却媒体とし
て非常に安価なものとして液体窒素があり、その沸点温
度は７７にである。したがって、臨界湿度が７７に以上
になると、液体ヘリウムに代わり、非常に安価な液体窒
素が使用できるようになり、超ｒａ導実用化の範囲が飛
躍的に拡大することが期待できる。
そこで、この発明は、セラミックス系材料が超電導現象
を示すことに着目して、７７により高い臨界温度を持っ
た超電導材料を提供しようとするものである。
を示すことに着目して、７７により高い臨界温度を持っ
た超電導材料を提供しようとするものである。
［問題点を解決するための手段］
この発明に従った超電導材料は、一般式ＡａＢｂＣｃで
表わされる組成を有するセラミックス系の超電導材料で
あって、 ａ、 ｂ、 ｃは、関係式ａｘ （Ａの混合原子価）＋
ｂｘ（Ｂの混合原子価）−ｃｘ＜Ｃの混合原子価）を満
足するように選ばれ、 Ａは、周期律表Ｉａ 、Ｉｒａおよびｍａ族元素のうち
の少なくとも一種、 Ｂは、周期律表Ｉｂ 、 Ｉ［ｂおよびＩＩＩｂ族元素
のうちの少なくとも一種、および Ｃは、酸素およびフッ素のうち少なくとも一秤であるこ
とを特徴とするものである。
表わされる組成を有するセラミックス系の超電導材料で
あって、 ａ、 ｂ、 ｃは、関係式ａｘ （Ａの混合原子価）＋
ｂｘ（Ｂの混合原子価）−ｃｘ＜Ｃの混合原子価）を満
足するように選ばれ、 Ａは、周期律表Ｉａ 、Ｉｒａおよびｍａ族元素のうち
の少なくとも一種、 Ｂは、周期律表Ｉｂ 、 Ｉ［ｂおよびＩＩＩｂ族元素
のうちの少なくとも一種、および Ｃは、酸素およびフッ素のうち少なくとも一秤であるこ
とを特徴とするものである。
なお、この出願の明細ｍにおいて、周期律表の亜族の分
は方は、岩波理化学辞典、第３版、１４８４〜１４８５
頁（岩波書店発行）に掲載の元素周期律表の分は方を採
用していることをここで明らかにしておく。
は方は、岩波理化学辞典、第３版、１４８４〜１４８５
頁（岩波書店発行）に掲載の元素周期律表の分は方を採
用していることをここで明らかにしておく。
［発明の作用効果］
この発明によって得られる超Ｔａｎ材料は、−ｈｉｆｆ
ｉのような一般式で表わされるものである。このような
セラミック系超電導材料は、たとえば、所定の組成とな
るように混合された粉末を焼結する粉末焼結法により得
ることもでき、さらには、銅またはアルミニウムのよう
な安定化材の上に、スパッタリング法やＣＶＤ法により
薄膜をもって形成することもできる。
ｉのような一般式で表わされるものである。このような
セラミック系超電導材料は、たとえば、所定の組成とな
るように混合された粉末を焼結する粉末焼結法により得
ることもでき、さらには、銅またはアルミニウムのよう
な安定化材の上に、スパッタリング法やＣＶＤ法により
薄膜をもって形成することもできる。
上述のような手法により得られた超電導材料は、層状ペ
ロブスカイト構造を持ち、従来のたとえばニオブ・チタ
ン合金やニオブ・スズ合金のような金属系超電導材料で
は得られない高い臨界温度を持つことが確認された。
ロブスカイト構造を持ち、従来のたとえばニオブ・チタ
ン合金やニオブ・スズ合金のような金属系超電導材料で
は得られない高い臨界温度を持つことが確認された。
さらに、この発明によって得られる超電導材料は、液体
窒素の沸点温度７７Ｋを超える高い臨界温度を示すこと
が確認された。
窒素の沸点温度７７Ｋを超える高い臨界温度を示すこと
が確認された。
また、上記化学式においてＣが以下の式で表わされると
き、高臨界電流を示す、最も好ましい超電導材料となる
ことが認められる。
き、高臨界電流を示す、最も好ましい超電導材料となる
ことが認められる。
Ｃ＝ （０＋−ｚ Ｆｚ ）［ただし、０≦ｚ＜０．５
］ここで、ＯはＭ素、Ｆはフッ素である。
］ここで、ＯはＭ素、Ｆはフッ素である。
このとき、２が０．５以上では、フッ束の量がＭ素の景
より多くなる。したがって、電流に寄与する電子の数は
フッ素に多くとらえられ、臨界電流が低下する。
より多くなる。したがって、電流に寄与する電子の数は
フッ素に多くとらえられ、臨界電流が低下する。
以上説明したように、この発明に従った超電導材料を用
いれば、液体窒素を冷却媒体として用いることが可能と
なる。そのため、冷却媒体に要するコストが、２０分の
１程度まで低減することかでき、さらに、クライオ容器
の断熱構造が簡単になり、超電導現象を利用する装首全
体のコスｉ〜低減につながる。
いれば、液体窒素を冷却媒体として用いることが可能と
なる。そのため、冷却媒体に要するコストが、２０分の
１程度まで低減することかでき、さらに、クライオ容器
の断熱構造が簡単になり、超電導現象を利用する装首全
体のコスｉ〜低減につながる。
また、本発明による材料は粒界ジョセフソン効果を示す
ので、高感度の赤外センサに用いることができる。さら
に、この効果の高速性を生かして、ジョセフソンコンピ
ュータ素子として利用すると効果的である。
ので、高感度の赤外センサに用いることができる。さら
に、この効果の高速性を生かして、ジョセフソンコンピ
ュータ素子として利用すると効果的である。
［実施例１］
原材料として、Ｌａ Ｆｓ 、Ｓｒ Ｆｚ 、およびＣ
ｕ （０＋−ｚ Ｆｚ ） ［ただし、ｚ−０，３
］を用いて、第１図で表わされる工程に従って通常の粉
末焼結法によって焼結した。このとき、混合比は、モル
比でしａ Ｆ３ ：Ｓｒ Ｆｚ ：ＣＵ （ＯＦ）
２ ＝１．８５：０．１５： １とした。また、予備焼
結は温度９００℃で１０時間行ない、本焼結は直径ｉｏ
ｍｍ、厚さ５＋ｕの円柱状に固めたものを湿度１０００
℃で２時間行なった。
ｕ （０＋−ｚ Ｆｚ ） ［ただし、ｚ−０，３
］を用いて、第１図で表わされる工程に従って通常の粉
末焼結法によって焼結した。このとき、混合比は、モル
比でしａ Ｆ３ ：Ｓｒ Ｆｚ ：ＣＵ （ＯＦ）
２ ＝１．８５：０．１５： １とした。また、予備焼
結は温度９００℃で１０時間行ない、本焼結は直径ｉｏ
ｍｍ、厚さ５＋ｕの円柱状に固めたものを湿度１０００
℃で２時間行なった。
得られた円柱状のサンプルを用いて、通常の四端子法に
より液体窒素中で、臨界温度を測定した結果、第２図に
示ずような電気抵抗温度依存特性が得られた。図による
と、温度１００にで常電導から超電導へ転移し始め、温
度９１Ｋにおいて超電導状態を示した。また、臨界電流
を測定すると、１１００Ａ流れることが確認された。
より液体窒素中で、臨界温度を測定した結果、第２図に
示ずような電気抵抗温度依存特性が得られた。図による
と、温度１００にで常電導から超電導へ転移し始め、温
度９１Ｋにおいて超電導状態を示した。また、臨界電流
を測定すると、１１００Ａ流れることが確認された。
［実施例２１
実施例１で得られた本焼結材を用いて、スパッタリング
Ｊ’ｆＪターゲットを作製した。このターゲットを用い
て、Ａｒガス中にフッ素ガスを供給した雰囲気中にＪ）
いてスパッタリングを行＜【りだ。このとき基板温度２
００℃、Ａｒガス圧１０−’Ｔｏｒｒのスパッタリング
条件下で［Ｇｌを生成することができた。その後、この
薄膜に対して温度９００”Ｃで熱処理を施した。ｉｆら
れた薄膜のＩＢ主導特性を調べた結果、臨界温度１２０
Ｋを示した。
Ｊ’ｆＪターゲットを作製した。このターゲットを用い
て、Ａｒガス中にフッ素ガスを供給した雰囲気中にＪ）
いてスパッタリングを行＜【りだ。このとき基板温度２
００℃、Ａｒガス圧１０−’Ｔｏｒｒのスパッタリング
条件下で［Ｇｌを生成することができた。その後、この
薄膜に対して温度９００”Ｃで熱処理を施した。ｉｆら
れた薄膜のＩＢ主導特性を調べた結果、臨界温度１２０
Ｋを示した。
また、臨界電流密度を測定したところ１、Ｊ、＝１５０
Ａ／１ｌｌｌｔ’を示すことが確認された。
Ａ／１ｌｌｌｔ’を示すことが確認された。
第１図は、この発明に従った超電導材料を得るための粉
末焼結法の］二程図、第２図は、この発明による超′Ｗ
１轡材料の電気抵抗温度依存特性を示す図である。 （ほか２名） 第１図 手続補正書 昭和６３年６月８日 ２、発明の名称 超電導材料 ３、補正をする者 事件との関係 特許出願人 住 所 大阪市東区北浜５丁目１５番地名 称 （
２１Ｂ）住友電気工業株式会社鴎者 用上哲部 ４、代理人 住 所 大阪市北区南森町２丁目１番２９号 住友銀
行南森町ビル６、補正の対象 明細書の発明の詳細な説明の欄および図面の第２図 ７、補正の内容 （１） 明細書第５頁第３行ないし第４行の「銅または
アルミニウムのような安定化材の上に、」を削除する。 （２） 明細書第６頁第１１行ないし第１２行の「粒界
ジョセフソン効果を示すので、」を削除する。 （３） 明細書第６頁第１７行の「ＬａＦ、、ＳｒＦ２
、」をｒＹ２０３ 、ＢａＣ０ａ 、Ｊに補正する。 （４） 明細書第７頁第１行ないし第２行の「ＬａＦ、
：ＳｒＦ２ ：Ｃｕ （ＯＦ）２−１．８５：０．１５
：ＩＪをｒＹ２０． ： ＢａＣ０，：Ｃｕ （ＯＦ）
−０，５： ２ ： ３Ｊに補正する。 （５） 明細書第７頁第４行ないし第５行の「温度１０
００℃」を「温度９５０℃」に補正する。 （６） 明細書第７頁第９行の「温度１００ＫＪを「温
度９５Ｋ」に補正する。 （７） 明細書第７頁第１１行ないし第１２行の「また
、臨界電流をｎ１定すると、ｌ１００Ａ流れることが確
認された。」を削除する。 （８） 明細書第７頁第１８行の「基板温度２００℃」
を「基板温度６００℃」に補正する。 （９） 明細書第８頁第２行の「臨界温度１２０ＫＪを
「臨界温度８５Ｋ」に補正する。 （１０） 図面の第２図を別紙のとおり補正する。 以上
末焼結法の］二程図、第２図は、この発明による超′Ｗ
１轡材料の電気抵抗温度依存特性を示す図である。 （ほか２名） 第１図 手続補正書 昭和６３年６月８日 ２、発明の名称 超電導材料 ３、補正をする者 事件との関係 特許出願人 住 所 大阪市東区北浜５丁目１５番地名 称 （
２１Ｂ）住友電気工業株式会社鴎者 用上哲部 ４、代理人 住 所 大阪市北区南森町２丁目１番２９号 住友銀
行南森町ビル６、補正の対象 明細書の発明の詳細な説明の欄および図面の第２図 ７、補正の内容 （１） 明細書第５頁第３行ないし第４行の「銅または
アルミニウムのような安定化材の上に、」を削除する。 （２） 明細書第６頁第１１行ないし第１２行の「粒界
ジョセフソン効果を示すので、」を削除する。 （３） 明細書第６頁第１７行の「ＬａＦ、、ＳｒＦ２
、」をｒＹ２０３ 、ＢａＣ０ａ 、Ｊに補正する。 （４） 明細書第７頁第１行ないし第２行の「ＬａＦ、
：ＳｒＦ２ ：Ｃｕ （ＯＦ）２−１．８５：０．１５
：ＩＪをｒＹ２０． ： ＢａＣ０，：Ｃｕ （ＯＦ）
−０，５： ２ ： ３Ｊに補正する。 （５） 明細書第７頁第４行ないし第５行の「温度１０
００℃」を「温度９５０℃」に補正する。 （６） 明細書第７頁第９行の「温度１００ＫＪを「温
度９５Ｋ」に補正する。 （７） 明細書第７頁第１１行ないし第１２行の「また
、臨界電流をｎ１定すると、ｌ１００Ａ流れることが確
認された。」を削除する。 （８） 明細書第７頁第１８行の「基板温度２００℃」
を「基板温度６００℃」に補正する。 （９） 明細書第８頁第２行の「臨界温度１２０ＫＪを
「臨界温度８５Ｋ」に補正する。 （１０） 図面の第２図を別紙のとおり補正する。 以上
Claims (2)
- （１）一般式ＡａＢｂＣｃで表わされる組成を有し、 ａ、ｂ、ｃは、関係式ａｘ（Ａの混合原子価）＋ｂｘ（
Ｂの混合原子価）＝ｃｘ（Ｃの混合原子価）を満足する
ように選ばれ、 Ａは、周期律表 I ａ、IIａおよびIIIａ族元素のうちの
少なくとも一種、 Ｂは、周期律表 I ｂ、IIｂおよびIIIｂ族元素のうちの
少なくとも一種、および Ｃは、酸素およびフッ素のうち少なくとも一種とする、
超電導材料。 - （２）前記Ｃが、酸素とフッ素とからなり、かつ、その
組成割合が以下の式を満足するように選ばれる、特許請
求の範囲第１項記載の超電導材料。 Ｃ＝（Ｏ＿１＿−＿ｚＦ＿ｚ）［ただし、０≦ｚ＜０．
５］ここで、Ｏは酸素、Ｆはフッ素である。
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Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63301426A (ja) * | 1987-06-01 | 1988-12-08 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 超電導材料の作製方法 |
| JPH04130015A (ja) * | 1989-01-13 | 1992-05-01 | Hitachi Ltd | ハロゲンを含む銅酸化物超伝導体 |
Families Citing this family (8)
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|---|---|---|---|---|
| DE3786915T2 (de) * | 1987-04-27 | 1993-11-11 | Ovonic Synthetic Materials | Parametrisch geändertes supraleitendes Material. |
| WO1989002880A1 (en) * | 1987-09-24 | 1989-04-06 | Mitsubishi Kinzoku Kabushiki Kaisha | Process for producing superconductive ceramic sinter |
| DE3909882A1 (de) * | 1989-03-25 | 1990-09-27 | Hoechst Ag | Dichte, supraleitende koerper mit textur |
| US5378682A (en) * | 1989-03-25 | 1995-01-03 | Hoechst Aktiengesellschaft | Dense superconducting bodies with preferred orientation |
| GB9411055D0 (en) * | 1994-06-02 | 1994-07-20 | Univ Birmingham | Metal oxyhalide materials, their use and methods for their production |
| KR100447215B1 (ko) * | 2002-02-08 | 2004-09-04 | 엘지전자 주식회사 | 초전도 ＭｇＢ2 박막의 제조 방법 |
| JP4208806B2 (ja) * | 2004-09-16 | 2009-01-14 | 株式会社東芝 | 酸化物超電導体の製造方法 |
| US7615385B2 (en) | 2006-09-20 | 2009-11-10 | Hypres, Inc | Double-masking technique for increasing fabrication yield in superconducting electronics |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63230565A (ja) * | 1987-03-11 | 1988-09-27 | インターナシヨナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーシヨン | 超伝導物質及びその製造方法 |
| JPS63233066A (ja) * | 1987-03-20 | 1988-09-28 | Fujikura Ltd | 超電導体の製造方法 |
| JPS63236712A (ja) * | 1987-03-24 | 1988-10-03 | Kazuo Fueki | 超伝導性材料 |
Family Cites Families (7)
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|---|---|---|---|---|
| JPS63206462A (ja) * | 1987-02-24 | 1988-08-25 | Kawatetsu Kogyo Kk | 導電性又は超伝導性薄膜の製造方法 |
| CA1339978C (en) * | 1987-03-24 | 1998-08-04 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Ceramic oxide superconductive composite material |
| EP0283620A1 (en) * | 1987-03-25 | 1988-09-28 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Superconducting ceramics |
| DE3850800T2 (de) * | 1987-04-13 | 1994-11-17 | Hitachi Ltd | Supraleitendes Material und Verfahren zu dessen Herstellung. |
| DE3786915T2 (de) * | 1987-04-27 | 1993-11-11 | Ovonic Synthetic Materials | Parametrisch geändertes supraleitendes Material. |
| US5004725A (en) * | 1989-04-27 | 1991-04-02 | Ovonic Synthetic Materials Company Inc. | Parametrically modified superconductor material |
| US5242897A (en) * | 1990-11-13 | 1993-09-07 | The University Of Kansas | High Tc superconducting oxides |
-
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-
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Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63230565A (ja) * | 1987-03-11 | 1988-09-27 | インターナシヨナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーシヨン | 超伝導物質及びその製造方法 |
| JPS63233066A (ja) * | 1987-03-20 | 1988-09-28 | Fujikura Ltd | 超電導体の製造方法 |
| JPS63236712A (ja) * | 1987-03-24 | 1988-10-03 | Kazuo Fueki | 超伝導性材料 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63301426A (ja) * | 1987-06-01 | 1988-12-08 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 超電導材料の作製方法 |
| JPH04130015A (ja) * | 1989-01-13 | 1992-05-01 | Hitachi Ltd | ハロゲンを含む銅酸化物超伝導体 |
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