JPS6324224A - 液晶表示素子の駆動方法 - Google Patents

液晶表示素子の駆動方法

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JPS6324224A
JPS6324224A JP16859286A JP16859286A JPS6324224A JP S6324224 A JPS6324224 A JP S6324224A JP 16859286 A JP16859286 A JP 16859286A JP 16859286 A JP16859286 A JP 16859286A JP S6324224 A JPS6324224 A JP S6324224A
Authority
JP
Japan
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liquid crystal
electric field
display element
crystal display
impressing
Prior art date
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Pending
Application number
JP16859286A
Other languages
English (en)
Inventor
Motoi Onishi
大西 基
Atsushi Sasaki
淳 佐々木
Takao Minato
孝夫 湊
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Toppan Inc
Original Assignee
Toppan Printing Co Ltd
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Publication date
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Publication of JPS6324224A publication Critical patent/JPS6324224A/ja
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 (産業上の利用分野) 本発明はカイラルスメクチックC相(以下SmC’相と
いう)を呈する強誘電性液晶を用いた表示素子に、記憶
効果を発現させる方法に関する。
(従来技術) 現在、TN型液晶を用いた表示素子が主流となっている
が、次世代の材料として強誘電性液晶が注目され、この
液晶を用いた表示素子の研究が盛んに行われている。強
誘電性液晶はSmC″相において電場に対する応答性を
示す。この応答は非常に高速であり、かつ−度表示させ
た内容が電源を切っても保持されるという記憶効果があ
る。また、しきい値の急峻性等の特徴を有する。これは
TN型液晶表示素子の問題点(表示面積、コントラスト
、応答特性等)を解決すると言われている。
しかし、現状では記憶効果が非常に不安定あるいは不充
分な状態でしか得られておらず、表示素子としての応用
に、強誘電性液晶の特徴が生かされていない。
(発明の目的) 強誘電性液晶を表示素子に用いる場合、その最大の特徴
及び有効な機能である記憶効果を、安定かつ充分に発現
させることにある。
(発明の構成) すなわち、本発明は、カイラルスメクチックC相を呈す
る液晶を電極基板間に封入した液晶表示素子の駆動方法
において、電極間隔1ミクロンあたり(財)〜200 
Vのピーク間電圧かつ周波数1〜1100H2の交番電
界を印加することによシ前記緩・、晶表示素子に記憶効
果を発現させる液晶表示素子の駆動方法である。
本発明の液晶表示素子にあっては、その記憶効果を効率
的に発揮するには、液晶表示素子の液晶と接する面の一
方または両方に、ラビング法等による一軸配向処理を施
しておき、また電極間ギャップ(液晶層の厚さ)も2ミ
クロン以下に設定することが好ましい。
(作用) 第1図に記憶効果発現に適切な印加電圧領域を示す。適
性領域以下の交番電界を印加した場合は、電場印加時に
おいて充分なチルト角が得られたとしても、電界を消去
するとある一つの状態、あるいは不充分な記憶効果しか
得られない。甘た、適性領域以上の電圧を印加した場合
は、配向の乱れ、絶縁破壊等の問題が発生し好ましくな
い。適性領域内の電圧を低周波数(1〜100H2)で
印加することにより、電場を消去しても電場印加時の状
態が保持される。
(′4!場印加時のチルト角と電場消去時のチルト角の
相違は0〜5%) (実施例) 第2図に1画素の表示素子の構成を示す。セルギャップ
はスペーサー3で一定に保たれ、液晶層4を挾んで透明
電極(ITO)6.6’が両側に設置されている。一方
の透明電極6′上にはポリイミド配向膜5が塗布されて
おシ、ラビングにより一軸配向処理が施されている。液
晶封入後、等方相からSmC″相に徐冷することにより
、強誘電性液晶はラビングの影響を受けてホモジニアス
配向する。ここで、液晶層の厚さ1μm に対してピー
ク間電圧15〜50V9周波数1〜50Hzの交番電界
を数分〜数十分印加すると双安定性を示す部分が出現し
、徐々にこの領域が広がり、画素全体に安定かつ充分な
記憶効果が現れた。
(効果) TN型液晶表示素子にかわる強誘電性液晶表示素子の実
現が本発明により現実的なものとなりうる。また、試作
段階における強誘電性液晶を用いた表示素子について幾
つかの報告がなされているが、いずれも記憶効果が不充
分であるために、高周波の重畳や、印加波形の複雑化が
余儀なくされている。これらの問題も本発明による記憶
効果の発現により、より簡単な波形による駆動が可能と
なり、解決されうるのである。
【図面の簡単な説明】
第1図は、セルギャップに対する記憶効果発現の適性印
加電界領域を示すグラフ図であり、第2図は、1画素の
液晶表示素子を示す断面図である。 (1)・・・偏光子     (2)・・・ガラス基板
(3)・・・スペーサ    (4)・・・液晶層(5
)・・・配向層     (6)・・・透明電極代表者
鈴木和夫 第1図 セコレイガフo()plす

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)カイラルスメクチックC相を呈する液晶を電極基
    板間に封入した液晶表示素子の駆動方法において、電極
    間隔1ミクロンあたり15〜200Vのピーク間電圧か
    つ周波数1〜100Hzの交番電界を印加することによ
    り前記液晶表示素子に記憶効果を発現させる液晶表示素
    子の駆動方法。
  2. (2)液晶表示素子が、電極基板の液晶と接する面の一
    方または両方に、一軸配向処理を施した、電極間ギャッ
    プが2ミクロン以下である特許請求の範囲第1項記載の
    液晶表示素子の駆動方法。
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Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS62133426A (ja) * 1985-12-06 1987-06-16 Canon Inc 液晶装置
JPS62161123A (ja) * 1985-09-04 1987-07-17 Canon Inc 液晶素子及びその製法

Patent Citations (2)

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Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS62161123A (ja) * 1985-09-04 1987-07-17 Canon Inc 液晶素子及びその製法
JPS62133426A (ja) * 1985-12-06 1987-06-16 Canon Inc 液晶装置

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