JPS63242164A - Gtoサイリスタのスナバ−回路 - Google Patents
Gtoサイリスタのスナバ−回路Info
- Publication number
- JPS63242164A JPS63242164A JP7454887A JP7454887A JPS63242164A JP S63242164 A JPS63242164 A JP S63242164A JP 7454887 A JP7454887 A JP 7454887A JP 7454887 A JP7454887 A JP 7454887A JP S63242164 A JPS63242164 A JP S63242164A
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- JP
- Japan
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- snubber
- transformer
- gto
- circuit
- gto thyristor
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- Pending
Links
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- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims abstract description 19
- 238000009499 grossing Methods 0.000 abstract description 2
- 101100449818 Saccharomyces cerevisiae (strain ATCC 204508 / S288c) ECM4 gene Proteins 0.000 description 9
- 101100449817 Schizosaccharomyces pombe (strain 972 / ATCC 24843) gto2 gene Proteins 0.000 description 9
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- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 101100449816 Saccharomyces cerevisiae (strain ATCC 204508 / S288c) GTO1 gene Proteins 0.000 description 3
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 3
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- Power Conversion In General (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[発明の目的]
(産業上の利用分野)
この発明は、GTOサイリスタのスナバ−回路に関する
。
。
(従来の技術)
従来の鉄道車両の制御装置や、電源装置に使用されてい
るGTOサイリスタのゲート制御のためのスナバ−回路
の基本的な構成が、第6図<a>、(b)に示されてい
る。
るGTOサイリスタのゲート制御のためのスナバ−回路
の基本的な構成が、第6図<a>、(b)に示されてい
る。
GTOサイリスタG T Oを用いたスイッチング回路
では、GTOサイリスタGTOがオン状態からオフ状態
に移行する際、GTOサイリスタGTOを流れていたア
ノード電流は、200〜300A/μSの非常に大きな
電流の変化率で減少し、その電流は、実線矢印で示すよ
うにスナバ−回路のスナバ−コンデンサSCにスナバ−
ダイオードSDを介して流入する。このとぎに、スナバ
−回路の漂遊インダクタンスによって、GTOサイリス
タGTOにパルス状に電圧が発生し、オフ状態に移行し
つつあるGTOサイリスタ内部に局部的に損失を発生す
る。この損失によってGTOサイリスタが破壊しないよ
うにするためには、スナバ−コンデンサSCとして従来
のサイリスタに比較して大きな8母のものを必要として
いた。例えば、2000Vの直流電圧の回路で、200
0〜2500Aの電流を遮断可能なGTOサイリスタG
TOでは、6μFのスナバ−コンデンサを必要とする。
では、GTOサイリスタGTOがオン状態からオフ状態
に移行する際、GTOサイリスタGTOを流れていたア
ノード電流は、200〜300A/μSの非常に大きな
電流の変化率で減少し、その電流は、実線矢印で示すよ
うにスナバ−回路のスナバ−コンデンサSCにスナバ−
ダイオードSDを介して流入する。このとぎに、スナバ
−回路の漂遊インダクタンスによって、GTOサイリス
タGTOにパルス状に電圧が発生し、オフ状態に移行し
つつあるGTOサイリスタ内部に局部的に損失を発生す
る。この損失によってGTOサイリスタが破壊しないよ
うにするためには、スナバ−コンデンサSCとして従来
のサイリスタに比較して大きな8母のものを必要として
いた。例えば、2000Vの直流電圧の回路で、200
0〜2500Aの電流を遮断可能なGTOサイリスタG
TOでは、6μFのスナバ−コンデンサを必要とする。
そこで、このGTOサイリスタGTOを600H2でス
イッチングするとすれば、そのときにGToサイリスタ
1個当りで発生するスナバ−回路の損失は、 −CV2f = X6X10″6X20002 X600−720
0 (Watt) であり、極めて大きなものである。
イッチングするとすれば、そのときにGToサイリスタ
1個当りで発生するスナバ−回路の損失は、 −CV2f = X6X10″6X20002 X600−720
0 (Watt) であり、極めて大きなものである。
そこで、第6図(a)に示す従来のスナバ−回路におい
ては、スナバ−コンデンサSCに蓄えられた電荷は、破
線矢印に示すように、すべてスナバ−抵抗器SRによっ
て熱損失となって消費される。この結果、この従来のス
ナバ−回路では、エネルギの帰還効率が悪い問題点があ
った。
ては、スナバ−コンデンサSCに蓄えられた電荷は、破
線矢印に示すように、すべてスナバ−抵抗器SRによっ
て熱損失となって消費される。この結果、この従来のス
ナバ−回路では、エネルギの帰還効率が悪い問題点があ
った。
そこで、同図(b)に示すように、スナバ−回路に供給
されるエネルギの一部を電気エネルギのまま電源側に帰
還する目的で、変成器STをスナバ−抵抗器SRの代わ
りに設けた回路も知られている。この回路の場合、帰還
用の変成器STはスナバ−コンデンサSCの放電方向に
のみしか電流を流さないので、鉄心が飽和して出力が出
なくなるのを避けるために鉄心にギャップを設け、励磁
リアクタンスに蓄積されたエネルギを破線矢印で示すよ
うに、スナバ−補助抵抗器5TR−スナバ−ダイオード
SD−変成器STの1次巻線のループで循環させる。こ
のとき、循環電流によってスナバ−補助抵抗器STRの
両端に生ずる電圧は鉄心の磁束をリセットする方向に発
生するので、鉄心が飽和せず、次のスナバ−コンデンサ
SCの放電の際にも2次側にエネルギを伝達することが
できる。
されるエネルギの一部を電気エネルギのまま電源側に帰
還する目的で、変成器STをスナバ−抵抗器SRの代わ
りに設けた回路も知られている。この回路の場合、帰還
用の変成器STはスナバ−コンデンサSCの放電方向に
のみしか電流を流さないので、鉄心が飽和して出力が出
なくなるのを避けるために鉄心にギャップを設け、励磁
リアクタンスに蓄積されたエネルギを破線矢印で示すよ
うに、スナバ−補助抵抗器5TR−スナバ−ダイオード
SD−変成器STの1次巻線のループで循環させる。こ
のとき、循環電流によってスナバ−補助抵抗器STRの
両端に生ずる電圧は鉄心の磁束をリセットする方向に発
生するので、鉄心が飽和せず、次のスナバ−コンデンサ
SCの放電の際にも2次側にエネルギを伝達することが
できる。
しかしながら、この方式でも、帰還用変成器STの1次
巻線に直列に抵抗器STRを設けなければならず、エネ
ルギの一部がこのスナバ−補助抵抗器STRで熱として
消費されてしまい、エネルギの帰還効率を高くすること
が原理的に不可能であった。
巻線に直列に抵抗器STRを設けなければならず、エネ
ルギの一部がこのスナバ−補助抵抗器STRで熱として
消費されてしまい、エネルギの帰還効率を高くすること
が原理的に不可能であった。
(発明が解決しようとする問題点)
上記のように、従来のGTOサイリスタのスナバ−回路
では、スナバ−抵抗器またはスナバ−補助抵抗器が電気
エネルギの全部または一部を熱エネルギとして消費して
しまって、電気エネルギの帰還効率が高くならない問題
点があった。
では、スナバ−抵抗器またはスナバ−補助抵抗器が電気
エネルギの全部または一部を熱エネルギとして消費して
しまって、電気エネルギの帰還効率が高くならない問題
点があった。
この発明は、このような従来の問題点を解決するために
なされたもので、スナバ−回路で消費される熱損失を低
減して電気エネルギの帰還効率を島(シ、高周波でスイ
ッチングするGTOサイリスタの損失を低減すると共に
、スナバ−回路を小形化できるGTOサイリスタのスナ
バ−回路を提供することを目的とする。
なされたもので、スナバ−回路で消費される熱損失を低
減して電気エネルギの帰還効率を島(シ、高周波でスイ
ッチングするGTOサイリスタの損失を低減すると共に
、スナバ−回路を小形化できるGTOサイリスタのスナ
バ−回路を提供することを目的とする。
[発明の構成]
(問題点を解決するための手段)
この発明のGTOサイリスタのスナバ−回路は、2個の
GTOサイリスタが交互にオン、オフを繰り返すように
直流電源に対して直列接続され、各GTOサイリスタに
並列に、コンデンサとダイオードとの直列回路を接続し
、このダイオードに並列に、ダイオードと逆方向に電流
を流すスイッチング手段と変圧器の1次巻線との直列回
路を接続したGTOサイリスタのスナバ−回路において
、前記各GTOサイリスタの変圧器の1次巻線の極性を
互いに逆向きになるように接続し、かつ前記変圧器の2
次側出力巻線を整流器を介して直流電源に接続したもの
である。
GTOサイリスタが交互にオン、オフを繰り返すように
直流電源に対して直列接続され、各GTOサイリスタに
並列に、コンデンサとダイオードとの直列回路を接続し
、このダイオードに並列に、ダイオードと逆方向に電流
を流すスイッチング手段と変圧器の1次巻線との直列回
路を接続したGTOサイリスタのスナバ−回路において
、前記各GTOサイリスタの変圧器の1次巻線の極性を
互いに逆向きになるように接続し、かつ前記変圧器の2
次側出力巻線を整流器を介して直流電源に接続したもの
である。
(作用)
この発明のGTOサイリスタのスナバ−回路では、交互
にオン、オフする0丁0サイリスタのスナバ−コンデン
サに蓄積された電気エネルギが、変圧器の各1次巻線を
交互に互いに逆方向に励磁し、変圧器の1次電圧を交流
にする。そのため、この変圧器に、鉄心のリセット抵抗
を設ける必要がなく、高効率で電気エネルギを帰還する
ことができる。
にオン、オフする0丁0サイリスタのスナバ−コンデン
サに蓄積された電気エネルギが、変圧器の各1次巻線を
交互に互いに逆方向に励磁し、変圧器の1次電圧を交流
にする。そのため、この変圧器に、鉄心のリセット抵抗
を設ける必要がなく、高効率で電気エネルギを帰還する
ことができる。
(実施例)
以下、この発明の実施例を図に基づいて詳説する。
第1図はこの発明の一実施例を示している。この実施例
のGTOサイリスタのスナバ−回路は、第2図に示すイ
ンバータ回路1の1相分のスイッチング回路2に用いら
れたものである。
のGTOサイリスタのスナバ−回路は、第2図に示すイ
ンバータ回路1の1相分のスイッチング回路2に用いら
れたものである。
直流電源Eに対して一対のGTOザイリスタGTOI、
GTO2が直列に接続されている。各GTOサイリスタ
GTO1,GTO2に対するスナバ−回路3.4は、G
TOサイリスタGTO1゜GTO2に並列に接続された
スナバ−コンデンサSCI、SC2とスナバ−ダイオー
ドSD1.SD2の直列回路と、この直列回路のスナバ
−ダイオードSD1.SD2に並列に接続された変圧器
TSの1次巻線w1.w2とスナバ−サイリスタ831
.882との直列回路とで構成されている。
GTO2が直列に接続されている。各GTOサイリスタ
GTO1,GTO2に対するスナバ−回路3.4は、G
TOサイリスタGTO1゜GTO2に並列に接続された
スナバ−コンデンサSCI、SC2とスナバ−ダイオー
ドSD1.SD2の直列回路と、この直列回路のスナバ
−ダイオードSD1.SD2に並列に接続された変圧器
TSの1次巻線w1.w2とスナバ−サイリスタ831
.882との直列回路とで構成されている。
そして、一方のGTOサイリスタGTOIに対するスナ
バ−回路の変圧器TSの第1の1次巻線W1と、使方の
GTOサイリスタGTO2に対するスナバ−回路の変圧
器TSの第2の1次巻線W2とは、互いに楊性が逆向き
になるように接続されている。
バ−回路の変圧器TSの第1の1次巻線W1と、使方の
GTOサイリスタGTO2に対するスナバ−回路の変圧
器TSの第2の1次巻線W2とは、互いに楊性が逆向き
になるように接続されている。
変圧器TSの2次巻線w3は、整流ブリッジSR[と平
滑チョークSxを介して直流型REと接続されている。
滑チョークSxを介して直流型REと接続されている。
各GTOサイリスタGTOI、GTO2のグーi〜には
、ゲート回路5.6が接続されている。そして、前記各
スナバ−サイリスタ881.SS2ニハ、GTOサイリ
スタGTOI、GTO2(7)オンパルスに同期したト
リガ信号が与えられるが、GTOサイリスタ881.S
S2のゲート出力にパルストランスG Tを設けて絶縁
し、ダイオードDI、D2によりオンパルスのみがサイ
リスクS81、SS2に加わるように構成されている。
、ゲート回路5.6が接続されている。そして、前記各
スナバ−サイリスタ881.SS2ニハ、GTOサイリ
スタGTOI、GTO2(7)オンパルスに同期したト
リガ信号が与えられるが、GTOサイリスタ881.S
S2のゲート出力にパルストランスG Tを設けて絶縁
し、ダイオードDI、D2によりオンパルスのみがサイ
リスクS81、SS2に加わるように構成されている。
上記の構成のGTOサイリスクのスナバ−回路の動作に
ついて、次に説明する。
ついて、次に説明する。
第3図のタイムチtシートを参照して、第1、第2のG
TOサイリスタGTO1,0TO2には、同図(a)に
示すように交互にオン、オフするゲート信号が加えられ
る。
TOサイリスタGTO1,0TO2には、同図(a)に
示すように交互にオン、オフするゲート信号が加えられ
る。
そこで、第1のGTOサイ゛リスタGTO1がオフした
瞬間Aでは、第4図に示すように、第10Toサイリス
タGTO1を流れていた7ノード電流(第3図(e)に
示す電流)がスナバーコンデンFjS01、スナバ−ダ
イオードSD1に移行し、スナバ−コンデンサS01を
充電する。
瞬間Aでは、第4図に示すように、第10Toサイリス
タGTO1を流れていた7ノード電流(第3図(e)に
示す電流)がスナバーコンデンFjS01、スナバ−ダ
イオードSD1に移行し、スナバ−コンデンサS01を
充電する。
このとき、同時に第2のGTOサイリスタGTO2がオ
ンするので、スナバ−コンデンサSC2の電荷は、第2
のGTOサイリスタGTO2−トリガパルスが与えられ
たスナバ−サイリスタ582−第2の1次巻aW2を介
してIIi電しく第3図(j)に示す)、変圧器T S
の2次巻線W3に電流(第3図(k)に示す)が流れて
、電源Eに電荷を帰還することができる。
ンするので、スナバ−コンデンサSC2の電荷は、第2
のGTOサイリスタGTO2−トリガパルスが与えられ
たスナバ−サイリスタ582−第2の1次巻aW2を介
してIIi電しく第3図(j)に示す)、変圧器T S
の2次巻線W3に電流(第3図(k)に示す)が流れて
、電源Eに電荷を帰還することができる。
なお、ここで、電源Eに電荷を帰還するためには、変圧
器TSの2次巻線W3の巻数を1次巻線W1.W2の各
巻数よりも大きく設定して、変圧器TSから発生する電
圧を電源電圧より高くしておくことが必要である。
器TSの2次巻線W3の巻数を1次巻線W1.W2の各
巻数よりも大きく設定して、変圧器TSから発生する電
圧を電源電圧より高くしておくことが必要である。
第2のスナバ−サイリスタSS2は、スナバ−コンデン
サSC2の電荷が放雷し終わると、消弧する。
サSC2の電荷が放雷し終わると、消弧する。
続いて、第3図(a>に示すように第1のG −rOサ
イリスタGTOIがオンし、第2のGTOサイリスタG
TO2がオフした瞬間Bには、同図(C)に示すように
第1のスナバ−サイリスタS81にトリガ信号が与えら
れ、第3図(g)及び第5図に承すようにスナバ−コン
デンサSCIの電荷が第1の1次巻線W1を介して放電
される。
イリスタGTOIがオンし、第2のGTOサイリスタG
TO2がオフした瞬間Bには、同図(C)に示すように
第1のスナバ−サイリスタS81にトリガ信号が与えら
れ、第3図(g)及び第5図に承すようにスナバ−コン
デンサSCIの電荷が第1の1次巻線W1を介して放電
される。
ここで、第1巻線w1と第2巻線w2との巻き方向を逆
にしているので、このスナバ−コンデンサSC1の放電
電流による変圧器TSの2次巻線W3の励磁方向は、第
4図に承りものとは逆ViIf!tとなり、第3図(k
)に示すように交流電流が変圧器TSの2次出力となる
。
にしているので、このスナバ−コンデンサSC1の放電
電流による変圧器TSの2次巻線W3の励磁方向は、第
4図に承りものとは逆ViIf!tとなり、第3図(k
)に示すように交流電流が変圧器TSの2次出力となる
。
このようにして、第1、第2のGTOサイリスタGTO
1,GTO2の交互のオン、オフにより、変圧器TSに
は交流電流が流れることになり、1方向励磁電流の場合
のように変圧器にリセット抵抗を設けなくても、交流が
自ずと逆方向電流を消弧し、スナバ−抵抗器やスナバ−
補助抵抗器にょり発生する熱損失をなくし、電気エネル
ギの効率の良い帰還ができるのである。また、交流が変
圧器TSに流れるため、この変圧器TSの鉄心を小さな
ものにできる。
1,GTO2の交互のオン、オフにより、変圧器TSに
は交流電流が流れることになり、1方向励磁電流の場合
のように変圧器にリセット抵抗を設けなくても、交流が
自ずと逆方向電流を消弧し、スナバ−抵抗器やスナバ−
補助抵抗器にょり発生する熱損失をなくし、電気エネル
ギの効率の良い帰還ができるのである。また、交流が変
圧器TSに流れるため、この変圧器TSの鉄心を小さな
ものにできる。
なお、この発明のGTOサイリスタのスナバ−回路は、
上記の実施例に限定されるものではなく、スナバ−サイ
リスタSS1.SS2に代えてスイッチングトランジス
タやFETのようなスイッチング手段を用いて高速応答
性を実現することもできる。
上記の実施例に限定されるものではなく、スナバ−サイ
リスタSS1.SS2に代えてスイッチングトランジス
タやFETのようなスイッチング手段を用いて高速応答
性を実現することもできる。
[発明の効果]
以上のようにこの発明によれば、交互にオン、オフする
GTOサイリスタの各々に対して並列にスナバ−コンデ
ンサとスナバ−ダイオードとの直列回路を接続し、この
スナバ−ダイオードに並列に変rE器とスイッチング手
段との直列回路を設け、各GTOサイリスタに対する変
圧器の1次巻線の巻き方向を互いに逆方向に設定したの
で、交互にオン、オフするGTOサイリスタの各スナバ
−コンデンサに蓄積される電気エネルギが変圧器を交!
7に互いに逆向きに励磁できる。この結果、変圧器の1
次電圧が交流となり、鉄心のリセット抵抗を設ける必要
がなく、高効率の電気エネルギの帰還ができる。また、
スナバ−変圧器に交流が流れるため、この変圧器を直流
の場合のように大型なものにする必要がなく、機器構成
の小形化が図れる。
GTOサイリスタの各々に対して並列にスナバ−コンデ
ンサとスナバ−ダイオードとの直列回路を接続し、この
スナバ−ダイオードに並列に変rE器とスイッチング手
段との直列回路を設け、各GTOサイリスタに対する変
圧器の1次巻線の巻き方向を互いに逆方向に設定したの
で、交互にオン、オフするGTOサイリスタの各スナバ
−コンデンサに蓄積される電気エネルギが変圧器を交!
7に互いに逆向きに励磁できる。この結果、変圧器の1
次電圧が交流となり、鉄心のリセット抵抗を設ける必要
がなく、高効率の電気エネルギの帰還ができる。また、
スナバ−変圧器に交流が流れるため、この変圧器を直流
の場合のように大型なものにする必要がなく、機器構成
の小形化が図れる。
第1図はこの発明の一実施例の回路図、第2図は上記実
施例を用いたインバータの回路図、第3図は上記実施例
の動作を説明するタイムチャート、第4図は上記実施例
の第1のGTOサイリスタのオフ時の動作を説明する動
作説明図、第5図は上記実施例の第1のG T Oサイ
リスタのオン時の動作を説明する動作説明図、第6図は
従来例の動作を説明する回路図である。 GTOl、0丁02・・・GTOサイリスクSS1.8
82・・・スナバ−サイリスタ801、SC2・・・ス
ナバ−ダイオード8CI、SG2・・・スナバ−コンデ
ンサTS・・・変圧器 Wl、W2・・・1次巻線 W3・・・2次巻線
施例を用いたインバータの回路図、第3図は上記実施例
の動作を説明するタイムチャート、第4図は上記実施例
の第1のGTOサイリスタのオフ時の動作を説明する動
作説明図、第5図は上記実施例の第1のG T Oサイ
リスタのオン時の動作を説明する動作説明図、第6図は
従来例の動作を説明する回路図である。 GTOl、0丁02・・・GTOサイリスクSS1.8
82・・・スナバ−サイリスタ801、SC2・・・ス
ナバ−ダイオード8CI、SG2・・・スナバ−コンデ
ンサTS・・・変圧器 Wl、W2・・・1次巻線 W3・・・2次巻線
Claims (1)
- 2個のGTOサイリスタが交互にオン、オフを繰り返す
ように直流電源に対して直列接続され、各GTOサイリ
スタに並列に、コンデンサとダイオードとの直列回路を
接続し、このダイオードに並列にダイオードと逆方向に
電流を流すスイッチング手段と変圧器の1次巻線との直
列回路を接続したGTOサイリスタのスナバー回路にお
いて、前記各GTOサイリスタの変圧器の1次巻線の極
性を互いに逆向きになるように接続し、かつ前記変圧器
の2次側出力巻線を整流器を介して直流電源に接続して
成るGTOサイリスタのスナバー回路。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP7454887A JPS63242164A (ja) | 1987-03-30 | 1987-03-30 | Gtoサイリスタのスナバ−回路 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP7454887A JPS63242164A (ja) | 1987-03-30 | 1987-03-30 | Gtoサイリスタのスナバ−回路 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS63242164A true JPS63242164A (ja) | 1988-10-07 |
Family
ID=13550416
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP7454887A Pending JPS63242164A (ja) | 1987-03-30 | 1987-03-30 | Gtoサイリスタのスナバ−回路 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS63242164A (ja) |
-
1987
- 1987-03-30 JP JP7454887A patent/JPS63242164A/ja active Pending
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