JPS63240018A - アライメント方法 - Google Patents
アライメント方法Info
- Publication number
- JPS63240018A JPS63240018A JP62074619A JP7461987A JPS63240018A JP S63240018 A JPS63240018 A JP S63240018A JP 62074619 A JP62074619 A JP 62074619A JP 7461987 A JP7461987 A JP 7461987A JP S63240018 A JPS63240018 A JP S63240018A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light
- alignment
- substrate
- film
- wavelength
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 15
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 12
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims abstract description 11
- 238000001514 detection method Methods 0.000 abstract 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 230000010363 phase shift Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
- G03F9/70—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
- G03F9/7073—Alignment marks and their environment
- G03F9/7084—Position of mark on substrate, i.e. position in (x, y, z) of mark, e.g. buried or resist covered mark, mark on rearside, at the substrate edge, in the circuit area, latent image mark, marks in plural levels
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は光の反射あるいは回折を利用してアライメント
を行う方法に関し、特に複数の反射面を有する多層膜の
形成された基板を７ライメントする場合の方法に関する
ものである。
を行う方法に関し、特に複数の反射面を有する多層膜の
形成された基板を７ライメントする場合の方法に関する
ものである。
従来の技術
現在半導体素子の製造に用いられているアライメント方
法はアライメント用に基板に形成された所定のマークを
光（レーザー光等）で走査し、その反射光あるいは回折
光を利用して位置を検出しマスクと基板の位置合せを行
う方法が一般的に行われている。そしてこの光源として
は単色光が一般的に用いられている。
法はアライメント用に基板に形成された所定のマークを
光（レーザー光等）で走査し、その反射光あるいは回折
光を利用して位置を検出しマスクと基板の位置合せを行
う方法が一般的に行われている。そしてこの光源として
は単色光が一般的に用いられている。
発明が解決しようとする問題点
このような場合に複数の反射面を有するような多層膜の
形成された基板について考えると反射あ、 るいは回折
してくる光量はそれぞれの面で反射あるいは回折してく
る光量の和になる。つ″１シ反射あるいは回折してくる
光の位相のずれによって光量が変化した場合によってほ
とんど反射光あるいは回折光が得られずアライメントが
不可能な状況が生じていた。
形成された基板について考えると反射あ、 るいは回折
してくる光量はそれぞれの面で反射あるいは回折してく
る光量の和になる。つ″１シ反射あるいは回折してくる
光の位相のずれによって光量が変化した場合によってほ
とんど反射光あるいは回折光が得られずアライメントが
不可能な状況が生じていた。
本発明はかかる点に鑑みなされたもので、複数の反射面
を有する多層膜の形成された基板においても安全にアラ
イメントができるようにする方法を提供することを目的
としている。
を有する多層膜の形成された基板においても安全にアラ
イメントができるようにする方法を提供することを目的
としている。
問題点を解決するための手段
本発明は上記問題点を解決するため、基板に多層膜を形
成する際にそれぞれの反射面で反射する光の光路差がそ
れぞれの媒質の波長の単位で測って整数に近い値となる
ように各膜厚の形成を行うものである。
成する際にそれぞれの反射面で反射する光の光路差がそ
れぞれの媒質の波長の単位で測って整数に近い値となる
ように各膜厚の形成を行うものである。
作 用
本発明の方法により複数の反射面を有する多層膜の形成
された基板においても安定にアライメントを行うことが
できる。
された基板においても安定にアライメントを行うことが
できる。
実施例
第１図に本発明の原理図を示す。まずＳｉ基板１の主面
に第１８１ｏ２膜２が５００人、 Ｐｏ１ｙＳｉ膜３が
１４５０人、第２の５１０２膜４が１ 、Ｏ７１ｍ形成
されている基板に、波長が６３２．８膜ｍの光６により
アライメントを行う場合について考えると、コノ時（７
）Ｓｉ０２（７）屈折率を１．４５．Ｐｏ１ｙＳｉ （
Ｄ屈折率を３．８５．Ｐｏ１ｙＳｉ膜３で反射する光６
′とＳｉ基板１で反射する光６′はともにｂ １０２
／Ｓ ｌ界面で反射されるためのそれぞれの界面での反
射率が等しいと考えると光路差は約２となり反射光が最
も強く得られる。第１の５ｌｏ２膜を５００人一定とす
ると光路差が１の時のＰｏ１ｙＳｉ 膜厚は約６３０人
、光路差が３になる時は約２２８０人となる。
に第１８１ｏ２膜２が５００人、 Ｐｏ１ｙＳｉ膜３が
１４５０人、第２の５１０２膜４が１ 、Ｏ７１ｍ形成
されている基板に、波長が６３２．８膜ｍの光６により
アライメントを行う場合について考えると、コノ時（７
）Ｓｉ０２（７）屈折率を１．４５．Ｐｏ１ｙＳｉ （
Ｄ屈折率を３．８５．Ｐｏ１ｙＳｉ膜３で反射する光６
′とＳｉ基板１で反射する光６′はともにｂ １０２
／Ｓ ｌ界面で反射されるためのそれぞれの界面での反
射率が等しいと考えると光路差は約２となり反射光が最
も強く得られる。第１の５ｌｏ２膜を５００人一定とす
ると光路差が１の時のＰｏ１ｙＳｉ 膜厚は約６３０人
、光路差が３になる時は約２２８０人となる。
このように光路差が整数に近い値となるように多層膜の
膜厚を形成しておく。
膜厚を形成しておく。
次に第２図にこの原理を利用して実際にアライメントを
行う場合の一実施例を示す。
行う場合の一実施例を示す。
所定のアライメントマーク６の形成された基板１上に例
えば第１の５ｉ０２膜２ 、Ｐｏ１ｙＳｉ膜３゜第２の
Ｓｉｏ２膜４を形成する。この時これら多層膜のそれぞ
れの膜厚を調整し、反射光あるいは回折光の光路差が整
数に近くなる膜厚±２６％以内が望ましいようにしてお
く。なお、望ましくは膜厚として、光路差が整数になる
。
えば第１の５ｉ０２膜２ 、Ｐｏ１ｙＳｉ膜３゜第２の
Ｓｉｏ２膜４を形成する。この時これら多層膜のそれぞ
れの膜厚を調整し、反射光あるいは回折光の光路差が整
数に近くなる膜厚±２６％以内が望ましいようにしてお
く。なお、望ましくは膜厚として、光路差が整数になる
。
次にこのアライメントマーク６を光６によりａ方向に走
査しその時の反射光あるいは回折光を受光し処理を行な
うことによりアライメントマーク６に対応するような信
号波形すが得られる。その後この信号波形すを処理する
ことＫよりアライメントマーク６の座標を検知しアライ
メントを行うことができる。
査しその時の反射光あるいは回折光を受光し処理を行な
うことによりアライメントマーク６に対応するような信
号波形すが得られる。その後この信号波形すを処理する
ことＫよりアライメントマーク６の座標を検知しアライ
メントを行うことができる。
この時の信号波形すの大きさは、反射あるいは回折して
くる光の量に比例するため光路差が整数に近くなるよう
にしておくことにより大きな信号波形を得ることができ
安定にかつ正確にアライメントマークの座標を検知する
ことができる。
くる光の量に比例するため光路差が整数に近くなるよう
にしておくことにより大きな信号波形を得ることができ
安定にかつ正確にアライメントマークの座標を検知する
ことができる。
発明の効果
以上述べたように本発明の方法を用いることにより複数
の反射面を有するような多層膜が形成された基板におい
ても安定に７ライメントを行うことができその工業的価
値は大きい。
の反射面を有するような多層膜が形成された基板におい
ても安定に７ライメントを行うことができその工業的価
値は大きい。
第１図は本発明の一実施例のアライメントを行う場合の
原理を説明するための断面図、第２図は本実施例の方法
でアライメントを行う場合のアライメント部の断面図、
第２図すはその信号波形図である。 １・・・・・・Ｓｔ基板、２・・・・・・第１の８１０
２膜、３・・・・・・Ｐｏ １ｙＳｉ膜、４・・・・・
・第２の５ｉ０２膜、６・・・・・・光、Ｃｉ’、 ５
’・・・・・・反射光、６・・・・・・アライメントマ
ーク。 第１図 尤
原理を説明するための断面図、第２図は本実施例の方法
でアライメントを行う場合のアライメント部の断面図、
第２図すはその信号波形図である。 １・・・・・・Ｓｔ基板、２・・・・・・第１の８１０
２膜、３・・・・・・Ｐｏ １ｙＳｉ膜、４・・・・・
・第２の５ｉ０２膜、６・・・・・・光、Ｃｉ’、 ５
’・・・・・・反射光、６・・・・・・アライメントマ
ーク。 第１図 尤
Claims (1)
- 基板の主面に複数の反射面を有するごとく多層膜を形成
する際、アライメントに使用する光の波長をもとにして
それぞれ媒質内での波長の単位を用いて計算した光路差
が整数に近くになるよう膜形成を行う工程と、光の反射
光あるいは回折光を利用して位置検出を行う工程とを有
してなるアライメント方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62074619A JPS63240018A (ja) | 1987-03-27 | 1987-03-27 | アライメント方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62074619A JPS63240018A (ja) | 1987-03-27 | 1987-03-27 | アライメント方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63240018A true JPS63240018A (ja) | 1988-10-05 |
Family
ID=13552372
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62074619A Pending JPS63240018A (ja) | 1987-03-27 | 1987-03-27 | アライメント方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63240018A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6285455B1 (en) | 1997-11-20 | 2001-09-04 | Nikon Corporation | Mark detection method, optical system and mark position detector |
-
1987
- 1987-03-27 JP JP62074619A patent/JPS63240018A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6285455B1 (en) | 1997-11-20 | 2001-09-04 | Nikon Corporation | Mark detection method, optical system and mark position detector |
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