JPS632386A - アモルフアスシリコン太陽電池 - Google Patents
アモルフアスシリコン太陽電池Info
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- JPS632386A JPS632386A JP61145745A JP14574586A JPS632386A JP S632386 A JPS632386 A JP S632386A JP 61145745 A JP61145745 A JP 61145745A JP 14574586 A JP14574586 A JP 14574586A JP S632386 A JPS632386 A JP S632386A
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- transparent resin
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- resin layer
- amorphous silicon
- solar cell
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Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/548—Amorphous silicon PV cells
Landscapes
- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
ぐ産業上の利用分野〉
本発明は、光線入射側に多層構造の透明樹脂層を設けた
アモルファスシリコン太陽電池に関する。
アモルファスシリコン太陽電池に関する。
く従来の技術〉
第3図は従来のアモルファスシリコン太陽taの一般的
な構造を示したものであり、ステンレス基板などの導電
性基板4上にアモルファスシリコン半導体層3、透明電
極層2が順次積層され、光線入射側の表面には透明樹脂
層1が形成されている。この最外層の透明樹脂M1は8
!!械的な外力や湿気等の外部雰囲気から太陽電池セル
を保護するためである。従って、透明樹脂M1には反射
や吸収による入射光線ロスが少ないことのほかに、機械
的外力に対する硬度と雰囲気に対する防湿性が要求され
、従来はフッ素系樹脂、アクリル系樹脂、エポキシ系樹
脂等の樹脂が多く用いられている。
な構造を示したものであり、ステンレス基板などの導電
性基板4上にアモルファスシリコン半導体層3、透明電
極層2が順次積層され、光線入射側の表面には透明樹脂
層1が形成されている。この最外層の透明樹脂M1は8
!!械的な外力や湿気等の外部雰囲気から太陽電池セル
を保護するためである。従って、透明樹脂M1には反射
や吸収による入射光線ロスが少ないことのほかに、機械
的外力に対する硬度と雰囲気に対する防湿性が要求され
、従来はフッ素系樹脂、アクリル系樹脂、エポキシ系樹
脂等の樹脂が多く用いられている。
〈発明が解決しようとする問題点〉
しかしながら、フッ素系樹脂は、屈折率が1.4程度(
波r1.60onm付近、以下同じ)と比較的小さく樹
脂表面での反射が少ない反面、表面硬度、耐湿性などの
面で劣っている。−方、アクリル系樹脂、エポキシ系樹
脂は、表面硬度や耐湿性の面では比較的優れているが、
屈折率が1.5以上であって表面反射による光量ロスが
大きくなるという性質がある。従って、太陽電池の保護
用透明樹脂としてはそれぞれ一長一短があり、最適な特
性のものが得られないという問題点があった。
波r1.60onm付近、以下同じ)と比較的小さく樹
脂表面での反射が少ない反面、表面硬度、耐湿性などの
面で劣っている。−方、アクリル系樹脂、エポキシ系樹
脂は、表面硬度や耐湿性の面では比較的優れているが、
屈折率が1.5以上であって表面反射による光量ロスが
大きくなるという性質がある。従って、太陽電池の保護
用透明樹脂としてはそれぞれ一長一短があり、最適な特
性のものが得られないという問題点があった。
本発明はこのような問題点に着目し、光量ロスが少なく
、しかも保護用としての充分な機能も備えた透明樹脂層
を得ることを目的としてなされたものである。
、しかも保護用としての充分な機能も備えた透明樹脂層
を得ることを目的としてなされたものである。
く問題点を解決するための手段と作用〉上記の目的を達
成するために、本発明のアモルファスシリコン太陽電池
は、透明樹脂層を、性質、特に屈折率の異なる複数種類
の樹脂を組合わせた多層構造としている。このように透
明樹脂層を多層構造にすると、−部の層に硬度、耐湿性
に優九る樹脂を用いることによってその優れた点をその
まま生かすことができ、しかも次の実施例での計算例の
ように全反射率を小さくすることが可能となるのである
。
成するために、本発明のアモルファスシリコン太陽電池
は、透明樹脂層を、性質、特に屈折率の異なる複数種類
の樹脂を組合わせた多層構造としている。このように透
明樹脂層を多層構造にすると、−部の層に硬度、耐湿性
に優九る樹脂を用いることによってその優れた点をその
まま生かすことができ、しかも次の実施例での計算例の
ように全反射率を小さくすることが可能となるのである
。
〈実施例〉
次に、図示の実施例について説明する。第1図は透明樹
脂M1がla、lbの2層で構成されたもの、第2図は
la、lb、leの3Nで透明樹脂N1が構成されたも
のをそれぞれ示している。
脂M1がla、lbの2層で構成されたもの、第2図は
la、lb、leの3Nで透明樹脂N1が構成されたも
のをそれぞれ示している。
まず、第3図の従来例の場合の表面反射率について述べ
る。透明樹脂層1、透明電極層2、アモルファスシリコ
ン半導体層3の各屈折率をそれぞれnl +12yn3
とし、空気のそれを10とすると、透明樹脂層1の表面
反射率R,は垂直入射と仮定して次の式で表わされる。
る。透明樹脂層1、透明電極層2、アモルファスシリコ
ン半導体層3の各屈折率をそれぞれnl +12yn3
とし、空気のそれを10とすると、透明樹脂層1の表面
反射率R,は垂直入射と仮定して次の式で表わされる。
また、透明電極層2での表面反射率R2は透明電極M2
が光学的薄膜であることがら、で表される。ここで、光
線は垂直入射、透明電極M2の膜厚は波長に対して最適
化されており、いわゆる薄膜干渉の位相条件を満たして
いるものと仮定している。
が光学的薄膜であることがら、で表される。ここで、光
線は垂直入射、透明電極M2の膜厚は波長に対して最適
化されており、いわゆる薄膜干渉の位相条件を満たして
いるものと仮定している。
<1)(2)式に具体的な数値を当てはめてみると、7
モル71スシリコン半導体層3の屈折率n3=3.5、
透明電極層2の屈折率nz=2.0のとき、透明樹脂層
1が屈折率1.=l、4の7ツ素樹脂の場合には、全反
射率を と定義した場合に、 R=1−0,9フ2XQ、990=0.038
・・・(4)となる、また透明樹脂N1がn
l ”1.5のアクリル系樹脂の場合には、同様な計算
で R= 1−0.960X0.982=0.057
・・・(5)となり、前記した屈折率と光量ロスと
の関係は明白である。
モル71スシリコン半導体層3の屈折率n3=3.5、
透明電極層2の屈折率nz=2.0のとき、透明樹脂層
1が屈折率1.=l、4の7ツ素樹脂の場合には、全反
射率を と定義した場合に、 R=1−0,9フ2XQ、990=0.038
・・・(4)となる、また透明樹脂N1がn
l ”1.5のアクリル系樹脂の場合には、同様な計算
で R= 1−0.960X0.982=0.057
・・・(5)となり、前記した屈折率と光量ロスと
の関係は明白である。
次に、本発明の実施例の多層化された透明樹脂層1の場
合について全反射率を求める0図において、R7a、R
,blR,cはそれぞれ層1a、lb、lcの表面反射
率であり、各層の屈折率をn+1.n1b、 n、cと
すると、全反射率Rは、Pt51図の場合には次の(6
)式で、第2図の場合には次の(7)式で表わされる。
合について全反射率を求める0図において、R7a、R
,blR,cはそれぞれ層1a、lb、lcの表面反射
率であり、各層の屈折率をn+1.n1b、 n、cと
すると、全反射率Rは、Pt51図の場合には次の(6
)式で、第2図の場合には次の(7)式で表わされる。
そこで、第1図において、例えばllaとしてn1a=
1.4のフッ素系樹脂を、1bとしてn Ib = 1
.5のアクリル系樹脂を用いたとすると、この場合には
、R= 1−0,972X0,999X0.982=0
.046 ・・・(8)となり、逆に層1aにアクリ
ル系樹脂を、1bにフッ素ji%衝曜を用いた場合には
、 R= 1−0.960X0,999X0.990=0.
051 ・・・(9)となる。
1.4のフッ素系樹脂を、1bとしてn Ib = 1
.5のアクリル系樹脂を用いたとすると、この場合には
、R= 1−0,972X0,999X0.982=0
.046 ・・・(8)となり、逆に層1aにアクリ
ル系樹脂を、1bにフッ素ji%衝曜を用いた場合には
、 R= 1−0.960X0,999X0.990=0.
051 ・・・(9)となる。
また第2図のものにおいで、層1a、 lcとしてフッ
素系樹tilt(n、a=n、c=1.4)、1bとし
てアクリル系樹脂(n、b=1.5)を用いた場合には
、R= 1−0.972X0.999X0.999X0
.990=0.040 ・
・・(10)となる。
素系樹tilt(n、a=n、c=1.4)、1bとし
てアクリル系樹脂(n、b=1.5)を用いた場合には
、R= 1−0.972X0.999X0.999X0
.990=0.040 ・
・・(10)となる。
以上の(8)(9)(10)式に示すように、反射率は
いずれも前記の(5)式の場合よりも小さく、(4)式
の場合に上り近いものとなっている。そしてアクリル系
樹脂の硬度、耐湿性はそのまま生かせるので、アモルフ
ァスシリコン太陽電池の用として最適化された透明樹脂
N11が得られるのである。
いずれも前記の(5)式の場合よりも小さく、(4)式
の場合に上り近いものとなっている。そしてアクリル系
樹脂の硬度、耐湿性はそのまま生かせるので、アモルフ
ァスシリコン太陽電池の用として最適化された透明樹脂
N11が得られるのである。
なお、仮にn<1.4の低屈折率樹脂を上記のn=1.
4の樹脂の代わりに用いた場合には、全反射率を一層低
減することができる。
4の樹脂の代わりに用いた場合には、全反射率を一層低
減することができる。
〈発明の効果〉
上述の実施例の説明からも明らかなように、本発明のア
モルファスシリコン太陽電池は、透明む(脂層な屈折率
の異なる複数の樹脂を用いた多層構造としたものであり
、透明U(脂層の反射率を小さくすることができる。従
って、入射光量ロスが少なく、しかも8!械的外力に対
する硬度や雰囲気に対する耐湿性等を備えた透明樹脂層
を得ることが可能となり、アモルファスシリコン太陽電
池の保護用として最適な透明樹脂層が得られるのである
。
モルファスシリコン太陽電池は、透明む(脂層な屈折率
の異なる複数の樹脂を用いた多層構造としたものであり
、透明U(脂層の反射率を小さくすることができる。従
って、入射光量ロスが少なく、しかも8!械的外力に対
する硬度や雰囲気に対する耐湿性等を備えた透明樹脂層
を得ることが可能となり、アモルファスシリコン太陽電
池の保護用として最適な透明樹脂層が得られるのである
。
PA1図は、本発明の一実施例の断面図、第2図は、他
の実施例の断面図、 第3図は、従来例の断面図である。 1・・・透明樹脂層、la、lb、lc・・・透明樹脂
層の各層2・・・透明電極層、 3・・・アモルファスシリコン半導体層、4・・・導電
性基板
の実施例の断面図、 第3図は、従来例の断面図である。 1・・・透明樹脂層、la、lb、lc・・・透明樹脂
層の各層2・・・透明電極層、 3・・・アモルファスシリコン半導体層、4・・・導電
性基板
Claims (1)
- 1、導電性基板の上にアモルファスシリコン半導体層と
透明電極層とを形成し、更にその表面に透明樹脂層を形
成してなるアモルファスシリコン太陽電池において、上
記透明樹脂層を屈折率の異なる複数の樹脂を用いた多層
構造としたことを特徴とするアモルファスシリコン太陽
電池。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61145745A JPS632386A (ja) | 1986-06-20 | 1986-06-20 | アモルフアスシリコン太陽電池 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61145745A JPS632386A (ja) | 1986-06-20 | 1986-06-20 | アモルフアスシリコン太陽電池 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS632386A true JPS632386A (ja) | 1988-01-07 |
Family
ID=15392167
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP61145745A Pending JPS632386A (ja) | 1986-06-20 | 1986-06-20 | アモルフアスシリコン太陽電池 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS632386A (ja) |
-
1986
- 1986-06-20 JP JP61145745A patent/JPS632386A/ja active Pending
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