JPS63238277A - 金属膜の形成方法 - Google Patents
金属膜の形成方法Info
- Publication number
- JPS63238277A JPS63238277A JP7071287A JP7071287A JPS63238277A JP S63238277 A JPS63238277 A JP S63238277A JP 7071287 A JP7071287 A JP 7071287A JP 7071287 A JP7071287 A JP 7071287A JP S63238277 A JPS63238277 A JP S63238277A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- insulator
- substrate
- substrates
- film
- metal film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 title description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 36
- 239000012212 insulator Substances 0.000 claims abstract description 28
- 239000005360 phosphosilicate glass Substances 0.000 claims abstract description 7
- 239000005380 borophosphosilicate glass Substances 0.000 claims abstract description 5
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 4
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 19
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 19
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 19
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 10
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims description 9
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 229910001512 metal fluoride Inorganic materials 0.000 claims description 6
- NXHILIPIEUBEPD-UHFFFAOYSA-H tungsten hexafluoride Chemical group F[W](F)(F)(F)(F)F NXHILIPIEUBEPD-UHFFFAOYSA-H 0.000 claims description 3
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 2
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 claims 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 abstract description 4
- 239000000203 mixture Substances 0.000 abstract 3
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 abstract 1
- 239000007858 starting material Substances 0.000 abstract 1
- 238000001947 vapour-phase growth Methods 0.000 description 9
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 8
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 7
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 6
- QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N mercury Chemical compound [Hg] QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052753 mercury Inorganic materials 0.000 description 5
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 4
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 4
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 4
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 3
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 3
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 3
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 description 2
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 2
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 239000002244 precipitate Substances 0.000 description 2
- 229910021332 silicide Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 238000006557 surface reaction Methods 0.000 description 2
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000004913 activation Effects 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007795 chemical reaction product Substances 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 238000010494 dissociation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000005593 dissociations Effects 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 1
- 238000001556 precipitation Methods 0.000 description 1
- 230000001737 promoting effect Effects 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 239000005368 silicate glass Substances 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概要〕
絶縁体を有する基板に金属の弗化物と水素の混合ガスを
接触させ、これに紫外光を照射し該基板の絶縁体上に金
属膜を形成する方法。
接触させ、これに紫外光を照射し該基板の絶縁体上に金
属膜を形成する方法。
基板に対する混合ガスの流れのなす角度をかえることに
より、基板の絶縁体上に選択的に、もしくは非選択的に
金属膜を被着形成させることを、その特徴とする。
より、基板の絶縁体上に選択的に、もしくは非選択的に
金属膜を被着形成させることを、その特徴とする。
本発明は、半導体装置の製造技術に係り、特に半導体集
積回路においてそのｔａおよび配線として用いるタング
ステン（Ｗ）などの高融点金属膜を形成する技術に関す
る。
積回路においてそのｔａおよび配線として用いるタング
ステン（Ｗ）などの高融点金属膜を形成する技術に関す
る。
近年半導体集積回路の高密度化・高集積化に伴い、その
構成要素九る電極や配線にも微細化が要求され、その最
小部寸法が１μｍ以下のものが実現されるに至っている
。
構成要素九る電極や配線にも微細化が要求され、その最
小部寸法が１μｍ以下のものが実現されるに至っている
。
従来、半導体集積回路の電極や配線の材料としては、ア
ルミニウム（ＡＩ）又はＡＩ合金が広く用いられてきた
。しかしＡｌは、融点が低いため微Ｍ化に伴ってエレク
トロマイグレーシ、７−１）５おこりやすく、又、シリ
コン（Ｓｉ）などの半導体にくらべ熱膨張係数が大きく
、この熱膨張係数の差に起因する応力によシ微細化に伴
い断線などおこりやすくなるので、これにかわるＭ極お
よび配線の材料としてタングステン（Ｗ）やモリブデン
（Ｍｏ）といった高融点金属を使うことが検討されてい
る。
ルミニウム（ＡＩ）又はＡＩ合金が広く用いられてきた
。しかしＡｌは、融点が低いため微Ｍ化に伴ってエレク
トロマイグレーシ、７−１）５おこりやすく、又、シリ
コン（Ｓｉ）などの半導体にくらべ熱膨張係数が大きく
、この熱膨張係数の差に起因する応力によシ微細化に伴
い断線などおこりやすくなるので、これにかわるＭ極お
よび配線の材料としてタングステン（Ｗ）やモリブデン
（Ｍｏ）といった高融点金属を使うことが検討されてい
る。
従来Ｗなどの高融点金ｇｇｔ−形成する方法としては、
スパッタリングによる方法と六弗化タングステン（ＷＦ
・）などの金属弗化物の水素還元にょシ気相成長させる
方法が知られている。前者のスパッタリング法では、高
融点金属膜の抵抗が高いという欠点があム又後者の気相
成長では、スパッタリング法のものよりは抵抗の低いも
のが得られるが、５１０１等の絶縁体上への膜の形成が
困難であった。気相成長でも水素濃度を高くし成長温度
も７００℃以上の高温とすると５ｌｏｎの上にも一応高
融点金属膜をつくることは出来るがその抵抗が高いとい
う欠点があった。
スパッタリングによる方法と六弗化タングステン（ＷＦ
・）などの金属弗化物の水素還元にょシ気相成長させる
方法が知られている。前者のスパッタリング法では、高
融点金属膜の抵抗が高いという欠点があム又後者の気相
成長では、スパッタリング法のものよりは抵抗の低いも
のが得られるが、５１０１等の絶縁体上への膜の形成が
困難であった。気相成長でも水素濃度を高くし成長温度
も７００℃以上の高温とすると５ｌｏｎの上にも一応高
融点金属膜をつくることは出来るがその抵抗が高いとい
う欠点があった。
本発明は、このような点に鑑みて創作されたもので、絶
縁体の上にも、気相成長により、より低い温度でその抵
抗が低く電気的特性の良好な高融点金属膜を形成する技
術を提供するものである。
縁体の上にも、気相成長により、より低い温度でその抵
抗が低く電気的特性の良好な高融点金属膜を形成する技
術を提供するものである。
その目的は、５ｌｏｎ等絶縁体Ｉ―を有する基板にＷＦ
−などの金属の弗化物とＨ３の混合ガスを接触させた状
態で、この絶縁体に吸収されその表面を活性化しうるエ
ネルギーをもつ紫外光を照射することＫよシ達成される
。
−などの金属の弗化物とＨ３の混合ガスを接触させた状
態で、この絶縁体に吸収されその表面を活性化しうるエ
ネルギーをもつ紫外光を照射することＫよシ達成される
。
ＷＦ・の水素還元の場合゛を例に説明する。
ＷＦ、の水素還元によるＷの析出は、ＷｐｌＸの成長速
度が水素の分圧の２乗に比例することから、Ｈ鵞が表面
で解離する速度で律速されるものと考えられている。
度が水素の分圧の２乗に比例することから、Ｈ鵞が表面
で解離する速度で律速されるものと考えられている。
そし′て、金属やシリサイド上にはＷが析出するのに８
１０１等の絶縁体上にＷが析出しにくい原因は、反応生
成物であるＨＦが５ｌｏｔ等と反応しこれを腐食するよ
うに働くことと、加えて、金属やシリサイドがＨｌの解
離など表面反応を促進させる触媒として働くのに、５ｌ
ｏｔ等の絶縁体はこの触媒として不活性であるためでは
ないかと考えられる０ 発明者は、紫外光に表面活性化即ち表面反応促進の効果
があることに着目し、実験した結果、原料であるＷＦ、
とＨ鵞の混合ガスを流した状態で紫外線を照射すると、
その紫外光のエネルギーがＷＦ、や、Ｈｍｔ″直接解離
するに至らないものであっても、紫外光照射にょシｓｉ
Ｏ雪やリンケイ酸ガラス（ＰＳＧ）上へＷ膜が形成され
ること、更に原料ガスを基板表面にそって平行に流しこ
の状態で紫外光を照射すると、従来の金属弗化物の水素
還元の場合と全く逆に、Ｓｌや金属の上よシはＳｉｎ、
等の絶縁体上に選択的にＷを析出させることが出来るこ
とを見い出し九。
１０１等の絶縁体上にＷが析出しにくい原因は、反応生
成物であるＨＦが５ｌｏｔ等と反応しこれを腐食するよ
うに働くことと、加えて、金属やシリサイドがＨｌの解
離など表面反応を促進させる触媒として働くのに、５ｌ
ｏｔ等の絶縁体はこの触媒として不活性であるためでは
ないかと考えられる０ 発明者は、紫外光に表面活性化即ち表面反応促進の効果
があることに着目し、実験した結果、原料であるＷＦ、
とＨ鵞の混合ガスを流した状態で紫外線を照射すると、
その紫外光のエネルギーがＷＦ、や、Ｈｍｔ″直接解離
するに至らないものであっても、紫外光照射にょシｓｉ
Ｏ雪やリンケイ酸ガラス（ＰＳＧ）上へＷ膜が形成され
ること、更に原料ガスを基板表面にそって平行に流しこ
の状態で紫外光を照射すると、従来の金属弗化物の水素
還元の場合と全く逆に、Ｓｌや金属の上よシはＳｉｎ、
等の絶縁体上に選択的にＷを析出させることが出来るこ
とを見い出し九。
一旦このようにして５ｉｎｓ等絶縁体表面がＷ膜におお
われてしまうと、このあとは、Ｗの上へのＷの析出とな
るので必ずしも光を照射しなくても、成長が進み、絶縁
体上にＷ膜を気相成長により形成することができる。
われてしまうと、このあとは、Ｗの上へのＷの析出とな
るので必ずしも光を照射しなくても、成長が進み、絶縁
体上にＷ膜を気相成長により形成することができる。
紫外光の照射は、成長初期の段階で絶縁体表面ｔ−Ｗ膜
がおおうまでの間だけでよく、必ずしも成長中照射しつ
づける必要はないので、光励起気相成長法で問題となる
光導入窓の汚染も少くでき、又、光の強度の分布に起因
する膜厚分布も少くすることができる。
がおおうまでの間だけでよく、必ずしも成長中照射しつ
づける必要はないので、光励起気相成長法で問題となる
光導入窓の汚染も少くでき、又、光の強度の分布に起因
する膜厚分布も少くすることができる。
以下、シリコン（８１）基板上に形成したｓｔｏｔ１１
ａ上にＷ膜を被着形成する場合について詳しく説明する
。
ａ上にＷ膜を被着形成する場合について詳しく説明する
。
第１図は、本発明の一笑施例の装置の構成を示す図で、
図において、１は基板、２はヒーター、３は原料ガス供
給管、４は光導入窓、５は紫外光源、６は排気口、７は
反応室である。
図において、１は基板、２はヒーター、３は原料ガス供
給管、４は光導入窓、５は紫外光源、６は排気口、７は
反応室である。
基板１としては直径４インチの（１００）Ｓｉ板に公知
の技術によシ５ｉＯ１を厚さ１μｍ付着させ、その５ｉ
ｎｓの一部′ｌｃ７オトエツチングの手法で除去したも
のを用いた。
の技術によシ５ｉＯ１を厚さ１μｍ付着させ、その５ｉ
ｎｓの一部′ｌｃ７オトエツチングの手法で除去したも
のを用いた。
この基板１を反応室７内のヒーター２に装着し、成長に
先だって、ｌＸｌ０ ’Ｔｏｒｒ以下の真空中で４００
℃１０分間加熱して基板１０表面に吸着したガス分子を
脱着させ表面ｔ−清浄化させた。ついで基板の温度ヲ２
５０℃に設定し、横方向にガスを噴出させるノズルを有
する原料ガス供給′ｆ３がら基板狭面にそって平行にＷ
Ｆ、とＨｌの混合ガスを流した。
先だって、ｌＸｌ０ ’Ｔｏｒｒ以下の真空中で４００
℃１０分間加熱して基板１０表面に吸着したガス分子を
脱着させ表面ｔ−清浄化させた。ついで基板の温度ヲ２
５０℃に設定し、横方向にガスを噴出させるノズルを有
する原料ガス供給′ｆ３がら基板狭面にそって平行にＷ
Ｆ、とＨｌの混合ガスを流した。
ガスの流量はＷＦ、 １０ａｃｃｍ 、 Ｈｌ ５００
ｓｃｃｒｎで、圧力はＩ Ｔｏｒｒとした。この状態で
、基板から２Ｉｌ１１１Ｌ離れて対面して設置された合
成石英製の光導入窓４全通し、紫外光源５として低圧水
銀灯を用い基板１聚面へ紫外光を照射した。その強度は
約１０゜ｍＷ／ｃｄとした。このとき通常のＷの気相成
長と異ムＳｌ上よりはＳ ｉＯｓ上へ選択的にＷが析出
し、その成長速度は４０Ａ／分であった。ｓｉｏ、上の
Ｗ膜のあつさが約２０ＯＡ （成長時間にして５分間）
になるまで成長を続けた後紫外光を照射するのを止め、
基板の温度を３５０℃に上げるとともにＷＦ。
ｓｃｃｒｎで、圧力はＩ Ｔｏｒｒとした。この状態で
、基板から２Ｉｌ１１１Ｌ離れて対面して設置された合
成石英製の光導入窓４全通し、紫外光源５として低圧水
銀灯を用い基板１聚面へ紫外光を照射した。その強度は
約１０゜ｍＷ／ｃｄとした。このとき通常のＷの気相成
長と異ムＳｌ上よりはＳ ｉＯｓ上へ選択的にＷが析出
し、その成長速度は４０Ａ／分であった。ｓｉｏ、上の
Ｗ膜のあつさが約２０ＯＡ （成長時間にして５分間）
になるまで成長を続けた後紫外光を照射するのを止め、
基板の温度を３５０℃に上げるとともにＷＦ。
とＨｌの比はＨａ ｌ’Ｗ Ｆｓ ＝ ５０のまま、圧
力を３Ｔｏｒｒに上げひきつづき成長させたところ、ｓ
ｌの上にもｓｔｏｗ上に成長させたＷ膜の上にもＷが堆
積し、全面に約５００ＯＡの厚さのＷ膜を形成すること
ができた。
力を３Ｔｏｒｒに上げひきつづき成長させたところ、ｓ
ｌの上にもｓｔｏｗ上に成長させたＷ膜の上にもＷが堆
積し、全面に約５００ＯＡの厚さのＷ膜を形成すること
ができた。
このようにしてつくったＷｓの抵抗率は６μΩ・１で、
スパッタリングによるｗ３の１ｏμΩ・αおよび従来の
気相成長法にょるＷ膜の８μΩＩＩｃＩＬにくらべ小さ
く、本発明にょシ、電気的特性の良好なＷ膜が得られた
。
スパッタリングによるｗ３の１ｏμΩ・αおよび従来の
気相成長法にょるＷ膜の８μΩＩＩｃＩＬにくらべ小さ
く、本発明にょシ、電気的特性の良好なＷ膜が得られた
。
８１０を上に選択的ＫＷ膜含金形成るには、Ｈ１／ＷＦ
６ ＝ ５０〜１００のとき基板ｔ″２００〜２５０玄
圧力はＩ Ｔｏｒｒ以下にすると良好な結果が得られる
。
６ ＝ ５０〜１００のとき基板ｔ″２００〜２５０玄
圧力はＩ Ｔｏｒｒ以下にすると良好な結果が得られる
。
第２図は、本発明の別の実施例の装置の構成を示す図で
、第１図と同一の部材には同一記号を附しである。先の
実施例と異るのは、原料ガスが基板ｌの表面に対し平行
にではなく、斜めに噴きつけるようにしていることであ
る。基板の温度３００℃、 Ｈａ ／ＷＦａ ＝ ５０
、圧力３ Ｔｏｒｒのとし、その他の条件は先の実施
例と全く同じにし紫外光を照射するとＳｔの上にも５ｉ
ｏｔＯ上にも非選択的にＷが析出し、その成長速度は１
５０Ａ／分であった。
、第１図と同一の部材には同一記号を附しである。先の
実施例と異るのは、原料ガスが基板ｌの表面に対し平行
にではなく、斜めに噴きつけるようにしていることであ
る。基板の温度３００℃、 Ｈａ ／ＷＦａ ＝ ５０
、圧力３ Ｔｏｒｒのとし、その他の条件は先の実施
例と全く同じにし紫外光を照射するとＳｔの上にも５ｉ
ｏｔＯ上にも非選択的にＷが析出し、その成長速度は１
５０Ａ／分であった。
絶縁体としてＳｉｇｎのかわシにＰＳＧおよびホクリン
ケイ酸ガラス（ＢＰＳＧ）ｔ″用いても、その上に同様
にＷ膜を形成することができた。光源として低圧水銀灯
のかわりに高圧水銀灯を用いてもＳｉｎ、 、ＰＳＧ及
ヒＢＰＳＧ上ＫＷＰｓｈｔｌ−形成することができた。
ケイ酸ガラス（ＢＰＳＧ）ｔ″用いても、その上に同様
にＷ膜を形成することができた。光源として低圧水銀灯
のかわりに高圧水銀灯を用いてもＳｉｎ、 、ＰＳＧ及
ヒＢＰＳＧ上ＫＷＰｓｈｔｌ−形成することができた。
高圧水銀灯は低圧水銀灯にくらべ光の短波長成分が少い
ものの真空紫外域の積分強度が高いので、基板表面上の
光の強度を大きくでき成長速度を速くすることができる
。
ものの真空紫外域の積分強度が高いので、基板表面上の
光の強度を大きくでき成長速度を速くすることができる
。
なお、成長を５０回くり返しても、光導入窓に顕著な汚
染はみられなかった。これは、光照射している時間が短
いのと、光導入窓に直接原料ガスがあたらないようにし
ているためと考えられる。
染はみられなかった。これは、光照射している時間が短
いのと、光導入窓に直接原料ガスがあたらないようにし
ているためと考えられる。
又、実験の結果、光導入窓の表面の温度が２００℃以下
のときは、紫外光照射しても光導入窓にほとんどＷが析
出しないので、紫外光源のランプハウスにＮ３ガスを流
すなどして光導入窓を適当に冷却すれば、膜形成の最初
から最後まで紫外光を照射しつづけるようにすることも
出来る。このようにすると成長速度がはやめられるとと
もに、紫外光照射によシ、酸素や炭素等の不純物がとシ
込まれにくくなって、より高純度の抵抗の低いＷ換を得
ることができるという効果がある。
のときは、紫外光照射しても光導入窓にほとんどＷが析
出しないので、紫外光源のランプハウスにＮ３ガスを流
すなどして光導入窓を適当に冷却すれば、膜形成の最初
から最後まで紫外光を照射しつづけるようにすることも
出来る。このようにすると成長速度がはやめられるとと
もに、紫外光照射によシ、酸素や炭素等の不純物がとシ
込まれにくくなって、より高純度の抵抗の低いＷ換を得
ることができるという効果がある。
本発明によれば、Ｓ１０＊等の絶縁物上にも気相成長に
よシ低温で再現性よく、抵抗の低い高融点金１１膜を形
成することができるので、半導体集積回路などの電極や
配線を微細化に寄与するところが大きい。
よシ低温で再現性よく、抵抗の低い高融点金１１膜を形
成することができるので、半導体集積回路などの電極や
配線を微細化に寄与するところが大きい。
第１図は本発明に用いる気相成長装置の構成を１！１′
ｉ基板、２はヒーター、３は原料ガス供給管、４は光導
入窓、５は紫外光源、６は排気口、７は反応室である。
ｉ基板、２はヒーター、３は原料ガス供給管、４は光導
入窓、５は紫外光源、６は排気口、７は反応室である。
Claims (5)
- （１）絶縁体を有する基板（１）に、金属の弗化物と水
素の混合ガスを接触させ、この混合ガスと接触している
面に紫外光を照射し、絶縁体上に金属膜を被着形成する
工程を有することを特徴とする金属膜の形成方法。 - （２）絶縁体を有する基板に前記混合ガスを基板の主面
にそって平行に流すことにより基板の絶縁体上に選択的
に金属膜を被着することを特徴とする特許請求の範囲第
１項記載の金属膜の形成方法。 - （３）絶縁体を有する基板に前記混合ガスを基板の面に
対し斜めにもしくは垂直にあて、基板の絶縁体の上と絶
縁体以外の部分の上とにともに金属膜を被着することを
特徴とする特許請求の範囲第１項記載の金属膜の形成方
法。 - （４）金属の弗化物が六弗化タングステン（ＷＦ＿６）
である特許請求の範囲第１項から第３項に記載の金属膜
の形成方法。 - （５）絶縁体がシリコン酸化物（ＳｉＯ＿２）もしくは
リンケイ酸ガラス（ＰＳＧ）もしくはホウリンケイ酸ガ
ラス（ＢＰＳＧ）である特許請求の範囲第１項から第４
項に記載の金属膜の形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7071287A JPS63238277A (ja) | 1987-03-25 | 1987-03-25 | 金属膜の形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7071287A JPS63238277A (ja) | 1987-03-25 | 1987-03-25 | 金属膜の形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63238277A true JPS63238277A (ja) | 1988-10-04 |
Family
ID=13439462
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7071287A Pending JPS63238277A (ja) | 1987-03-25 | 1987-03-25 | 金属膜の形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63238277A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0837159A (ja) * | 1994-05-16 | 1996-02-06 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体装置の製造方法 |
-
1987
- 1987-03-25 JP JP7071287A patent/JPS63238277A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0837159A (ja) * | 1994-05-16 | 1996-02-06 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体装置の製造方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH0772351B2 (ja) | 金属薄膜選択成長方法 | |
| EP0493002B1 (en) | Process for forming deposition film | |
| JP2001507514A (ja) | 窒化チタンのプラズマエンハンスアニール処理 | |
| JP2002505804A (ja) | 高アスペクト比を持つ珪素半導体デバイス接点を金属化する方法及び装置 | |
| JPH07507842A (ja) | パターン化ウェーハ基体上の膜の化学蒸着（ｃｖｄ）法 | |
| JPH03111571A (ja) | 堆積膜形成法 | |
| JP2967734B2 (ja) | 薄膜の形成方法 | |
| US5653810A (en) | Apparatus for forming metal film and process for forming metal film | |
| JPH0766186A (ja) | 誘電体の異方性堆積法 | |
| JPS63238277A (ja) | 金属膜の形成方法 | |
| JP2003243497A (ja) | 配線構造及びその形成方法 | |
| JPH0453132A (ja) | 金属薄膜の形成方法 | |
| JPS58158916A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH0246731A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP3414934B2 (ja) | 薄膜形成方法 | |
| JP2940162B2 (ja) | 高融点金属の気相成長法及びそれを用いた金属配線の製造方法 | |
| JP3488498B2 (ja) | 半導体装置における金属薄膜形成方法 | |
| JP2844693B2 (ja) | 高融点金属膜の形成方法 | |
| JPH0794418A (ja) | 成膜室の洗浄化方法 | |
| JPH0645260A (ja) | 半導体装置，その製造方法および薄膜堆積装置 | |
| JPH1131688A (ja) | 複数の超小形電子部品及びダイヤモンド層を持つ成長基板を有する複合構造及びこの複合構造の製造方法 | |
| JPH05243157A (ja) | 薄膜形成方法及び薄膜形成装置 | |
| JPH088222B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS62253770A (ja) | 金属薄膜形成方法 | |
| JPH10135206A (ja) | プラズマＣＶＤによるＳｉＯ２ 薄膜の形成方法 |