JPS63237991A - 光学的情報記録媒体 - Google Patents
光学的情報記録媒体Info
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Classifications
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- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
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Landscapes
- Thermal Transfer Or Thermal Recording In General (AREA)
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、光学的情報記録媒体に関し、特に色素を含有
する記録層を有する光学的情報記録媒体に関する。
する記録層を有する光学的情報記録媒体に関する。
一般に光学記録は、基板上に設けられた薄膜記録層に形
成され次光学的に検出可能な小さな(例えば約1μm)
情報ピット全らせん状ま九は円形のトラック形態に配設
し、高密度に情報を記録するものである。このような媒
体に情報″fc書込むには、情報ピットの形成は、記録
層にレーザー光#Mt選択的に照射することによってお
こなう。
成され次光学的に検出可能な小さな(例えば約1μm)
情報ピット全らせん状ま九は円形のトラック形態に配設
し、高密度に情報を記録するものである。このような媒
体に情報″fc書込むには、情報ピットの形成は、記録
層にレーザー光#Mt選択的に照射することによってお
こなう。
ヒートモード記録方式では、記録層がレーザーエネルギ
ー全吸収し、その部分が局部的に加熱され融解、蒸発、
あるいは凝集等の物理的状態変化奮起こし、レーザー非
照射部との間に光学的特性(例えば、反射率、光吸収率
)の差異音生じさせる。記録された情報の読取りは、こ
の光学的特性の差異に基づいておこなわれる。
ー全吸収し、その部分が局部的に加熱され融解、蒸発、
あるいは凝集等の物理的状態変化奮起こし、レーザー非
照射部との間に光学的特性(例えば、反射率、光吸収率
)の差異音生じさせる。記録された情報の読取りは、こ
の光学的特性の差異に基づいておこなわれる。
従来、このような記録層として、アルミニウム、ビスマ
ス、テルル、セレン等金槙材料の蒸着膜やカルコグナイ
ド系非晶鏑コラス膜が用いられている。これら記録層は
、近赤外の光でも吸収し得るため、情報書込み用レーザ
ーとして半導体レーザー全使用できるという利点を有す
る。しかしながら1反射率および熱伝導率が大きく、比
熱も大きいという欠点がある。特に、反射率が大きいと
いうことは、レーザー光のエネルギーを有効に利用でき
ないので、記録に要する光エネルギーが大きくなり、大
出力レーザー光源を必髪とするため、配録装置が大型か
つ高価になる。ま九、テルル、ビスマス、セレン等は毒
性を有するという欠点もある。
ス、テルル、セレン等金槙材料の蒸着膜やカルコグナイ
ド系非晶鏑コラス膜が用いられている。これら記録層は
、近赤外の光でも吸収し得るため、情報書込み用レーザ
ーとして半導体レーザー全使用できるという利点を有す
る。しかしながら1反射率および熱伝導率が大きく、比
熱も大きいという欠点がある。特に、反射率が大きいと
いうことは、レーザー光のエネルギーを有効に利用でき
ないので、記録に要する光エネルギーが大きくなり、大
出力レーザー光源を必髪とするため、配録装置が大型か
つ高価になる。ま九、テルル、ビスマス、セレン等は毒
性を有するという欠点もある。
このような事情から、近年、色素薄膜を記録層として用
い次光学的情報記録媒体が提案されてき友。このような
記録層としての色素としては、シアニン系色素(特開昭
58−112790号)、スクアリリウム系色素(%開
昭58−1127号)、ナフトキノン系色素(特開昭5
8−112793号)、アントラキノン系色素(特開昭
58−224793号)、フタロシアニン系色素L%開
昭60−48396号、特開昭61−25886号)等
が挙げられる。これら色素は、単独で、ま九は高分子化
合物と組合せて用いられている。これら色素は、光吸収
性に広い選択の余地があり、光吸収率が大きく、さらに
熱伝導性が小さく、まt毒性も低い。特に、シアニン系
色素、スクアリウム系色素は近赤外に吸収波長をも几せ
るようにすることが可能であり、しかも溶剤に対する溶
解性が低くまt融点も低い等の利点を有する。
い次光学的情報記録媒体が提案されてき友。このような
記録層としての色素としては、シアニン系色素(特開昭
58−112790号)、スクアリリウム系色素(%開
昭58−1127号)、ナフトキノン系色素(特開昭5
8−112793号)、アントラキノン系色素(特開昭
58−224793号)、フタロシアニン系色素L%開
昭60−48396号、特開昭61−25886号)等
が挙げられる。これら色素は、単独で、ま九は高分子化
合物と組合せて用いられている。これら色素は、光吸収
性に広い選択の余地があり、光吸収率が大きく、さらに
熱伝導性が小さく、まt毒性も低い。特に、シアニン系
色素、スクアリウム系色素は近赤外に吸収波長をも几せ
るようにすることが可能であり、しかも溶剤に対する溶
解性が低くまt融点も低い等の利点を有する。
しかしながら、色素は、光に対して劣化しやすく、熱に
対して不安定であるため、長期保存性および再生安定性
(読出し光に対する安定性)に問題があると従来から指
摘されている。これ全解決する九めに、色素からなる記
録層上に保護膜を形成すること(特開昭55−2296
1号、同57−66541号)、酸素による退色防止材
全混合すること(特開昭59−55795号)、長波長
域に光吸収を有する金属媒体全添加することなどがおこ
々われている。又、フタロシアニン系色素は熱又は有機
溶剤等によって容易に変化すると言う欠点がある事から
、更にこのフタロシアニンのベンゼン環をさらにナフタ
リン環にし九ナフタロフタロシアニン化合物及び誘導体
系色素を記録層にした媒体についても提案されている(
特開昭61−186384.61−177287.61
−163891.61−268487.61−2588
6 )。
対して不安定であるため、長期保存性および再生安定性
(読出し光に対する安定性)に問題があると従来から指
摘されている。これ全解決する九めに、色素からなる記
録層上に保護膜を形成すること(特開昭55−2296
1号、同57−66541号)、酸素による退色防止材
全混合すること(特開昭59−55795号)、長波長
域に光吸収を有する金属媒体全添加することなどがおこ
々われている。又、フタロシアニン系色素は熱又は有機
溶剤等によって容易に変化すると言う欠点がある事から
、更にこのフタロシアニンのベンゼン環をさらにナフタ
リン環にし九ナフタロフタロシアニン化合物及び誘導体
系色素を記録層にした媒体についても提案されている(
特開昭61−186384.61−177287.61
−163891.61−268487.61−2588
6 )。
この色素系は難溶性であり、可溶化したタイプでは基板
にプラスチック基板を使用する事ができ々い。又、蒸着
法等により形成する事は他の色素糸に比べて膜形成法が
困難である。更に、このフタロシアニン系色素は同一化
学構造を有してもα。
にプラスチック基板を使用する事ができ々い。又、蒸着
法等により形成する事は他の色素糸に比べて膜形成法が
困難である。更に、このフタロシアニン系色素は同一化
学構造を有してもα。
β、γ型?はじめε及びX型等の結晶構造形を有しt物
が合成法及び後処理によって得られる事は公知事実であ
る。同様に、ナフトタロシアニン系化合物においても同
質多形の物が得られ、又、膜形成法特に蒸着条件によっ
て形成され比記録膜の状態が異なる事により記録媒体と
しての特性が違ってくる等、多くの問題を有している事
から上記問題点全解決するに至っていない。
が合成法及び後処理によって得られる事は公知事実であ
る。同様に、ナフトタロシアニン系化合物においても同
質多形の物が得られ、又、膜形成法特に蒸着条件によっ
て形成され比記録膜の状態が異なる事により記録媒体と
しての特性が違ってくる等、多くの問題を有している事
から上記問題点全解決するに至っていない。
本発明は上記事情に鑑みてなされたもので、レーデ光、
特に半導体レーザーの碌にコンパクトで比較的安価な光
源によね記録・再生が可能であり、書き込み感度が高く
且つ保存安定性及び再生光による劣化の少ない光学的情
報媒体を提供することを目的とする。
特に半導体レーザーの碌にコンパクトで比較的安価な光
源によね記録・再生が可能であり、書き込み感度が高く
且つ保存安定性及び再生光による劣化の少ない光学的情
報媒体を提供することを目的とする。
本発明は、基板上に下記一般式
(ここで、Mは周期律表第111A族又は第1VA、B
族に属する金属、Xの軸転位は酸素又はハロゲン原子、
Yはハロゲン又はOR’ (R’は炭素6以下のアルキ
ル基又はアリール基、アシル基)、品はO〜4の整数) で示されかつ安定型(β型)結晶構造を有し几ナフタロ
シアン系化合物又はその誘導体化合物の少なくとも1種
を含む有機色素膜からなる記録層を有することを要旨と
する。
族に属する金属、Xの軸転位は酸素又はハロゲン原子、
Yはハロゲン又はOR’ (R’は炭素6以下のアルキ
ル基又はアリール基、アシル基)、品はO〜4の整数) で示されかつ安定型(β型)結晶構造を有し几ナフタロ
シアン系化合物又はその誘導体化合物の少なくとも1種
を含む有機色素膜からなる記録層を有することを要旨と
する。
本発明において、上記Mとしては具体的にはAt、Ga
、 In 、TI 、SI ITI +G@*Sn
、pb 等が挙げられ、この金属によっても光吸収波長
、熱分解温度等が違い、半導体レーザーの波長に対する
光学特性及び熱安定性、膜形成条件に適しているのはコ
ノ中fAt、 rn 、 TI 、 G8である。
、 In 、TI 、SI ITI +G@*Sn
、pb 等が挙げられ、この金属によっても光吸収波長
、熱分解温度等が違い、半導体レーザーの波長に対する
光学特性及び熱安定性、膜形成条件に適しているのはコ
ノ中fAt、 rn 、 TI 、 G8である。
Xとしては具体的には、酸素あるいはハロゲン原子は塩
素、フッ素又は臭素が挙けられる。好ましくは、塩素で
あり、この化合物中に0.5〜10wt%特に1.0〜
10 wt%含有することが好ましい。更に、Xに塩素
原子が全て導入されている化合物、又は塩素原子及び酸
素が導入されている化合物とが混合していても良く、X
はハロゲン原子/酸素−約115以上であればよい。特
にハロゲン原子(特に塩素原子)を含有しているナフタ
ロシアニン化合物が多い方が良い。なお、塩素全含有す
る事により熱分解温度が上がるとともに蒸着性が上がり
、また蒸M等による膜形成において非晶質成分を含み易
い。
素、フッ素又は臭素が挙けられる。好ましくは、塩素で
あり、この化合物中に0.5〜10wt%特に1.0〜
10 wt%含有することが好ましい。更に、Xに塩素
原子が全て導入されている化合物、又は塩素原子及び酸
素が導入されている化合物とが混合していても良く、X
はハロゲン原子/酸素−約115以上であればよい。特
にハロゲン原子(特に塩素原子)を含有しているナフタ
ロシアニン化合物が多い方が良い。なお、塩素全含有す
る事により熱分解温度が上がるとともに蒸着性が上がり
、また蒸M等による膜形成において非晶質成分を含み易
い。
これらの化合物は、顔料合成法として公知のフタロシア
ニン合成法と同様にニトリル法、および2.3−ナフタ
リンソカルデン酸無水物またはそれらの誘導体と金属ま
九は金属化合物とから合成するWy l e r法等が
用いられ、例えば(NH4)2MO04等の触媒を添加
し、溶媒中テ約200〜260℃で数時間反応して得ら
れる。この反応物を冷却、口過、洗浄等をくりかえすと
ともに場合によっては再結晶化を行つ几すする。
ニン合成法と同様にニトリル法、および2.3−ナフタ
リンソカルデン酸無水物またはそれらの誘導体と金属ま
九は金属化合物とから合成するWy l e r法等が
用いられ、例えば(NH4)2MO04等の触媒を添加
し、溶媒中テ約200〜260℃で数時間反応して得ら
れる。この反応物を冷却、口過、洗浄等をくりかえすと
ともに場合によっては再結晶化を行つ几すする。
更に、この合成物を公知の顔料化と同様に後処理として
再結晶化硫酸精製、及び機械的処理により第10図(&
)〜(n)に示す様々多種の結晶形が得られ、大別する
と安定型(同図(&)〜(j))と不安定型(同図(k
)〜(n))とがある。
再結晶化硫酸精製、及び機械的処理により第10図(&
)〜(n)に示す様々多種の結晶形が得られ、大別する
と安定型(同図(&)〜(j))と不安定型(同図(k
)〜(n))とがある。
本発明においては、安定型の結晶形を有したナフトフタ
ロシアニン系色素が好ましい。
ロシアニン系色素が好ましい。
なお、測定条件は、X線管球Cu、電圧40.0 kV
。
。
電流30.0mA、スタート角度5.00 dsg 、
ストップ角QY 30.00 deg 、ステップ角度
0.04 d@g 、測定時間1. Q Q seeと
し次。
ストップ角QY 30.00 deg 、ステップ角度
0.04 d@g 、測定時間1. Q Q seeと
し次。
上記ナフタロシアニン化合物は、真空蒸着法、スパッタ
法、イオンプレート法、プラズマ重合法、スピンナー塗
布法、ディッピング法等の膜形成手段により基材上に薄
膜(記録層)として形成できる。特に、真空蒸着法が適
しており、ナフタロシアニン化合物を単体又は細化合物
を同時薄膜として形成できる。こうした薄膜(記録層)
の厚さは50〜500 nmの範囲にすることが望まし
い。この理由は、記録層の厚さf 50 nm未満にす
ると、反射率の変化が小さ過ぎて信号S/N比が劣化し
易くなり、かといりてその厚さが500nrnk越える
と膜厚当りの光エネルギーが小さく々り感度低下を招く
恐れがある。ま次、前記薄膜はそれ自身光吸収を受けな
くてもよく、光吸収を受ける膜上に該薄膜を形成しても
よい。
法、イオンプレート法、プラズマ重合法、スピンナー塗
布法、ディッピング法等の膜形成手段により基材上に薄
膜(記録層)として形成できる。特に、真空蒸着法が適
しており、ナフタロシアニン化合物を単体又は細化合物
を同時薄膜として形成できる。こうした薄膜(記録層)
の厚さは50〜500 nmの範囲にすることが望まし
い。この理由は、記録層の厚さf 50 nm未満にす
ると、反射率の変化が小さ過ぎて信号S/N比が劣化し
易くなり、かといりてその厚さが500nrnk越える
と膜厚当りの光エネルギーが小さく々り感度低下を招く
恐れがある。ま次、前記薄膜はそれ自身光吸収を受けな
くてもよく、光吸収を受ける膜上に該薄膜を形成しても
よい。
記録層に形成されたナフタロシアニン色素膜は第8図に
示されるX線回折(薄膜)測定において非晶質成分を有
し且つ20角が25〜27度にピークを持っている。こ
の非晶質成分は、第9図に示される様々熱分析(DSC
)カーブが得られる。
示されるX線回折(薄膜)測定において非晶質成分を有
し且つ20角が25〜27度にピークを持っている。こ
の非晶質成分は、第9図に示される様々熱分析(DSC
)カーブが得られる。
非晶質分が20%以上、より好ましくは50%以上含み
、かつ結晶転移温度が150〜300℃であるものであ
ればよい。非晶質状態では向上し、光学特性的には熱処
理による結晶化膜に比べて第9図に示されるように半導
体レーザに対する分光カーブに優れ且つ反射率が高くな
る( S/Nが向上する)。レーザー光による書込み時
における感度がより向上する。その反面、非晶質部分が
多いことによゆ、耐湿性及び熱的安定性が低下するもの
と考えられる事から非晶負成分のみでは耐久性的に良く
なく、非晶質成分が過剰な状態で結晶成分も共存してい
る方が良い。記録層として再生耐久性、耐環境性におい
て満足し柘る結果が得られている。特に、結晶転移温度
が170℃以上の有機色素を用いると、再生耐久性、耐
環境性全十分に満足するものになる。ま九、非晶質部分
を多くすると、微小粒界に起因するノイズの発生も少な
く、再生信号の安定性も向上する。
、かつ結晶転移温度が150〜300℃であるものであ
ればよい。非晶質状態では向上し、光学特性的には熱処
理による結晶化膜に比べて第9図に示されるように半導
体レーザに対する分光カーブに優れ且つ反射率が高くな
る( S/Nが向上する)。レーザー光による書込み時
における感度がより向上する。その反面、非晶質部分が
多いことによゆ、耐湿性及び熱的安定性が低下するもの
と考えられる事から非晶負成分のみでは耐久性的に良く
なく、非晶質成分が過剰な状態で結晶成分も共存してい
る方が良い。記録層として再生耐久性、耐環境性におい
て満足し柘る結果が得られている。特に、結晶転移温度
が170℃以上の有機色素を用いると、再生耐久性、耐
環境性全十分に満足するものになる。ま九、非晶質部分
を多くすると、微小粒界に起因するノイズの発生も少な
く、再生信号の安定性も向上する。
なお、非晶質化はナフトフタロシア巳ン化合物の構造お
よび純度、真空度、飛散させる時の温度速度およびシャ
ッターのタイミング等の蒸着条件又は基板の温度等によ
ってコントロールする事ができる。
よび純度、真空度、飛散させる時の温度速度およびシャ
ッターのタイミング等の蒸着条件又は基板の温度等によ
ってコントロールする事ができる。
更に、本発明によれは非晶質から結晶角への結晶転移が
可能な非晶質成分を含む有機色素(特にナフタロシアニ
ン化合物)を主材として記録層全形成することによって
、該記録層にレーザ光による熱でビット形成を行なった
場合や書き込み済の記録層に熱処理を行なった場合に前
記結晶転移が生じるため、記録・再生が可能で、長時間
に亘って保存ができ、再生光による劣化の少ない高感度
の光学的情報記録媒体を得ることができる。
可能な非晶質成分を含む有機色素(特にナフタロシアニ
ン化合物)を主材として記録層全形成することによって
、該記録層にレーザ光による熱でビット形成を行なった
場合や書き込み済の記録層に熱処理を行なった場合に前
記結晶転移が生じるため、記録・再生が可能で、長時間
に亘って保存ができ、再生光による劣化の少ない高感度
の光学的情報記録媒体を得ることができる。
上記基材としては、基材裏面側から記録再生を行なう場
合には収束光に対して透明なものが用いられ、例えばガ
ラス、アクリル樹脂、ポリカーゲネート、エポキシ樹脂
、ポリオレフィン系樹脂等の基板およびフィルムなどを
挙けることができる。
合には収束光に対して透明なものが用いられ、例えばガ
ラス、アクリル樹脂、ポリカーゲネート、エポキシ樹脂
、ポリオレフィン系樹脂等の基板およびフィルムなどを
挙けることができる。
記録層側から書き込み、読み出しを行なう場合には、前
記材料の他にアルミニウム、銅等の金属や紙もしくは顔
料全分散させ九樹脂等全用いることができる。
記材料の他にアルミニウム、銅等の金属や紙もしくは顔
料全分散させ九樹脂等全用いることができる。
なお、上記ナフタロシアニン化合物は化学的に上記金属
光沢を有する色素としては、例えばシアニン色素、メロ
シアニン色素、トリツユニルメタン系色素、アントラキ
ノン、ナフトキノン、フタロシアニン等ヲ用いることが
できる。こうした色素全台む薄膜は光反射層としても作
用する。かかる薄膜は、真空蒸着法、スピンナー法によ
り形成される。なお、前記色素は夫々の種類の波長域で
反射率の極大を有し、かつ光吸収力も波長により異なる
ため、使用する装置の光源波長により適宜選択され用い
られる。以下に、上記シアニン系色濃の例を挙げる。
光沢を有する色素としては、例えばシアニン色素、メロ
シアニン色素、トリツユニルメタン系色素、アントラキ
ノン、ナフトキノン、フタロシアニン等ヲ用いることが
できる。こうした色素全台む薄膜は光反射層としても作
用する。かかる薄膜は、真空蒸着法、スピンナー法によ
り形成される。なお、前記色素は夫々の種類の波長域で
反射率の極大を有し、かつ光吸収力も波長により異なる
ため、使用する装置の光源波長により適宜選択され用い
られる。以下に、上記シアニン系色濃の例を挙げる。
CH3CN<H2CH2CH=CH2
bc′ ゞ
上記光吸収層、光反射層としての各薄膜の他に必七に応
じて中間層、保護層金膜けることができる。中間層は、
接着性の向上と共に酸素、水分等からの保護の目的で設
けられ、主に樹脂又は無機化合物から形成される。侘脂
としては、有機色素のバインダとしてニトロセルロース
、ポリビニルアルコール、ポリ塩化ビニル、ポリメチル
メタクリレート、ポリエステル、ポリアミド、ポリカー
ゲネート、ポリウレタン樹脂、アクリル樹脂、エポキシ
樹脂等の樹脂を用いる。こうした薄膜(記録層)の厚さ
は50〜5 Q Q nmの範囲にすることが望ましい
。そして、必要に応じて、記録再生光以外の不欠1光全
カットするための光吸収剤や一重頂クエンチャーま几は
三重項クエンチャ−などの酸化防止剤等全混入すること
ができる。これらは、スピンナー法、ディップ法により
薄膜として形成される。無機化合物としては、5102
、810 、 A/203゜5n029MgF2 等
が用いられ、イオンビーム、電子ビーム、スノタ−)夕
法により薄膜が形成される。保護層も中間層と同様の構
成音とり、光、酸素、水分からの記録層の保護、傷、ホ
コリからの保訛等の九めに用いられる。
じて中間層、保護層金膜けることができる。中間層は、
接着性の向上と共に酸素、水分等からの保護の目的で設
けられ、主に樹脂又は無機化合物から形成される。侘脂
としては、有機色素のバインダとしてニトロセルロース
、ポリビニルアルコール、ポリ塩化ビニル、ポリメチル
メタクリレート、ポリエステル、ポリアミド、ポリカー
ゲネート、ポリウレタン樹脂、アクリル樹脂、エポキシ
樹脂等の樹脂を用いる。こうした薄膜(記録層)の厚さ
は50〜5 Q Q nmの範囲にすることが望ましい
。そして、必要に応じて、記録再生光以外の不欠1光全
カットするための光吸収剤や一重頂クエンチャーま几は
三重項クエンチャ−などの酸化防止剤等全混入すること
ができる。これらは、スピンナー法、ディップ法により
薄膜として形成される。無機化合物としては、5102
、810 、 A/203゜5n029MgF2 等
が用いられ、イオンビーム、電子ビーム、スノタ−)夕
法により薄膜が形成される。保護層も中間層と同様の構
成音とり、光、酸素、水分からの記録層の保護、傷、ホ
コリからの保訛等の九めに用いられる。
更に、上記金属光沢を有する色素の代りにアルミニウム
、銅、鋼、テルル等の金属蒸着膜全党反射膜として用い
てもよい。
、銅、鋼、テルル等の金属蒸着膜全党反射膜として用い
てもよい。
本発明によれば半導体レーザー、He−Noレーザー等
のコンパクトで比較的安価な光諒全用いて記録再生が可
能で、かつ長期保存安定性に優れ、再生光による光劣化
及び熱劣化がなく、高感度で、更に安全でそのまま廃棄
が可能な光学的情報記録媒体を提供できる。更に、一般
式に示す金属ナフタロシアニン又はその誘導体を含む薄
膜単独、又は金属光沢を有する色素全含む薄膜と?任意
の順序で基材上に積層することにより、前記特性の他に
高い反射率を有し、SIN比全向上できる。
のコンパクトで比較的安価な光諒全用いて記録再生が可
能で、かつ長期保存安定性に優れ、再生光による光劣化
及び熱劣化がなく、高感度で、更に安全でそのまま廃棄
が可能な光学的情報記録媒体を提供できる。更に、一般
式に示す金属ナフタロシアニン又はその誘導体を含む薄
膜単独、又は金属光沢を有する色素全含む薄膜と?任意
の順序で基材上に積層することにより、前記特性の他に
高い反射率を有し、SIN比全向上できる。
次に、本発明の光学的情報記録媒体の構成と記録再生方
法について図面を参照して具体的に説明する。
法について図面を参照して具体的に説明する。
第1図は、光学的情報記録媒体を示すもので、この記録
媒体ノは基本的には基板2上にナフタロシアニン化合物
を含む薄膜(記録層)3を設けた構成になっている。記
録再生は、レーザ光を集光レンズにより記録層3上に0
.8〜1.5μmの大きさのスポットに集光して行なわ
れる。記録再生光は、記録層3側から照射してもよいが
、透明な基材を用いる場合には基板2側から照射する方
が一般的に汚れやゴミの影響が生じにくくなる。
媒体ノは基本的には基板2上にナフタロシアニン化合物
を含む薄膜(記録層)3を設けた構成になっている。記
録再生は、レーザ光を集光レンズにより記録層3上に0
.8〜1.5μmの大きさのスポットに集光して行なわ
れる。記録再生光は、記録層3側から照射してもよいが
、透明な基材を用いる場合には基板2側から照射する方
が一般的に汚れやゴミの影響が生じにくくなる。
第2図は、同一構成の2枚の記録媒体lを記録層3側が
互に対向するようにスペーサ4を介して配置させたもの
である。なお、第2図中の5はエアーギャップ、6はス
ピンドル穴を夫々示す。このような構成では、記録再生
光を基材2側から入射させるため、前述し九のと同様、
汚れやゴミの影響?生じにくくなる。
互に対向するようにスペーサ4を介して配置させたもの
である。なお、第2図中の5はエアーギャップ、6はス
ピンドル穴を夫々示す。このような構成では、記録再生
光を基材2側から入射させるため、前述し九のと同様、
汚れやゴミの影響?生じにくくなる。
第3図は、記録層3表面を樹脂層7で保護し比記録媒体
1を示す。
1を示す。
第4図は、基板2上にアンダーコート層8を介して金属
光沢を有する有機色素の光反射層9とナフタロシアニン
化合物の光吸収層!θ金順次積層し比記録媒体ムである
。かかる記録媒体りでは、集束レーザー光は基板2側、
記録層側いずれからでも入射可能であるが、感度の点か
ら基板2側から入射させることが望ましい。
光沢を有する有機色素の光反射層9とナフタロシアニン
化合物の光吸収層!θ金順次積層し比記録媒体ムである
。かかる記録媒体りでは、集束レーザー光は基板2側、
記録層側いずれからでも入射可能であるが、感度の点か
ら基板2側から入射させることが望ましい。
第5図は、第4図と光反射層9、光吸収層IOの積層順
序を入れ替え北構造の記録媒体Lt−示す。
序を入れ替え北構造の記録媒体Lt−示す。
この場合は、記録層側よりレーザー光を入射させること
が望ましい。
が望ましい。
第6図は、基板2上にアンダーコート層8を介して光吸
収層10、中間層11、光反射層9、保護層7を順次積
層して記録層を形成した記録媒体1である。レーザー光
は、第4図と同様、基板2側から入射させることが望ま
しい。まt、この場合、保護層、中間層はt待に設ける
必要が表い場合、省略できる。
収層10、中間層11、光反射層9、保護層7を順次積
層して記録層を形成した記録媒体1である。レーザー光
は、第4図と同様、基板2側から入射させることが望ま
しい。まt、この場合、保護層、中間層はt待に設ける
必要が表い場合、省略できる。
なお、第4図〜第6図の記録媒体においてアンダーコー
ト層を省略してもよい。
ト層を省略してもよい。
第7図は、光反射層9及び光吸収層10f有する同一構
成の2枚の記録媒体を記録層側が互に対向するようにス
ペーサ4を介して配置させたエアーサンドイッチ構造の
ものである。なお、第7図中の5はエアーギャップ、6
はスピンドル穴である。このような構成によれば、記録
層全ホコリや傷から保護し易くなるという利点1有する
。
成の2枚の記録媒体を記録層側が互に対向するようにス
ペーサ4を介して配置させたエアーサンドイッチ構造の
ものである。なお、第7図中の5はエアーギャップ、6
はスピンドル穴である。このような構成によれば、記録
層全ホコリや傷から保護し易くなるという利点1有する
。
(実施例1)
厚さ1.2龍のアクリル樹脂基板上に、下記式(4)で
示され、化合物の結晶構造は第1O図(&)で示される
安定型のX線回折図を持ち塩累含有錆2.5wt%の塩
素化アルミニウムナフタロシアニン全チムニ−タイプの
タンタルゼードを用い1.0X10 の真空下で10
0X/分の速度で真窒蒸対し、放置して室温まで冷却し
て90 nmの厚さの記録層を形成した。
示され、化合物の結晶構造は第1O図(&)で示される
安定型のX線回折図を持ち塩累含有錆2.5wt%の塩
素化アルミニウムナフタロシアニン全チムニ−タイプの
タンタルゼードを用い1.0X10 の真空下で10
0X/分の速度で真窒蒸対し、放置して室温まで冷却し
て90 nmの厚さの記録層を形成した。
得られた記録層の薄膜X線回折図を第8図の■に、熱分
析結果を第9図の■に示す。これら図から記録層中のナ
フタロシアニン化合物は非晶質状態成分、結晶成分とか
らなりていることがわかる。
析結果を第9図の■に示す。これら図から記録層中のナ
フタロシアニン化合物は非晶質状態成分、結晶成分とか
らなりていることがわかる。
得られ比記録媒体の記録層の反射率を分光光度計で測定
し友ところ、波長830 nmにおいて基板側で28%
であった。まt、前記記録媒体上に波長830 nmの
半導体レーザの出力光を直径1.2μ帛のスポット径に
集光し、線速6 m/ see 、出力9 mWで基板
側からI MHzの信号の書込みt行なり九ところ、記
録感度は1.5 nJ/スポット、再生CN値は56
dBであった。
し友ところ、波長830 nmにおいて基板側で28%
であった。まt、前記記録媒体上に波長830 nmの
半導体レーザの出力光を直径1.2μ帛のスポット径に
集光し、線速6 m/ see 、出力9 mWで基板
側からI MHzの信号の書込みt行なり九ところ、記
録感度は1.5 nJ/スポット、再生CN値は56
dBであった。
(実施例2)
実施例1と同様の条件で、?リカーボネート基板上に化
合物の結晶構造第10図(C)で示され、且つ塩素含有
@4. Owt%の塩素化アルミナフタロシアンを蒸着
させて厚さ90 nmの記録層を形成し次。
合物の結晶構造第10図(C)で示され、且つ塩素含有
@4. Owt%の塩素化アルミナフタロシアンを蒸着
させて厚さ90 nmの記録層を形成し次。
この記録層の光学的特性は波長830 nmにおける基
板側からの反射率が21%でありた。またこの記録層の
薄膜X線回折図全第8図の■、熱分析は第9図の■に示
すが、これから記録層は非晶質状態成分からiっている
ことがわかる。
板側からの反射率が21%でありた。またこの記録層の
薄膜X線回折図全第8図の■、熱分析は第9図の■に示
すが、これから記録層は非晶質状態成分からiっている
ことがわかる。
実施例1と同様に半導体レーザーによ)書込み・再生を
おこなったところ記録感度は0.9nJ/スポツト、再
生CN値は58 dBであった。
おこなったところ記録感度は0.9nJ/スポツト、再
生CN値は58 dBであった。
(実施例3)
実施例1と同様に、アクリル樹脂基板上に結晶構造は第
1C)図(υ であり、且つ塩素含有量6.3vt%の
安定化塩素化アルミナフタロシアニンとコバルトナフタ
ロシアニン全共蒸着(モル比3:1)させて厚さ11
Q nmの記録層を形成し念。
1C)図(υ であり、且つ塩素含有量6.3vt%の
安定化塩素化アルミナフタロシアニンとコバルトナフタ
ロシアニン全共蒸着(モル比3:1)させて厚さ11
Q nmの記録層を形成し念。
この記録層の光学的特性は波長830 nmにおける基
板側からの反射率が29壬であっt6また、薄膜X線回
折図全第8図の■に示すが、同図及び第9図の■の熱分
析結果より記録層は非晶質状態成分からなっていること
がわかる。
板側からの反射率が29壬であっt6また、薄膜X線回
折図全第8図の■に示すが、同図及び第9図の■の熱分
析結果より記録層は非晶質状態成分からなっていること
がわかる。
実施例2と同様に半導体レーザーにより書込み再生?お
こなっ九ところ記録感度は1.3nJ/スポツト、再生
CN値は56 dBであっ几。
こなっ九ところ記録感度は1.3nJ/スポツト、再生
CN値は56 dBであっ几。
(実施例4)
実施例1と同様に、アクリル樹脂基板上に結晶構造が第
10図(」)で示される安定型のxh回折を有し、塩素
含有f’E 1.1 wt%のチタンナフタロシアニン
を蒸着させて厚さ85 nmの記録層全形成した。
10図(」)で示される安定型のxh回折を有し、塩素
含有f’E 1.1 wt%のチタンナフタロシアニン
を蒸着させて厚さ85 nmの記録層全形成した。
この記録層の光学的特性は波長830 nmにおける基
板側からの反射率が17係であった。また記録層のX線
回折図を第8図の■に示すが、とれから記録層は非晶質
状態になっていることがわかる。
板側からの反射率が17係であった。また記録層のX線
回折図を第8図の■に示すが、とれから記録層は非晶質
状態になっていることがわかる。
実施例1と同様に半導体レーザーにより書込み・再生金
おこなったところ記録感度は2.7nJ/スポツト、再
生CN値は52 dBであっ几。
おこなったところ記録感度は2.7nJ/スポツト、再
生CN値は52 dBであっ几。
(実施例5)
上記構造式に示す色素と1,2−ニッケルジチオレート
錯体(三井東圧ファイン社製商品名;PA 1006)
とを9:1の割合にて混合し、更にアクリル樹脂(三菱
レーヨン社製商品名;ダイヤナールBR−60) kバ
インダ樹脂として10重量係添加した。つづいて、この
混合物をメチルエチルケトンで溶解して2%姓度の溶液
を調製し食後、この溶液を紫外線硬化型レジンで下地処
理された厚さ1.21のアクリル板の該下地レジン上に
スピンナーコータで塗布し、乾燥して厚さ60 nmの
薄膜音形成した。ひきつづき、この薄膜上に結晶構造が
第10図(1)で示される安定型のX線回折図を有し、
塩素含有! 4.7 wt%のアルミニウムナフタロシ
アニンをチムニ−タイプのタンタルボードを用い1、
OX 10 Torr真空下、l 30 X/min
の速度で加熱蒸着して室温壕で冷却し厚さ40 nmの
上記実施例と同様非晶質状態からなる薄膜を積層して記
録層を形成することにより記録媒体を得た。
錯体(三井東圧ファイン社製商品名;PA 1006)
とを9:1の割合にて混合し、更にアクリル樹脂(三菱
レーヨン社製商品名;ダイヤナールBR−60) kバ
インダ樹脂として10重量係添加した。つづいて、この
混合物をメチルエチルケトンで溶解して2%姓度の溶液
を調製し食後、この溶液を紫外線硬化型レジンで下地処
理された厚さ1.21のアクリル板の該下地レジン上に
スピンナーコータで塗布し、乾燥して厚さ60 nmの
薄膜音形成した。ひきつづき、この薄膜上に結晶構造が
第10図(1)で示される安定型のX線回折図を有し、
塩素含有! 4.7 wt%のアルミニウムナフタロシ
アニンをチムニ−タイプのタンタルボードを用い1、
OX 10 Torr真空下、l 30 X/min
の速度で加熱蒸着して室温壕で冷却し厚さ40 nmの
上記実施例と同様非晶質状態からなる薄膜を積層して記
録層を形成することにより記録媒体を得た。
上記実施例5についても、実施例1と同様に半導体レー
ザにより書込み・再生をおこなったところ、記録感度は
0.7nJ/スポツト、再生CN値は60 dBであつ
た。
ザにより書込み・再生をおこなったところ、記録感度は
0.7nJ/スポツト、再生CN値は60 dBであつ
た。
(比較例1)
実施例1と同様にアクリル樹脂基板上に結晶構造が第1
0図(h)の安定型結晶格造を有しており、中心アルミ
ニウムに酸素が配位し次もの金蒸着させて厚さ900
nmの記録層全形成した。
0図(h)の安定型結晶格造を有しており、中心アルミ
ニウムに酸素が配位し次もの金蒸着させて厚さ900
nmの記録層全形成した。
この記録層の光学的特性は波長830 nmにおける基
板側からの反射率が11%であった。
板側からの反射率が11%であった。
実施例1と同様に半導体レーザーにjすC込み・再生を
おこなっ定ところ記録感度はs、o=t’s/スボント
、再生CN値は32 dBであった。
おこなっ定ところ記録感度はs、o=t’s/スボント
、再生CN値は32 dBであった。
(比較例2)
ガラス基板上に実施例2と同一・化合物金量−条件で蒸
着でせて同様記録膜?得た。更にこの膜を300℃で熱
処理し念ところ、第8図の■の薄膜X線回折図全得た。
着でせて同様記録膜?得た。更にこの膜を300℃で熱
処理し念ところ、第8図の■の薄膜X線回折図全得た。
更に、第9図の熱分析測定の結果同図の■の様な結晶状
態が主成分からなる記録膜を得念、実施例1と同様に半
纏体レーザにより書込・再生をおこなっ九ところ記録・
再生する事はできなかった。
態が主成分からなる記録膜を得念、実施例1と同様に半
纏体レーザにより書込・再生をおこなっ九ところ記録・
再生する事はできなかった。
(比較例3)
型結晶構造?有し、塩素含有量2.5 wt%のアルミ
ニウムナフタロシアニンを蒸着させ九所記録層を形成す
る事ができなかりた。
ニウムナフタロシアニンを蒸着させ九所記録層を形成す
る事ができなかりた。
上述し九実施例1〜5、比較例1〜3の記録媒体につい
て、60℃、95%の環境下に1000時間放時間後の
反射率低下率を試験し念。又各記録媒体についてレーザ
出力1.0rnWの連続光を線速度6 m / m l
nで150万回照射して促進した後の再生C/N @
k測定した。その結果下記−2表を得比。
て、60℃、95%の環境下に1000時間放時間後の
反射率低下率を試験し念。又各記録媒体についてレーザ
出力1.0rnWの連続光を線速度6 m / m l
nで150万回照射して促進した後の再生C/N @
k測定した。その結果下記−2表を得比。
、2表
以上の結果、実用上優れ九光記録媒体全得る事ができ比
。
。
以上詳述した如く1本発明によれば半導体レーザー、H
e−N@レーザー等のコンパクトで比較的安価々光源音
用いて記録再生が可能で、かつ長期保存安定性に優れ、
再生光による光劣化及び熱劣化がなく、高感度で、更に
安全でそのまま廃棄が可能な光学的情報記録媒体を提供
できる。更に、一般式に示す金属ナフタロシアニン又は
その誘導体を含む薄膜単独、又は金属光沢を有する色素
を含む薄膜と全任意の順序で基材上に積層することによ
り、前記特性の他に高い反射率を有し、S′/N比全向
上して光学的情報記録媒体を提供できる。
e−N@レーザー等のコンパクトで比較的安価々光源音
用いて記録再生が可能で、かつ長期保存安定性に優れ、
再生光による光劣化及び熱劣化がなく、高感度で、更に
安全でそのまま廃棄が可能な光学的情報記録媒体を提供
できる。更に、一般式に示す金属ナフタロシアニン又は
その誘導体を含む薄膜単独、又は金属光沢を有する色素
を含む薄膜と全任意の順序で基材上に積層することによ
り、前記特性の他に高い反射率を有し、S′/N比全向
上して光学的情報記録媒体を提供できる。
第1図〜第7図は夫々本発明の光学的情報記録媒体を示
す概略図、第8図は記録膜の薄膜X線回折図、第9図は
記録膜の薄膜熱分析特性図、第10図(、)〜(n)は
夫々粉末回折X線特性図である。 !・・・記録媒体、2・・・基板、3・・・記録層、7
・・・保護層、9・・・光反射層、ノ0・・・光吸収層
。 出願入代pH人 弁理士 坪 井 淳↑ 第1図 第2図 ↓ を 第3図 丁 第6図 ↑ 第5図 第7図 角度2θ(deg) 角度2 e(deg) 第10図(b) 角度2θ(deg ) 第10図(c) 角度2 e(deg) 第10図(d) 角度213(de(1) 第10図(e) 角度2θ(cleg) 第10図(f) 角度2θ(deg) 第10図(9) 角度2G(deg) 第10図(h) 角度2 e(deg) 第10図(J) 角度2θ(deg) 角度2θ(deg) 第10図(1)
す概略図、第8図は記録膜の薄膜X線回折図、第9図は
記録膜の薄膜熱分析特性図、第10図(、)〜(n)は
夫々粉末回折X線特性図である。 !・・・記録媒体、2・・・基板、3・・・記録層、7
・・・保護層、9・・・光反射層、ノ0・・・光吸収層
。 出願入代pH人 弁理士 坪 井 淳↑ 第1図 第2図 ↓ を 第3図 丁 第6図 ↑ 第5図 第7図 角度2θ(deg) 角度2 e(deg) 第10図(b) 角度2θ(deg ) 第10図(c) 角度2 e(deg) 第10図(d) 角度213(de(1) 第10図(e) 角度2θ(cleg) 第10図(f) 角度2θ(deg) 第10図(9) 角度2G(deg) 第10図(h) 角度2 e(deg) 第10図(J) 角度2θ(deg) 角度2θ(deg) 第10図(1)
Claims (8)
- (1)一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼・・・(1) (ここで、Mは周期律表第IIIA族又は第IVA、B族に
属する金属、Xの軸転位は酸素又はハロゲン原子、Yは
ハロゲン又はOR′(R′は炭素6以下のアルキル基又
はアリール基、アシル基)、mは0〜4の整数) で示されかつ安定型結晶構造を有したナフタロシアン系
化合物又はその誘導体化合物の少なくとも1種を含む有
機色素膜からなる記録層を有することを特徴とする光学
的情報記録媒体。 - (2)ハロゲン含有量が0.5〜10wt%であること
を特徴とする特許請求の範囲第1項記載の光学的情報記
録媒体。 - (3)式(1)のハロゲン原子の含有量が0.5wt%
以上であることを特徴とする特許請求の範囲第1項又は
第2項記載の光学的情報記録媒体。 - (4)前記記録層が蒸着法により形成されることを特徴
とする特許請求の範囲第1項記載の光学的情報記録媒体
。 - (5)前記記録層が単独、混合又は複合積層体からなる
ことを特徴とする特許請求の範囲第1項記載の光学的情
報記録媒体。 - (6)前記記録層が、非晶質成分を含みかつX線回折角
2^θに25〜27度にピークを持った有機色素膜を主
材とすることを特徴とする特許請求の範囲第1項記載の
光学的情報記録媒体。 - (7)前記記録層が、150〜310℃の温度に結晶転
移を起こす非晶質成分を有した有機色素膜を主材とする
ことを特徴とする特許請求の範囲第6項記載の光学的情
報記録媒体。 - (8)前記記録層上に保護膜又は下地層を有することを
特徴とする特許請求の範囲第1項記載の光学的情報記録
媒体。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP62073329A JPS63237991A (ja) | 1987-03-27 | 1987-03-27 | 光学的情報記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP62073329A JPS63237991A (ja) | 1987-03-27 | 1987-03-27 | 光学的情報記録媒体 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS63237991A true JPS63237991A (ja) | 1988-10-04 |
Family
ID=13515018
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP62073329A Pending JPS63237991A (ja) | 1987-03-27 | 1987-03-27 | 光学的情報記録媒体 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS63237991A (ja) |
-
1987
- 1987-03-27 JP JP62073329A patent/JPS63237991A/ja active Pending
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