JPS63237537A - 電気回路部材 - Google Patents

電気回路部材

Info

Publication number
JPS63237537A
JPS63237537A JP62071979A JP7197987A JPS63237537A JP S63237537 A JPS63237537 A JP S63237537A JP 62071979 A JP62071979 A JP 62071979A JP 7197987 A JP7197987 A JP 7197987A JP S63237537 A JPS63237537 A JP S63237537A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
electrical
metal
circuit component
connection
electric circuit
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP62071979A
Other languages
English (en)
Other versions
JPH0828401B2 (ja
Inventor
Tetsuo Yoshizawa
吉沢 徹夫
Hideyuki Nishida
秀之 西田
Masaaki Imaizumi
昌明 今泉
Yasuteru Ichida
市田 安照
Masaki Konishi
小西 正暉
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Canon Inc
Original Assignee
Canon Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Canon Inc filed Critical Canon Inc
Priority to JP62071979A priority Critical patent/JPH0828401B2/ja
Priority to EP88103400A priority patent/EP0284820A3/en
Priority to EP98102122A priority patent/EP0854506A3/en
Publication of JPS63237537A publication Critical patent/JPS63237537A/ja
Priority to US08/597,383 priority patent/US5967804A/en
Publication of JPH0828401B2 publication Critical patent/JPH0828401B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/15Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
    • H01L2224/16Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
    • H01L2224/161Disposition
    • H01L2224/16151Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/16221Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/16225Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/31Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L2224/32Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/321Disposition
    • H01L2224/32151Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/32221Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/32245Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481Disposition
    • H01L2224/48151Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48247Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/484Connecting portions
    • H01L2224/48463Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond
    • H01L2224/48465Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond the other connecting portion not on the bonding area being a wedge bond, i.e. ball-to-wedge, regular stitch
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732Location after the connecting process
    • H01L2224/73251Location after the connecting process on different surfaces
    • H01L2224/73265Layer and wire connectors
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/181Encapsulation

Landscapes

  • Wire Bonding (AREA)
  • Electric Connection Of Electric Components To Printed Circuits (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野] 本発明は、電気回路部材に関する。
[従来技術] 従来、電気回路部品同士を電気的に接続して構成される
電気回路部材に関する技術としては以下に述べる技術が
知られている。
■ワイヤポンディング方法、 第13図及び第14図はワイヤポンディング方法トよっ
て接続され、封止された半導体装置の代表例を示してお
り、以下、第13図及び第14図に基づきワイヤポンデ
ィング方法を説明する。
この方法は、Agペースト3等を用いて半導体素子4を
素子gafiB2に固定支持し、次いで、半導体素子4
の接続部5と、リードフレームlの所望の接続部6とを
金等の極細金属線7を用いて電気的に接続する方法であ
る。
なお、接続後は、トランスファーモールド法等の方法で
樹脂8を用いて半導体素子4とリードフレームlを封1
h L、その後°、樹脂封止部分から外に伸びたリード
フレームlの不要部分を切断し。
所望の形に曲げ半導体装置9を作る。
■TAB (丁ape Automated Bond
ing)法(例えば、特開昭59−139638号公M
J)第15図はTAB法により接続され封止された半導
体装置の代表例を示す。
この方法は、テープキャリア方式による自動ポンディン
グ方法である。すなわち、第15図に基づいて説明する
と、キャリアフィルム基板16と半導体素子4とを位置
決めした後、キャリアフィルム基板16のインナーリー
ド部17と半導体素子4の接続部5とを熱圧着すること
により接続する方法である。接続後は、樹脂20乃至樹
脂21で封止し半導体装置9とする。
■CCB (Controlled Co11apse
 Bonding )法(例えば、特公昭42−209
6号、特開昭60−57944号公報) 第16図はCCB法によって接続され封■トされた半導
体装nの代表例を示す、この方法を第16図に基づき説
明する。iお、本方法はフリップチップポンディング法
とも言われている。
半導体素子4の接続部5に予め半田バンプ31を設け、
半田バンプ31が設けられた半導体素子4を、回路基板
32上に位置決めして搭載する。
その後、半田を加熱溶解することにより回路基板32と
に半導体素子4とを接続させ、フラックス洗浄後封1ト
して半導体装置9を作る。
■第17及び第18図に示す方法 すなわち、第1の半導体素子4の接続部5以外の部分に
ポリイミド等よりなる絶縁膜71を形成せしめ、接続部
5にはAu等よりなる金属材70を設け、次いで、金属
材70及び絶縁膜71の露出面73.72を平らにする
。一方、第2の半導体素子4′の接続部5′以外の部分
にポリイミド等よりなる絶縁膜71′を形成せしめ、接
続部5′にはAu等よりなる金属材70’を設け、次い
で、金属材70°及び絶縁膜71”の露出面73’、7
2’を平らにする。
しかる後、第18図に示すように第1の半導体素子4と
第2の半導体素子4°とを位置決めし、位置決め後、熱
圧着することにより第1の半導体素子4の接続部5と第
2の半導体素子4゛の接続部5゛を金属材70 、70
 ’を介して接続する。
■第19図に示す方法 すなわち、第1の回路基材75と第2の回路基材75″
の間に、絶縁物質77中に導電粒子79を分散させた異
方性導電膜78を介在させ、第1の回路基材75と第2
の回路基材75′を位置決めしたのち、加圧もしくは、
加圧・加熱し、第1の回路基材75の接続部76と第2
の回路基材75°の接続部76゛を接続する方法である
■第20図に示す方法 すなわち、第1の回路基材75と第2の回路基材75′
の間に、絶縁物質81中に一定方向にFe 、Cu等の
金属線82を配したエラスチックコネクター83を介在
させ、第1の回路基材75と第2の回路基材75゛を位
置決めしたのち、加圧し、第1の回路基材75の接続部
76と第2の回路基材75°の接続部76”を接続する
方法である。
[発明が解決しようとする問題点] ところで上記した従来のポンディング法には次のような
問題点がある。
■ワイヤポンディング法 ■半導体素子4の接続部5を半導体素子4の内部にくる
ように設計すると、極細金属線7は、その線径が極めて
小さいために、半導体素子4の外周縁i!′1110あ
るいはリードフレームlの素子搭載部2の外周縁部11
に接触し易くなる。極細金属線7がこれら外周縁部10
乃至11に接触すると短絡する。さらに、極細金属線7
の長さを長くせざるを得ず、その長さを長くすると、ト
ランスファーモールド成形時に極細金属線7が変形しや
すくなる。
従って、半導体素子4の接続部5は半導体素子4上の周
辺に配置する必要が生じ、回路設計上の制限を受けざる
を得なくなる。
(わワイヤポンディング法においては、隣接する極細全
屈la7同士の接触等を避けるためには半導極細金属線
7同士の接触等を避けるためには半導体素子4上の接続
部5のピッチ寸法(隣接する接続部の中心間の距g1)
としである程度の間隔をとらざるを得ない、従って、半
導体素子4の大きさが決まれば必然的に接続部5の最大
数が決まる。
しかるに、ワイヤポンディング法では、このピッチ寸法
が通常0.2mm程度と大きいので、接続部5の数は少
なくせざるを得なくなる。
■半導体素子4上の接続部5から測った極細金属線7の
高さhは通常0.2〜0.4mmであるが、0.2mm
以下にし薄型化することは比較的困難であるので薄型化
を図れない。
40ワイヤポンディング作業に時間がかかる。特に接続
点数が多くなるとポンディング時間が長くなり生産効率
が悪くなる。
■何らかの要因でトランスファーモールド条件範囲を越
すと、極細金属線7が変形したり最悪の場合には切断し
たりする。
また半導体素子4上の接続部5においては、極細金V5
線7と合金化されない人文が露出しているじる。
■TAB法 ■半導体素子4の接続部5を半導体素子4の内側にくる
ように設計すると、キャリアフィルム基板16のインナ
ーリード部17の長さ文が長くなるため、インナーリー
ド部17が変形し易くなりインナーリード部を所望の接
続部5に接続できなかったり、インナーリード部17が
半導体素子4の接続部5以外の部分に接触したりする。
これを避けるためには半導体素子4の接続部5を半導体
素子4上の周辺に持ってくる必要が生じ、設計上の制限
を受ける。
■TAB法においても、半導体素子4上の接続部のピッ
チ寸法は0.09〜O,15mm程度とる必要があり、
従ってワイヤポンディング法の問題点■で述べたと同様
に、接続部数を増加させることはむずかしくなる。
■キャリアフィルム基板16のインナーリード部17が
半導体素子4の接続部5以外の部分に接触しないように
させるため所望のインナーリード部17の接続形状が要
求されコスト高となる。
■半導体素子4の接続部5とインナーリード部17とを
接続するためには、半導体素子4の接続部5またはイン
ナーリード部17の接続部に金バンプをつけなければな
らずコスト高になる。
■CCB法 ■半導体素子4の接続ff15に半田バンプ31を形成
させなければならないためコスト高になる。
■バンプの半田量が多いとPIi接する半田バンプとブ
リー2ジ(隣接する半田バンプ同士が接触する現象)が
生じ、逆に少いと半導体素子4の接続部5と基板32の
接続部33が接続しなくなり電気的導通がとれなくなる
。すなわち、接続の信頼性が低くなる。さらに、半田量
、接続の半田形状が接続の信頼性に影響する(ろう接技
術研究会技術資料、No、017− ’84.ろう接技
術研究会発行)という問題がある。
このように、半田バンプの量の多少が接続の信頼性に影
響するため半田バンプ31の量のコントロールが必要と
されている。
■半田バンプ31が半導体素子4の内側に存在すると接
続が良好に行なわれたか否かの目視検査がむずかしくな
る。
■半導体素子の放熱特性が悪い(参考資料:Elect
ronic  Packaging  丁echnol
ogy  1987. 1(Vol。
3、 No、1) P、88〜71  NIKKEI 
MICRODEVICES。
1988.5月、 P、97〜108)ため、放熱特性
を良好たらしめるための多大な工夫が必要とされる。
■第17図及び第18図に示す技術 ■絶縁膜71の露出面72と金属材70の露出面73.
さらに絶縁膜71’の露出面72′と金属材70°の露
出面73゛を平らにしなければならず、そのための工数
が増し、コスト高になる。
■絶縁膜71の露出面72と金属材70の露出面73あ
るいは絶縁膜71’の露出面72°と金属材70’の露
出面73′に凹凸があると金属材70と金属材70’と
が接続しなくなり、信頼性が低下する。
■第19図に示す技術 ■位置決め後に、接続部76と接続部76′とを加圧し
て接続する際に、圧力が一定にはかかりにくいため、接
続状態にバラツキが生じ、その結果、接続部における接
触抵抗値のバラツキが大きくなる。そのため、接続の信
頼性が乏しくなる。
また、多量の電流を流すと、発熱等の現象が生じるので
、多量の電流を流したい場合には不向きである。
■圧力が一定にかけられたとしても、異方性導電膜78
の導電粒子79の配列により抵抗値のバラツキが大きく
なる。そのため、接続の信頼性に乏しくなる。また、大
電流容量が要求される接続には不向きである。
■隣接する接続部のピッチ(接続部に隣接する接続部中
心間の距#)を狭くすると隣接する接続部の間の抵抗値
が小さくなることから高密度な接続には不向きである。
■回路基材75.75’の接続部76.76゜ノ出っ張
りfihlのバラツキにより抵抗値が変化するため、h
lバラツキ量を正確に押さえることが必要である。
■さらに異方溝TrL膜を、半導体素子と回路基材の接
続、また、第1の半導体素子と第2の半導体素子との接
続に使用した場合、上記■〜■の欠点の他、半導体素子
の接続部にバンブを設けなければならなくなり、コスト
高になるという欠点が生じる。
■第20図に示す技術 ■加圧が必要であり、加圧治具が必要となる。
■エラスチックコネクタ83の金属線82と第1の回路
基材75の接続部76また。第2の回路基材75゛の接
続部76′との接触抵抗は加圧力及び表面状態により変
化するため接続の信頼性は乏しい。
■エラスチックコネクタ83の金属線82は剛体である
ため、加圧力が大であるとエラスチックコネクタ83、
第1の回路基材75、第2の回路基材75′の表面が破
損する可能性が大きい、また、加圧力が小であると、接
続の信頼性が乏しくなる。
■さらに1回路基材75.75’の接続部76.76°
の出っ張り量h2.またエラスチックコネクタ83の金
属線82の出っ張り量h3とそのバラツキが抵抗値変化
及び破損に影響を及ぼすので、バラツキを少なくする工
夫が必要とされる。
■さらに、エラスチックコネクターを半導体素子と回路
基材の接続、また、第1の半導体素子と第2の半導体素
子との接続に使用した場合、■〜■と同様な欠点を生ず
る。
本発明は1以上のような問題点をことごとく解決し、高
密度で高信頼性でしかも、低コストの新電気回路部材を
提案するものであり、従来の接続方式を置き変え得るこ
とはもちろん、高密度多点接続が得られ、熱等諸特性を
向上させ得るものである。
(以下余白) [問題点を解決するための手段] 本発明は、接続部を有する第1の電気回路部品と、接続
部を有する第2の電気回路部品とを1両電気回路部品を
電気的に接続するための電気的接続部材を両者の間に介
在させて、両電気回路部品の接続部において接続して構
成される電気回路部材において、 #、′W!、気的接続部材は、金属又は合金よりなる複
数の金属部材を、該金属部材の一端を第1の電気部品側
に露出させて、一方、該金属部材の他端を該第2の電気
回路部品側に露出させて、それぞれの金属部材同士が電
気的に絶縁されるように、絶縁体中に埋設して構成され
ており、かつ、該絶縁体には所望形状をした金属体又は
無機材料体の一方又は両方が埋設されており、 第1の電気回路部品の接続部と第1の電気回路部品側に
露出した金属部材の一端とを合金化することにより接続
し、かつ、第2の電気回路部品の接続部と第2の電気回
路部品側に露出した金属部材の一端とを合金化すること
により接良したことを特徴とする′−[気回路部材にそ
の要旨を有する。
本発明における電気回路部品としては、例えば、半導体
素子、樹脂回路基板、セラミック基板、金属基板等の回
路基板(以下単に回路基板ということがある)、リード
フレーム等があげられる。すなわち、第1の電気回路部
品としてこれらの中のいずれかの部品を用い、第2の電
気回路部品としてこれらの中のいずれかの部品を用いれ
ばよい。
電気回路部品として接続部を有する部品が本発明の対象
となる。接続部の数は問わないが、接続部の数が多けれ
ば多いほど本発明の効果が顕著となる。
また、接続部の存在位置も問わないが、Ml電気回路部
品内部に存在するほど本発明の効果が顕著となる。
本発明では第1の電気回路部品と第2の電気回路部品と
を電気的接続部材を用いて接続する。
本発明に係る電気的接続部材は、絶縁体中に複数の金属
部材を埋設して構成されている。金属部材同士はそれぞ
れ絶縁体により絶縁されており、また、金属部材の一端
は第1の電気回路部品側に露出しており、他の一端は第
2の電気回路部品側に露出している。さらに、該絶縁体
には所望形状をした金属体又は無機材料体の一方又は両
方が埋設されている。
ここで、金属部材の材質としては、金が好ましいが、全
以外の任意の金属あるいは合金を使用することもできる
0例えば、Cu、AJL、Sn。
Pb−9n等の金属あるいは合金があげられる。
さらに、金属部材の断面は1円形、四角形その他任意の
形状とすることができる。
また、金属部材の太さは特に限定されない、電気回路部
I漬の接続部のピッチを考慮して、例えば20pmφ以
上あるいは20gmφ以下にしてもよい。
なお、金属部材の露出部は絶縁体と同一面としてもよい
し、また、絶縁体の面から突出させてもよい、この突出
は片面のみでもよいし両面でもよい、さらに突出させた
場合はバンプ状にしてもよい。
また、金属部材の間隔は、電気回路部品の接続部同士の
間隔と同一間隔としてもよいし、それより狭い間隔とし
てもよい、狭い間隔とした場合には電気回路部品と電気
的接続部材との位養決めを要することなく、電気回路部
品と電気的接続部材とを接続することが可使となる。
また、金属部材は絶縁体中に垂直に配する必要はなく、
第1の電気回路部品側から第2の電気回路部品側に向か
って斜行していてもよい。
さらに電気的接続部材は、1層あるいは2層以上の多層
からなるものでもよい。
本発明においては、絶縁体には所望形状をしだ金属体又
は無機材料体の一方又は両方が埋設されている。
ここで、所望形状をした金属体又は無機材料体としでは
1例えば、板状体、各種断面形状をした棒状体、球体等
があげられる。
また、金属体の材質としては、例えば、Ag、Cu。
^u、Aj! Be、(:a、Mg、Mo、Ni、Si
、 W、Fe、Sn、Zn等、あるいはこれらの合金が
あげられる。
また、無機材料体の材質としては、例えば、Si[;、
BeO,84C,Ta[:、TiB2.Cr口z、Ti
N、BP、BN、  ^ff1N。
Si3N<、SiO,、B、O,、Al220.、Na
2O,に20.fl:aO,ZnO。
BaO,PbO,5b203.^5203.La2O3
,ZnO2,P2O5,Ti0t。
MgO、Ta、01等のセラミック、ダイヤモンド%C
9B、ガラス等のものがあげられる。これらの無機材料
の1種又は2種以上を使用すればよい。
金属体及び無機材料体は1種又は28!以上を使用すれ
ばよい。
埋設する金属体、無機材料体の大きさ、形状。
また、絶縁体中における分散位置、数mは、金属体、無
機材料体のために、絶縁体中に埋設されている金属部材
同士が接触・短絡しなり、切断したりしない範囲内なら
ば任意である。また、金属部材間の全てに金属体、無機
材料体が存在する必要はなく、存在している部分と存在
していない部分があってもよい、また、金属体、無機材
料体は絶縁体の外部に露出してもよいし、露出しなくと
もよい、また、金属体、無機材料体同士は接触してもよ
いし、接触していなくともよい。
電気重接bc部材の絶縁体は絶縁性物質ならば特に限定
されない0例えば絶縁性の樹脂を用いればよい、さらに
、樹脂を用いる場合には48I脂の種類も問わない、8
硬化性樹脂、熱可塑性樹脂のいずれでもよい0例えば、
ポリイミド樹脂、ポリフェニレンサルファイド樹脂、ポ
リエーテルサルフォン樹脂、ポリエーテルイミド樹脂、
ポリサル7オン樹脂、シリコーン樹脂、フッ素樹脂、ポ
リカーボネート樹脂、ポリジフェニールエーテル樹脂、
ポリベンジルイミダゾール樹脂、フェノール樹脂、尿素
樹脂、メラミン樹脂、アルキッド樹脂。
エポキシ樹脂、ポリアミドイミド樹脂、ポリプロプレン
樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂、ポリスチレン樹脂その他の
樹脂を使用することができる。
なお、これらの樹脂の中から、熱伝導性のよい樹脂を使
用すれば、半導体素子が熱を持ってもその熱を樹脂を介
して放熱することかでさるのでより好ましい、さらに、
樹脂として、回路基板と同じかあるいは同程度の熱膨張
率を有するものを選択すれば、熱膨張・熱収縮に基づく
、装置の信頼性の低下を一層防止することが可能となる
本発明ではさらに、第1の電気回路部品の接続部と第1
の電気回路部品側に露出した電気接続部材の金属部材の
一端とを合金化することにより接続し、かつ、第2の電
気回路部品の接続部と第2の電気回路部品側に露出した
電気接続部材の金属部材の一端とを合金化することによ
り接続する。
すなわち1本発明では、第1の電気回路部品と第2の電
気回路部品との両方ともに合金化する。
なお1合金化方法としては、例えば、それぞれ対応する
接続部を接触させた後、適宜の温度において加熱すれば
よい、加熱により、ta続部において原子の拡散等が起
こり、接続部表面に固溶体あるいは金属間化合物よりな
る層が形成され、1a続部同士が合金化される。なお、
電気的接続部材の金属部材にAuを使用し、電気回路部
品の接続部にAiを使用した場合には、200〜350
℃の加熱温度が好ましい。
[作用] 本発明では、上述した電気重接bc部材を使用している
ので、電気回路部品の接続部を内部に配こすることも可
能となり、接続部の数を増加させることができ、ひいて
は高密度化が可ず1となる。
また、電気的接続部材は薄くすることが回部であり、こ
の面からも薄型化が可能となる。
さらに、電気的接続部材に使用する金属部材の量は少な
いため、たとえ、高価な金を金Iil!部材として使用
したとしてもコストが安いものとなる。
本発明では、電気回路部品の両方が、電気接続部材を介
して合金化されており電気回路部品同士が強固(強度的
に強く)かつ確実に接続されるので、機械的に強く、不
良率の極めて低い電気回路部材を得ることができる。
また、電気回路部品の両方を、電気的接続部材を介して
合金化するので、電気回路部材の作成工程中及び作成後
において、治具等を使用して電気回路部品を保持する必
要がなく、電気回路部材の作成及び作成後の管理が容易
である。
電気回路部品の両方が、電気的接続部材を介して合金化
されているので、電気回路部品相互の接触抵抗が一方の
みを合金化した場合に比べてより小さくなる。
本発明においては、電気的接続部材の絶縁体中に所望形
状をした金属体又は無機材料体の一方又は両方が埋設さ
れているので、第1の電気回路部品から第2の電気回路
部品への熱伝導性、また、第2の電気回路部品から第1
の電気回路部品への熱伝導性が良くなる。つまり、電気
的接続部材の熱伝導性が良好であり、仮に、第1の電気
回路部品として発熱量の大きな電気回路部品を使用し。
第2の電気回路部品として熱影響の少ない電気回路部品
を選択したとすると、第1の電気回路部品から発熱した
熱は、電気的接続部材を介して第2の電気回路部品へと
いち早く伝導され、この熱は第2の電気回路部品から放
熱される。従って、放熱特性の良好な電気回路部材を得
ることが回部となる。
なお、電気的接続部材の絶縁体中に電気回路部品の熱1
膨張係数に近い無機材料体を埋設すると。
電気的接続部材の絶縁体の熱膨張係数が電気回路部品の
熱膨張係数に近づき、熱が加わった場合に生ずることの
ある絶縁体、金属部材の割れ、あるいは、電気回路部品
の特性の変化という、半導体装置の信頼性を損なう現象
を防止でき、信頼性の良好な半導体が得られる。
また1本発明は、第1の電気回路部品と第2の電気回路
部品との熱膨張係数の差が大きい場合に顕著な効果が得
られる。
さらに、絶縁体中に金属体を埋設すると、電気回路部品
から外界に出る電磁気ノイズを減少せしめることができ
、また、外界から電気回路部品へ入るノイズを減少せし
めることができる。
(以下余白) [実施例] (第1実施例) 本発明の第1実施例を第tUgJ及び第2図に基づいて
説明する。
本実施例では、接続部102を有する@iの電気回路部
品である回路基板101と16続部105を有する第2
の電気回路部品である回路基板104とを1両回路基板
101.104を電気的に接続するための電気的接続部
材125を両者の間に介在させて、両回路基板101.
104の接続部102,105において接続して構成さ
れる電気回路部材において、 該電気的接続部材125は、金属又は合金よりなる複数
の金属部材107を、それぞれの金属部材107同士を
電気的に絶縁し、かつ、該金属部材107の一端を第1
の回路基板101側に露出させて、一方、該金属部材1
07の他端を該第2の回路部基板104側に露出させて
、絶縁体111中に埋設されて構成されており、かつ、
絶ム/k 1llL−1+所a1嵌号トル 1 ト小ン
沫1士隻に静動斜体の一方又は両方が埋設されており。
第1の回路基板101の接続部102とpj41の回路
ノ^板101(+11に露出した金属部材107の一端
とを合金化することにより接続し、かつ、第2の回路基
板104の接続部105と第2の回路基板104側に露
出した金属部材107の一端とを合金化することにより
接続しである。
以下に本実施例をより詳細に説明する。
まず、電気的接続部材・125の一製造例を説明しつつ
電気的接続部材125を説明する。
第2図に一製造例を示す。
まず、+52図(a)に示すように、絶縁シート155
を鉄板156の表裏に貼り付ける。その後、20pmφ
の金等の金属あるいは合金よりなる金属線121が入る
位置に金属線121の線径より大きい内径の穴157を
ピッチ40pmであける。その後、穴157に金、[1
a121を通した後に、穴157に樹脂123を入れ、
樹脂123を硬化させる。硬化した樹脂123は絶縁体
となる。従って、金属線121は他の金属線121と絶
縁される。その後1点線124の位置でスライス切断し
、電気的接続部材125を作成する。このようにして作
成された電気的接続部材125を第2図(b)、(C)
に示す。
なお、本例では、鉄板156を用いたが、他の金属体あ
るいは無機材料体でもよく、形状としても板に限らず棒
状体1球状体でもよい、さらに。
樹脂123により鉄板156と金属線121とを絶縁し
たが、鉄板156の穴157を予め絶縁化してもよい、
また、電気的接続部材の作成方法は上記方法に限らず他
の方法でもよい。
このように作成された電気的接続部材125において、
金属線121が金属部材107を4IJ成し、鉄板15
6.絶縁シート155.さらに樹脂123が絶縁体11
1を構成する。
この電気的接続部材125においては金属部材となる金
属線121同士は樹脂123により電気的に絶縁されて
いる。また、金giiaiztの一端は回路基板101
側に露出し、他端は回路基板104側に露出している。
この露出している部分はそれぞれ回路基板lot、10
4との接続部108.109となる。
次に、第1の回路基板101、電気的接続部材125、
第2の回路基板104を用意する0本例で使用する回路
基板101,104は、第1図に示すように、その内部
に多数の接続部102゜105を有している。
なお、第1の回路基板101のvi続郡部102.第2
の回路基板104の接続部105及び電気的接続m 材
125 (7) tala e6108 、109 ニ
対応する位置に金属が露出している。
ifの回路基板101の接続部102と、電気的接続部
材125の接続部108とを、又は、第2の回路基板1
04の接続部105と電気的接続部材125の接続部1
09が対応するように位置決めを行ない1位置決め後1
両方を合金化して接続する。
ここで、上記第1の回路基板lO1、電気的接続部材1
25、第2の回路基板104を接続するには次の3方式
が存在するが、そのいずれの方式によってもよい。
■第1の回路基板101、電気的接続部材125、第2
の回路基板104を位置決めした後、ffT1の回路基
板101の接続部102と電気的接続部材1257)接
続部108とを、及び第2の回路基板104の接続部1
05と電気的接続部材125の接続部109とを同時に
合金化して接■第1の回路基板101と電気的接続部材
125とを位置決めし、第1の回路基板101の接続部
102と電気的接続部材125の接続部108とを合金
化して接続した後、第2の回路基板104を位置決めし
、電気接続部材125の接続部109と第2の回路基板
104の接続部105を合金化してta続する方法。
■第2の回路基板104と電気的接続部材125とを位
置決めし、第2の回路基板104の接続部105と電気
的接続部材125の接続部109とを合金化して接続し
た後、第1の回路基板lO1を位置決めし、電気的接続
部材125の接続部108と第1の回路基板101の接
続部102を合金化して接続する方法。
以上のようにして作成した電気回路部材につきその接続
部のla続性を調べたところ高い信頼性をもって接続さ
れていた。
また、放熱特性も良好であった。
(第2実施例) 第3図に第2実施例を示す。
本例は、接続部52を有する第1の電気回路部品として
回路基板51を、第2の電気回路部品として内部に多数
の接続部5を有する半導体素子4を使用した。
合金化は、半導体素子4の接続部5及び回路基板51の
接続部52と、所望形状をした金属体又は無機材料体の
一方又は両方が埋設されている電気的接続部材125の
接続部54との間で行なった。
なお、所望形状をした金属体又は無機材料体の一方又は
両方が埋設されている電気的接続部材125としては半
導体素子4に対応する寸法のものを使用した。
合金化して接続後は回路基板51の下面にリードフレー
ム55を接続した。
他の点は第1実施例と同様である。
本例においても接続部は高い信頼性を持って接続されて
いた。
また、放熱特性も良好であった。
(第3実施例) 第4図に第3実施例を示す。
本例は、第1の電気回路部品が半導体素子4であり、第
2の7fi気回路部品が回路基板51である例である。
なお、接続後は回路基板51の上面にリードフレームl
を接続し、封止材63により封止した。
他の点は第1実施例と同様である。
本例においても接続部は高い信頼性を持って接続されて
いた。
また、放熱特性も良好であった。
(第4実施例) 第5図に第4実施例を示す。
本例は、第1117)電気回路部品が半導体素子4゛で
あり、第2の電気回路部品が半導体素子4である例であ
り1本例では、電気的接続部材として半導体素子4に対
応した寸法のものを使用し、リードフレームlを電気的
接続部材125の第1の半導体素子4′側に露出した金
属部材に接続している。
他は第3実施例と同様である。
本例においても接続部は高い信頼性を持って接続されて
いた。
また、放熱特性も良好であった。
(第5実施例) 第6図に第5実施例を示す。
第5実施例は、t51 (7)M、気回路部品、第2の
電気回路部品として、接続部以外の部分が絶縁膜103
.106で覆われている回路基板lot 。
104を使用している例である。
また、電気的接続部材としては第7図に示すものを使用
した。すなわち、第7図に示す絶縁体111中に鉄板1
56が埋設されている電気的接続部材125は、金属部
材107の露出している部分が樹脂絶縁体Illの面か
ら突出している。
このような電気的接続部材125の作成は2例えば、次
の方法によればよい。
まず、第1実施例で述べた方法により、第2図(b)、
(c)に示す電気的接続部材を用意する0次にこの電気
的接続部材の両面を、金属線121が、絶縁シート15
5から10gm程度突出するまでエツチングすればよい
なお、本実施例では金jf[5j121の突出量を11
01Lとしたが、いかなる量でもよい。
また、金49121を突出させる方法としてはエツチン
グに限らず、他の化学的な方法又は機械的な方法を使用
してもよい。
他の点は第1実施例と同様である。
なお、突出部を、電気的接続部材125を金属線121
の位置に凹部を持った型に挟み込み、金Ii!線121
の突起126をつぶすことにより第8図に示すようなバ
ンプ150を形成してもよい。
rmfuAA7tot911+khtSIkllI−h
ze、+tUX+にくくなる。
なお、本例でも、金属線121が金属部材107を構成
し、さらに、鉄板156、絶縁シー)155.  さら
に樹脂123゛が絶縁体111を構成する。
なお、バンプを作成するのには突起を熱で溶融させ、バ
ンプを作成してもよいし、他のいかなる方法でもよい。
本例においても接続部は高い信頼性を持って接続されて
いた。
また、放熱特性も良好であった。
(第6実施例) 第9図に第6実施例を示す。
本例は、第1の電気回路部品として半導体素子4を使用
し、第2の電気部品としてリードフレームlを使用した
例である。
他の点は第5実施例と同様である。
本例においても接続部は高い信頼性を持って接続されて
いた。
また、放熱特性も良好であった。
(第7実施例) 第10図に第7実施例を示す。
本例においては、電気的接続部材125は、第5実施例
に示した電気的接続部材と異なる。すなわち、本例の電
気的接続部材125においては。
全屈部材同士のピッチが第5実施例で示したものよりも
狭くなっている。すなわち、本例では、第1の回路基板
接続部の間隔よりも狭い間隔に金属部材107同士のピ
ッチを設定しである。
つまり、第5実施例では、第1の回路基板101と第2
の回路基板104との接続位置に電気的接続部材125
の接続部nを配設したため、電気的接続部材125の位
置決めが必要であったが、本例では、第1の回路基板1
01と第2の回路基板104との位置決めは必要である
が、電気的接続部材125との位ご決めは不要となる。
そのため、第1の回路基板101と第2の回路基板10
4の接続寸法(dll、pH)と電気的接続部材の接続
寸法(d12.PI3)を適切な値に選ぶことにより位
置決めなしで接続することも可能である。
本例においても接続部は高い信頼性を持って接続されて
いた。
また、放熱特性も良好であった。
(第8実施例) 第11図に第8実施例に使用する電気的接続部材を示す
第11図(a)は電気的接続部材の側視図。
第11図(b)は上記電気的接続部材の断面図である。
かかる電気的接続部材の作成例を次に述べる。
まず、第1実施例に示した製法で、絶縁体中に鉄板15
6が埋設されている電気的接続部材128.129.1
30を3枚用意する。′1枚目128の金属&a121
の位lはm行n列目で、ma、nbだけ中心から変位し
ている。
2枚目129の金属!a121の位置はm行n列目でm
ac、nbcだけ中心から変位している。
3枚目130の金属線121の位lはm行n列でmad
、nbdだけ中心から変位している。a。
b、c、dの値は上下の金属121は導通するが左右に
は互いに電気的に導通しないような値をとる。3枚の電
気的接続部材を位置決めし、熱圧着等の方法を用い積層
し、電気的接続部材125を作成する。
なお1本例においては、電気的接続部材の金属の位置を
m行n列というように規則をもった位置を選んだが、上
下の金属が導通し、左右には互いに電気的に導通しない
ようにすればランダムでもよい。
また、本例では3層積層する場合について述べたが、2
枚以上であれば何枚でもよい、また、熱圧着の方法を用
いてvi層すると述べたが、圧着。
接若等の方法を用いてもよい、さらに、本例の電気的接
続部材を加工して第7図に示すように突起を設けてもよ
いし、:jS(3図に示したようにバンブ150を設け
てもよい。
本例においても接続部は高い信頼性を持って接続されて
いた。
また、放熱特性も良好であった。
(第9実施例) 第12図に第9実施例に使用する電気的接続部材を示す
第12図(a)は電気的接続部材の製造途中の断面図、
第12図(b)は上記電気的接続部材の斜視図、第12
図(C)は上記の断面図である。
まず、金属線案内板131,132、鉄板156を用意
する。そして、鉄板156を金属線案内板131,13
2の間に挿入し、保持する。
次に、金属線案内板131.132にあけられている所
望の穴133,134に金i1線121を通し、所望の
張力で張る。その後、金属線案内板131.132間に
樹脂123を流し込み、硬化させる。しかる後、案内板
を取りはずし、電気的接続部材125を作成する。
また、本例の電気的接続部材を加工して、第7図に示す
ように突起を設けてもよいし、第8図に示すようにバン
ブ150を設けてもよい。
本実施例の第1の回路部品及び第2の電気回路部品は、
それぞれ、半導体素子、回路基板、リードフレーム等の
回路基材のうちの1つである。
本例においても接続部は高い信頼性を持って接続されて
いた。
また、放熱特性も良好であった。
[発明の効果] 本発明は以上のように構成したので次の数々の効果が得
られる。
1、半導体素子と回路基板、リードフレーム等の回路基
材の接続に関し、信頼性の高い接続が得られる。従って
、従来用いられてきたワイヤポンディング方式、TAB
方式、CCB方式を行き変えることが可f屯となる。
2、本発明によると電気回路部品の接続部をいかなる位
置(特に内部)にも配芒することができることからワイ
ヤポンディング方式、TAB方式よりもさらに多点接続
が回走となり、多ビン数接続向きの方式となる。
さらに電気的接続部材の隣接金属間に絶縁物質が存在す
ることにより隣接金属間の電気的導通しないことよりC
CB方式よりもさらに多点接続が可V七となる。
3、電気的接続部材において使用される金属部材の量は
従来に比べ微量であるため、仮に金属部材に金等の高価
な全屈を使用しても従来より安価となる。
4、高密度の半導体装n等が得られる。
5、電気回路部品の両方が、電気接続部材を介して合金
化されており電気回路部品同士が強固(強度的に強く)
かつ確実に接続されるので、機械的に強く、不良率の極
めて低い電気回路部材を得ることができる。
6、電気的接続部材の絶縁体中には金属体又は無機材料
体の一方又は両方が埋設されているので、第1の電気回
路部品又は第2の電気回路部品に熱が発生しても電気的
ta続部材を介してその熱は外部に放熱される。従って
、放熱性の良好な電気回路部材を得ることができる。
なお1例えば、無機材料体の内から、電気回路部品に近
い熱膨張係数を有するものを選択し、それを電気的接続
部材の絶縁体中に埋設すれば、熱が加わっても熱応力の
発生が少なく、信頼性の高い電気回路部材、ひいては、
半導体装とが得られる。
もちろん、電気的接続部材の電気的絶縁物質として半導
体素子及び回路基材と同じかあるいは同程度の熱膨張率
を持つ材料を選択することにより信頼性の良い半導体装
置が得られる。
なお、電気的接続部材の絶縁体中に金属体を埋設した場
合、放熱性が良く、低応力でしかもシールド効率の高い
電気回路部材が得られる。
【図面の簡単な説明】
第1図は第1実施例を示す断面図である。第1図(a)
は接続前の状態を示し、第2図(b)は接続後の状態を
示す、第2図は第1実施例に使用する電気的接続部材の
一製造方法例を説すJするための図であり、第2図(a
)は断面図、第2図(b)は斜視図、第2図(c)は断
面図である。 第3図は第2実施例を示し、第3図(a)は斜視図、第
3図(b)は断面図である。第4図は第3実施例を示す
断面図である。第5図は第4実施例を示す断面図である
。第6図は第5実施例を示し、第6図(a)は接続前の
状態を示す断面図であり第6図(b)は接続後の状態を
示す断面図である。第7図及び第8図も第5実施例を示
し、第7図(&)及び第8図(a)は斜視図であり、第
7図(b)及び第8図(b)は断面図である。第9図は
第6実施例を示し、第9図(a)は接続前の状f8を示
す斜視図であり、第9図(b)は接続後の状態を示す断
面図である。第10図は第7実施例を示す断面図であり
、第10図(a)は接続前の状態を示し、第10図(b
)は接続後の状態を示す、第11図は第8実施例に係る
電気的接続部材を示し、第11図(a)は斜視図であり
、第11rI!J(b)Jflfr面図でhる。ml 
2図は第9実施例に係る電気的接続部材の一製造例を示
し、第12図(a)、(c)は断面図であり、第12図
(b)は斜視図である。:513図から第20図までは
従来例を示し、:514図を除き断面図であリ、第14
図は平面透視図である。 1拳−リードフレーム、2Φ・リードフレームの素子搭
載部、3・・銀ペースト、4.4′・・半導体素子、5
,5”・・半導体素子の接続部、6・・リードフレーム
の接続部、7・・極細金属線、8・−樹脂、9−φ半導
体装置、10−−半導体素子の外周縁部、11@−リー
ドフレームの素子搭載部の外周縁部、16・・キャリア
フィルム基板、17−・キャリアフィルム基板のインナ
ーリード部、20−・樹脂、21・・樹脂、31会・半
田バンブ、32・・基板、33@参基板の接続部、51
・・回路基板、52・・回路基板の接続部、54・・電
気的接続部材の接続部、55・・リードフレーム、63
・・封止材、70゜70”・・金属材、71.71’ 
 ・・絶縁膜。 72 、72 ’・中絶縁膜の露出面、73 、73 
’・・金属材の露出面、75.75’  ・・回路基材
、7.6.76” ・・回路基材の接続部、77・・異
方性導電膜の絶縁物質、78・・異方性導電膜、79・
・導電粒子、81・・エラスチックコネクタの絶縁物質
、82・・エラスチックコネクタの金属線、83−争エ
ラスチ7クコネクタ、101拳・回路基板、102・・
接続部、103・・絶縁11り、106・・絶縁11り
、104・・回路基板、105・・接続部、107金属
部材、l 08 拳 ・ 接続ffl、109  ・ 
争 接続f13、 111 ・・絶縁体、121φ・金
属線、123−・樹脂、124・・点線、125−・電
気的接続部材、126−−突起、128,129,13
0−−電気的接続部材、131.132・・金属線案内
板、150・争バンブ、155・I絶縁シート。 156・・鉄板、157壷嗜穴。 第1図(a) 第1図(b) 第2図(a) +21 第2図(b) 第2図(c) 第3図(0) 第3図(b) 第4図 第5図 第6図(a) 第6図(b) 第9図(a) 第9図(b) 第10図(a) 第10図(b) 第11図(a) 第11図(b) 1ど1 1t1 第12図(a) 第12図(b) 第12図忙) 第13図 第14図 第15図 第16図 第17図 第旧図

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 1.接続部を有する第1の電気回路部品と、接続部を有
    する第2の電気回路部品とを、両電気回路部品を電気的
    に接続するための電気的接続部材を両者の間に介在させ
    て、両電気回路部品の接続部において接続して構成され
    る電気回路部材において、 該電気的接続部材は、金属または合金よりなる複数の金
    属部材を、該金属部材の一端を第1の電気部品側に露出
    させて、一方、該金属部材の他端を該第2の電気回路部
    品側に露出させて、それぞれの金属部材同士が電気的に
    絶縁されるように、絶縁体中に埋設して構成されており
    、かつ、該絶縁体には、所望形状をした金属体又は無機
    材料体の一方又は両方が埋設されており、 第1の電気回路部品の接続部と第1の電気回路部品側に
    露出した金属部材の一端とを合金化することにより接続
    し、かつ、第2の電気回路部品の接続部と第2の電気回
    路部品側に露出した金属部材の一端とを合金化すること
    により接続したことを特徴とする電気回路部材。
  2. 2.第1の電気回路部品及び第2の電気回路部品は、そ
    れぞれ半導体素子、回路基板やリードフレーム等の回路
    基材のうち1つである特許請求範囲第1項記載の電気回
    路部材。
JP62071979A 1987-03-04 1987-03-26 電気回路部材 Expired - Fee Related JPH0828401B2 (ja)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP62071979A JPH0828401B2 (ja) 1987-03-26 1987-03-26 電気回路部材
EP88103400A EP0284820A3 (en) 1987-03-04 1988-03-04 Electrically connecting member, and electric circuit member and electric circuit device with the connecting member
EP98102122A EP0854506A3 (en) 1987-03-04 1988-03-04 Electrically connecting member and electric circuit member
US08/597,383 US5967804A (en) 1987-03-04 1996-02-08 Circuit member and electric circuit device with the connecting member

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP62071979A JPH0828401B2 (ja) 1987-03-26 1987-03-26 電気回路部材

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS63237537A true JPS63237537A (ja) 1988-10-04
JPH0828401B2 JPH0828401B2 (ja) 1996-03-21

Family

ID=13476091

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP62071979A Expired - Fee Related JPH0828401B2 (ja) 1987-03-04 1987-03-26 電気回路部材

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH0828401B2 (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010062236A (ja) * 2008-09-02 2010-03-18 Fujitsu Ltd 電子部品
WO2017175376A1 (ja) * 2016-04-08 2017-10-12 オリンパス株式会社 半導体装置および半導体装置の製造方法

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010062236A (ja) * 2008-09-02 2010-03-18 Fujitsu Ltd 電子部品
WO2017175376A1 (ja) * 2016-04-08 2017-10-12 オリンパス株式会社 半導体装置および半導体装置の製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
JPH0828401B2 (ja) 1996-03-21

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPH0249385A (ja) 電気的接続部材及びその製造方法
JPS63224235A (ja) 電気回路部材
JPS63237537A (ja) 電気回路部材
JPS63222437A (ja) 電気回路部材
JPH07302866A (ja) 半導体装置および該装置用ヒートスプレッダー
JPS63226036A (ja) 電気的接続部材及びそれを用いた電気回路部材
JPH0917910A (ja) 半導体装置及びその製造方法、検査方法、実装基板
JPS63246835A (ja) 電気的接続部材及びそれを用いた電気回路部材
JPS63237373A (ja) 電気的接続部材及びそれを用いた電気回路部材
JPS63246837A (ja) 電気回路部材
JPS63228726A (ja) 電気的接続部材及びそれを用いた電気回路部材
JPH01214030A (ja) 電気回路装置
JPS63237374A (ja) 電気回路部材
JP2513783B2 (ja) 電気回路装置
JPS63231890A (ja) 電気的接続部材及びそれを用いた電気回路部材
JPH01214035A (ja) 電気回路装置
JPS63304582A (ja) 電気回路部材
JPS63239787A (ja) 電気回路部材
JPH01214032A (ja) 電気回路装置
JPS63226038A (ja) 電気回路部材
JP2556881B2 (ja) 電気回路装置
JPH01214031A (ja) 電気回路装置
JPS63246836A (ja) 電気回路部材
JPS63231888A (ja) 電気回路部材
JPS63224164A (ja) 電気的接続部材及びそれを用いた電気回路部材

Legal Events

Date Code Title Description
LAPS Cancellation because of no payment of annual fees