JPS63236218A - 超伝導電線 - Google Patents
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Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
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- Y02E40/60—Superconducting electric elements or equipment; Power systems integrating superconducting elements or equipment
Landscapes
- Inorganic Compounds Of Heavy Metals (AREA)
- Superconductors And Manufacturing Methods Therefor (AREA)
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明は、超伝導電線、さらに詳細にば、高い臨界電流
、臨界磁場を有する超伝導電線に関するものである。
、臨界磁場を有する超伝導電線に関するものである。
超伝導電線に要求される特性は超伝導転移温度Ｔｃが高
く、かつ磁場の中へ置かれた場合に超伝導が破壊される
臨界磁場＋１ｃが高いことである。
く、かつ磁場の中へ置かれた場合に超伝導が破壊される
臨界磁場＋１ｃが高いことである。
これまで研究された超伝導電線の材料とＴｃおよび４．
２にで使用可能な磁場範囲を第１表に示す。これら使用
可能な磁場は一般にＴｃが高い程大きくなる。Ｔｃとｌ
ｌｃの関係を第１図に示す。第１表において最も高い使
用可能な磁場領域を有するのはＮｂ３ Ｓｎ化合物で１
３〜１６テスラのＨｃを有する。これは、Ｎｂ芯とＣｕ
−Ｓｎ合金との複合体を作製し、これを細線化した後、
６００〜７００℃に加熱しで作ったものである。熱処理
によりＣｕ−Ｓｎ合金マトリックス中のＳｎのみが細か
く加工されたＮｂ芯と拡散反応してＮｂ３ Ｓｎの極細
多芯が形成される（第２図：参考文献Ｅ、Ａｄａｍ ｅ
ｔ ａｌ、 （ＥＥＥ Ｔｒａｎｓ、 Ｍａｇ、 Ｍａ
ｇ−１３（１９７７） ３１９ ”） Ｑ 第１表 〔発明の解決すべき問題点〕 このような複雑なプロセスにより作製してもＩｌｃは１
３〜１６テスラと低く、超伝導磁石の要求には応じきれ
ていない欠点を有し、かつ電線の構造が複雑である欠点
を有していた。
２にで使用可能な磁場範囲を第１表に示す。これら使用
可能な磁場は一般にＴｃが高い程大きくなる。Ｔｃとｌ
ｌｃの関係を第１図に示す。第１表において最も高い使
用可能な磁場領域を有するのはＮｂ３ Ｓｎ化合物で１
３〜１６テスラのＨｃを有する。これは、Ｎｂ芯とＣｕ
−Ｓｎ合金との複合体を作製し、これを細線化した後、
６００〜７００℃に加熱しで作ったものである。熱処理
によりＣｕ−Ｓｎ合金マトリックス中のＳｎのみが細か
く加工されたＮｂ芯と拡散反応してＮｂ３ Ｓｎの極細
多芯が形成される（第２図：参考文献Ｅ、Ａｄａｍ ｅ
ｔ ａｌ、 （ＥＥＥ Ｔｒａｎｓ、 Ｍａｇ、 Ｍａ
ｇ−１３（１９７７） ３１９ ”） Ｑ 第１表 〔発明の解決すべき問題点〕 このような複雑なプロセスにより作製してもＩｌｃは１
３〜１６テスラと低く、超伝導磁石の要求には応じきれ
ていない欠点を有し、かつ電線の構造が複雑である欠点
を有していた。
本発明は、上述の問題点に鑑みなされたものであり、従
来の超伝導電線の臨界磁場の低い点を改善した高い臨界
磁場を有する超伝導電線を提供するものである。
来の超伝導電線の臨界磁場の低い点を改善した高い臨界
磁場を有する超伝導電線を提供するものである。
本発明は、大量生産が可能な酸素欠陥を有する正方晶系
に属するペロブスカイト型酸化物へ２ Ｂ ４Ｃｕｅ
Ｏｘｈ＋ｙ （０＜ｙ ＜２．５ ）構造において、
八としてイットリウム（Ｙ）、ランタン（Ｌａ） 、イ
ッテリビウム（Ｙｂ）の一種またはその混合物、Ｂとし
てバリウム（Ｉｌａ） 、ストロンチウム（Ｓｒ）、カ
ルシウム（Ｃａ）の一種またはその混合体からなる化合
物の粉末、または前記粉末と銅の細線の複合材を金属チ
ューブで被覆して超伝導電線とすることを最も主要な特
徴とする。また、このように金属チューブで被覆したも
のを、絶縁剤粉末が充填された金属チューブで、さらに
被覆することを特徴としている。
に属するペロブスカイト型酸化物へ２ Ｂ ４Ｃｕｅ
Ｏｘｈ＋ｙ （０＜ｙ ＜２．５ ）構造において、
八としてイットリウム（Ｙ）、ランタン（Ｌａ） 、イ
ッテリビウム（Ｙｂ）の一種またはその混合物、Ｂとし
てバリウム（Ｉｌａ） 、ストロンチウム（Ｓｒ）、カ
ルシウム（Ｃａ）の一種またはその混合体からなる化合
物の粉末、または前記粉末と銅の細線の複合材を金属チ
ューブで被覆して超伝導電線とすることを最も主要な特
徴とする。また、このように金属チューブで被覆したも
のを、絶縁剤粉末が充填された金属チューブで、さらに
被覆することを特徴としている。
従来の技術とは電線の構造が簡単な上に高い臨界磁場が
得られる点が異なる。
得られる点が異なる。
本発明による超伝導電線に使用される化合物粉末は、前
述のように、酸素欠陥を有する正方品系に属するペロブ
スカイト型酸化物Ａ ２ Ｂ ４ Ｃｕ６０１４＋γ（
０＜ｙ ＜２．５ ）構造において、八としてイツトリ
ウム（Ｙ）、ランタン（Ｌａ） 、イツトリウム（Ｙｂ
）の一種またはその混合物、Ｂとしてバリウム（Ｂａ）
、ストロンチウム（Ｓｒ） 、カルシウム（Ｃａ）の
一種またはその混合体からなる化合物の粉末である。こ
の化合物粉末は、前述のように高い臨界電流、臨界磁場
を有し、大量生産が可能であるという利点を有している
からである。
述のように、酸素欠陥を有する正方品系に属するペロブ
スカイト型酸化物Ａ ２ Ｂ ４ Ｃｕ６０１４＋γ（
０＜ｙ ＜２．５ ）構造において、八としてイツトリ
ウム（Ｙ）、ランタン（Ｌａ） 、イツトリウム（Ｙｂ
）の一種またはその混合物、Ｂとしてバリウム（Ｂａ）
、ストロンチウム（Ｓｒ） 、カルシウム（Ｃａ）の
一種またはその混合体からなる化合物の粉末である。こ
の化合物粉末は、前述のように高い臨界電流、臨界磁場
を有し、大量生産が可能であるという利点を有している
からである。
前記一般式において、Ａがイツトリウム、ランタン、イ
ッテリビウムの一種またはその混合物以外であると、超
伝導にはならない虞があり、またＢがバリウム、ストロ
ンチウム、カルシウムの一種またはその混合物以外であ
ると、同様に弔電鋼にはなりにくい。さらに、前記ｙは
Ｏ＜ｙ ＜２．５であるが、ｙが上記範囲を逸脱すると
、酸素欠陥を有する正方晶系のペロブスカイト型酸化物
を製造しにくいからである。
ッテリビウムの一種またはその混合物以外であると、超
伝導にはならない虞があり、またＢがバリウム、ストロ
ンチウム、カルシウムの一種またはその混合物以外であ
ると、同様に弔電鋼にはなりにくい。さらに、前記ｙは
Ｏ＜ｙ ＜２．５であるが、ｙが上記範囲を逸脱すると
、酸素欠陥を有する正方晶系のペロブスカイト型酸化物
を製造しにくいからである。
このような化合物粉末を金属チューブに充填するもので
あるが、この金属チューブは、本発明において基本的に
限定されるものではない。たとえばステンレス、銅、ア
ルミニウムなどのチューブであることができる。
あるが、この金属チューブは、本発明において基本的に
限定されるものではない。たとえばステンレス、銅、ア
ルミニウムなどのチューブであることができる。
本発明による第２の発明においては、前記化合物粉末を
金属細線管に充填し、これを金属チューブで被覆する。
金属細線管に充填し、これを金属チューブで被覆する。
前記金属細線は、本発明において基本的に限定されるも
のではなく、たとえば銅、ニオブ、アルミニウムなどの
金属細線であることができる。
のではなく、たとえば銅、ニオブ、アルミニウムなどの
金属細線であることができる。
本発明による第３の発明および第４の発明は、上記第１
の発明および第２の発明の超伝導電線のまわりに絶縁体
粉末を設け、これを金属チューブで被覆した構造になっ
ている。この絶縁体粉末は、本発明において基本的に限
定されるものではなく、たとえば酸化アルミニウムない
し酸化マグネシウムなどの一種以上を使用することがて
きる。この絶縁体粉末を被覆する金属チューブは、前述
の金属チューブと同様であってよい。
の発明および第２の発明の超伝導電線のまわりに絶縁体
粉末を設け、これを金属チューブで被覆した構造になっ
ている。この絶縁体粉末は、本発明において基本的に限
定されるものではなく、たとえば酸化アルミニウムない
し酸化マグネシウムなどの一種以上を使用することがて
きる。この絶縁体粉末を被覆する金属チューブは、前述
の金属チューブと同様であってよい。
以下、本発明の実施例について説明する。
〔実施例１〕
第３図は本発明の第一の実施例を説明する図であって、
１はステンレスチューブ、２はイットリウム、バリウム
、ｆ４ （Ｙ ｔ Ｂａ４Ｃｕｅ Ｏｓａ＋ｙ ）の超
伝導化合物である。
１はステンレスチューブ、２はイットリウム、バリウム
、ｆ４ （Ｙ ｔ Ｂａ４Ｃｕｅ Ｏｓａ＋ｙ ）の超
伝導化合物である。
ステンレスチューブ１の中に超伝導化合物２が粉末の状
態で充填されており、電線を曲げても粉末間での電気的
導通がとれる効果がある。この電線の温度に対する電気
抵抗の変化を磁場の影響を含めて第４図に示す。Ｙ ２
Ｂａ４ Ｃｕｅ Ｏｎ＋ｙの組成における超伝導化合
物の焼結体は９３Ｋから電気抵抗が減少し、９２に前後
で完全に電気抵抗が消失するが、この化合物を粉末化し
、ステンレスチューブに入れたものも第４図に示すよう
に焼結体と殆ど変わらない超伝導特性を示した。
態で充填されており、電線を曲げても粉末間での電気的
導通がとれる効果がある。この電線の温度に対する電気
抵抗の変化を磁場の影響を含めて第４図に示す。Ｙ ２
Ｂａ４ Ｃｕｅ Ｏｎ＋ｙの組成における超伝導化合
物の焼結体は９３Ｋから電気抵抗が減少し、９２に前後
で完全に電気抵抗が消失するが、この化合物を粉末化し
、ステンレスチューブに入れたものも第４図に示すよう
に焼結体と殆ど変わらない超伝導特性を示した。
さらに、４．２Ｋにおける臨界磁場は５０テスラを超え
ており、従来のＮｂ３ Ｓｎのマルチフィラメントの超
伝導電線よりはるかに優れた臨界磁場特性が得られた。
ており、従来のＮｂ３ Ｓｎのマルチフィラメントの超
伝導電線よりはるかに優れた臨界磁場特性が得られた。
しかも一般の電線と同様の取り扱いが可能である。
この結果から明らかなように従来の技術に比べて極めて
簡単な構造の電線で高い転移温度を持ち優れた臨界磁場
特性を持つ超伝導電線が得られる改善があった。
簡単な構造の電線で高い転移温度を持ち優れた臨界磁場
特性を持つ超伝導電線が得られる改善があった。
［実施例２〕
第５図は本発明の第二の実施例を説明する図であって、
３は超伝導化合物２の粉末中に通した銅の細線である。
３は超伝導化合物２の粉末中に通した銅の細線である。
転移温度、臨界磁場特性は実施例１と同じであるが銅の
細線が通されているため、温度が上昇して超伝導が破れ
た場合に、超伝導状態で流れていた大電流のために超伝
導電線が焼き切れることがなくなる。また、銅の細線の
ために一層曲げに対しても強くなった。
細線が通されているため、温度が上昇して超伝導が破れ
た場合に、超伝導状態で流れていた大電流のために超伝
導電線が焼き切れることがなくなる。また、銅の細線の
ために一層曲げに対しても強くなった。
〔実施例３〕
第６図は、本発明の第三の実施例を説明する図で、４は
銅のチューブ、５はアルミナ粉末または酸化マグネシウ
ム粉末である。
銅のチューブ、５はアルミナ粉末または酸化マグネシウ
ム粉末である。
転移温度、臨界磁場特性は実施例１と同じである。銅の
チューブ４は実施例２における銅の細線と同じ働きがあ
り、超伝導が破れた場合に焼き切れない効果と曲げに対
する強度の改善がある。
チューブ４は実施例２における銅の細線と同じ働きがあ
り、超伝導が破れた場合に焼き切れない効果と曲げに対
する強度の改善がある。
さらに、銅チューブの外側に絶縁材料であるアルミナ粉
末または酸化マグネシウム粉末を充填してステンレスチ
ューブで被覆した構造になっているため、超伝導電線に
誤って導電性のものが触れても短絡することがない。ま
た、この超伝導電線をコイルにした際、密着−せて巻い
ても短絡せず、信頼性が向上した。
末または酸化マグネシウム粉末を充填してステンレスチ
ューブで被覆した構造になっているため、超伝導電線に
誤って導電性のものが触れても短絡することがない。ま
た、この超伝導電線をコイルにした際、密着−せて巻い
ても短絡せず、信頼性が向上した。
以上説明したように、高い超伝導転移温度と臨界磁場を
有する酸素欠陥を有する正方晶系に属するペロブスカイ
ト型酸化物Ａ２ＢａＣｕ６０１ａ＋γ（０＜ｙ ＜２．
５ ）構造においてＡとしてイットリウム（Ｙ）、ラン
タン（Ｌａ） 、イツトリウム（Ｙｂ）の一種またはそ
の混合物、Ｂとしてバリウム（Ｂａ） 、ストロンチウ
ム（Ｓｒ） 、カルシウム（Ｃａ）の一種またはその混
合体からなる化合物を粉末化し、ステンレスチューブに
充填することあるいは銅のチューブに充填した後、アル
ミナ粉末または酸化マグネシウム粉末を間に入れてステ
ンレスチューブで被覆する構造を持たせたことにより、
酸素欠陥を有する正方晶系に属するペロブスカイト型酸
化物Ａ ２Ｂ ４ＣＬＩ６０５ｈｔｙ （０＜’！
＜２．５）構造においてＡとしてイツトリウム（Ｙ ”
）、ランタン（Ｌａ） 、イツトリウム（Ｙｂ）の一種
またはその混合物、８としてバリウム（Ｂａ） 、スト
ロンチウム（Ｓｒ） 、カルシウム（Ｃａ）の一種また
はその混合体からなる化合物の焼結体で得られた高い超
伝導転移温度と臨界磁場特性を失うことなく一般の電線
と同程度曲げ特性を有する超伝導電線が得られる利点が
ある。
有する酸素欠陥を有する正方晶系に属するペロブスカイ
ト型酸化物Ａ２ＢａＣｕ６０１ａ＋γ（０＜ｙ ＜２．
５ ）構造においてＡとしてイットリウム（Ｙ）、ラン
タン（Ｌａ） 、イツトリウム（Ｙｂ）の一種またはそ
の混合物、Ｂとしてバリウム（Ｂａ） 、ストロンチウ
ム（Ｓｒ） 、カルシウム（Ｃａ）の一種またはその混
合体からなる化合物を粉末化し、ステンレスチューブに
充填することあるいは銅のチューブに充填した後、アル
ミナ粉末または酸化マグネシウム粉末を間に入れてステ
ンレスチューブで被覆する構造を持たせたことにより、
酸素欠陥を有する正方晶系に属するペロブスカイト型酸
化物Ａ ２Ｂ ４ＣＬＩ６０５ｈｔｙ （０＜’！
＜２．５）構造においてＡとしてイツトリウム（Ｙ ”
）、ランタン（Ｌａ） 、イツトリウム（Ｙｂ）の一種
またはその混合物、８としてバリウム（Ｂａ） 、スト
ロンチウム（Ｓｒ） 、カルシウム（Ｃａ）の一種また
はその混合体からなる化合物の焼結体で得られた高い超
伝導転移温度と臨界磁場特性を失うことなく一般の電線
と同程度曲げ特性を有する超伝導電線が得られる利点が
ある。
第１図は一般的な超伝導材料の転移温度と４．２Ｋにお
ける臨界磁場の関係、第２図は従来のＮｂ３ Ｓｎ極細
多芯超伝導電線の作製方法、第３図、第５図、第６図は
本発明の実施例を示す断面図、第４図は本発明の超伝導
電線の温度に対する電気抵抗の変化および磁場の影響で
ある。 ■ ・・・ステンレスチューブ、２ ・・・超伝導化合
物の粉末、３ ・・・銅の細線、４ ・・・銅のチュー
ブ、５ ・・・アルミナの粉末。
ける臨界磁場の関係、第２図は従来のＮｂ３ Ｓｎ極細
多芯超伝導電線の作製方法、第３図、第５図、第６図は
本発明の実施例を示す断面図、第４図は本発明の超伝導
電線の温度に対する電気抵抗の変化および磁場の影響で
ある。 ■ ・・・ステンレスチューブ、２ ・・・超伝導化合
物の粉末、３ ・・・銅の細線、４ ・・・銅のチュー
ブ、５ ・・・アルミナの粉末。
Claims (4)
- （１）酸素欠陥を有する正方晶系に属するペロブスカイ
ト型酸化物Ａ＿２Ｂ＿４Ｃｕ＿６Ｏ＿１＿４＿＋＿ｙ（
０＜ｙ＜２．５）構造において、Ａとしてイットリウム
（Ｙ）、ランタン（Ｌａ）、イッテリビウム（Ｙｂ）の
一種またはその混合物、Ｂとしてバリウム（Ｂａ）スト
ロンチウム（Ｂｒ）、カルシウム（Ｃａ）の一種または
その混合体からなる化合物の粉末を金属チューブの中へ
隙間なく充填したことを特徴とする超伝導電線。 - （２）酸素欠陥を有する正方晶系に属するペロブスカイ
ト型酸化物Ａ＿２Ｂ＿４Ｃｕ＿６Ｏ＿１＿４＿＋＿ｙ（
０＜ｙ＜２．５）構造において、Ａとしてイットリウム
（Ｙ）、ランタン（Ｌａ）、イッテリビウム（Ｙｂ）の
一種またはその混合物、Ｂとしてバリウム（Ｂａ）スト
ロンチウム（Ｂｒ）、カルシウム（Ｃａ）の一種または
その混合体からなる化合物の粉末を、金属細線の間に充
填し、これを金属チューブで被覆したことを特徴とする
超伝導電線。 - （３）酸素欠陥を有する正方晶系に属するペロブスカイ
ト型酸化物Ａ＿２Ｂ＿４Ｃｕ＿６Ｏ＿１＿４＿＋＿ｙ（
０＜ｙ＜２．５）構造において、Ａとしてイットリウム
（Ｙ）、ランタン（Ｌａ）、イッテリビウム（Ｙｂ）の
一種またはその混合物、Ｂとしてバリウム（Ｂａ）、ス
トロンチウム（Ｓｒ）、カルシウム（Ｃａ）の一種また
はその混合体からなる化合物の粉末を金属チューブを用
いて被覆し、そのまわりに絶縁体粉末を充填して金属チ
ューブで被覆することを特徴とした超伝導電線。 - （４）酸素欠陥を有する正方晶系に属するペロブスカイ
ト型酸化物Ａ＿２Ｂ＿４Ｃｕ＿６Ｏ＿１＿４＿＋＿ｙ（
０＜ｙ＜２．５）構造において、Ａとしてイットリウム
（Ｙ）、ランタン（Ｌａ）、イッテリビウム（Ｙｂ）の
一種またはその混合物、Ｂとしてバリウム（Ｂａ）、ス
トロンチウム（Ｓｒ）、カルシウム（Ｃａ）の一種また
はその混合体からなる化合物の粉末を、金属細線の間に
充填し、これを金属チューブで被覆するとともに、その
まわりに絶縁体粉末を充填した金属チューブで被覆した
ことを特徴とする超伝導電線。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62068512A JPS63236218A (ja) | 1987-03-23 | 1987-03-23 | 超伝導電線 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62068512A JPS63236218A (ja) | 1987-03-23 | 1987-03-23 | 超伝導電線 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63236218A true JPS63236218A (ja) | 1988-10-03 |
Family
ID=13375843
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62068512A Pending JPS63236218A (ja) | 1987-03-23 | 1987-03-23 | 超伝導電線 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63236218A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63236712A (ja) * | 1987-03-24 | 1988-10-03 | Kazuo Fueki | 超伝導性材料 |
| JPS63248020A (ja) * | 1987-04-01 | 1988-10-14 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 超電導セラミツク材料の作製方法 |
| JPS646325A (en) * | 1987-03-25 | 1989-01-10 | Sumitomo Electric Industries | Superconductive material |
| JPS646324A (en) * | 1987-03-25 | 1989-01-10 | Sumitomo Electric Industries | Superconductive material |
| FR2637728A1 (fr) * | 1988-10-11 | 1990-04-13 | Alsthom Gec | Amenee de courant cryogenique a faibles pertes |
| JPH04298912A (ja) * | 1991-04-01 | 1992-10-22 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 超電導セラミック伸線の作製方法。 |
| JPH04315707A (ja) * | 1991-04-01 | 1992-11-06 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 超電導セラミック伸線の作製方法 |
-
1987
- 1987-03-23 JP JP62068512A patent/JPS63236218A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63236712A (ja) * | 1987-03-24 | 1988-10-03 | Kazuo Fueki | 超伝導性材料 |
| JPS646325A (en) * | 1987-03-25 | 1989-01-10 | Sumitomo Electric Industries | Superconductive material |
| JPS646324A (en) * | 1987-03-25 | 1989-01-10 | Sumitomo Electric Industries | Superconductive material |
| JPS63248020A (ja) * | 1987-04-01 | 1988-10-14 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 超電導セラミツク材料の作製方法 |
| FR2637728A1 (fr) * | 1988-10-11 | 1990-04-13 | Alsthom Gec | Amenee de courant cryogenique a faibles pertes |
| JPH04298912A (ja) * | 1991-04-01 | 1992-10-22 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 超電導セラミック伸線の作製方法。 |
| JPH04315707A (ja) * | 1991-04-01 | 1992-11-06 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 超電導セラミック伸線の作製方法 |
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