JPS60250506A - 化合物系超電導線材 - Google Patents

化合物系超電導線材

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JPS60250506A
JPS60250506A JP59106436A JP10643684A JPS60250506A JP S60250506 A JPS60250506 A JP S60250506A JP 59106436 A JP59106436 A JP 59106436A JP 10643684 A JP10643684 A JP 10643684A JP S60250506 A JPS60250506 A JP S60250506A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
compound
superconducting wire
diffusion prevention
based superconducting
present
Prior art date
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Pending
Application number
JP59106436A
Other languages
English (en)
Inventor
小泉 操
村瀬 暁
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toshiba Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
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Publication date
Application filed by Toshiba Corp filed Critical Toshiba Corp
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Publication of JPS60250506A publication Critical patent/JPS60250506A/ja
Pending legal-status Critical Current

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    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02EREDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E40/00Technologies for an efficient electrical power generation, transmission or distribution
    • Y02E40/60Superconducting electric elements or equipment; Power systems integrating superconducting elements or equipment

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  • Superconductors And Manufacturing Methods Therefor (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の属する技術公爵〕 本発□明は化合物系超電導線材、特にパルス的、交流的
に用いた場合に交流損失の少ない安定な化合物系超電導
線材に関する。
〔従来技術とその問題点〕
一般に、化合物系超電導#扮は、目的とする化合物系超
電導材の一方の構成元素を含む合金母材中に他方の構成
元素を含む合金あるいは単一金属の芯−を多数本埋設し
た複合体を細線加工した後に熱処理を行ない、構成元素
同士を反応させて化合物系招電−材を生成させる方法で
製造され不一−えば、”Nb、Sn化合物超電導線では
、Ou−”Sn合金母材rip < Nb□支はNb合
金芯線を多数本離設した複合体を所望の′寸法に細線加
工した後に熱処理を行なw、Nb又はNも合金芯線の表
面[Nlj^8n化合物を生成させる方法で製造される
。しか゛し、このような方法で製造される化合物系超電
導線材モは、合金母材の電気抵抗が高いために安定性に
欠ける。
こめた込、゛安定性を向上させる目的で、従来、電1図
に示すNb@8n化合物超電導線の例の如く′%多数本
のNb、 k化合物超電導フィラメントが埋設されf(
Ou −an合金母材に安定化材とし、て低電気抵抗の
OuをTaあるいはNbなどの隔壁で隔離して配置する
方法がとられていた。との場合のTaあるいはNbなど
の隔壁は熱処理時にOu −Sn谷金母粉中に含讐れる
anが安定化材としてのCuの電気抵抗が高くな゛るこ
とを防ぐ目的として用いらワ:□一般に拡散防止材と呼
ばれ、゛不可欠のものでアネ。
このようにして、従来の化合物系超電導線材では、低電
気抵抗の安定化材を配置することにより安定性の向上が
計られていた。
しかしながら、低電気抵抗の安定化材を配置した従来の
化合物系超電導線材にあっては、変動磁界が加わるパル
スマグネット等に用いると、′変動磁界によって化合物
系超電導フィラメント間が安定化材を介して電気的に結
合し、て結合電流が誘起し、この結合電流による交流損
失(結合損失)が発生する欠点がβつだ。
〔発明の目的〕
本発明の目的は、従来の欠点を改良り、たパルス的らる
いは交流的に用いた場合に交流損失が少ない安定な化合
物系超電導線材を提供することにある。
〔発明の概要〕
本発明は、鋭意研究を行なった結果、隔壁に拡散防止材
とこの拡散防止材より高電気抵抗を有する高抵抗金属か
らなる積層体を用いることで達成された。
〔発明の効果〕
本発明によれば、変動磁界によって化合物系超電導フィ
ラメント間が安定化材を介して電気的に結合する際、化
合物系超電導フィラメントと安定化材の間に介在する隔
壁の電気抵抗が増大するため結合電流が減少して交流損
失が低減する効果がちる。また、隔壁に拡散防止材が用
いられているため、合金母材に含まれる元素が安定化材
に拡散しないので安定化材の低電気抵抗が保持され安定
性も良好となる。
〔発明の実施例〕
以下に本発明の実施例をNb、8u化合物超電導線を用
いて説明する。 σ まず、第1図に示す如く、直径約1.Qmaの$u−8
n合金1中に直径約10μmのNb3Sn化合物フィラ
メント2が2869本埋設された外側に厚さ約150μ
mのTa拡散防止材31Cよる隔壁が配置された外側に
厚さ約350μmのOu 4が配置された構造の直径約
2.0關ツイストピツチ約100朋の従来法によるNb
lSn化合物超電導線を製造した。
次に、第2図に示す如く、直径約14.Qs+gの0u
−8u合金1中に直径約10μmのNb、8u化合!1
7.イラメント2が2869本埋設され次外側咳厚さ約
50−μ…のTa拡散防止材3と厚さ約50μmの0u
−Ni高抵抗材5からなる厚さ約150 tt m 、
(Q Ta−0u−Ni−Ta 積層体6が配置された
外側に厚さ約350μmのOu%が配置された構造の直
径約2.0龍ツイストピツチ100Bの本発明によるN
b、8u化合物超電導線牽製造した。
また、本発明の実施するに当シ1.従来法のNb。
Sn化合物超電導線及び本発明のNbhSn化合費超化
合繊超電導線Ta拡散防止材3と0u−Ni高抵抗材5
について4.2にの電気抵抗率を測定するため、−厚さ
約50μm幅約2朋長さ約10μmの試料を各々の材料
から作成した。第3図には、超電導、電磁石で直流磁場
を印加してTa拡散防止材3 (b)とQu−Ni高抵
抗埜5 (a)の4.2にで測定した電気抵抗率の結果
を示す。、第3図は縦軸に電気抵抗轡ρ、横軸に外部直
流磁場Bを示す。図に示ス如<、T、l拡散呻止材の電
気抵抗率はB=O((1)において約3X:10−’(
Ωm)でおるのに対し、0u−Ni高抵抗材の電気抵抗
率はB = O(T)において約I X xo7.7 
(Ωm)と約60倍高い値を示す。
次に、第4図には、本発明の効果を調べ、るために、従
来法のNb、Sn化合物超電導線(X)と本発明のNb
、BSnSn化合物導電導線)の交流損失測定結果を示
した。、交流損失は、一般に行なわれている磁化測定法
で、試料に0 (T)−2(T)−0(T)と変化する
パルス磁場を磁場変化率B(T/s) を変えて印加す
るJ/m” cy c/e )、横軸にパルス4JJ&
場の磁場変化率M(r7s) を示す。図に見られる如
く、本発明によるNb5Sn化合物超電導線は、従来法
のNb、 8u化合物超電導線に比べ磁場変化率iが増
大するに従って交流損失が低減されていることが判る。
なお実測は出来ないが自=0での交流損失の値は、Nb
、Sn化合物超電導フィラメントでのヒステリシス損失
を青わす。このヒステリシス損失はNb、、@ Sn化
合物超電導フィラメントの寸法と臨界電流密度に依存す
るもので、今回の実施ではNb3 Sn化合物超電導フ
ィラメントの寸法を同一にしている点から臨界電流密度
すなわち電流容量も同一と言えるまた、安定性に関して
も本発明によるNb、Sn化合物超電導線は従来のNb
3Sn化合物超電導線と同様に良好な結果が得られた。
なお、本発明での化合物系超電導線材とは実施例ty6
るNbaSn化合物超電導線のみでなり、V3Ga化合
物超電導線なども含まれる。また、拡散防止材とはTa
のみならずNb等も含1れる。高抵抗材とはOu −N
 iのみならず0u−8n等のOu金合金るいはNbな
とも含まれる。更に、拡散防止材と高抵抗材の積層体は
本発明の如く構造のみに限るものではない。
【図面の簡単な説明】
第1図は従来の化合物系超電導線材の断面図、第2図は
本発明の化合物系超電導線材の断面図、第3図は本発明
に用いたTa及び0u−Niの4.2Kにおける電気抵
抗率を示す特性図、第4図は本発明の化合物系超電導線
材と従来の化合物系超電導線材の交流損失の比較図を示
す。 1・・・0u−8n 合金、2・・N’b3Sn化合物
フィラメント3・・・Ta拡散防止材、 4・・Cu1
5 =−Ou−Tj高抵抗材、6 =−Ta−0u−N
i−Ta積層体。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 多数の化合物系超電導フィラメントが埋設された合金母
    材と低抵抗金属からなる安定化材の間に隔壁を有する化
    合物系超電導線材にらっで、上記隔壁は上記合金母材に
    含まれる元素力″1上記安定化材へ拡散するのを防ぐ拡
    散防止材と゛この拡散防止材より高電気抵抗を有す為高
    抵抗材の積層体からなることを特徴とする花台物系超電
    −−材み
JP59106436A 1984-05-28 1984-05-28 化合物系超電導線材 Pending JPS60250506A (ja)

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Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS62271305A (ja) * 1986-05-19 1987-11-25 日本原子力研究所 超電導ケ−ブル導体
JPH01294310A (ja) * 1988-05-20 1989-11-28 Fujikura Ltd 超電導線およびその製造方法
JPH01294314A (ja) * 1988-05-20 1989-11-28 Fujikura Ltd 化合物系超電導線の製造方法
JPH02213009A (ja) * 1989-02-13 1990-08-24 Chiyoudendou Hatsuden Kanren Kiki Zairyo Gijutsu Kenkyu Kumiai 化合物系超電導撚線の製造方法
JPH02213010A (ja) * 1989-02-13 1990-08-24 Chiyoudendou Hatsuden Kanren Kiki Zairyo Gijutsu Kenkyu Kumiai 化合物系超電導撚線の製造方法

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JPH01294310A (ja) * 1988-05-20 1989-11-28 Fujikura Ltd 超電導線およびその製造方法
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JPH02213009A (ja) * 1989-02-13 1990-08-24 Chiyoudendou Hatsuden Kanren Kiki Zairyo Gijutsu Kenkyu Kumiai 化合物系超電導撚線の製造方法
JPH02213010A (ja) * 1989-02-13 1990-08-24 Chiyoudendou Hatsuden Kanren Kiki Zairyo Gijutsu Kenkyu Kumiai 化合物系超電導撚線の製造方法

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