JPS63233980A - 2−アシルフラン誘導体の製造方法 - Google Patents
2−アシルフラン誘導体の製造方法Info
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- Y02P20/00—Technologies relating to chemical industry
- Y02P20/50—Improvements relating to the production of bulk chemicals
- Y02P20/52—Improvements relating to the production of bulk chemicals using catalysts, e.g. selective catalysts
Landscapes
- Furan Compounds (AREA)
- Low-Molecular Organic Synthesis Reactions Using Catalysts (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〈産業上の利用分野〉
本発明は、一般式(り
○
(式中、RはC!〜C!−のアルキル基、C3〜C−の
アルケニル基、C3〜C1〜C5のアルキニル基、C4
〜C7の環状アルキル基、フェニル基、01〜C2〜C
8のアルキル基またはC1% C,のアルコキシル基ま
たはハロゲン原子で置換された一置換または二置換のフ
ェニル基、cr〜C1lのアラルキル基sC1〜C1の
アルコキシル基で置換されたC!〜C,のアルキル基ま
たは02〜C・のアルコキシカルボニル基で置換された
C、 、 C,のアルキル基を表わし、R1は水素原子
または01〜C1のアルキル基を表わす) で示される2−アシルフラン誘導体の製造法に関する。
アルケニル基、C3〜C1〜C5のアルキニル基、C4
〜C7の環状アルキル基、フェニル基、01〜C2〜C
8のアルキル基またはC1% C,のアルコキシル基ま
たはハロゲン原子で置換された一置換または二置換のフ
ェニル基、cr〜C1lのアラルキル基sC1〜C1の
アルコキシル基で置換されたC!〜C,のアルキル基ま
たは02〜C・のアルコキシカルボニル基で置換された
C、 、 C,のアルキル基を表わし、R1は水素原子
または01〜C1のアルキル基を表わす) で示される2−アシルフラン誘導体の製造法に関する。
〈従来の技術〉
上記一般式(I)で示される2−アシルフラン誘導体は
、医、R薬中間体、とりわけプロスタグランジン中間体
として極めて重要である。
、医、R薬中間体、とりわけプロスタグランジン中間体
として極めて重要である。
従来より、このような2−アシルフラン誘導体の製造法
としては種々の方法が知られており、その代表的なもの
として以下に示す方法が例示される。
としては種々の方法が知られており、その代表的なもの
として以下に示す方法が例示される。
(a) J、C,S、、 1)2262(1962
>(扮 J、C,S、、 p2728 (1968
)(C) 米国特許第4,254.0481〈発明が
解決しようとする問題点〉 しかしながら、上記(a)および■の方法は収率が低く
、また(C)の方法は反応に使用する試薬が非常に高価
であって、工業的な製造法として必ずしも満足し得るも
のではなかった。
>(扮 J、C,S、、 p2728 (1968
)(C) 米国特許第4,254.0481〈発明が
解決しようとする問題点〉 しかしながら、上記(a)および■の方法は収率が低く
、また(C)の方法は反応に使用する試薬が非常に高価
であって、工業的な製造法として必ずしも満足し得るも
のではなかった。
このようなことから本発明者らは、かかる問題点を解決
し、安価に、しかも収率よく工業的有利に一般式(1)
で示される2−アシルフラン誘導体を製造すべく検討の
結果、本発明に至った。
し、安価に、しかも収率よく工業的有利に一般式(1)
で示される2−アシルフラン誘導体を製造すべく検討の
結果、本発明に至った。
〈問題点を解決するための手段〉
本発明は、一般式(II)
RCOOE (n)
(式中、Rは前記と同じ意味を有する)(式中、R1は
前記と同じ意味を有する)で示されるフラン化合物を、
一般式■ (XYCHCO)、O@ (式中、XおよびYは水素原子、塩素原子または臭素原
子を表わす。但し、XおよびYが同時に水素原子である
ことはない) で示される酸無水物の存在下、溶媒中、三弗化ホウ素も
しくは三弗化ホウ素コンプレックスを触媒として反応さ
せることを特徴とする前記一般E (I)で示される2
−アシルフラン誘導体の製造法を提供するものである。
前記と同じ意味を有する)で示されるフラン化合物を、
一般式■ (XYCHCO)、O@ (式中、XおよびYは水素原子、塩素原子または臭素原
子を表わす。但し、XおよびYが同時に水素原子である
ことはない) で示される酸無水物の存在下、溶媒中、三弗化ホウ素も
しくは三弗化ホウ素コンプレックスを触媒として反応さ
せることを特徴とする前記一般E (I)で示される2
−アシルフラン誘導体の製造法を提供するものである。
本発明において使用される一般式(II)で示されるカ
ルボン酸として、具体色には次の化合物が例示される。
ルボン酸として、具体色には次の化合物が例示される。
(1)酢酸、プロピオン酸、酪酸、イソ酪酸、吉草酸、
イソ吉草酸、ヘキサン酸、ヘプタン酸、オクタン戯、ラ
ウリル酸、デカン酸、ステアリン酸等のC,、C!、―
の脂肪族カルボン酸。
イソ吉草酸、ヘキサン酸、ヘプタン酸、オクタン戯、ラ
ウリル酸、デカン酸、ステアリン酸等のC,、C!、―
の脂肪族カルボン酸。
(I) アクリル酸、クロトン酸、トランス−2−ペ
ンテン酸、4−ペンテン酸、トランス−2−ヘキセン酸
、トランス−8−ヘキセン酸、シス−3−ヘキセン酸、
トランス−2−メチル−2−ペンテン酸、4−ペンテン
酸等の03〜C1〜C5の脂肪族不飽和カルボン酸。
ンテン酸、4−ペンテン酸、トランス−2−ヘキセン酸
、トランス−8−ヘキセン酸、シス−3−ヘキセン酸、
トランス−2−メチル−2−ペンテン酸、4−ペンテン
酸等の03〜C1〜C5の脂肪族不飽和カルボン酸。
(Im) シクロペンタンカルボン酸、シクロヘキサ
ンカルボン酸等の04〜C1〜C5の環状脂肪族飽和カ
ルボン酸。
ンカルボン酸等の04〜C1〜C5の環状脂肪族飽和カ
ルボン酸。
OV) 安息香酸、4−メチル安息香酸、2,4−ジ
メチル安息香酸、4−メトキシ安息香酸、4−ブロモ安
息香酸等の無置換またはC1〜C1のアルキル基、ある
いはC,−、−C3のアルコキシル基あるいはハロゲン
で置換された一置換または二置換の芳香族カルボン酸。
メチル安息香酸、4−メトキシ安息香酸、4−ブロモ安
息香酸等の無置換またはC1〜C1のアルキル基、ある
いはC,−、−C3のアルコキシル基あるいはハロゲン
で置換された一置換または二置換の芳香族カルボン酸。
(V)フェニル酢酸、8−フェニルプロピオン酸、2−
メチル−2−フェニル酢酸等の01〜C1ff1のアラ
ルキルカルボン酸。
メチル−2−フェニル酢酸等の01〜C1ff1のアラ
ルキルカルボン酸。
(vO″8−メトキシプロピオン酸、5−ヱトキシペン
タン酸、ブトキシペンタン酸、6−メドキシヘキサン酸
、コハク酸モノエチル、グルタル酸モノメチル、スペリ
ン酸モノメチル等のC1,Csのアルコキシ基または0
2〜C・のアルコキシカルボニル基で置換されたC鵞〜
C−の脂肪族カルボン酸。
タン酸、ブトキシペンタン酸、6−メドキシヘキサン酸
、コハク酸モノエチル、グルタル酸モノメチル、スペリ
ン酸モノメチル等のC1,Csのアルコキシ基または0
2〜C・のアルコキシカルボニル基で置換されたC鵞〜
C−の脂肪族カルボン酸。
また、一般式@)で示されるフラン化合物としては、フ
ラン、2−メチルフラン、2−エチルフラン等があげら
れる。
ラン、2−メチルフラン、2−エチルフラン等があげら
れる。
また、一般式に)“で示される酸無水物としては無水ク
ロロ酢酸、無水ブロモ酢酸、無水ジクロロ酢酸等が挙げ
られる。
ロロ酢酸、無水ブロモ酢酸、無水ジクロロ酢酸等が挙げ
られる。
触媒としては三弗化ホウ素または三弗化ホウ素コンプレ
ックスが使用されるが、好ましくは三弗化コンプレック
スであり、その具体例トL ”C” li ”s ・(
Cx Hs )20 、BFs −2CHs OH。
ックスが使用されるが、好ましくは三弗化コンプレック
スであり、その具体例トL ”C” li ”s ・(
Cx Hs )20 、BFs −2CHs OH。
BF、 −CH,GOOFlなどが挙げられる。
本発明の方法において、一般式(!!Oで示されるフラ
ン化合物の使用量は、一般式(π)で示されるカルボン
酸に対して1当な以上必要であり、好ましくは1.2〜
1.5当量である。
ン化合物の使用量は、一般式(π)で示されるカルボン
酸に対して1当な以上必要であり、好ましくは1.2〜
1.5当量である。
一般式四で示される酸無水物の使用量は、一般式(田で
示されるカルボン酸に対して1当量以上必要であり、好
ましくは1.1〜1.8当量である。
示されるカルボン酸に対して1当量以上必要であり、好
ましくは1.1〜1.8当量である。
また・触媒としての三弗化ホウ素または三弗化ホウ素コ
ンプレックスの使用量は、一般式(II)で示されるカ
ルボン酸に対して通常0.02〜0.2当量であるが、
この使用量は何ら限定的なものではなく、それ以上に使
用しても差し支えない。
ンプレックスの使用量は、一般式(II)で示されるカ
ルボン酸に対して通常0.02〜0.2当量であるが、
この使用量は何ら限定的なものではなく、それ以上に使
用しても差し支えない。
本反応は溶媒中で行われ、その溶媒としてはベンゼン、
トルエン、キシレン等の芳i族炭化水素、四塩化炭素、
ジクロロメタン、ジクロロエタン、テトラクロロエチレ
ン、モノクロロベンゼン等のハロゲン化炭化水素等が好
ましく使用され、これらは単独であっても2種以上の混
合物として使用してもよい。かかる溶媒の使用量につい
ては特に制限されない。
トルエン、キシレン等の芳i族炭化水素、四塩化炭素、
ジクロロメタン、ジクロロエタン、テトラクロロエチレ
ン、モノクロロベンゼン等のハロゲン化炭化水素等が好
ましく使用され、これらは単独であっても2種以上の混
合物として使用してもよい。かかる溶媒の使用量につい
ては特に制限されない。
反応温度は一5〜160℃の範囲であるが、好ましくは
15〜75℃の範囲である。
15〜75℃の範囲である。
反応時間はそれぞれの反応条件によって適宜変わり、何
ら限定的でないが、通常0.5〜20時間である。
ら限定的でないが、通常0.5〜20時間である。
このような反応によって得られた反応混合物は、通常の
後処理の後、必要に応じて蒸留、カラムクロマトグラフ
ィー等の方法によって精製することにより、目的とする
一般式CI)で示される2−アシルフラン誘導体を高収
率で得ることができる。
後処理の後、必要に応じて蒸留、カラムクロマトグラフ
ィー等の方法によって精製することにより、目的とする
一般式CI)で示される2−アシルフラン誘導体を高収
率で得ることができる。
〈発明の効果〉
かくして、本発明の方法によれば、一般式(TI)で示
されるカルボン酸および一般式(2)で示されるフラン
化合物から目的とする一般式(1)で示される2−アシ
ルフラン誘導体を工業的有利に製造することができ、特
に本発明において反応助剤として使用される酸無水物や
三弗化ホウ素または三弗化ホウ素コンプレックス等の試
薬は工業的規模において安価に入手可能であるところか
ら、本発明の工業的利用価値を一層有利なものとする。
されるカルボン酸および一般式(2)で示されるフラン
化合物から目的とする一般式(1)で示される2−アシ
ルフラン誘導体を工業的有利に製造することができ、特
に本発明において反応助剤として使用される酸無水物や
三弗化ホウ素または三弗化ホウ素コンプレックス等の試
薬は工業的規模において安価に入手可能であるところか
ら、本発明の工業的利用価値を一層有利なものとする。
〈実施例〉
以下、実施例により本発明を説明する。
実施例1
9.41 F (0,05モル)のスペリン酸モノメf
k Z スf 71/ ;tdよび9.88 F(0
,0575モル)の無水モノク、ロロ酢酸を50t/の
トルエンに溶解し、これに4.48fP(0,065モ
ル)のフランおよび0.71Pの三弗化ホウ素ジエチル
エーテルコンプレックスを加えたのち、50°Cで6時
間攪拌する。反応終了後反応液を冷却し、水、5%炭酸
ナトリウム水溶液、水で順次洗浄後、有機層を無水硫酸
マグネシウムで乾燥する。乾燥した有機1を減圧下に濃
縮後、濃縮残渣をシリカゲルを充填したカラムクロマト
グラフィーにより精製して11?の2−(7−メドキシ
カルボニルー1−オキソヘプチル)−フランを得た。
収率92.8% b、p 185〜187℃10.85ffHf実施例
2 6.515’(0,05モル)のへブタン酸および10
、26 fil (0,06モル)の無水モノクロロ酢
酸を50ttlのトルエンに溶解し、これに4.48j
l’(0,065モル)のフランおよび0.714の三
弗化ホウ素ジエチルエーテルコンプレックスを加えたの
ち、50°Cで5.5時間攪拌する。反応終了後反応液
を冷却し、6%炭酸ナトリウム水溶液、水で順次洗浄す
る。有機層を減圧下に濃縮後、濃縮残渣をシリカゲルを
充填したカラムクロマトグラフィーにより精製して8.
21の2−ヘプタノイルフランを得た。収率9196n
” 1.4824 実施例3〜12 ヘプタン酸に代えて表−1に示すカルボン酸(0,05
モル)を使用し、表−1に示す反応条件とする以外は実
施例2と同様に反応、後処理し、衰−1に示す結果を得
た。
k Z スf 71/ ;tdよび9.88 F(0
,0575モル)の無水モノク、ロロ酢酸を50t/の
トルエンに溶解し、これに4.48fP(0,065モ
ル)のフランおよび0.71Pの三弗化ホウ素ジエチル
エーテルコンプレックスを加えたのち、50°Cで6時
間攪拌する。反応終了後反応液を冷却し、水、5%炭酸
ナトリウム水溶液、水で順次洗浄後、有機層を無水硫酸
マグネシウムで乾燥する。乾燥した有機1を減圧下に濃
縮後、濃縮残渣をシリカゲルを充填したカラムクロマト
グラフィーにより精製して11?の2−(7−メドキシ
カルボニルー1−オキソヘプチル)−フランを得た。
収率92.8% b、p 185〜187℃10.85ffHf実施例
2 6.515’(0,05モル)のへブタン酸および10
、26 fil (0,06モル)の無水モノクロロ酢
酸を50ttlのトルエンに溶解し、これに4.48j
l’(0,065モル)のフランおよび0.714の三
弗化ホウ素ジエチルエーテルコンプレックスを加えたの
ち、50°Cで5.5時間攪拌する。反応終了後反応液
を冷却し、6%炭酸ナトリウム水溶液、水で順次洗浄す
る。有機層を減圧下に濃縮後、濃縮残渣をシリカゲルを
充填したカラムクロマトグラフィーにより精製して8.
21の2−ヘプタノイルフランを得た。収率9196n
” 1.4824 実施例3〜12 ヘプタン酸に代えて表−1に示すカルボン酸(0,05
モル)を使用し、表−1に示す反応条件とする以外は実
施例2と同様に反応、後処理し、衰−1に示す結果を得
た。
但し、実施例7ではカラムクロマトグラフィーによる精
製は行わなかった。
製は行わなかった。
実施例18
8.75’(0,05モル)のプロピオン酸および10
.26P(0,06モル)の無水モノクロロ酢酸を50
dのトルエンに溶解し、これに5.86f(0,065
モル)の2−メチルフランおよび0、7 I Pの三弗
化ホウ素ジエチルエーテルコンプレックスを加えたのち
、60℃で7時間攪拌する。反応終了後反応液を冷却し
、5%炭酸ナトリウム水溶液、水で順次洗浄する。有機
層を減圧下に濃縮後、濃縮残渣をシリカゲルを充填した
カラムクロマトグラフィーにより精製して2.96Fの
2−プロピオニル−5−メチルフランを得た。 収率
42.896 n!7°” 1.5078 実施例14 6.51F(0,05モル)のへブタン酸および10.
26F(0,06モル)の無水モノクロロ酢酸を50m
のトルエンに溶解し、これに5.8乙? (0,065
モル)の2−メチルフランおよび0.71Pの三弗化ホ
ウ素ジエチルエーテルコンプレックスを加えたのち、5
0℃で6.6時間攪拌する。反応終了後反応液を冷却し
、596炭酸ナトリウム水溶液、水で順次洗浄する。有
機層を減圧下に濃縮後、濃縮残渣をシリカゲルを充填し
たカラムクロマトグラフィーにより精製して6.27
Fの2−ヘプタノイル−5−メチルフランを得た。
.26P(0,06モル)の無水モノクロロ酢酸を50
dのトルエンに溶解し、これに5.86f(0,065
モル)の2−メチルフランおよび0、7 I Pの三弗
化ホウ素ジエチルエーテルコンプレックスを加えたのち
、60℃で7時間攪拌する。反応終了後反応液を冷却し
、5%炭酸ナトリウム水溶液、水で順次洗浄する。有機
層を減圧下に濃縮後、濃縮残渣をシリカゲルを充填した
カラムクロマトグラフィーにより精製して2.96Fの
2−プロピオニル−5−メチルフランを得た。 収率
42.896 n!7°” 1.5078 実施例14 6.51F(0,05モル)のへブタン酸および10.
26F(0,06モル)の無水モノクロロ酢酸を50m
のトルエンに溶解し、これに5.8乙? (0,065
モル)の2−メチルフランおよび0.71Pの三弗化ホ
ウ素ジエチルエーテルコンプレックスを加えたのち、5
0℃で6.6時間攪拌する。反応終了後反応液を冷却し
、596炭酸ナトリウム水溶液、水で順次洗浄する。有
機層を減圧下に濃縮後、濃縮残渣をシリカゲルを充填し
たカラムクロマトグラフィーにより精製して6.27
Fの2−ヘプタノイル−5−メチルフランを得た。
収率 69.6%
n”” 1.4900
実施例16
6.51P(0,05モル)のへブタン酸、4.485
1−(0,065モル)のフランおよび14.89F(
0,06モル)の無水ジクロロ酢酸を50m1のトルエ
ンに溶解する。これに0.71?の三弗化ホウ素ジエチ
ルエーテルコンプレックスを加え、60°Cで8時間攪
拌する。反応終了後反応液を冷却し、5%炭酸ナトリウ
ム水溶液、水で順次洗浄する。有機nを減圧下に濃縮後
、濃縮残渣をシリカゲルを充填したカラムクロマトグラ
フィーにより精製して8.95Pの2−ヘプタノイルフ
ランを得た。
1−(0,065モル)のフランおよび14.89F(
0,06モル)の無水ジクロロ酢酸を50m1のトルエ
ンに溶解する。これに0.71?の三弗化ホウ素ジエチ
ルエーテルコンプレックスを加え、60°Cで8時間攪
拌する。反応終了後反応液を冷却し、5%炭酸ナトリウ
ム水溶液、水で順次洗浄する。有機nを減圧下に濃縮後
、濃縮残渣をシリカゲルを充填したカラムクロマトグラ
フィーにより精製して8.95Pの2−ヘプタノイルフ
ランを得た。
収率 99.8%
n!4°’ 1.4828
実施例16
7.81?(0,05モル)のモノメチルグルタル酸、
4.4BP(0,065モル)のフランおよび14.8
9F(0,06モル)の無水ジクロロ酢酸を50ゴのト
ルエンに溶解する。これに0.71?の三弗化ホウ累ジ
エチルエーテルコンプレックスを加え、50°Cで8時
間攪拌する。反応終了後反応液を冷却し、6%炭酸ナト
リウム水溶液、水で順次洗浄する。有機層を減圧下に濃
縮後、濃縮残渣をシリカゲルを充填したカラムクロマト
グラフィーにより精製して9.54 Pの2−(4−メ
トキシカルボニルブチリル)フランを得た。
4.4BP(0,065モル)のフランおよび14.8
9F(0,06モル)の無水ジクロロ酢酸を50ゴのト
ルエンに溶解する。これに0.71?の三弗化ホウ累ジ
エチルエーテルコンプレックスを加え、50°Cで8時
間攪拌する。反応終了後反応液を冷却し、6%炭酸ナト
リウム水溶液、水で順次洗浄する。有機層を減圧下に濃
縮後、濃縮残渣をシリカゲルを充填したカラムクロマト
グラフィーにより精製して9.54 Pの2−(4−メ
トキシカルボニルブチリル)フランを得た。
収率 94.5%
m、p 42.5℃
実施例17
4.41?(0,05モル)のイソ酪酸、5.36f
(0,065モル)の2−メチルフランおよび14.8
9F(0,06モル)の無水ジクロロ酢酸を501m/
のトルエンに溶解する。これに0.71?の三弗化ホウ
素ジエチルエーテルコンプレックスを加え、50°Cで
8時間攪拌4″る。反応終了後反応液を冷却し、6%炭
酸ナトリウム水溶液、水で順次洗浄する。有機層を減圧
下に濃縮後、m縮残液をシリカゲルを充填したカラムク
ロマトグラフィーにより1ullして674Fの2−イ
ソブチリル−5−メチルフランを得た。
(0,065モル)の2−メチルフランおよび14.8
9F(0,06モル)の無水ジクロロ酢酸を501m/
のトルエンに溶解する。これに0.71?の三弗化ホウ
素ジエチルエーテルコンプレックスを加え、50°Cで
8時間攪拌4″る。反応終了後反応液を冷却し、6%炭
酸ナトリウム水溶液、水で順次洗浄する。有機層を減圧
下に濃縮後、m縮残液をシリカゲルを充填したカラムク
ロマトグラフィーにより1ullして674Fの2−イ
ソブチリル−5−メチルフランを得た。
収率 88.6%
n24・’ 1.4989
実施例18
7.81?(0,05モル)の6−メドキシヘキサン酸
、4.48?(0,065モル)のフランおよび14.
89 F (0,06モル)の無水ジクロロ酢酸を60
−のトルエンに溶解する。これに0.711の三弗化ホ
ウ素ジエチルエーテルコンプレックスを加え、50°C
で8時間攪拌する。
、4.48?(0,065モル)のフランおよび14.
89 F (0,06モル)の無水ジクロロ酢酸を60
−のトルエンに溶解する。これに0.711の三弗化ホ
ウ素ジエチルエーテルコンプレックスを加え、50°C
で8時間攪拌する。
反応終了後反応液を冷却し、5%炭酸ナトリウム水溶液
、水で順次洗浄する。有機層を減圧下に213縮後、濃
縮残渣をシリカゲルを充填したカラムクロマトグラフィ
ーにより精製して8.88?の2−(6−メドキシヘキ
サノイル)フランを得た。
、水で順次洗浄する。有機層を減圧下に213縮後、濃
縮残渣をシリカゲルを充填したカラムクロマトグラフィ
ーにより精製して8.88?の2−(6−メドキシヘキ
サノイル)フランを得た。
収率 9096
n2′′1.5182
実施例19
4.81y−(0,05モル)のクロトン酸、4.48
S’ (0,065モル)のフランおよび10.26F
(0,06モル)の無水モノクロロ酢酸を50mのトル
エンに溶解する。これに0.7IPの三弗化ホウ素ジエ
チルエーテルコンプレックスを加え、50℃で6.5時
間攪拌する。反応終了後反応液を冷却し、水、596炭
酸ナトリウム水溶液、水で順次洗浄する。有機層を減圧
下に濃縮後、濃縮残渣をシリカゲルを充填したカラムク
ロマトグラフィーにより精製して2.8?の2−クロト
ニルフランを得た。収率 41.196n” 1
.4288 実施例20 9.41?(0,05モル)のスペリン酸モノメチルエ
ステルおよび9.88 P C0,0575モル)の無
水モノクロロ酢酸をSodのトルエンに溶解し、ξれに
4.48SL(0,065モル)のフランおよび1.0
Pの三弗化ホウ素酢酸コンプレックスを加え、60℃で
8時間攪拌する。反応終了後反応液を冷却し、5%炭酸
すトリウム水溶液、水で順次洗浄する。有機層を減圧下
にam後、濃縮残渣をシリカゲルを充填したカラムクロ
マトグラフィーにより精製して10. I Fの2−(
7−メドキシカルボニルー1−オキソヘプチル)フラン
を得た。
S’ (0,065モル)のフランおよび10.26F
(0,06モル)の無水モノクロロ酢酸を50mのトル
エンに溶解する。これに0.7IPの三弗化ホウ素ジエ
チルエーテルコンプレックスを加え、50℃で6.5時
間攪拌する。反応終了後反応液を冷却し、水、596炭
酸ナトリウム水溶液、水で順次洗浄する。有機層を減圧
下に濃縮後、濃縮残渣をシリカゲルを充填したカラムク
ロマトグラフィーにより精製して2.8?の2−クロト
ニルフランを得た。収率 41.196n” 1
.4288 実施例20 9.41?(0,05モル)のスペリン酸モノメチルエ
ステルおよび9.88 P C0,0575モル)の無
水モノクロロ酢酸をSodのトルエンに溶解し、ξれに
4.48SL(0,065モル)のフランおよび1.0
Pの三弗化ホウ素酢酸コンプレックスを加え、60℃で
8時間攪拌する。反応終了後反応液を冷却し、5%炭酸
すトリウム水溶液、水で順次洗浄する。有機層を減圧下
にam後、濃縮残渣をシリカゲルを充填したカラムクロ
マトグラフィーにより精製して10. I Fの2−(
7−メドキシカルボニルー1−オキソヘプチル)フラン
を得た。
収率 85%
b、り 185〜18710.B 6ttrmHP実
施例21〜24 スペリン酸モノメチルエステルに代えて表−2に示すカ
ルボン酸(0,05モル)を使用する以外は実施例20
と同様に反応、後処理し、表−2に示す結果を得た。
施例21〜24 スペリン酸モノメチルエステルに代えて表−2に示すカ
ルボン酸(0,05モル)を使用する以外は実施例20
と同様に反応、後処理し、表−2に示す結果を得た。
比較例 1
クロトン酸クロライド5.23 g (0,05モル
)およびフラン3.4 g (0,05モル)の混合物
に、1.2−の三弗化ホウ素ジエチルエーテルコンプレ
ックスを0℃で滴下し、その後1時間撹拌を続ける。
)およびフラン3.4 g (0,05モル)の混合物
に、1.2−の三弗化ホウ素ジエチルエーテルコンプレ
ックスを0℃で滴下し、その後1時間撹拌を続ける。
反応終了後、反応液に水5Mを加え、水層を30dのエ
ーテルで抽出処理する。有機層を水、5%重曹水で洗浄
後、無水硫酸マグネシウムで乾燥する。有機層を減圧下
に濃縮後、濃縮残渣をシリカゲルを充填したカラムクロ
マトグラフィーにより精製して0.88 gの2−クロ
トニルフランを得た。 収率 10% 比較例 2 クロトン酸クロライドおよびフランに代えてプロピオン
酸クロライドおよび2−メチルフランをそれぞれ0.0
5モル使用する以外は比較例1に準じて反応、後処理を
行って、2−プロピオニル−5−メチルフランを収率1
2.1%で得た。
ーテルで抽出処理する。有機層を水、5%重曹水で洗浄
後、無水硫酸マグネシウムで乾燥する。有機層を減圧下
に濃縮後、濃縮残渣をシリカゲルを充填したカラムクロ
マトグラフィーにより精製して0.88 gの2−クロ
トニルフランを得た。 収率 10% 比較例 2 クロトン酸クロライドおよびフランに代えてプロピオン
酸クロライドおよび2−メチルフランをそれぞれ0.0
5モル使用する以外は比較例1に準じて反応、後処理を
行って、2−プロピオニル−5−メチルフランを収率1
2.1%で得た。
比較例 3
クロトン酸クロライドに代えてベンゾイルクロライドを
0.05モル使用する以外は比較例1に準じて反応、後
処理を行ったが、目的とした2−ベンゾイルフランは単
離できず、その生成が確認できなかった。
0.05モル使用する以外は比較例1に準じて反応、後
処理を行ったが、目的とした2−ベンゾイルフランは単
離できず、その生成が確認できなかった。
Claims (2)
- (1)一般式 RCOOH (式中、RはC_1〜C_1_3のアルキル基、C_3
〜C_8のアルケニル基、C_3〜C_8のアルキニル
基、C_4〜C_7の環状アルキル基、フェニル基、C
_1〜C_5のアルキル基またはC_1〜C_5のアル
コキシル基またはハロゲン原子で置換された一置換また
は二置換のフ ェニル基、C_7〜C_1_2のアラルキル基、C_1
〜C_5のアルコキシル基で置換されたC_2〜C_5
のアルキル基またはC_2〜C_6のアルコキシカルボ
ニル基で置換されたC_2〜C_8のアルキル基を表わ
す。) で示されるカルボン酸と、一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼ (式中、R_1は水素原子またはC_1〜C_3のアル
キル基を表わす) で示されるフラン化合物を、一般式 (XYCHCO)_2O (式中、XおよびYは水素原子、塩素原子または臭素原
子を表わす。但し、XおよびYが同時に 水素原子であることはない) で示される酸無水物の存在下、溶媒中、三弗化ホウ素も
しくは三弗化ホウ素コンプレックスを触媒として反応さ
せることを特徴とする一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼ (式中、RおよびR_1は前記と同じ意味である) で示される2−アシルフラン誘導体の製造法。 - (2)溶媒が芳香族炭化水素またはハロゲン化炭化水素
である特許請求の範囲第1項に記載の製造方法。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61-257637 | 1986-10-28 | ||
JP25763786 | 1986-10-28 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS63233980A true JPS63233980A (ja) | 1988-09-29 |
JPH0778056B2 JPH0778056B2 (ja) | 1995-08-23 |
Family
ID=17309005
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP62229422A Expired - Fee Related JPH0778056B2 (ja) | 1986-10-28 | 1987-09-11 | 2−アシルフラン誘導体の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0778056B2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2013043890A (ja) * | 2011-08-24 | 2013-03-04 | Chirogate Internatl Inc | シクロペンテノンの製造方法及びベンズインデンプロスタグランジン合成のためのシクロペンテノン |
-
1987
- 1987-09-11 JP JP62229422A patent/JPH0778056B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2013043890A (ja) * | 2011-08-24 | 2013-03-04 | Chirogate Internatl Inc | シクロペンテノンの製造方法及びベンズインデンプロスタグランジン合成のためのシクロペンテノン |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0778056B2 (ja) | 1995-08-23 |
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