JPH0778056B2 - 2−アシルフラン誘導体の製造方法 - Google Patents

2−アシルフラン誘導体の製造方法

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JPH0778056B2
JPH0778056B2 JP62229422A JP22942287A JPH0778056B2 JP H0778056 B2 JPH0778056 B2 JP H0778056B2 JP 62229422 A JP62229422 A JP 62229422A JP 22942287 A JP22942287 A JP 22942287A JP H0778056 B2 JPH0778056 B2 JP H0778056B2
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静一 甲斐
隆行 東井
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  • Low-Molecular Organic Synthesis Reactions Using Catalysts (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 <産業上の利用分野> 本発明は、一般式(I) (式中、RはC1〜C18のアルキル基、C3〜C8のアルケニ
ル基、C3〜C8のアルキニル基、C4〜C7の環状アルキル
基、フェニル基、C1〜C5のアルキル基またはC1〜C5のア
ルコキシル基またはハロゲン原子で置換された一置換ま
たは二置換のフェニル基、C7〜C12のアラルキル基、C1
〜C5のアルコキシル基で置換されたC2〜C8のアルキル基
またはC2〜C6のアルコキシカルボニル基で置換されたC2
〜C8のアルキル基を表わし、R1は水素原子またはC1〜C3
のアルキル基を表わす) で示される2−アシルフラン誘導体の製造法に関する。
<従来の技術> 上記一般式(I)で示される2−アシルフラン誘導体
は、医、農薬中間体、とりわけプロスタグランジン中間
体として極めて重要である。
従来より、このような2−アシルフラン誘導体の製造法
として種々の方法が知られており、その代表的なものと
して以下に示す方法が例示される。
(a) J.C.S.,p2262(1962) (b) J.C.S.,p2723(1963) (c) 米国特許第4,254,043号 <発明が解決しようとする問題点> しかしながら、上記(a)および(b)の方法は収率が
低く、また(c)の方法は反応に使用する試薬が非常に
高価であって、工業的な製造法として必ずしも満足し得
るものではなかった。
このようなことから本発明者らは、かかる問題点を解決
し、安価に、しかも収率よく工業的有利に一般式(I)
で示される2−アシルフラン誘導体を製造すべく検討の
結果、本発明に至った。
<問題点を解決するための手段> 本発明は、一般式(II) RCOOH (II) (式中、Rは前記と同じ意味を有する) で示されるカルボン酸と、一般式(III) (式中、R1は前記と同じ意味を有する)で示されるフラ
ン化合物を、一般式(IV) (XYCHCO)2O (IV) (式中、XおよびYは水素原子、塩素原子または臭素原
子を表わす。但し、XおよびYが同時に水素原子である
ことはない) で示される酸無水物の存在下、溶媒中、三弗化ホウ素も
しくは三弗化ホウ素コンプレックスを触媒として反応さ
せることを特徴とする前記一般式(I)で示される2−
アシルフラン誘導体の製造法を提供するものである。
本発明において使用される一般式(II)で示されるカル
ボン酸として、具体的には次の化合物が例示される。
(i) 酢酸、プロピオン酸、酪酸、イソ酪酸、吉酸、
イソ吉草酸、ヘキサン酸、ヘプタン酸、オクタン酸、ラ
ウリル酸、デカン酸、ステアリン酸等のC1〜C18の脂肪
族カルボン酸。
(ii) アクリル酸、クロトン酸、トランス−2−ペン
テン酸、4−ペンテン酸、トランス−2−ヘキセン酸、
トランス−3−ヘキセン酸、シス−3−ヘキセン酸、ト
ランス−2−メチル−2−ペンテン酸、4−ペンテン酸
等のC3〜C8の脂肪族不飽和カルボン酸。
(iii) シクロペンタンカルボン酸、シクロヘキサン
カルボン酸等のC4〜C8の環状脂肪族飽和カルボン酸。
(iv) 安息香酸、4−メチル安息香酸、2,4−ジメチ
ル安息香酸、4−メトキシ安息香酸、4−ブロモ安息香
酸等の無置換またはC1〜C3のアルキル基、あるいはC1
C3のアルコキシル基あるいはハロゲンで置換された一置
換または二置換の芳香族カルボン酸。
(v)フエニル酢酸、3−フエニルプロピオン酸、2−
メチル−2−フエニル酢酸等のC7〜C12のアラルキルカ
ルボン酸。
(vi) 3−メトキシプロピオン酸、5−エトキシペン
タン酸、ブトキシペンタン酸、6−メトキシヘキサン
酸、コハク酸モノエチル、グルタン酸モノメチル、スベ
リン酸モノメチル等のC1〜C5のアルコキシ基またはC2
C6のアルコキシカルボニル基で置換されたC2〜C8の脂肪
族カルボン酸。
また、一般式(III)で示されるフラン化合物として
は、フラン、2−メチルフラン、2−エチルフラン等が
あげられる。
また、一般式(IV)で示される酸無水物としては無水ク
ロロ酢酸、無水ブロモ酢酸、無水ジクロロ酢酸等が挙げ
られる。
触媒としては三弗化ホウ素または三弗化ホウ素コンプレ
ックスが使用されるが、好ましくは三弗化コンプレック
スであり、具体例としてはBF3・(C2H52O,BF3・2CH3O
H,BF3・CH3COOHなどが挙げられる。
本発明の方法において、一般式(III)で示されるフラ
ン化合物の使用量は、一般式(II)で示されるカルボン
酸に対して1当量以上必要であり、好ましくは1.2〜1.5
当量である。
一般式(IV)で示される酸無水物の使用量は、一般式
(II)で示されるカルボン酸に対して1当量以上必要で
あり、好ましくは1.1〜1.3当量である。
また、触媒としての三弗化ホウ素または三弗化ホウ素コ
ンプレックスの使用量は、一般式(II)で示されるカル
ボン酸に対して通常0.02〜0.2当量であるが、この使用
量は何ら限定的なものではなく、それ以上に使用しても
差し支えない。
本反応は溶媒中で行われ、その溶媒としてはベンゼン、
トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素、四塩化炭素、
ジクロロメタン、ジクロロエタン、テトラクロロエチレ
ン、モノクロロベンゼン等のハロゲン化炭化水素等が好
ましく使用され、これらは単独であっても2種以上の混
合物として使用してもよい。かかる溶媒の使用量につい
ては特に制限されない。
反応温度は−5〜150℃の範囲であるが、好ましくは15
〜75℃の範囲である。
反応時間はそれぞれの反応条件によって適宜変わり、何
ら限定的でないが、通常0.5〜20時間である。
このような反応によって得られた反応混合物は、通常の
後処理の後、必要に応じて蒸留、カラムクロマトグラフ
ィー等の方法によって精製することにより、目的とする
一般式(I)で示される2−アシルフラン誘導体を高収
率で得ることができる。
<発明の効果> かくして、本発明の方法によれば、一般式(II)で示さ
れるカルボン酸および一般式(III)で示されるフラン
化合物から目的とする一般式(I)で示される2−アシ
ルフラン誘導体を工業的有利に製造することができ、特
に本発明において反応助剤として使用される酸無水物や
三弗化ホウ素または三弗化ホウ素コンプレックス等の試
薬は工業的規模において安価に入手可能であるところか
ら、本発明の工業的利用価値を一層有利なものとする。
<実施例> 以下、実施例により本発明を説明する。
実施例1 9.41g(0.05モル)のスベリン酸モノメチルエステルお
よび9.83g(0.0575モル)の無水モノクロロ酢酸を50ml
のトルエンに溶解し、これに4.43g(0.065モル)のフラ
ンおよび0.71gの三弗化ホウ素ジエチルエーテルコンプ
レックスを加えたのち、50℃で6時間撹拌する。反応終
了後反応液を冷却し、水、5%炭酸ナトリウム水溶液、
水で順次洗浄後、有機層を無水硫酸マグネシウムで乾燥
する。乾燥した有機層を減圧下に濃縮後、濃縮残渣をシ
リカゲルを充填したカラムクロマトグラフィーにより精
製して11gの2−(7−メトキシカルボニル−1−オキ
ソヘプチル)−フランを得た。収率92.3% b.p135〜137℃/0.35mmHg 実施例2 6.51g(0.05モル)のヘプタン酸および10.26g(0.06モ
ル)の無水モノクロロ酢酸を50mlのトルエンに溶解し、
これに4.43g(0.065モル)のフランおよび0.71gの三弗
化ホウ素ジエチルエーテルコンプレックスを加えたの
ち、50℃で5.5時間撹拌する。反応終了後反応液を冷却
し、5%炭酸ナトリウム水溶液、水で順次洗浄する。有
機層を減圧下に濃縮後、濃縮残渣をシリカゲルを充填し
たカラムクロマトグラフィーにより精製して8.2gの2−
ヘプタノイルフランを得た。収率91% ▲n27.3 D▼1.4824 実施例3〜12 ヘプタン酸に代えて表−1に示すカルボン酸(0.05モ
ル)を使用し、表−1に示す反応条件とする以外は実施
例2と同様に反応、後処理し、表−1に示す結果を得
た。
但し、実施例7ではカラムクロマトグラフィーによる精
製は行わなかった。
実施例13 3.7g(0.05モル)のプロピオン酸および10.26g(0.06モ
ル)の無水モノクロロ酢酸を50mlのトルエンに溶解し、
これに5.36g(0.065モル)の2−メチルフランおよび0.
71gの三弗化ホウ素ジエチルエーテルコンプレックスを
加えたのち、50℃で7時間撹拌する。反応終了後反応液
を冷却し、5%炭酸ナトリウム水溶液、水で順次洗浄す
る。有機層を減圧下に濃縮後、濃縮残渣をシリカゲルを
充填したカラムクロマトグラフィーにより精製して2.96
gの2−プロピオニル−5−メチルフランを得た。収率4
2.8% ▲n27.8 D▼1.5078 実施例14 6.51g(0.05モル)のヘプタン酸および10.26g(0.06モ
ル)の無水モノクロロ酢酸を50mlのトルエンに溶解し、
これに5.36g(0.065モル)の2−メチルフランおよび0.
71gの三弗化ホウ素ジエチルエーテルコンプレックスを
加えたのち、50℃で5.5時間撹拌する。反応終了後反応
液を冷却し、5%炭酸ナトリウム水溶液、水で順次洗浄
する。有機層を減圧下に濃縮後、濃縮残渣をシリカゲル
を充填したカラムクロマトグラフィーにより精製して6.
27gの2−ヘプタノイル−5−メチルフランを得た。
収率69.6% ▲n27.2 D▼1.4900 実施例15 6.51g(0.05モル)のヘプタン酸、4.43g(0.065モル)
のフランおよび14.39g(0.06モル)の無水ジクロロ酢酸
を50mlのトルエンに溶解する。これに0.71gの三弗化ホ
ウ素ジエチルエーテルコンプレックスを加え、50℃で3
時間撹拌する。反応終了後反応液を冷却し、5%炭酸ナ
トリウム水溶液、水で順次洗浄する。有機層を減圧下に
濃縮後、濃縮残渣をシリカゲルを充填したカラムクロマ
トグラフィーにより精製して8.95gの2−ヘプタノイル
フランを得た。
収率99.3% ▲n27.4 D▼1.4823 実施例16 7.31g(0.05モル)のモノメチルグルタル酸、4.43g(0.
065モル)のフランおよび14.39g(0.06モル)の無水ジ
クロロ酢酸を50mlのトルエンに溶解する。これに0.71g
の三弗化ホウ素ジエチルエーテルコンプレックスを加
え、50℃で3時間撹拌する。反応終了後反応液を冷却
し、5%炭酸ナトリウム水溶液、水で順次洗浄する。有
機層を減圧下に濃縮後、濃縮残渣をシリカゲルを充填し
たカラムクロマトグラフィーにより精製して9.54gの2
−(4−メトキシカルボニルブチリル)フランを得た。
収率94.5% m.p42.5℃ 実施例17 4.41g(0.05モル)のイソ酪酸、5.36g(0.065モル)の
2−メチルフランおよび14.39g(0.06モル)の無水ジク
ロロ酢酸を50mlのトルエンに溶解する。これに0.71gの
三弗化ホウ素ジエチルエーテルコンプレックスを加え、
50℃で3時間撹拌する。反応終了後反応液を冷却し、5
%炭酸ナトリウム水溶液、水で順次洗浄する。有機層を
減圧下に濃縮後、濃縮残渣をシリカゲルを充填したカラ
ムクロマトグラフィーにより精製して6.74gの2−イソ
ブチリル−5−メチルフランを得た。
収率88.6% ▲n24.4 D▼1.4939 実施例18 7.31g(0.05モル)の6−メトキシヘキサン酸、4.43g
(0.065モル)のフランおよび14.39g(0.06モル)の無
水ジクロロ酢酸を50mlのトルエンに溶解する。これに0.
71gの三弗化ホウ素ジエチルエーテルコンプレックスを
加え、50℃で3時間撹拌する。反応終了後反応液を冷却
し、5%炭酸ナトリウム水溶液、水で順次洗浄する。有
機層を減圧下に濃縮後、濃縮残渣をシリカゲルを充填し
たカラムクロマトグラフィーにより精製して8.83gの2
−(6−メトキシヘキサノイル)フランを得た。
収率90% ▲n25 D▼1.5132 実施例19 4.31g(0.05モル)のクロトン酸、4.43g(0.065モル)
のフランおよび10.26g(0.06モル)の無水モノクロロロ
酢酸を50mlのトルエンに溶解する。これに0.71gの三弗
化ホウ素ジエチルエーテルコンプレックスを加え、50℃
で6.5時間撹拌する。反応終了後反応液を冷却し、水、
5%炭酸ナトリウム水溶液、水で順次洗浄する。有機層
を減圧下に濃縮後、濃縮残渣をシリカゲルを充填したカ
ラムクロマトグラフィーにより精製して2.8gの2−クロ
トニルフランを得た。収率41.1% ▲n26 D▼1.4283 実施例20 9.41g(0.05モル)のスペリン酸モノメチルエーテルお
よび9.83g(0.0575モル)の無水モノクロロ酢酸を50ml
のトルエンに溶解し、これに4.43g(0.065モル)のフラ
ンおよび1.0gの三弗化ホウ素酢酸コンプレックスを加
え、60℃で3時間撹拌する。反応終了後反応液を冷却
し、5%炭酸ナトリウム水溶液、水で順次洗浄する。有
機層を減圧下に濃縮後、濃縮残渣をシリカゲルを充填し
たカラムクロマトグラフィーにより精製して10.1gの2
−(7−メトキシカルボニル−1−オキソヘプチル)フ
ランを得た。
収率85% b.p135〜137/0.35mmHg 実施例21〜24 スベリン酸モノメチルエステルに代えて表−2に示すカ
ルボン酸(0.05モル)を使用する以外は実施例20と同様
に反応、後処理し、表−2に示す結果を得た。
比較例 1 クロトン酸クロライド5.23g(0.05モル)およびフラン
3.4g(0.05モル)の混合物に、1.2mlの三弗化ホウ素ジ
エチルエーテルコンプレックスを0℃で滴下し、その後
1時間撹拌を続ける。
反応終了後、反応液に水50mlを加え、水層を30mlにエー
テルで抽出処理する。有機層を水、5%重曹水で洗浄
後、無水硫酸マグネシウムで乾燥する。有機層を減圧下
に濃縮後、濃縮残渣をシリカゲルを充填したカラムクロ
マトグラフィーにより精製して0.68gの2−クロトニル
フランを得た。収率10% 比較例 2 クロトン酸クロライドおよびフランに代えてプロピオン
酸クロライドおよび2−メチルフランをそれぞれ0.05モ
ル使用する以外は比較例1に準じて反応、後処理を行っ
て、2−プロピオニル−5−メチルフランを収率12.1%
で得た。
比較例 3 クロトン酸クロライドに代えてベンゾイルクロライドを
0.05モル使用する以外は比較例1に準じて反応、後処理
を行ったが、目的とした2−ベンゾイルフランは単離で
きず、その生成が確認できなかった。
フロントページの続き (72)発明者 東井 隆行 大阪府大阪市此花区春日出中3丁目1番98 号 住友化学工業株式会社内 (72)発明者 植田 裕治 大阪府大阪市此花区春日出中3丁目1番98 号 住友化学工業株式会社内

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】一般式 RCOOH (式中、RはC1〜C18のアルキル基、C3〜C8のアルケニ
    ル基、C3〜C8のアルキニル基、C4〜C7の環状アルキル
    基、フェニル基、C1〜C5のアルキル基またはC1〜C5のア
    ルコキシル基またはハロゲン原子で置換された一置換ま
    たは二置換のフェニル基、C7〜C12のアラルキル基、C1
    〜C5のアルコキシル基で置換されたC2〜C8のアルキル基
    またはC2〜C6のアルコキシカルボニル基で置換されたC2
    〜C8のアルキル基を表わす。) で示されるカルボン酸と、一般式 (式中、R1は水素原子またはC1〜C3のアルキル基を表わ
    す) で示されるフラン化合物を、一般式 (XYCHCO)2O (式中、XおよびYは水素原子、塩素原子または臭素原
    子を表わす。但し、XおよびYが同時に水素原子である
    ことはない) で示される酸無水物の存在下、溶媒中、三弗化ホウ素も
    しくは三弗化ホウ素コンプレックスを触媒として反応さ
    せることを特徴とする一般式 (式中、RおよびR1は前記と同じ意味である) で示される2−アシルフラン誘導体の製造法。
  2. 【請求項2】溶媒が芳香族炭化水素またはハロゲン化炭
    化水素である特許請求の範囲第1項に記載の製造方法。
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