JPS63225688A - エレクトロクロミツク素子 - Google Patents

エレクトロクロミツク素子

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JPS63225688A
JPS63225688A JP62059174A JP5917487A JPS63225688A JP S63225688 A JPS63225688 A JP S63225688A JP 62059174 A JP62059174 A JP 62059174A JP 5917487 A JP5917487 A JP 5917487A JP S63225688 A JPS63225688 A JP S63225688A
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JP
Japan
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potential
electrolytic
layer
electrochromic
electrode
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JP62059174A
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English (en)
Inventor
Noboru Koyama
昇 小山
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Fujikura Ltd
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Fujikura Ltd
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 「 産業上の利用分野」 この発明は、エレクトロクロミック素子に係り、特に発
色時に高い遮光性を示しかつ消色時にはほぼ完全に無色
透明となるエレクトロクロミック層を有するエレクトロ
クロミック素子に関する。
「 従来技術とその問題点」 従来より、エレクトロクロミック素子<Electr。
Chroa+ic DeviceH以下、ECDと略称
する。)としては、種々のものが提案されており、その
代表的なものとしては、例えば次のようなものがある。
(1)電極基板上に、例えば三酸化タングステン(WO
2)などの無機材料を真空蒸着法、スパッタリング法等
の方法などによって形成した薄膜をエレクトロクロミッ
ク層(以下、EC層と言う。)として用いたもの。
(2)電極基板上に、ビオロゲン、ピラゾリンなどの色
素系材料を薄く塗布し、この塗膜をEC層として用いた
もの。
(3)電極基板上に、電解重合法などによってポリチオ
フェン、ポリピロールなどの導電性有機重合体からなる
薄膜を形成し、これをEC層として用いたもの。
ところで、一般に、上記のようなEC層を形成する。E
C材料は、電気化学的な酸化もしくは還元により、発色
と消色とを短時間のう−ちに交互に繰り返せることから
、表示素子としての用途の他に調光ガラス、光シャッタ
などへの応用が期待されている。
ところが、EC層にW Osなどの無機材料を用いたE
CDを例えば調光ガラスに応用しようとしても、EC層
の形成を物理蒸着法などの方法に拠っているため、EC
層を大面積に形成する(こは、EC層の電極基板(ター
ゲット)や製造装置の真空室などの大型化が必要となり
、製造コストの高騰を招く不都合がある。
また、EC層にビオロゲンなどの色素系材料を用いたE
CDでは、EC材料としての色素が支持電解質に対して
不溶化することで発色し、可溶化することで消色してい
るため、長期使用すると、可溶と不溶との可逆性に問題
が生じることがあり、表示寿命に不安がある。
これらに対して電解重合法によって形成されたポリチオ
フェンなどの導電性有機重合体からなるEC層を用いた
ECDは、EC層が表示安定性に優れており、また大面
積の電極基板上にEC層を容易に形成できることから、
コスト的にも有利であるなどの点で注目されている。し
かしながら、このタイプのECDに用いられている従来
のEC材料では、その発色が赤色、青色、黄色、赤茶色
などに限られ、例えば遮光ガラスに好適な色として遮光
性に加え高級感に富むブラウンが得られない不満があっ
た。また、消色時のE C’層では、発色時の色が消え
ずに残ってしまい、完全に消色することがないなどの問
題もあった二 「 問題点を解決するための手段」 この発明では、そのEC層を形成するEC材料として、
0−フェニレンジアミンおよびその誘導体(以下、O−
フェニレンジアミン類と言う。)を電解重合して得られ
る導電性有機重合体を用いることをその解決手段とした
。このような重合体、すなわちポリ(0−フェニレンジ
アミン類)は、電解重合法によって得られたものである
ので、高重合度でフィルム状のものが得られ、1O−4
〜lO−’S/am程度の電気伝導度を示す半導体であ
る。
以下、図面を参照してこの発明の詳細な説明する。
第1図は、この発明のECDの一例を示すものである。
このECDは、動作極用導電性基板1と対極用導電性基
板2と90層3から概略構成されている。
動作極用導電性基板lは、透明なガラス板4の一面に、
例えば酸化インジウム・スズ(ITO)、酸化スズ(S
now)、酸化インジウム(In20J等の透明導電性
金属酸化物、金、白金、アルミニウム、クロムなどの金
属あるいはシリコン、ガリウムヒ素などの半導体等を真
空蒸着法あるいはスパッタリング法などの方法によって
薄膜状に形成した動作極5が設けられてなるものである
。また、対極用導電性基板2は、上記基板1とほぼ同様
に、透明なガラス板6の一面に、上記透明導電性金属酸
化物あるいは金属などからなる対極7が蒸着などの方法
によって薄膜状に形成されてなるものである。そして、
これら両導電性基板lと2は、動作極5と対極7とが互
いに対向するような位置関係に配置されている。
そして、動作極用導電性基板lの動作極5上には、0−
フェニレンジアミン類を電解重合して得られる導電性有
機重合体からなる薄膜状の90層3が形成されている。
上記O−フエニレンジアミン類としては、一般式 R+ 芝 〔式中、R、、R、、R、およびR4はいずれもCnI
42 n + 1(但し、nは0.1.2.3のいずれ
かである。)で示される有機基である。〕で表されるも
のが挙げられ、具体的には、例えばO−フェニレンジア
ミン、1.2−ジアミノ−3−メチルベンゼン、I−メ
チルアミノ−2−アミノベンゼン、!−メチルアミノー
2−アミノー3−メチルベンゼンなどが用いられるが、
これらに限定されるものではない。
また、両導電性基板!、2間には−、スペーサ8.8が
それぞれ配置され、これらスペーサ8.8と対極7とE
Cl3とに囲まれた密閉空間には、支持電解質を含む溶
媒9が封入されている。そして、上記のスペーサ8.8
とし゛ては、各種のプラスチックスが使用でき、これら
スペーサ8.8と上記両導電性基板1.2との隙間の封
止には、エポキシ樹脂や低融点ガラスなどが用いられる
次に、このような構成のECDを製造する方法の一例に
ついて説明する。まず、透明なガラス板4.6のそれぞ
れ一面に真空蒸着法などの方法によってrTo、In1
OsあるいはS n Otなどの透明導電性材料を蒸着
して所定の膜厚の動作極5および対極7を形成して透明
な導電性基板1および2を得る。
次に、導電性基板lの動作極5上に、O−フェニレンジ
アミン類単量体を電解重合して得られる導電性有機重合
体からなるEC層3を所定の膜厚で形成する。
ここで、電解重合は、作用電極(動作極5)と対極とを
用いる二電極式または作用電極(動作極5)、対極およ
び参照電極を用いる三電極式で行われるが、後述するサ
イクリックボルタモグラムの最大酸化ピークの立上がり
電位を基準として電解設定電位を決定することから、参
照電極を有する三電極式が好ましいが、これに限られる
ことはない。
この電解重合に用いられる対極には、不溶性の白金、グ
ラファイト等が用いられ、参照電極には、ナトリウム飽
和カロメル電極(SSCE)、飽和カロメル電極(SC
E)、銀塩化銀電極等が使用される。
また、電解浴には、0−フェニレンジアミン類単量体と
、これを溶解するとともに支持電解質と反応しない水、
アセトニトリル、プロピレンカーボネート等の溶媒およ
びLiCQSNaC(J等の塩化物、LiCl20.、
(C4HII)4N CQO4等の過塩素酸塩、(C、
H、)、N B F 、等のテトラフルオロホウ酸塩、
NatSO*等の硫酸塩、CFsCOONa等のテトラ
フルオロ酢酸塩等の支持電解質からなるものが使用され
るが、支持電解質として過塩素酸塩、HCQ、H,So
、、CF、C0OHなどの酸物質を5使用し、電解浴を
pH6以下、好ましくはpH3以下の酸性浴とすること
が望ましい。また、支持電解質濃度は0.1−1モル/
Q程度とされ、〇−フェニレンジアミン類単量体の濃度
は0.O1〜0.5モル/Q程度が望ましい。
0−フェニレンジアミン類単量体を重合させるための電
解モードとしては、電位走査法または定電位法が好まし
い。電位走査法は、電位E、とこれよりも高電位E、と
の間で交互に順方向および逆方向の三角波状の電位を加
えるものである。また、定電位法は、一定の電位E3を
加えるものである。
この発明に係るECDでは、EC層3を形成するための
電解重合法においてその電解設定電圧を適切に決定する
ことが望ましい。具体的には、まず、電解重合を実施し
ようとする電解浴系についてサイクリックボルタ、ンメ
トリーによってサイクリックボルタモグラムを測定する
。サイクリックポルタンメトリーは、ファラデー電流が
流れない初期電圧E。から時間に比例した電位の掃引を
行い反転電位Eλにおいて電位掃引方向を反転し、 、
同じ電位掃引速度(通常はlo−3〜10−’V/秒)
で掃引して初期電位E0に戻すもので、この三角波状の
電位掃引によって得られる電流−電位曲線をサイクリッ
クボルタモグラムと言う。
第2図にこのサイクリックボルタモグラムの一例を示す
。このサイクリックボルタモグラムは、0−フェニレン
ジアミンを50ミリモル/Qとし、Na2SO2とHt
 S O4でS04!−イオンが0.5モル/Qかつp
H−1,0とした電解浴について、初期電位E、−0,
8V(対5CE)、反転電位El+1.2V(対5CE
)、電位掃引速度100mV/秒で得られたものである
このようなサイクリックボルタモグラムは、電解時の作
用極上での単量体(O−フェニレンジアミン類)の酸化
還元反応の状況を示すもので、第2図のグラフでは横軸
より上側では酸化反応が、下側では還元反応が生じてい
ることがわかり、酸化領域および還元領域においてそれ
ぞれ1つ以上の酸化ピークおよび還元ピークが表われて
いる。
そして、このサイクリックボルタモグラムにおける最大
酸化ピーク(第2図中Aで示す。)の立上り電位(第2
図中Bで示す。)をグラフから求める。
そして、80層3を形成するための電解重合では、この
立上り電位よりも高い電位を電解設定電位とする。そし
て、電解モードが定電位法であれば、上記電解設定電圧
を一定に保って電解すればよい。また、電解モードが電
位走査法であれば、高電位E、をこの電解設定電位とし
、低電位E1をサイクリックボルタモグラムの最も低電
位側にある還元ピークの立上り電位(第2図中Cで示す
。)以下の電位として行えばよい。また、電位走査法と
定電位法との組合せでは、上記条件が満されていればよ
く、組合せのパターンや組合せの回数は自由である。
また、サイクリックボルタモグラムにおける最大酸化ピ
ークの立上り電位は、電解浴の単量体、溶媒、支持電解
質の種類、濃度等によって変動するので、電解浴の組成
が変れば、その都度その系でのサイクリックボルタモグ
ラムを測定し、上記立上り電位を求める必要がある。ま
た、電位走査法の場合、電位掃引速度は任意であるが、
通常10+eV/秒〜10100O/秒程度が好ましく
、走査回数も任意であるが、走査回数は得られる重合体
の膜厚に関係するので、通常は膜厚によって決められる
ことが多い。
このような条件によって電解重合を行うことにより、作
用電極表面にO−フェニレンジアミン類単量体が重合し
た薄膜状の導電性有機重合体を析出させて、80層3を
得ることができる。
次に、上記の導電性基板lと2を互いに対向させて、8
0層3と対極7とを向かい合わせるとともに、導電性基
板lと2との間にスペーサ8.8を配置して密閉空間を
形成し、この空間内に支持電解質を含む溶媒9を封入し
て密閉型のセルに組み立てる。溶媒9としては、ECD
の駆動が可能であれば、水系でも、アセトニトリル、プ
ロピレンカーボネート等の非水系でも良く、特にプロト
ンが存在した方が動作特性、表示安定性などの点で好ま
しい。また、水系の溶媒9には、HCQ。
、H2SOいHN Os、CF 3COOH、CH* 
C00Hなどの酸物質を加えることにより、80層3の
動作特性を向上させることができる。
非水系の溶媒9には、CHss 03H(メタンスルホ
ン酸)、CF3CO0H(トリフルオロ酢酸)、無水酢
酸などを加えることにより、プロトンを付加することが
できる。また、支持電解質としては、前述の電解重合時
の支持電解質とほぼ同様に、LiCC,NaC(J等の
塩化物、L iC1204%NaCl204、TBAC
Q04(過塩素酸テトラブチルアンモニウム)などの過
塩素酸塩、LiBF4、TBABF、(テトラフルオロ
ホウ酸テトラブチルアンモニウム)などのテトラフルオ
ロホウ酸塩、Na、SO,などの硫酸塩、CF s C
OON aなどのテトラフルオロ酢酸塩等がいずれも使
用可能である。そして、この支持電解質を含む溶媒9の
pHは、6以下、好ましくは3以下とされ、支持電解質
濃度は、0.1〜1モル/12程度が望ましい。
このECDにおいては、セルとして組み立てられる前に
、別工程で80層3を電解重合法によって形成したが、
セル内の密閉空間に0−フェニレンジアミン類単量体と
支持電解質を含む溶媒を注入して電解重合を行なった後
に、O−フェニレンジアミン類単量体を含まない溶媒と
交換して組み立てるようにしてもよい。
このようにして得られたECDにあっては、20層3が
O−フェニレンジアミン類を電解重合して得られた導電
性有機重合体からなるものであるので、20層3が酸化
状態でブラウンに発色して高い遮光性を示し、還元状態
でほぼ完全に無色透明に消色するものとなる。また、こ
の例のECDでは、導電性基板1および2が共に透明で
あるので、スペーサ8.8を透明−性を有するプラスチ
ックスで形成するか、あるいは取り除くようにすれば、
完全な透過型の素子として使用できる。さらに、20層
3が電解重合法によって形成されたものであるので、均
一で大面積の20層3の形成が容易であり、例えば大型
の遮光ガラスなどとして□使用可能なものとなる。
なお、対極7に金、白金、アルミニウム、クロムなどの
金属材料を用いたものでは、この対極7を反射板とした
反射型の素子として使用可能であり、また動作極5に上
記のような金属材料を用いたものでは、対極7に透明金
属酸化物を用いることにより、やはり反射型の素子とし
て使用可能である。
「実験例」 (実験例I) 0.5MNatS 04−HtS 04(pH= 1.
0)の水溶液中に50mMの0−フェニレンジアミンを
溶解し、溶液中の0.をN、で排除した後、白金線を対
極、飽和カロメル電極(SCE)を参照電極、ITOガ
ラス(10Ω/口)を動作極として走査電解して、動作
極上に薄膜を形成した。この溶液系で、重合時のサイク
リックボルタモグラムに観察される最大酸化ピークの立
上り電位は400mV(対5CE)であった。走査速度
は、100mV/秒、電位は一400a+Vから+80
0mV  まで走査した。重合時の通電電荷量はクーロ
ンメータで測定し、膜厚測定は表面粗さ計で行なった。
得られた薄膜は、その膜厚が走査回数25回で約0.2
μmに達し、面積は10cxX I Ocxであった。
次に、この薄膜の透過スペクトルを調べたところ、第3
図のグラフに示したように、酸化状態で、460na付
近にブラウンに特徴的な大きな吸収ピークが現れ、還元
状態で、上記の吸収ピークがほとんど消失することがわ
かる。そして、この薄膜は、その膜厚のバラツキが±5
%以内であり、極めて均一なものであった。
比較例として、三酸化タングステン(W O3)からな
る薄膜(膜厚的0.6μl)の透過スペクトルを調べた
ところ、第5図のグラフに示す結果が得られた。このグ
ラフから明白なように、460n11付近に吸収ピーク
は存在しない。
次に、この薄膜をEC層として用い、第1図に示したよ
うなECDを作製した。支持電解質液としては、0.2
M NaC(20,−HCl204(PH=1゜0)の
水溶液を用いた。そして、EC層に対する印加電圧(対
5CE)を3分ごとに+0,4V−−−0,4V間で電
位反転させてECDを駆動させたところ、透過率が顕著
に変化し、その変化は数十秒以内に終了した。第4図の
グラフに印加電圧と応答電流の関係、印加電圧とEC層
の透過率の関係を示した。このグラフから明らかなよう
に、O−フェニレンジアミン単m体を電解重合して得ら
れた導電性有機重合体からなるEC層を有するECDは
、印加電圧の電位反転に対する変色応答性に優れている
ことがわかる。
(実験例2) 実験例1と同様の電解条件で、動作極上にポリ(1,2
−ジアミノ−3−メチルベンゼン)からなる薄膜(膜厚
的0.2μjI)を形成した。この薄膜は、実験例1の
O−フェニレンジアミンとほぼ同様の透過スペクトルが
得られ、酸化状態では、460 n5ff近に大きな吸
収ピークをもち、還元状態では、このピークがほぼ完全
に消失していた。また、膜の均一性もO−フェニレンジ
アミンと同程度であった。
次に、この薄膜をEC層として用い、第1図に示したよ
うなECDを作製した。そして、支持電解質液としテハ
、IM CH35O3H−0,2ML iCQO4のプ
ロピレンカーボネート溶液を用いた。その結果、ECD
として動作速度は、実験例1のECDよりやや遅いもの
の、電位反転により透過率の顕著な変化が認められた。
「 発明の効果」 以上説明したように、この発明のECDにあっては、そ
のEC層のEC材料として、O−フェニレンジアミン類
を電解重合して得られる導電性有機重合体を用いたもの
であるので、EC層の発色時には、高級感に富むブラウ
ンを発色して高い遮光性を示すことができるとともに、
消色時には、はぼ完全に無色透明となり、発色時の色が
消えずに残ることがないなどの優れた効果が得られるも
のとなる。
また、EC層を電解重合法によって大面積で均一なもの
に製造したものでは、例えば遮光ガラスなどとして使用
可能である。さらにまた、消色後の色の消え残りがない
ので、光シャッタとしても好適に使用できるものとなる
【図面の簡単な説明】
第1図は、この発明のECDの一例を示す概略断面図、
第2図は、この発明のECDのEC層を電解重合法によ
って形成する際に用いられるサイクリックボルタモグラ
ムを示すグラフ、第3図は、この発明のECDのECf
fの吸収スペクトルを示すグラフ、第4図は、この発明
のECDのEC層に対する印加電圧と応答電流との関係
、印加電圧とEC層の透過率との関係を示すグラフであ
る。 第5図は、従来のECDのEC層に用いられるW Os
からなる薄膜の吸収スペクトルを示すグラフである。 3・・・EC層(エレクトロクロミック層)。

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)エレクトロクロミック層が 一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼ 〔式中、R_1、R_2、R_3およびR_4はいずれ
    もC_nH_2_n_+_1(但し、nは0、1、2、
    3のいずれかである。)で示される有機基である。〕 で表されるO−フェニレンジアミン順を電解重合して得
    られる導電性有機重合体からなるものであることを特徴
    とするエレクトロクロミック素子。
  2. (2)前記電解重合が電位走査法によるものである特許
    請求の範囲第1項記載のエレクトロクロミック素子。
  3. (3)前記電解重合が定電位法によるものである特許請
    求の範囲第1項記載のエレクトロクロミック素子。
  4. (4)前記電位走査法または/および定電位法がO−フ
    ェニレンジアミン類を含有する電解浴のサイクリックボ
    ルタモグラムの最大酸化ピークの立上がり電位よりも高
    い電位を電解設定電位とする特許請求の範囲第2項、第
    3項および第4項のいずれかに記載のエレクトロクロミ
    ック素子。
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