JPS63225688A - エレクトロクロミツク素子 - Google Patents
エレクトロクロミツク素子Info
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Landscapes
- Electrochromic Elements, Electrophoresis, Or Variable Reflection Or Absorption Elements (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
「 産業上の利用分野」
この発明は、エレクトロクロミック素子に係り、特に発
色時に高い遮光性を示しかつ消色時にはほぼ完全に無色
透明となるエレクトロクロミック層を有するエレクトロ
クロミック素子に関する。
色時に高い遮光性を示しかつ消色時にはほぼ完全に無色
透明となるエレクトロクロミック層を有するエレクトロ
クロミック素子に関する。
「 従来技術とその問題点」
従来より、エレクトロクロミック素子<Electr。
Chroa+ic DeviceH以下、ECDと略称
する。)としては、種々のものが提案されており、その
代表的なものとしては、例えば次のようなものがある。
する。)としては、種々のものが提案されており、その
代表的なものとしては、例えば次のようなものがある。
(1)電極基板上に、例えば三酸化タングステン(WO
2)などの無機材料を真空蒸着法、スパッタリング法等
の方法などによって形成した薄膜をエレクトロクロミッ
ク層(以下、EC層と言う。)として用いたもの。
2)などの無機材料を真空蒸着法、スパッタリング法等
の方法などによって形成した薄膜をエレクトロクロミッ
ク層(以下、EC層と言う。)として用いたもの。
(2)電極基板上に、ビオロゲン、ピラゾリンなどの色
素系材料を薄く塗布し、この塗膜をEC層として用いた
もの。
素系材料を薄く塗布し、この塗膜をEC層として用いた
もの。
(3)電極基板上に、電解重合法などによってポリチオ
フェン、ポリピロールなどの導電性有機重合体からなる
薄膜を形成し、これをEC層として用いたもの。
フェン、ポリピロールなどの導電性有機重合体からなる
薄膜を形成し、これをEC層として用いたもの。
ところで、一般に、上記のようなEC層を形成する。E
C材料は、電気化学的な酸化もしくは還元により、発色
と消色とを短時間のう−ちに交互に繰り返せることから
、表示素子としての用途の他に調光ガラス、光シャッタ
などへの応用が期待されている。
C材料は、電気化学的な酸化もしくは還元により、発色
と消色とを短時間のう−ちに交互に繰り返せることから
、表示素子としての用途の他に調光ガラス、光シャッタ
などへの応用が期待されている。
ところが、EC層にW Osなどの無機材料を用いたE
CDを例えば調光ガラスに応用しようとしても、EC層
の形成を物理蒸着法などの方法に拠っているため、EC
層を大面積に形成する(こは、EC層の電極基板(ター
ゲット)や製造装置の真空室などの大型化が必要となり
、製造コストの高騰を招く不都合がある。
CDを例えば調光ガラスに応用しようとしても、EC層
の形成を物理蒸着法などの方法に拠っているため、EC
層を大面積に形成する(こは、EC層の電極基板(ター
ゲット)や製造装置の真空室などの大型化が必要となり
、製造コストの高騰を招く不都合がある。
また、EC層にビオロゲンなどの色素系材料を用いたE
CDでは、EC材料としての色素が支持電解質に対して
不溶化することで発色し、可溶化することで消色してい
るため、長期使用すると、可溶と不溶との可逆性に問題
が生じることがあり、表示寿命に不安がある。
CDでは、EC材料としての色素が支持電解質に対して
不溶化することで発色し、可溶化することで消色してい
るため、長期使用すると、可溶と不溶との可逆性に問題
が生じることがあり、表示寿命に不安がある。
これらに対して電解重合法によって形成されたポリチオ
フェンなどの導電性有機重合体からなるEC層を用いた
ECDは、EC層が表示安定性に優れており、また大面
積の電極基板上にEC層を容易に形成できることから、
コスト的にも有利であるなどの点で注目されている。し
かしながら、このタイプのECDに用いられている従来
のEC材料では、その発色が赤色、青色、黄色、赤茶色
などに限られ、例えば遮光ガラスに好適な色として遮光
性に加え高級感に富むブラウンが得られない不満があっ
た。また、消色時のE C’層では、発色時の色が消え
ずに残ってしまい、完全に消色することがないなどの問
題もあった二 「 問題点を解決するための手段」 この発明では、そのEC層を形成するEC材料として、
0−フェニレンジアミンおよびその誘導体(以下、O−
フェニレンジアミン類と言う。)を電解重合して得られ
る導電性有機重合体を用いることをその解決手段とした
。このような重合体、すなわちポリ(0−フェニレンジ
アミン類)は、電解重合法によって得られたものである
ので、高重合度でフィルム状のものが得られ、1O−4
〜lO−’S/am程度の電気伝導度を示す半導体であ
る。
フェンなどの導電性有機重合体からなるEC層を用いた
ECDは、EC層が表示安定性に優れており、また大面
積の電極基板上にEC層を容易に形成できることから、
コスト的にも有利であるなどの点で注目されている。し
かしながら、このタイプのECDに用いられている従来
のEC材料では、その発色が赤色、青色、黄色、赤茶色
などに限られ、例えば遮光ガラスに好適な色として遮光
性に加え高級感に富むブラウンが得られない不満があっ
た。また、消色時のE C’層では、発色時の色が消え
ずに残ってしまい、完全に消色することがないなどの問
題もあった二 「 問題点を解決するための手段」 この発明では、そのEC層を形成するEC材料として、
0−フェニレンジアミンおよびその誘導体(以下、O−
フェニレンジアミン類と言う。)を電解重合して得られ
る導電性有機重合体を用いることをその解決手段とした
。このような重合体、すなわちポリ(0−フェニレンジ
アミン類)は、電解重合法によって得られたものである
ので、高重合度でフィルム状のものが得られ、1O−4
〜lO−’S/am程度の電気伝導度を示す半導体であ
る。
以下、図面を参照してこの発明の詳細な説明する。
第1図は、この発明のECDの一例を示すものである。
このECDは、動作極用導電性基板1と対極用導電性基
板2と90層3から概略構成されている。
板2と90層3から概略構成されている。
動作極用導電性基板lは、透明なガラス板4の一面に、
例えば酸化インジウム・スズ(ITO)、酸化スズ(S
now)、酸化インジウム(In20J等の透明導電性
金属酸化物、金、白金、アルミニウム、クロムなどの金
属あるいはシリコン、ガリウムヒ素などの半導体等を真
空蒸着法あるいはスパッタリング法などの方法によって
薄膜状に形成した動作極5が設けられてなるものである
。また、対極用導電性基板2は、上記基板1とほぼ同様
に、透明なガラス板6の一面に、上記透明導電性金属酸
化物あるいは金属などからなる対極7が蒸着などの方法
によって薄膜状に形成されてなるものである。そして、
これら両導電性基板lと2は、動作極5と対極7とが互
いに対向するような位置関係に配置されている。
例えば酸化インジウム・スズ(ITO)、酸化スズ(S
now)、酸化インジウム(In20J等の透明導電性
金属酸化物、金、白金、アルミニウム、クロムなどの金
属あるいはシリコン、ガリウムヒ素などの半導体等を真
空蒸着法あるいはスパッタリング法などの方法によって
薄膜状に形成した動作極5が設けられてなるものである
。また、対極用導電性基板2は、上記基板1とほぼ同様
に、透明なガラス板6の一面に、上記透明導電性金属酸
化物あるいは金属などからなる対極7が蒸着などの方法
によって薄膜状に形成されてなるものである。そして、
これら両導電性基板lと2は、動作極5と対極7とが互
いに対向するような位置関係に配置されている。
そして、動作極用導電性基板lの動作極5上には、0−
フェニレンジアミン類を電解重合して得られる導電性有
機重合体からなる薄膜状の90層3が形成されている。
フェニレンジアミン類を電解重合して得られる導電性有
機重合体からなる薄膜状の90層3が形成されている。
上記O−フエニレンジアミン類としては、一般式
R+
芝
〔式中、R、、R、、R、およびR4はいずれもCnI
42 n + 1(但し、nは0.1.2.3のいずれ
かである。)で示される有機基である。〕で表されるも
のが挙げられ、具体的には、例えばO−フェニレンジア
ミン、1.2−ジアミノ−3−メチルベンゼン、I−メ
チルアミノ−2−アミノベンゼン、!−メチルアミノー
2−アミノー3−メチルベンゼンなどが用いられるが、
これらに限定されるものではない。
42 n + 1(但し、nは0.1.2.3のいずれ
かである。)で示される有機基である。〕で表されるも
のが挙げられ、具体的には、例えばO−フェニレンジア
ミン、1.2−ジアミノ−3−メチルベンゼン、I−メ
チルアミノ−2−アミノベンゼン、!−メチルアミノー
2−アミノー3−メチルベンゼンなどが用いられるが、
これらに限定されるものではない。
また、両導電性基板!、2間には−、スペーサ8.8が
それぞれ配置され、これらスペーサ8.8と対極7とE
Cl3とに囲まれた密閉空間には、支持電解質を含む溶
媒9が封入されている。そして、上記のスペーサ8.8
とし゛ては、各種のプラスチックスが使用でき、これら
スペーサ8.8と上記両導電性基板1.2との隙間の封
止には、エポキシ樹脂や低融点ガラスなどが用いられる
。
それぞれ配置され、これらスペーサ8.8と対極7とE
Cl3とに囲まれた密閉空間には、支持電解質を含む溶
媒9が封入されている。そして、上記のスペーサ8.8
とし゛ては、各種のプラスチックスが使用でき、これら
スペーサ8.8と上記両導電性基板1.2との隙間の封
止には、エポキシ樹脂や低融点ガラスなどが用いられる
。
次に、このような構成のECDを製造する方法の一例に
ついて説明する。まず、透明なガラス板4.6のそれぞ
れ一面に真空蒸着法などの方法によってrTo、In1
OsあるいはS n Otなどの透明導電性材料を蒸着
して所定の膜厚の動作極5および対極7を形成して透明
な導電性基板1および2を得る。
ついて説明する。まず、透明なガラス板4.6のそれぞ
れ一面に真空蒸着法などの方法によってrTo、In1
OsあるいはS n Otなどの透明導電性材料を蒸着
して所定の膜厚の動作極5および対極7を形成して透明
な導電性基板1および2を得る。
次に、導電性基板lの動作極5上に、O−フェニレンジ
アミン類単量体を電解重合して得られる導電性有機重合
体からなるEC層3を所定の膜厚で形成する。
アミン類単量体を電解重合して得られる導電性有機重合
体からなるEC層3を所定の膜厚で形成する。
ここで、電解重合は、作用電極(動作極5)と対極とを
用いる二電極式または作用電極(動作極5)、対極およ
び参照電極を用いる三電極式で行われるが、後述するサ
イクリックボルタモグラムの最大酸化ピークの立上がり
電位を基準として電解設定電位を決定することから、参
照電極を有する三電極式が好ましいが、これに限られる
ことはない。
用いる二電極式または作用電極(動作極5)、対極およ
び参照電極を用いる三電極式で行われるが、後述するサ
イクリックボルタモグラムの最大酸化ピークの立上がり
電位を基準として電解設定電位を決定することから、参
照電極を有する三電極式が好ましいが、これに限られる
ことはない。
この電解重合に用いられる対極には、不溶性の白金、グ
ラファイト等が用いられ、参照電極には、ナトリウム飽
和カロメル電極(SSCE)、飽和カロメル電極(SC
E)、銀塩化銀電極等が使用される。
ラファイト等が用いられ、参照電極には、ナトリウム飽
和カロメル電極(SSCE)、飽和カロメル電極(SC
E)、銀塩化銀電極等が使用される。
また、電解浴には、0−フェニレンジアミン類単量体と
、これを溶解するとともに支持電解質と反応しない水、
アセトニトリル、プロピレンカーボネート等の溶媒およ
びLiCQSNaC(J等の塩化物、LiCl20.、
(C4HII)4N CQO4等の過塩素酸塩、(C、
H、)、N B F 、等のテトラフルオロホウ酸塩、
NatSO*等の硫酸塩、CFsCOONa等のテトラ
フルオロ酢酸塩等の支持電解質からなるものが使用され
るが、支持電解質として過塩素酸塩、HCQ、H,So
、、CF、C0OHなどの酸物質を5使用し、電解浴を
pH6以下、好ましくはpH3以下の酸性浴とすること
が望ましい。また、支持電解質濃度は0.1−1モル/
Q程度とされ、〇−フェニレンジアミン類単量体の濃度
は0.O1〜0.5モル/Q程度が望ましい。
、これを溶解するとともに支持電解質と反応しない水、
アセトニトリル、プロピレンカーボネート等の溶媒およ
びLiCQSNaC(J等の塩化物、LiCl20.、
(C4HII)4N CQO4等の過塩素酸塩、(C、
H、)、N B F 、等のテトラフルオロホウ酸塩、
NatSO*等の硫酸塩、CFsCOONa等のテトラ
フルオロ酢酸塩等の支持電解質からなるものが使用され
るが、支持電解質として過塩素酸塩、HCQ、H,So
、、CF、C0OHなどの酸物質を5使用し、電解浴を
pH6以下、好ましくはpH3以下の酸性浴とすること
が望ましい。また、支持電解質濃度は0.1−1モル/
Q程度とされ、〇−フェニレンジアミン類単量体の濃度
は0.O1〜0.5モル/Q程度が望ましい。
0−フェニレンジアミン類単量体を重合させるための電
解モードとしては、電位走査法または定電位法が好まし
い。電位走査法は、電位E、とこれよりも高電位E、と
の間で交互に順方向および逆方向の三角波状の電位を加
えるものである。また、定電位法は、一定の電位E3を
加えるものである。
解モードとしては、電位走査法または定電位法が好まし
い。電位走査法は、電位E、とこれよりも高電位E、と
の間で交互に順方向および逆方向の三角波状の電位を加
えるものである。また、定電位法は、一定の電位E3を
加えるものである。
この発明に係るECDでは、EC層3を形成するための
電解重合法においてその電解設定電圧を適切に決定する
ことが望ましい。具体的には、まず、電解重合を実施し
ようとする電解浴系についてサイクリックボルタ、ンメ
トリーによってサイクリックボルタモグラムを測定する
。サイクリックポルタンメトリーは、ファラデー電流が
流れない初期電圧E。から時間に比例した電位の掃引を
行い反転電位Eλにおいて電位掃引方向を反転し、 、
同じ電位掃引速度(通常はlo−3〜10−’V/秒)
で掃引して初期電位E0に戻すもので、この三角波状の
電位掃引によって得られる電流−電位曲線をサイクリッ
クボルタモグラムと言う。
電解重合法においてその電解設定電圧を適切に決定する
ことが望ましい。具体的には、まず、電解重合を実施し
ようとする電解浴系についてサイクリックボルタ、ンメ
トリーによってサイクリックボルタモグラムを測定する
。サイクリックポルタンメトリーは、ファラデー電流が
流れない初期電圧E。から時間に比例した電位の掃引を
行い反転電位Eλにおいて電位掃引方向を反転し、 、
同じ電位掃引速度(通常はlo−3〜10−’V/秒)
で掃引して初期電位E0に戻すもので、この三角波状の
電位掃引によって得られる電流−電位曲線をサイクリッ
クボルタモグラムと言う。
第2図にこのサイクリックボルタモグラムの一例を示す
。このサイクリックボルタモグラムは、0−フェニレン
ジアミンを50ミリモル/Qとし、Na2SO2とHt
S O4でS04!−イオンが0.5モル/Qかつp
H−1,0とした電解浴について、初期電位E、−0,
8V(対5CE)、反転電位El+1.2V(対5CE
)、電位掃引速度100mV/秒で得られたものである
。
。このサイクリックボルタモグラムは、0−フェニレン
ジアミンを50ミリモル/Qとし、Na2SO2とHt
S O4でS04!−イオンが0.5モル/Qかつp
H−1,0とした電解浴について、初期電位E、−0,
8V(対5CE)、反転電位El+1.2V(対5CE
)、電位掃引速度100mV/秒で得られたものである
。
このようなサイクリックボルタモグラムは、電解時の作
用極上での単量体(O−フェニレンジアミン類)の酸化
還元反応の状況を示すもので、第2図のグラフでは横軸
より上側では酸化反応が、下側では還元反応が生じてい
ることがわかり、酸化領域および還元領域においてそれ
ぞれ1つ以上の酸化ピークおよび還元ピークが表われて
いる。
用極上での単量体(O−フェニレンジアミン類)の酸化
還元反応の状況を示すもので、第2図のグラフでは横軸
より上側では酸化反応が、下側では還元反応が生じてい
ることがわかり、酸化領域および還元領域においてそれ
ぞれ1つ以上の酸化ピークおよび還元ピークが表われて
いる。
そして、このサイクリックボルタモグラムにおける最大
酸化ピーク(第2図中Aで示す。)の立上り電位(第2
図中Bで示す。)をグラフから求める。
酸化ピーク(第2図中Aで示す。)の立上り電位(第2
図中Bで示す。)をグラフから求める。
そして、80層3を形成するための電解重合では、この
立上り電位よりも高い電位を電解設定電位とする。そし
て、電解モードが定電位法であれば、上記電解設定電圧
を一定に保って電解すればよい。また、電解モードが電
位走査法であれば、高電位E、をこの電解設定電位とし
、低電位E1をサイクリックボルタモグラムの最も低電
位側にある還元ピークの立上り電位(第2図中Cで示す
。)以下の電位として行えばよい。また、電位走査法と
定電位法との組合せでは、上記条件が満されていればよ
く、組合せのパターンや組合せの回数は自由である。
立上り電位よりも高い電位を電解設定電位とする。そし
て、電解モードが定電位法であれば、上記電解設定電圧
を一定に保って電解すればよい。また、電解モードが電
位走査法であれば、高電位E、をこの電解設定電位とし
、低電位E1をサイクリックボルタモグラムの最も低電
位側にある還元ピークの立上り電位(第2図中Cで示す
。)以下の電位として行えばよい。また、電位走査法と
定電位法との組合せでは、上記条件が満されていればよ
く、組合せのパターンや組合せの回数は自由である。
また、サイクリックボルタモグラムにおける最大酸化ピ
ークの立上り電位は、電解浴の単量体、溶媒、支持電解
質の種類、濃度等によって変動するので、電解浴の組成
が変れば、その都度その系でのサイクリックボルタモグ
ラムを測定し、上記立上り電位を求める必要がある。ま
た、電位走査法の場合、電位掃引速度は任意であるが、
通常10+eV/秒〜10100O/秒程度が好ましく
、走査回数も任意であるが、走査回数は得られる重合体
の膜厚に関係するので、通常は膜厚によって決められる
ことが多い。
ークの立上り電位は、電解浴の単量体、溶媒、支持電解
質の種類、濃度等によって変動するので、電解浴の組成
が変れば、その都度その系でのサイクリックボルタモグ
ラムを測定し、上記立上り電位を求める必要がある。ま
た、電位走査法の場合、電位掃引速度は任意であるが、
通常10+eV/秒〜10100O/秒程度が好ましく
、走査回数も任意であるが、走査回数は得られる重合体
の膜厚に関係するので、通常は膜厚によって決められる
ことが多い。
このような条件によって電解重合を行うことにより、作
用電極表面にO−フェニレンジアミン類単量体が重合し
た薄膜状の導電性有機重合体を析出させて、80層3を
得ることができる。
用電極表面にO−フェニレンジアミン類単量体が重合し
た薄膜状の導電性有機重合体を析出させて、80層3を
得ることができる。
次に、上記の導電性基板lと2を互いに対向させて、8
0層3と対極7とを向かい合わせるとともに、導電性基
板lと2との間にスペーサ8.8を配置して密閉空間を
形成し、この空間内に支持電解質を含む溶媒9を封入し
て密閉型のセルに組み立てる。溶媒9としては、ECD
の駆動が可能であれば、水系でも、アセトニトリル、プ
ロピレンカーボネート等の非水系でも良く、特にプロト
ンが存在した方が動作特性、表示安定性などの点で好ま
しい。また、水系の溶媒9には、HCQ。
0層3と対極7とを向かい合わせるとともに、導電性基
板lと2との間にスペーサ8.8を配置して密閉空間を
形成し、この空間内に支持電解質を含む溶媒9を封入し
て密閉型のセルに組み立てる。溶媒9としては、ECD
の駆動が可能であれば、水系でも、アセトニトリル、プ
ロピレンカーボネート等の非水系でも良く、特にプロト
ンが存在した方が動作特性、表示安定性などの点で好ま
しい。また、水系の溶媒9には、HCQ。
、H2SOいHN Os、CF 3COOH、CH*
C00Hなどの酸物質を加えることにより、80層3の
動作特性を向上させることができる。
C00Hなどの酸物質を加えることにより、80層3の
動作特性を向上させることができる。
非水系の溶媒9には、CHss 03H(メタンスルホ
ン酸)、CF3CO0H(トリフルオロ酢酸)、無水酢
酸などを加えることにより、プロトンを付加することが
できる。また、支持電解質としては、前述の電解重合時
の支持電解質とほぼ同様に、LiCC,NaC(J等の
塩化物、L iC1204%NaCl204、TBAC
Q04(過塩素酸テトラブチルアンモニウム)などの過
塩素酸塩、LiBF4、TBABF、(テトラフルオロ
ホウ酸テトラブチルアンモニウム)などのテトラフルオ
ロホウ酸塩、Na、SO,などの硫酸塩、CF s C
OON aなどのテトラフルオロ酢酸塩等がいずれも使
用可能である。そして、この支持電解質を含む溶媒9の
pHは、6以下、好ましくは3以下とされ、支持電解質
濃度は、0.1〜1モル/12程度が望ましい。
ン酸)、CF3CO0H(トリフルオロ酢酸)、無水酢
酸などを加えることにより、プロトンを付加することが
できる。また、支持電解質としては、前述の電解重合時
の支持電解質とほぼ同様に、LiCC,NaC(J等の
塩化物、L iC1204%NaCl204、TBAC
Q04(過塩素酸テトラブチルアンモニウム)などの過
塩素酸塩、LiBF4、TBABF、(テトラフルオロ
ホウ酸テトラブチルアンモニウム)などのテトラフルオ
ロホウ酸塩、Na、SO,などの硫酸塩、CF s C
OON aなどのテトラフルオロ酢酸塩等がいずれも使
用可能である。そして、この支持電解質を含む溶媒9の
pHは、6以下、好ましくは3以下とされ、支持電解質
濃度は、0.1〜1モル/12程度が望ましい。
このECDにおいては、セルとして組み立てられる前に
、別工程で80層3を電解重合法によって形成したが、
セル内の密閉空間に0−フェニレンジアミン類単量体と
支持電解質を含む溶媒を注入して電解重合を行なった後
に、O−フェニレンジアミン類単量体を含まない溶媒と
交換して組み立てるようにしてもよい。
、別工程で80層3を電解重合法によって形成したが、
セル内の密閉空間に0−フェニレンジアミン類単量体と
支持電解質を含む溶媒を注入して電解重合を行なった後
に、O−フェニレンジアミン類単量体を含まない溶媒と
交換して組み立てるようにしてもよい。
このようにして得られたECDにあっては、20層3が
O−フェニレンジアミン類を電解重合して得られた導電
性有機重合体からなるものであるので、20層3が酸化
状態でブラウンに発色して高い遮光性を示し、還元状態
でほぼ完全に無色透明に消色するものとなる。また、こ
の例のECDでは、導電性基板1および2が共に透明で
あるので、スペーサ8.8を透明−性を有するプラスチ
ックスで形成するか、あるいは取り除くようにすれば、
完全な透過型の素子として使用できる。さらに、20層
3が電解重合法によって形成されたものであるので、均
一で大面積の20層3の形成が容易であり、例えば大型
の遮光ガラスなどとして□使用可能なものとなる。
O−フェニレンジアミン類を電解重合して得られた導電
性有機重合体からなるものであるので、20層3が酸化
状態でブラウンに発色して高い遮光性を示し、還元状態
でほぼ完全に無色透明に消色するものとなる。また、こ
の例のECDでは、導電性基板1および2が共に透明で
あるので、スペーサ8.8を透明−性を有するプラスチ
ックスで形成するか、あるいは取り除くようにすれば、
完全な透過型の素子として使用できる。さらに、20層
3が電解重合法によって形成されたものであるので、均
一で大面積の20層3の形成が容易であり、例えば大型
の遮光ガラスなどとして□使用可能なものとなる。
なお、対極7に金、白金、アルミニウム、クロムなどの
金属材料を用いたものでは、この対極7を反射板とした
反射型の素子として使用可能であり、また動作極5に上
記のような金属材料を用いたものでは、対極7に透明金
属酸化物を用いることにより、やはり反射型の素子とし
て使用可能である。
金属材料を用いたものでは、この対極7を反射板とした
反射型の素子として使用可能であり、また動作極5に上
記のような金属材料を用いたものでは、対極7に透明金
属酸化物を用いることにより、やはり反射型の素子とし
て使用可能である。
「実験例」
(実験例I)
0.5MNatS 04−HtS 04(pH= 1.
0)の水溶液中に50mMの0−フェニレンジアミンを
溶解し、溶液中の0.をN、で排除した後、白金線を対
極、飽和カロメル電極(SCE)を参照電極、ITOガ
ラス(10Ω/口)を動作極として走査電解して、動作
極上に薄膜を形成した。この溶液系で、重合時のサイク
リックボルタモグラムに観察される最大酸化ピークの立
上り電位は400mV(対5CE)であった。走査速度
は、100mV/秒、電位は一400a+Vから+80
0mV まで走査した。重合時の通電電荷量はクーロ
ンメータで測定し、膜厚測定は表面粗さ計で行なった。
0)の水溶液中に50mMの0−フェニレンジアミンを
溶解し、溶液中の0.をN、で排除した後、白金線を対
極、飽和カロメル電極(SCE)を参照電極、ITOガ
ラス(10Ω/口)を動作極として走査電解して、動作
極上に薄膜を形成した。この溶液系で、重合時のサイク
リックボルタモグラムに観察される最大酸化ピークの立
上り電位は400mV(対5CE)であった。走査速度
は、100mV/秒、電位は一400a+Vから+80
0mV まで走査した。重合時の通電電荷量はクーロ
ンメータで測定し、膜厚測定は表面粗さ計で行なった。
得られた薄膜は、その膜厚が走査回数25回で約0.2
μmに達し、面積は10cxX I Ocxであった。
μmに達し、面積は10cxX I Ocxであった。
次に、この薄膜の透過スペクトルを調べたところ、第3
図のグラフに示したように、酸化状態で、460na付
近にブラウンに特徴的な大きな吸収ピークが現れ、還元
状態で、上記の吸収ピークがほとんど消失することがわ
かる。そして、この薄膜は、その膜厚のバラツキが±5
%以内であり、極めて均一なものであった。
図のグラフに示したように、酸化状態で、460na付
近にブラウンに特徴的な大きな吸収ピークが現れ、還元
状態で、上記の吸収ピークがほとんど消失することがわ
かる。そして、この薄膜は、その膜厚のバラツキが±5
%以内であり、極めて均一なものであった。
比較例として、三酸化タングステン(W O3)からな
る薄膜(膜厚的0.6μl)の透過スペクトルを調べた
ところ、第5図のグラフに示す結果が得られた。このグ
ラフから明白なように、460n11付近に吸収ピーク
は存在しない。
る薄膜(膜厚的0.6μl)の透過スペクトルを調べた
ところ、第5図のグラフに示す結果が得られた。このグ
ラフから明白なように、460n11付近に吸収ピーク
は存在しない。
次に、この薄膜をEC層として用い、第1図に示したよ
うなECDを作製した。支持電解質液としては、0.2
M NaC(20,−HCl204(PH=1゜0)の
水溶液を用いた。そして、EC層に対する印加電圧(対
5CE)を3分ごとに+0,4V−−−0,4V間で電
位反転させてECDを駆動させたところ、透過率が顕著
に変化し、その変化は数十秒以内に終了した。第4図の
グラフに印加電圧と応答電流の関係、印加電圧とEC層
の透過率の関係を示した。このグラフから明らかなよう
に、O−フェニレンジアミン単m体を電解重合して得ら
れた導電性有機重合体からなるEC層を有するECDは
、印加電圧の電位反転に対する変色応答性に優れている
ことがわかる。
うなECDを作製した。支持電解質液としては、0.2
M NaC(20,−HCl204(PH=1゜0)の
水溶液を用いた。そして、EC層に対する印加電圧(対
5CE)を3分ごとに+0,4V−−−0,4V間で電
位反転させてECDを駆動させたところ、透過率が顕著
に変化し、その変化は数十秒以内に終了した。第4図の
グラフに印加電圧と応答電流の関係、印加電圧とEC層
の透過率の関係を示した。このグラフから明らかなよう
に、O−フェニレンジアミン単m体を電解重合して得ら
れた導電性有機重合体からなるEC層を有するECDは
、印加電圧の電位反転に対する変色応答性に優れている
ことがわかる。
(実験例2)
実験例1と同様の電解条件で、動作極上にポリ(1,2
−ジアミノ−3−メチルベンゼン)からなる薄膜(膜厚
的0.2μjI)を形成した。この薄膜は、実験例1の
O−フェニレンジアミンとほぼ同様の透過スペクトルが
得られ、酸化状態では、460 n5ff近に大きな吸
収ピークをもち、還元状態では、このピークがほぼ完全
に消失していた。また、膜の均一性もO−フェニレンジ
アミンと同程度であった。
−ジアミノ−3−メチルベンゼン)からなる薄膜(膜厚
的0.2μjI)を形成した。この薄膜は、実験例1の
O−フェニレンジアミンとほぼ同様の透過スペクトルが
得られ、酸化状態では、460 n5ff近に大きな吸
収ピークをもち、還元状態では、このピークがほぼ完全
に消失していた。また、膜の均一性もO−フェニレンジ
アミンと同程度であった。
次に、この薄膜をEC層として用い、第1図に示したよ
うなECDを作製した。そして、支持電解質液としテハ
、IM CH35O3H−0,2ML iCQO4のプ
ロピレンカーボネート溶液を用いた。その結果、ECD
として動作速度は、実験例1のECDよりやや遅いもの
の、電位反転により透過率の顕著な変化が認められた。
うなECDを作製した。そして、支持電解質液としテハ
、IM CH35O3H−0,2ML iCQO4のプ
ロピレンカーボネート溶液を用いた。その結果、ECD
として動作速度は、実験例1のECDよりやや遅いもの
の、電位反転により透過率の顕著な変化が認められた。
「 発明の効果」
以上説明したように、この発明のECDにあっては、そ
のEC層のEC材料として、O−フェニレンジアミン類
を電解重合して得られる導電性有機重合体を用いたもの
であるので、EC層の発色時には、高級感に富むブラウ
ンを発色して高い遮光性を示すことができるとともに、
消色時には、はぼ完全に無色透明となり、発色時の色が
消えずに残ることがないなどの優れた効果が得られるも
のとなる。
のEC層のEC材料として、O−フェニレンジアミン類
を電解重合して得られる導電性有機重合体を用いたもの
であるので、EC層の発色時には、高級感に富むブラウ
ンを発色して高い遮光性を示すことができるとともに、
消色時には、はぼ完全に無色透明となり、発色時の色が
消えずに残ることがないなどの優れた効果が得られるも
のとなる。
また、EC層を電解重合法によって大面積で均一なもの
に製造したものでは、例えば遮光ガラスなどとして使用
可能である。さらにまた、消色後の色の消え残りがない
ので、光シャッタとしても好適に使用できるものとなる
。
に製造したものでは、例えば遮光ガラスなどとして使用
可能である。さらにまた、消色後の色の消え残りがない
ので、光シャッタとしても好適に使用できるものとなる
。
第1図は、この発明のECDの一例を示す概略断面図、
第2図は、この発明のECDのEC層を電解重合法によ
って形成する際に用いられるサイクリックボルタモグラ
ムを示すグラフ、第3図は、この発明のECDのECf
fの吸収スペクトルを示すグラフ、第4図は、この発明
のECDのEC層に対する印加電圧と応答電流との関係
、印加電圧とEC層の透過率との関係を示すグラフであ
る。 第5図は、従来のECDのEC層に用いられるW Os
からなる薄膜の吸収スペクトルを示すグラフである。 3・・・EC層(エレクトロクロミック層)。
第2図は、この発明のECDのEC層を電解重合法によ
って形成する際に用いられるサイクリックボルタモグラ
ムを示すグラフ、第3図は、この発明のECDのECf
fの吸収スペクトルを示すグラフ、第4図は、この発明
のECDのEC層に対する印加電圧と応答電流との関係
、印加電圧とEC層の透過率との関係を示すグラフであ
る。 第5図は、従来のECDのEC層に用いられるW Os
からなる薄膜の吸収スペクトルを示すグラフである。 3・・・EC層(エレクトロクロミック層)。
Claims (4)
- (1)エレクトロクロミック層が 一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼ 〔式中、R_1、R_2、R_3およびR_4はいずれ
もC_nH_2_n_+_1(但し、nは0、1、2、
3のいずれかである。)で示される有機基である。〕 で表されるO−フェニレンジアミン順を電解重合して得
られる導電性有機重合体からなるものであることを特徴
とするエレクトロクロミック素子。 - (2)前記電解重合が電位走査法によるものである特許
請求の範囲第1項記載のエレクトロクロミック素子。 - (3)前記電解重合が定電位法によるものである特許請
求の範囲第1項記載のエレクトロクロミック素子。 - (4)前記電位走査法または/および定電位法がO−フ
ェニレンジアミン類を含有する電解浴のサイクリックボ
ルタモグラムの最大酸化ピークの立上がり電位よりも高
い電位を電解設定電位とする特許請求の範囲第2項、第
3項および第4項のいずれかに記載のエレクトロクロミ
ック素子。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP62059174A JPS63225688A (ja) | 1987-03-14 | 1987-03-14 | エレクトロクロミツク素子 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP62059174A JPS63225688A (ja) | 1987-03-14 | 1987-03-14 | エレクトロクロミツク素子 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS63225688A true JPS63225688A (ja) | 1988-09-20 |
Family
ID=13105760
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP62059174A Pending JPS63225688A (ja) | 1987-03-14 | 1987-03-14 | エレクトロクロミツク素子 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS63225688A (ja) |
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO1999032926A1 (fr) * | 1997-12-19 | 1999-07-01 | Nippon Mitsubishi Oil Corporation | Element electrochimique |
JP2007511804A (ja) * | 2003-11-18 | 2007-05-10 | ユニヴァーシティ オブ ワシントン | 向上されたエレクトロクロミック(ec)ポリマーフィルムの電解重合 |
WO2009031422A1 (ja) * | 2007-09-05 | 2009-03-12 | Kuraray Co., Ltd. | エレクトロクロミック表示素子の製造方法 |
WO2009038033A1 (ja) * | 2007-09-19 | 2009-03-26 | Kuraray Co., Ltd. | エレクトロクロミック表示素子及びその製造方法 |
US8154787B2 (en) | 2002-06-25 | 2012-04-10 | University Of Washington | Electrochromic materials |
US9944757B2 (en) | 2012-07-23 | 2018-04-17 | The University Of Connecticut | Electrochromic copolymers from precursors, method of making, and use thereof |
US10323178B2 (en) | 2014-05-16 | 2019-06-18 | The University Of Connecticut | Color tuning of electrochromic devices using an organic dye |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS61228422A (ja) * | 1985-04-03 | 1986-10-11 | Hitachi Ltd | エレクトロクロミツク表示素子 |
-
1987
- 1987-03-14 JP JP62059174A patent/JPS63225688A/ja active Pending
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS61228422A (ja) * | 1985-04-03 | 1986-10-11 | Hitachi Ltd | エレクトロクロミツク表示素子 |
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