JPS63221191A - 有機光メモリ−材料 - Google Patents
有機光メモリ−材料Info
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- JPS63221191A JPS63221191A JP5285887A JP5285887A JPS63221191A JP S63221191 A JPS63221191 A JP S63221191A JP 5285887 A JP5285887 A JP 5285887A JP 5285887 A JP5285887 A JP 5285887A JP S63221191 A JPS63221191 A JP S63221191A
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Classifications
-
- G—PHYSICS
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- G03C—PHOTOSENSITIVE MATERIALS FOR PHOTOGRAPHIC PURPOSES; PHOTOGRAPHIC PROCESSES, e.g. CINE, X-RAY, COLOUR, STEREO-PHOTOGRAPHIC PROCESSES; AUXILIARY PROCESSES IN PHOTOGRAPHY
- G03C1/00—Photosensitive materials
- G03C1/72—Photosensitive compositions not covered by the groups G03C1/005 - G03C1/705
- G03C1/73—Photosensitive compositions not covered by the groups G03C1/005 - G03C1/705 containing organic compounds
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
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- Materials Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Non-Silver Salt Photosensitive Materials And Non-Silver Salt Photography (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明はメモリー材料に関する。更に詳しくはクロミッ
ク化合物として光化学的過酸化物の生成、および光化学
的あるいは熱化学的脱酸素反応によりクロミズムを示す
、9,10−ジフェニルアントラセン系化合物を用いた
光情報の書き込み、読み出し、および消去の繰り返しが
可能な可逆的光応答性及び書き込まれた記録の安定性を
有した有機光メモリー材料に関するものである。
ク化合物として光化学的過酸化物の生成、および光化学
的あるいは熱化学的脱酸素反応によりクロミズムを示す
、9,10−ジフェニルアントラセン系化合物を用いた
光情報の書き込み、読み出し、および消去の繰り返しが
可能な可逆的光応答性及び書き込まれた記録の安定性を
有した有機光メモリー材料に関するものである。
従来の技術
ホトクロミズムを示す材料は、スピロピランをはじめ従
来から数多く研究されており、またこれらの材料を用い
た有機光メモリーも種々研究されている。(特開昭56
−149489号公報、特開昭58−37078号公報
)。
来から数多く研究されており、またこれらの材料を用い
た有機光メモリーも種々研究されている。(特開昭56
−149489号公報、特開昭58−37078号公報
)。
しかしながら有機ホトクロミック化合物は極く低温では
安定でありても室温付近の常温では熱的に不安定なもの
が多く、繰り返し使用における再現性、書き込み記録の
保存安定性に欠けるなど多くの問題点があるため、その
有用性が期待されながらも実用化には至っていない。
安定でありても室温付近の常温では熱的に不安定なもの
が多く、繰り返し使用における再現性、書き込み記録の
保存安定性に欠けるなど多くの問題点があるため、その
有用性が期待されながらも実用化には至っていない。
ところで近年、特に書き込み記録の保存性に浸れたホト
クロミズム材料として可逆的に三量化反応を起こしうる
化合物が注目されており、その実用化のために2分子の
直線締金環系芳香族化合物をシクロファン型の結合基に
よって連結し、反応速度を高めたものが提案されている
(「テトラヘドロンレターズJ 、 第23巻、197
ページ、1982年)。
クロミズム材料として可逆的に三量化反応を起こしうる
化合物が注目されており、その実用化のために2分子の
直線締金環系芳香族化合物をシクロファン型の結合基に
よって連結し、反応速度を高めたものが提案されている
(「テトラヘドロンレターズJ 、 第23巻、197
ページ、1982年)。
しかしながら、そのような網金環系芳香族化合物の二量
体は環の歪みのために逆反応で開環をおこしやすく、書
き込み記録の長期保存には向かない。さらにこの歪みを
緩和するように設計した分子構造では逆反応速度が遅く
なるなどの欠点を有するため、二量化型のホトクロミッ
ク化合物は総じて光メモリー用材料として満足できる化
合物であるとはいえない。
体は環の歪みのために逆反応で開環をおこしやすく、書
き込み記録の長期保存には向かない。さらにこの歪みを
緩和するように設計した分子構造では逆反応速度が遅く
なるなどの欠点を有するため、二量化型のホトクロミッ
ク化合物は総じて光メモリー用材料として満足できる化
合物であるとはいえない。
発明が解決しようとする問題点
前記したような事情のもと、光又は熱に対する応答性、
繰り返し再現性、書き込み記録の保存安定性に優れた有
機光メモリー材料が求められている。
繰り返し再現性、書き込み記録の保存安定性に優れた有
機光メモリー材料が求められている。
問題点を解決するための手段
本発明者らは前記したような問題点を解決すべく鋭意研
究を重ねた結果本発明に至ったものである。即ち本発明
は式(■)及び/又は(2)m (IT) (式fT)及び■中、RIは水素原子、低級アルキル基
又は低級アルコキシ基を表す) で表される化合物を有機溶媒中光照射して得られる式f
T)及び/又は」で表される化合物のエンドパーオキシ
ド体又は式(■)及び/又は卸で表される化合物を含有
することを特徴とする有機光メモリー材料を提供する。
究を重ねた結果本発明に至ったものである。即ち本発明
は式(■)及び/又は(2)m (IT) (式fT)及び■中、RIは水素原子、低級アルキル基
又は低級アルコキシ基を表す) で表される化合物を有機溶媒中光照射して得られる式f
T)及び/又は」で表される化合物のエンドパーオキシ
ド体又は式(■)及び/又は卸で表される化合物を含有
することを特徴とする有機光メモリー材料を提供する。
本発明で使用される式(1)及び匝で表される化合物に
類似した化合物として例えばSchmidt 等によっ
て式(m)で示される9、10−ジフェニルアントラセ
ンの有機光メモリー材料への利用が検討されている。(
J、 Phys、 Chem、、 86.4909(1
982); J、Photochem、、12,293
(1980))しかしながらこれらの文献には弐m 、
(n)で示される化合物の有機光メモリー材料への可
能性については全く記載されていない。式(Il及び(
rlで示される化合物は樹脂に対する溶解性が高く又溶
液中におけるのと同様に樹脂中においても可逆的ホトク
ロミズムを示し、光照射、熱によりて行われるメモ8書
き込み、消去の繰り返えしに対する耐久性、書き込みメ
モリーの保存性にすぐれた有機光メモリー材料を与える
。
類似した化合物として例えばSchmidt 等によっ
て式(m)で示される9、10−ジフェニルアントラセ
ンの有機光メモリー材料への利用が検討されている。(
J、 Phys、 Chem、、 86.4909(1
982); J、Photochem、、12,293
(1980))しかしながらこれらの文献には弐m 、
(n)で示される化合物の有機光メモリー材料への可
能性については全く記載されていない。式(Il及び(
rlで示される化合物は樹脂に対する溶解性が高く又溶
液中におけるのと同様に樹脂中においても可逆的ホトク
ロミズムを示し、光照射、熱によりて行われるメモ8書
き込み、消去の繰り返えしに対する耐久性、書き込みメ
モリーの保存性にすぐれた有機光メモリー材料を与える
。
本発明の有機光メモリー材料を具体的に説明する。
本発明においてホトクロミズム化合物として用いられる
弐m又は■で示される化合物の具体例としては次のもの
が挙げられる。
弐m又は■で示される化合物の具体例としては次のもの
が挙げられる。
UCHs Uシ2Lisこれらの化合
物は500〜7001mに吸収を有し、これに450
nm以上の光を照射することによりただちに9.10位
に一重項酸素が付加し、その領域の吸収が消失する。ま
たこうして得たエンドパーオキシド体は400 nm以
下に吸収を有し、紫外光を照射することにより再び可視
域に吸収を持つ元の化合物に戻る。このプロセスは例え
ば式(1)の化合物については次のように考えられる。
物は500〜7001mに吸収を有し、これに450
nm以上の光を照射することによりただちに9.10位
に一重項酸素が付加し、その領域の吸収が消失する。ま
たこうして得たエンドパーオキシド体は400 nm以
下に吸収を有し、紫外光を照射することにより再び可視
域に吸収を持つ元の化合物に戻る。このプロセスは例え
ば式(1)の化合物については次のように考えられる。
的
なお式(I) 、 [Dで表される化合物は一般ネには
アントラキノン−1,5−ジカルボン酸類、アントラキ
ノン−1,4−ジカルボン酸類を出発原料本発明におい
て有機光メモリー材料を構成するのに用いられるバイン
ダー樹脂としてはポリメタクリル酸メチル、ポリアクリ
ル酸メチル、ポリスチレン、ポリビニルピロリドン、酢
酸ビニル、酢酸セルロース、酢酸−酪酸セルロース、ア
クリル酸−メタクリル酸メチルの共重合体、メタクリル
酸メチル−スチレンの共重合体、アクリル酸メチル−ス
チレンの共重合体などの樹脂が挙げられるが、これら以
外の高分子化合物でも、本発明に用いられる式げ)及び
Dで示される化合物と高い相溶性を示し、かつ製膜でき
るものであるならば使用されうるものである。
アントラキノン−1,5−ジカルボン酸類、アントラキ
ノン−1,4−ジカルボン酸類を出発原料本発明におい
て有機光メモリー材料を構成するのに用いられるバイン
ダー樹脂としてはポリメタクリル酸メチル、ポリアクリ
ル酸メチル、ポリスチレン、ポリビニルピロリドン、酢
酸ビニル、酢酸セルロース、酢酸−酪酸セルロース、ア
クリル酸−メタクリル酸メチルの共重合体、メタクリル
酸メチル−スチレンの共重合体、アクリル酸メチル−ス
チレンの共重合体などの樹脂が挙げられるが、これら以
外の高分子化合物でも、本発明に用いられる式げ)及び
Dで示される化合物と高い相溶性を示し、かつ製膜でき
るものであるならば使用されうるものである。
これらのバインダー樹脂に対する式m及び/又は(■で
表される化合物又はそれらのエンドパーオキシド体の混
合割合は樹脂100部に対して0.1〜100部より好
ましくは1〜50部である。又メモリー材料を調製する
のに使用される支持体の例としては石英ガラス板、アク
リル樹脂板、アルミ板等が添げら4る。
表される化合物又はそれらのエンドパーオキシド体の混
合割合は樹脂100部に対して0.1〜100部より好
ましくは1〜50部である。又メモリー材料を調製する
のに使用される支持体の例としては石英ガラス板、アク
リル樹脂板、アルミ板等が添げら4る。
本発明の有機光メモリー材料の一般的な製法は次の迫り
である。
である。
まず例えばトルエン、アセトン、メチルエチルケトン、
シクロヘキサノン、メチルセロソルブ、エチルセロソル
ブ、クロロホルムのような有機溶媒に前記したような混
合化でバインダー樹脂及び式(■)及び/又は回の化合
物をそれらの固型分濃度が5〜70%より好ましくは1
0〜50%になるように調整しながら溶解して塗工液と
なし次いでこれを例えばスピンナー、バーコーター、ロ
ールコータ−等ヲ用いて前記したような支持板の上に乾
燥時の厚さが0.5〜500μより好ましくは1〜30
0μになるように塗布し、乾燥することによって本発明
の有機光メモリー材料(青色を呈している)かえられる
。
シクロヘキサノン、メチルセロソルブ、エチルセロソル
ブ、クロロホルムのような有機溶媒に前記したような混
合化でバインダー樹脂及び式(■)及び/又は回の化合
物をそれらの固型分濃度が5〜70%より好ましくは1
0〜50%になるように調整しながら溶解して塗工液と
なし次いでこれを例えばスピンナー、バーコーター、ロ
ールコータ−等ヲ用いて前記したような支持板の上に乾
燥時の厚さが0.5〜500μより好ましくは1〜30
0μになるように塗布し、乾燥することによって本発明
の有機光メモリー材料(青色を呈している)かえられる
。
この場合、酸素透過性の向上をはかる為にジ(2−エチ
ルヘキシル)フタレートのヨウナ可塑剤を塗工液に加え
たり消色反応をおこさせる波長の選択を容易にする為に
例えば9,10−ジブロムアントラセン、ローズベンガ
ル等の色素を増感剤として塗工液に加えてもよい。
ルヘキシル)フタレートのヨウナ可塑剤を塗工液に加え
たり消色反応をおこさせる波長の選択を容易にする為に
例えば9,10−ジブロムアントラセン、ローズベンガ
ル等の色素を増感剤として塗工液に加えてもよい。
このようにしてえられた有機光メモリー材料は例えばキ
セノンランプ、超高圧水銀灯、レーザー光等の450〜
700 nmの光を照射することにより式(I)及び/
又は■の化合物がエンドパーオキシド体に変えられて消
色するのでこのような現象を利用して所望の信号をメモ
リーとしてこのメモリー材料に書き込むことが出来る。
セノンランプ、超高圧水銀灯、レーザー光等の450〜
700 nmの光を照射することにより式(I)及び/
又は■の化合物がエンドパーオキシド体に変えられて消
色するのでこのような現象を利用して所望の信号をメモ
リーとしてこのメモリー材料に書き込むことが出来る。
そして書き込まれたメモリーは書き込み時の光よりも弱
い光を照射して透過光又は反射光を読み取ることによっ
て読み出すことが可能である。
い光を照射して透過光又は反射光を読み取ることによっ
て読み出すことが可能である。
書き込まれたメモリーを消去するには波長300S40
0nmの紫外光を照射するか120〜200℃に加熱す
ることによって行われる。(弐m及び/又は面の化合物
のエンドパーオキシド体が脱酸素反応を起して復色する
。) 又別の方法として次のようにして本発明の有働光メモリ
ー材料を調製してもよい。
0nmの紫外光を照射するか120〜200℃に加熱す
ることによって行われる。(弐m及び/又は面の化合物
のエンドパーオキシド体が脱酸素反応を起して復色する
。) 又別の方法として次のようにして本発明の有働光メモリ
ー材料を調製してもよい。
まず式fl)及び/又は(II)の化合物をトルエン、
アセトン、メチルエチルケトン、メチルセロンルプ、エ
チルセロソルブのような有機溶媒に溶解して1〜10%
(重量比)の溶液(青色)となし、これに450〜70
0 nmの可視光を照射して弐m及び/又は(1’El
の化合物のエンドパーオキシド体を形成せしめ(溶液色
は無色となる)次いで前記したバインダー樹脂を式(1
)及び/又は(2)の化合物(そのエンドパーオキシド
体)とバインダー樹脂の比が前記したような割合になる
ようにして加えて塗工液となす。これを前記同様にして
支持体上に塗布、乾燥して本発明の有機光メモリー材料
(無色)を得る。このものに信号をメモリーとして書き
込む方法としては波長350 nm以下の紫外線を照射
するか120°C以上に加熱する方法が採用され信号が
書きこまれた部分のみ青色に復色するのでこれに書き込
みに用いられた光よりも弱い光を照射して透過光又は反
射光の強弱によって書き込まねたメモリーを読み取るこ
とが可能である。文書きこまれたメモリーは波長400
nm以上の光を照射することによって消去される。
アセトン、メチルエチルケトン、メチルセロンルプ、エ
チルセロソルブのような有機溶媒に溶解して1〜10%
(重量比)の溶液(青色)となし、これに450〜70
0 nmの可視光を照射して弐m及び/又は(1’El
の化合物のエンドパーオキシド体を形成せしめ(溶液色
は無色となる)次いで前記したバインダー樹脂を式(1
)及び/又は(2)の化合物(そのエンドパーオキシド
体)とバインダー樹脂の比が前記したような割合になる
ようにして加えて塗工液となす。これを前記同様にして
支持体上に塗布、乾燥して本発明の有機光メモリー材料
(無色)を得る。このものに信号をメモリーとして書き
込む方法としては波長350 nm以下の紫外線を照射
するか120°C以上に加熱する方法が採用され信号が
書きこまれた部分のみ青色に復色するのでこれに書き込
みに用いられた光よりも弱い光を照射して透過光又は反
射光の強弱によって書き込まねたメモリーを読み取るこ
とが可能である。文書きこまれたメモリーは波長400
nm以上の光を照射することによって消去される。
実施例
実施例によって本発明を更に詳細に説明する。
実施例1゜
で示される化合物0.2g、ポリスチレン4.0gをト
ルエン40gに溶解しスピンナーを用いて乾燥時の厚さ
が3μになるように石英ガラス板上に塗布して乾燥して
本発明の光メモリー材料をえた。このメモリー材料のλ
max (577nm)における吸光度は0.7であっ
た。この膜にキセノンランプにより、波長450〜70
0 nmの光を照射したところ、完全に透明な膜が得ら
れた。
ルエン40gに溶解しスピンナーを用いて乾燥時の厚さ
が3μになるように石英ガラス板上に塗布して乾燥して
本発明の光メモリー材料をえた。このメモリー材料のλ
max (577nm)における吸光度は0.7であっ
た。この膜にキセノンランプにより、波長450〜70
0 nmの光を照射したところ、完全に透明な膜が得ら
れた。
次にこの透明膜に高圧水銀灯により波長300〜400
nmの光を照射したところ、完全に復色した膜が得ら
れた。さらにこの膜に波長450〜700 nmの光を
照射すると再び無色透明な膜となった。
nmの光を照射したところ、完全に復色した膜が得ら
れた。さらにこの膜に波長450〜700 nmの光を
照射すると再び無色透明な膜となった。
実施例2゜
実施例1において式囚の化合物0.2gの代りに下記式
(B) さ几 の化合物0.2gを用いる他は実施例1と同様にして本
発明の光メモリー材料をえた。この膜にキセノンランプ
により、波長450〜700 nmの光を照射したとこ
ろ完全に透明な膜が得られた。次にこの透明膜に高圧水
銀灯により波長300〜400 nmの光を照射したと
ころ完全に復色した膜が得られた。さらにこの膜に波長
450〜700 nmの光を照射すると再び無色透明な
膜となった。
(B) さ几 の化合物0.2gを用いる他は実施例1と同様にして本
発明の光メモリー材料をえた。この膜にキセノンランプ
により、波長450〜700 nmの光を照射したとこ
ろ完全に透明な膜が得られた。次にこの透明膜に高圧水
銀灯により波長300〜400 nmの光を照射したと
ころ完全に復色した膜が得られた。さらにこの膜に波長
450〜700 nmの光を照射すると再び無色透明な
膜となった。
実施例3゜
下記式(C)
で示される化合物0.2gをメチルイソブチルケトン4
0gに醪解しこの溶液に波長450〜700μmの光を
照射して無色透明な溶液を得た。
0gに醪解しこの溶液に波長450〜700μmの光を
照射して無色透明な溶液を得た。
この溶液にポリメチルメタクリレート樹脂20gを加え
て塗工液をえた。この塗工液をスピンナーを用いてアル
ミ板上に乾燥時の厚さが6μとなるように塗布した。次
いで乾燥して本発明の光メモリー材料(無色透明)を得
た。
て塗工液をえた。この塗工液をスピンナーを用いてアル
ミ板上に乾燥時の厚さが6μとなるように塗布した。次
いで乾燥して本発明の光メモリー材料(無色透明)を得
た。
このメモリー材料を120℃に加熱すると濃青色に着色
した。この濃青色の膜に波長450〜700 nmの光
を照射すると再び無色透明な膜になった。
した。この濃青色の膜に波長450〜700 nmの光
を照射すると再び無色透明な膜になった。
実施例4゜
実施例3において式(0の化合物0.2gの代りに下記
式の)の化合物0.2gを用いる他は実施例C2H5 3と同様にして本発明の光メモリー材料を得た。
式の)の化合物0.2gを用いる他は実施例C2H5 3と同様にして本発明の光メモリー材料を得た。
(無色透明な膜)
このメモリー材料を120℃に加熱すると濃青色に着色
した。この濃青色の膜に波長300〜400 nmの光
を照射すると無色透明な膜に戻った。
した。この濃青色の膜に波長300〜400 nmの光
を照射すると無色透明な膜に戻った。
実施例5゜
C5H7(1so)
示される化合物0.2g、ポリスチレン樹脂4g。
9、10− ’) 7’ロムアントラセン0.4gをト
ルエン20gに溶解させて塗工液とした。この塗工液を
スピンナーを用いて乾燥時の厚さが6μになるように石
英板上に塗布した。次いで乾燥して本発明の光メモリー
材料(!I青色に着色)をえた。
ルエン20gに溶解させて塗工液とした。この塗工液を
スピンナーを用いて乾燥時の厚さが6μになるように石
英板上に塗布した。次いで乾燥して本発明の光メモリー
材料(!I青色に着色)をえた。
この光メモリー材料の膜上に波長405 nmの光を照
射したところ濃青色の膜は無色透明な膜に変化した。こ
の無色透明な膜に波長300〜400 nmの光を照射
したところ濃青色に復色した。
射したところ濃青色の膜は無色透明な膜に変化した。こ
の無色透明な膜に波長300〜400 nmの光を照射
したところ濃青色に復色した。
実施例6゜
実施例10式因り化合物IQt、実施例30式(C)の
化合物1■、ポリスチレン1gをトルエン10gに溶解
しスピンナーを用いて乾燥時の厚さが60細になるよう
にアルミ板上に塗布し、乾燥して本発明の濃青色の膜を
もった光メモリー材料を得た。次いでこの光メモリー材
料に450〜700 nmの光照射を行ったところ完全
に無色透明な膜をもったメモリーに変った。
化合物1■、ポリスチレン1gをトルエン10gに溶解
しスピンナーを用いて乾燥時の厚さが60細になるよう
にアルミ板上に塗布し、乾燥して本発明の濃青色の膜を
もった光メモリー材料を得た。次いでこの光メモリー材
料に450〜700 nmの光照射を行ったところ完全
に無色透明な膜をもったメモリーに変った。
次にこの膜に300〜400 nmの光を照射(するか
、120℃〜160℃で加熱)した・ところ速やかに復
色した。さらにもう一度450〜700 nmの光照射
を行ったところ再び無色透明な膜に変った。又前記同様
にしてえた光メモリー材料に450〜700 nmの光
照射を行ったところ完全に無色透明な膜をもったメモリ
ー材料となった。次にこの無色透明な膜を120℃に加
熱したところ速かに濃青色に復色した。更にこの膜にも
う一度450〜700 nmの光照射を行ったところ再
び無色透明な膜に変った。
、120℃〜160℃で加熱)した・ところ速やかに復
色した。さらにもう一度450〜700 nmの光照射
を行ったところ再び無色透明な膜に変った。又前記同様
にしてえた光メモリー材料に450〜700 nmの光
照射を行ったところ完全に無色透明な膜をもったメモリ
ー材料となった。次にこの無色透明な膜を120℃に加
熱したところ速かに濃青色に復色した。更にこの膜にも
う一度450〜700 nmの光照射を行ったところ再
び無色透明な膜に変った。
発明の効果
光又は熱に対する応答性にすぐれ、書き込み消去の繰り
返えしに対する再現性、書き込み記録の保存安定性にす
ぐれた有機光メモリー材料が得られた。
返えしに対する再現性、書き込み記録の保存安定性にす
ぐれた有機光メモリー材料が得られた。
第1図は実施例1に得られた光メモリー材料につき消色
と復色なくりかえし行ったときのλmax (577n
m)における吸光度の変化を示したものである。
と復色なくりかえし行ったときのλmax (577n
m)における吸光度の変化を示したものである。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 式( I )及び/又は(II) ▲数式、化学式、表等があります▼( I )▲数式、化
学式、表等があります▼(II) (式( I )及び(II)中、R_1は水素原子、低級ア
ルキル基又は低級アルコキシ基を表す) で表される化合物を有機溶媒中、光照射して得られる式
( I )及び/又は(II)で表される化合物のエンドパ
ーオキシド体又は式( I )及び/又は(II)で表され
る化合物を含有することを特徴とする有機光メモリー材
料
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP5285887A JPS63221191A (ja) | 1987-03-10 | 1987-03-10 | 有機光メモリ−材料 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP5285887A JPS63221191A (ja) | 1987-03-10 | 1987-03-10 | 有機光メモリ−材料 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS63221191A true JPS63221191A (ja) | 1988-09-14 |
Family
ID=12926559
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP5285887A Pending JPS63221191A (ja) | 1987-03-10 | 1987-03-10 | 有機光メモリ−材料 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS63221191A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2015051951A (ja) * | 2013-09-06 | 2015-03-19 | 国立大学法人 千葉大学 | 可溶化剤及びこれを用いたカーボンナノ材料層の形成方法 |
-
1987
- 1987-03-10 JP JP5285887A patent/JPS63221191A/ja active Pending
Non-Patent Citations (4)
Title |
---|
CHEMICAL ABSTRACTS=1980 * |
CHEMICAL ABSTRACTS=1983 * |
J.PHYS CHEM=1982 * |
J.PHYS.CHEM=1982 * |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2015051951A (ja) * | 2013-09-06 | 2015-03-19 | 国立大学法人 千葉大学 | 可溶化剤及びこれを用いたカーボンナノ材料層の形成方法 |
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