JPS6322094A - 新規セフェム化合物 - Google Patents
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Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02A—TECHNOLOGIES FOR ADAPTATION TO CLIMATE CHANGE
- Y02A50/00—TECHNOLOGIES FOR ADAPTATION TO CLIMATE CHANGE in human health protection, e.g. against extreme weather
- Y02A50/30—Against vector-borne diseases, e.g. mosquito-borne, fly-borne, tick-borne or waterborne diseases whose impact is exacerbated by climate change
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- Cephalosporin Compounds (AREA)
- Pharmaceuticals Containing Other Organic And Inorganic Compounds (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
r産業上の利用分野」
この発明の下記一般式(1)で示されるセフェム化合物
およびその塩は抗菌活性を有し、医薬として有用である
。
およびその塩は抗菌活性を有し、医薬として有用である
。
1従来の技術、
セフェム化合物は数多く知られているが、この発明の下
記一般式(1)で示きれるセフェム化合物は知られてい
ない。
記一般式(1)で示きれるセフェム化合物は知られてい
ない。
「発明が解決しようとする問題点」
抗菌作用を有し、医薬として有用なセフェム化合物は数
多く知られているが、この発明はきらに優れた医薬品の
開発を意図してなきれたものである。
多く知られているが、この発明はきらに優れた医薬品の
開発を意図してなきれたものである。
1問題点を解決するための手段。
この発明は新規セフェム化合物およびその塩に関する。
更に詳しくは、この発明は、抗菌活性を有する新規セフ
ェム化合物およびその塩に関する。
ェム化合物およびその塩に関する。
目的とするセフェム化合物およびその塩は新規であり、
下記の一般式(1)で表わすことができる。
下記の一般式(1)で表わすことができる。
[式中、R1はアミ7基または保護きれたアミノ基、
R2はハロゲン原子を有していてもよい低級アルキル基
、 R3はカルボキシ基または保護されたカルボキン基、 R4は式: (式中、Rは低級アルケニル基、ヒドロキシ(低級)ア
ルケニル基、ヒドロキシ(低級)アルキル基、低級アル
コキシ(低級)アルキル基または低、吸アルキルチオ(
低級)アルキル基を意味する)で示される基または式: (式中、Rは低級アルキル基、 R7は保護されたカルボキシ基を意味する)で示される
基を意味する]。
、 R3はカルボキシ基または保護されたカルボキン基、 R4は式: (式中、Rは低級アルケニル基、ヒドロキシ(低級)ア
ルケニル基、ヒドロキシ(低級)アルキル基、低級アル
コキシ(低級)アルキル基または低、吸アルキルチオ(
低級)アルキル基を意味する)で示される基または式: (式中、Rは低級アルキル基、 R7は保護されたカルボキシ基を意味する)で示される
基を意味する]。
この発明に従って、目的化合物(1)は下記製造法によ
って製造することができる。
って製造することができる。
/′
ゝ\〜
製造法1
(II[)
土
(I)
またはその塩
製造法2
(Ia)
またはその塩
(rb)
またはその塩
製造法3
またはその塩
(Id)
またはその塩
製is礼玉
(IV)
またはその塩
+
R5−R’
(V)
またはその塩
土
(I)
またはその塩
(式中、R,R%RおよびR4はそれぞれ前と同じ意味
であり、 R1は保護きれたアミン基、 R3は保護づれたカルボキン基、 Yは酸残基を意味する)。
であり、 R1は保護きれたアミン基、 R3は保護づれたカルボキン基、 Yは酸残基を意味する)。
原料化合物CI[>、およびぶ料化合物<V>の数種は
新規化合物であり、下記製造法により製造することがで
きる。
新規化合物であり、下記製造法により製造することがで
きる。
製造法A
(■)(■)
またはその塩
(IX) (X)
またはその塩 またはその塩
またはその塩
製造法C
(VIa) (XI’)(XI[[)
(■C)
堪」l1旦
製造法E
(XI[[) (XIV)
またはその塩 製造法F またはその塩 またはその塩製造法G またはその塩 またはその塩 製造法H またはその塩 またはその塩(I[) またはその塩 [式中、R3、R4、R5およびYはそれぞれ前と同じ
意味であり、 Xlは/−10ゲン、 X2はハロゲン Aは低級アルキレン基、 R8は低級アルキル基、 R9は低級アルキル基、 R10はアリール基、 R11は保護されたヒドロキシ(低級)アルキル基、 R12は保護きれたヒドロキシ(低級)アルケニル基、 R5はヒドロキシ(低級)アルケニル基を意味する]。
またはその塩 製造法F またはその塩 またはその塩製造法G またはその塩 またはその塩 製造法H またはその塩 またはその塩(I[) またはその塩 [式中、R3、R4、R5およびYはそれぞれ前と同じ
意味であり、 Xlは/−10ゲン、 X2はハロゲン Aは低級アルキレン基、 R8は低級アルキル基、 R9は低級アルキル基、 R10はアリール基、 R11は保護されたヒドロキシ(低級)アルキル基、 R12は保護きれたヒドロキシ(低級)アルケニル基、 R5はヒドロキシ(低級)アルケニル基を意味する]。
化合物(I)、(Ia)、(Ib)、(Ic)、(Id
)、(III>および(IV)については、これらの化
合物にはシン異性体、アンチ異性体およびそれらの混合
物が含まれるものとする。
)、(III>および(IV)については、これらの化
合物にはシン異性体、アンチ異性体およびそれらの混合
物が含まれるものとする。
例えば目的化合物(I)については、シン異性体とは、
下記式: (式中、R1およびR2はそれぞれ前と同じ意味)で示
される部分構造を有する一つの幾何異性体を意味し、ア
ンチ異性体とは、下記式: (式中、R1およびR2はそれぞれ前と同し意味)で示
きれる部分構造を有する別の幾何異性体を意味する。
下記式: (式中、R1およびR2はそれぞれ前と同じ意味)で示
される部分構造を有する一つの幾何異性体を意味し、ア
ンチ異性体とは、下記式: (式中、R1およびR2はそれぞれ前と同し意味)で示
きれる部分構造を有する別の幾何異性体を意味する。
目的化合物(I)の好適な塩は常用の無毒性塩であり、
例えばナトリウム塩、カリウム塩等のアルカリ金属塩お
よび例えばカルシウム塩、マグネシウム塩等のアルカリ
土金属塩のような金属塩、アンモニウム塩、例えばトリ
メチルアミン塩、トリエチルアミン塩、とリジン塩、ピ
コリン塩、ジシクロヘキシルアミン塩、N、N’ −
ジベンジルエチレンシアミン塩等の有機塩基塩、例えば
酢酸塩、マレイン酸塩、酒石酸塩、メタンスルホン酸塩
、ベンゼンスルホン酸塩、(a塩、 トルエンスルポ
ン酸塩等の有機酸塩、例えば塩酸塩、臭化水素酸塩、硫
酸塩、燐酸塩等の無機酸塩、例えばアルギニン、アスパ
ラギン酸、グルタミン酸等のアミノ酸との塩等が挙げら
れる。
例えばナトリウム塩、カリウム塩等のアルカリ金属塩お
よび例えばカルシウム塩、マグネシウム塩等のアルカリ
土金属塩のような金属塩、アンモニウム塩、例えばトリ
メチルアミン塩、トリエチルアミン塩、とリジン塩、ピ
コリン塩、ジシクロヘキシルアミン塩、N、N’ −
ジベンジルエチレンシアミン塩等の有機塩基塩、例えば
酢酸塩、マレイン酸塩、酒石酸塩、メタンスルホン酸塩
、ベンゼンスルホン酸塩、(a塩、 トルエンスルポ
ン酸塩等の有機酸塩、例えば塩酸塩、臭化水素酸塩、硫
酸塩、燐酸塩等の無機酸塩、例えばアルギニン、アスパ
ラギン酸、グルタミン酸等のアミノ酸との塩等が挙げら
れる。
この明細書の以上および以下の記載において、この発明
の範囲内に包含諮れる種々の定義の好適な例および説明
を以下詳細に述べる。
の範囲内に包含諮れる種々の定義の好適な例および説明
を以下詳細に述べる。
1低級」とは、特に指示がなければ、炭#!原子1〜6
個を意味するものとする。
個を意味するものとする。
好適な1保護きれたアミン基、としては、アシルアミノ
基、または例えばベンジル、トリチル等の少なくとも1
個の適当な置換基を有していてもよいアル(低級)アル
キル基のような常用の保護基によって置換されたアミン
基が挙げられる。
基、または例えばベンジル、トリチル等の少なくとも1
個の適当な置換基を有していてもよいアル(低級)アル
キル基のような常用の保護基によって置換されたアミン
基が挙げられる。
′アシルアミノ基」の好適なアシル部分としては脂肪族
アシル基、および芳香環または複素環を含むアシル基が
挙げられる。そして、それらのアシル基の好適な例とし
ては例えばホルミル、アセチル、プロピオニル、ブチリ
ル、イソブチリル、バレリル、インバレリル、オキサリ
ル、スクシニル、ピバロイル等の低級アルカノイル基;
例えばメトキシカルボニル トキシカルボニル ル、ブトキシカルボニル、第三級ブトキシカルボニル、
ペンチルオキシカルボニル、ヘキシルオキシカルボニル
等の低級アルコキシカルボニル基:例えばメシル、エタ
ンスルホニル、プロパンスルホニル、イソプロパンスル
ホニル、ブタンスルホニル等の低級アルカンスルホニル
基;例えばベンゼンスルホニル、トシル等のアレーンス
ルホニル基; 1列えばベンゾイル、トルオイル、キシロイル、ナフト
イル、フタロイル、インダンカルボニル等のアロイル基
; 例えばフェニルアセチル、フェニルプロピオニル等のア
ル(低級)アルカノイル基; 例えばベンジルオキシカルボニル、フェネチルオキシカ
ルボニル等のアル(低級)アルコキシカルボニル基等が
挙げられる。
アシル基、および芳香環または複素環を含むアシル基が
挙げられる。そして、それらのアシル基の好適な例とし
ては例えばホルミル、アセチル、プロピオニル、ブチリ
ル、イソブチリル、バレリル、インバレリル、オキサリ
ル、スクシニル、ピバロイル等の低級アルカノイル基;
例えばメトキシカルボニル トキシカルボニル ル、ブトキシカルボニル、第三級ブトキシカルボニル、
ペンチルオキシカルボニル、ヘキシルオキシカルボニル
等の低級アルコキシカルボニル基:例えばメシル、エタ
ンスルホニル、プロパンスルホニル、イソプロパンスル
ホニル、ブタンスルホニル等の低級アルカンスルホニル
基;例えばベンゼンスルホニル、トシル等のアレーンス
ルホニル基; 1列えばベンゾイル、トルオイル、キシロイル、ナフト
イル、フタロイル、インダンカルボニル等のアロイル基
; 例えばフェニルアセチル、フェニルプロピオニル等のア
ル(低級)アルカノイル基; 例えばベンジルオキシカルボニル、フェネチルオキシカ
ルボニル等のアル(低級)アルコキシカルボニル基等が
挙げられる。
上記アンル部分は塩素、臭素、フッ素および沃素のよう
なハロゲン等のような適当な置換基少なくとも1個を有
していてもよい。
なハロゲン等のような適当な置換基少なくとも1個を有
していてもよい。
好適な1保護されたカルボキシ基」としてはエステル化
されたカルボキシ基等が挙げられ、これらのエステル化
されたカルボキシ基のエステル部分の好適な例としては
、適当な置換基少なくとも1個を有していてもよい例え
ばメチルエステル、エチルエステル、プロピルエステル
、イソプロピルエステル、プロルエステル呟 イソブチ
ルエステル、第三級ブナルエステノ呟ベンチルエステノ
呟へキシリエステル呟 1−シクロプロピルエチルエス
テル等の低級アルキルエステル、その例として、例えば
アセトキシエチルエステル呟 プロピオニルオキシメチ
ルエステル、ブチリルオキシメチルエステル、バレリル
オキシメチルエステ4. ビハロイルオキシメチルエ
ステノ呟 2−アセトキシエチルエステル、2−プロと
オニルオキシエチルエステル、ヘキサノイルオキシメチ
ルエステル等の低級アルカノイルオキシ(低級)アルキ
ルエステル、例えば2−メシルエチルエステル等の低級
アルカンスルホニル(低級)アルキルエステルまたは例
えば2−ヨードエチルエステ4,2.2.2−トリクロ
ロエチルエステル等のモノ(またはジまたはトリ)ハロ
(低級)アルキルエステル;例えばビニルエステル、ア
リルエステル等の低級アルケニルエステル; 例えばエチニルエステル、プロピニルエステル等の低級
アルキニルエステル; 例えばベンジルエステル、4−メトキシベンジルエステ
ル、4−ニトロベンジルエステル、フェネチルエステル
、トリチルエステル、ベンズヒドリルエステル、ビス(
メトキシフェニル)メチルエステル、3.4−ジメトキ
シベンジルエステル、4−ヒドロキシ−3,5−ジ第三
級ブチルベン〉ルエステル等の適当な置換基少なくとも
1個を有していてもよいアル(低級)アルキルエステル
; 例えばフェニルエステル、4−クロロフェニルエステル
、トリルエステル、第三級ブチルフェニルエステル、キ
シリルエステル、メシチルエステル、クメニルエステル
等の適当な置換基少なくとも1個を有していてもよいア
リールエステル等のようなものが挙げられる。
されたカルボキシ基等が挙げられ、これらのエステル化
されたカルボキシ基のエステル部分の好適な例としては
、適当な置換基少なくとも1個を有していてもよい例え
ばメチルエステル、エチルエステル、プロピルエステル
、イソプロピルエステル、プロルエステル呟 イソブチ
ルエステル、第三級ブナルエステノ呟ベンチルエステノ
呟へキシリエステル呟 1−シクロプロピルエチルエス
テル等の低級アルキルエステル、その例として、例えば
アセトキシエチルエステル呟 プロピオニルオキシメチ
ルエステル、ブチリルオキシメチルエステル、バレリル
オキシメチルエステ4. ビハロイルオキシメチルエ
ステノ呟 2−アセトキシエチルエステル、2−プロと
オニルオキシエチルエステル、ヘキサノイルオキシメチ
ルエステル等の低級アルカノイルオキシ(低級)アルキ
ルエステル、例えば2−メシルエチルエステル等の低級
アルカンスルホニル(低級)アルキルエステルまたは例
えば2−ヨードエチルエステ4,2.2.2−トリクロ
ロエチルエステル等のモノ(またはジまたはトリ)ハロ
(低級)アルキルエステル;例えばビニルエステル、ア
リルエステル等の低級アルケニルエステル; 例えばエチニルエステル、プロピニルエステル等の低級
アルキニルエステル; 例えばベンジルエステル、4−メトキシベンジルエステ
ル、4−ニトロベンジルエステル、フェネチルエステル
、トリチルエステル、ベンズヒドリルエステル、ビス(
メトキシフェニル)メチルエステル、3.4−ジメトキ
シベンジルエステル、4−ヒドロキシ−3,5−ジ第三
級ブチルベン〉ルエステル等の適当な置換基少なくとも
1個を有していてもよいアル(低級)アルキルエステル
; 例えばフェニルエステル、4−クロロフェニルエステル
、トリルエステル、第三級ブチルフェニルエステル、キ
シリルエステル、メシチルエステル、クメニルエステル
等の適当な置換基少なくとも1個を有していてもよいア
リールエステル等のようなものが挙げられる。
好適な′低級アルキル基」ならびに、′ヒドロキシ(低
級)アルキル基」、′低級アルフキシ(低級)アルキル
基4、「低級アルキルチオ(低級)アルキル基」および
1保護きれたヒドロキシ(低級)アルキル基」の好適な
1低級アルキル。
級)アルキル基」、′低級アルフキシ(低級)アルキル
基4、「低級アルキルチオ(低級)アルキル基」および
1保護きれたヒドロキシ(低級)アルキル基」の好適な
1低級アルキル。
部分としては、メチL、エチノ呟プロピル、イソプロピ
ル、ブチル、イソブテノ呟第三級ブチル、ペンチルオキ
シル等が挙げられる。
ル、ブチル、イソブテノ呟第三級ブチル、ペンチルオキ
シル等が挙げられる。
好適な1ハロゲン、としては塩素、臭素、フッ素および
沃素が挙げられる。
沃素が挙げられる。
好適な1低級アルケニル基」ならびに、′ヒドロキン(
低級)アルケニル基、および「保護きれたヒドロキシ(
低級)アルケニル基」の好適な「低級アルケニル一部分
としては、ビニル、アリル、1−プロペニル、1(また
は2または3)−ブテニル、1(または2または3また
は4)−ペンテニル、1(または2または3または4ま
たは5)−へキセニル等が挙げられる。
低級)アルケニル基、および「保護きれたヒドロキシ(
低級)アルケニル基」の好適な「低級アルケニル一部分
としては、ビニル、アリル、1−プロペニル、1(また
は2または3)−ブテニル、1(または2または3また
は4)−ペンテニル、1(または2または3または4ま
たは5)−へキセニル等が挙げられる。
「低級アルコキシ(低級)アルキル基」の好適な「低級
アルフキ91部分としては、メトキシ、エトキシ、プロ
ポキシ、インプロポキシ、ブトキシ、第三級ブトキシ、
ペンチルオキシ、ヘキシルオキシ等が挙げられる。
アルフキ91部分としては、メトキシ、エトキシ、プロ
ポキシ、インプロポキシ、ブトキシ、第三級ブトキシ、
ペンチルオキシ、ヘキシルオキシ等が挙げられる。
好適な1醜残基、としては、例えばフッ素、塩素、臭素
または沃素のようなハロゲン、アシル部分が前に例示し
たようなものであるアシルオキシ基等が挙げられる。
または沃素のようなハロゲン、アシル部分が前に例示し
たようなものであるアシルオキシ基等が挙げられる。
好適な「低級アルキレン基」としてはメチレン、エチレ
ン、トリメチレン、テトラメチレン、ペンタメチレン、
ヘキサメチレン等が挙げられる。
ン、トリメチレン、テトラメチレン、ペンタメチレン、
ヘキサメチレン等が挙げられる。
好適な1アリール基」としてはフェニル基等が挙げられ
る。
る。
「保護されたヒドロキシ(低級)アルキル基」および「
保wIキれたヒドロキシ(低級)アルケニル基」の好適
な1ヒドロキシ保護基」としては、テトラヒドロピラニ
ル基等が挙げられる。
保wIキれたヒドロキシ(低級)アルケニル基」の好適
な1ヒドロキシ保護基」としては、テトラヒドロピラニ
ル基等が挙げられる。
目的化合物(I)の好ましい実施態様は下記のとおりで
ある。
ある。
R1の好ましい実施態様はアミン基、アル(低級)アル
キルアミノ基[さらに好ましくはトリフェニル(低級)
アルキルアミノ基、最モ好ましくはトリチルアミノ基コ
またはアシルアミノ基[きらに好ましくは低級アルカノ
イルアミノ基、最も好ましくはホルミルアミノ基]、 Rの好ましい実施態様は低級アルキル基〔ぎらに好まし
くはメチル基コまたはジハロ(低級)アルキル基[さら
に好ましくはジフルオロ(低級)アルキル基、最も好ま
しくはジフルオロメチル基]、 Rの好ましい実施態様はカルボキシ基またはエステル化
きれたカルボキシ基[さらに好ましくはジフェニル(低
級)アルコキシカルボニル基、最も好ましくはベンズヒ
ドリルオキシカルボニル基 コ 、 R5の好ましい実施態様は低級アルケニル基[さらに好
ましくはビニル基コ、ヒドロキシ(低級)アルケニル基
[さらに好ましくはヒドロキシプロペニル基、最も好ま
しくは3−ヒドロキシ−1−プロペニル基コ、ヒドロキ
シ(低級)アルキル基口aらに好ましくはヒドロキシメ
チル基]、低級アルコキシ(低級)アルキル基[さらに
好ましくは低級アルフキジメチル基、最も好ましくはメ
トキシメチル基コまたは低級アルキルチオ(低級)アル
キル基[きらに好ましくは低級アルキルチオメチル基、
最も好ましくはメチルチオメチル基コ、 R6の好ましい実施態様は低級アルキル基[さらに好ま
しくはメチル基コ、 R7の好ましい実施態様はエステル化きれたカルボキシ
基[さらに好ましくは低級アルコキシカルボニル基、最
も好ましくはエトキシカルボニル基]である。
キルアミノ基[さらに好ましくはトリフェニル(低級)
アルキルアミノ基、最モ好ましくはトリチルアミノ基コ
またはアシルアミノ基[きらに好ましくは低級アルカノ
イルアミノ基、最も好ましくはホルミルアミノ基]、 Rの好ましい実施態様は低級アルキル基〔ぎらに好まし
くはメチル基コまたはジハロ(低級)アルキル基[さら
に好ましくはジフルオロ(低級)アルキル基、最も好ま
しくはジフルオロメチル基]、 Rの好ましい実施態様はカルボキシ基またはエステル化
きれたカルボキシ基[さらに好ましくはジフェニル(低
級)アルコキシカルボニル基、最も好ましくはベンズヒ
ドリルオキシカルボニル基 コ 、 R5の好ましい実施態様は低級アルケニル基[さらに好
ましくはビニル基コ、ヒドロキシ(低級)アルケニル基
[さらに好ましくはヒドロキシプロペニル基、最も好ま
しくは3−ヒドロキシ−1−プロペニル基コ、ヒドロキ
シ(低級)アルキル基口aらに好ましくはヒドロキシメ
チル基]、低級アルコキシ(低級)アルキル基[さらに
好ましくは低級アルフキジメチル基、最も好ましくはメ
トキシメチル基コまたは低級アルキルチオ(低級)アル
キル基[きらに好ましくは低級アルキルチオメチル基、
最も好ましくはメチルチオメチル基コ、 R6の好ましい実施態様は低級アルキル基[さらに好ま
しくはメチル基コ、 R7の好ましい実施態様はエステル化きれたカルボキシ
基[さらに好ましくは低級アルコキシカルボニル基、最
も好ましくはエトキシカルボニル基]である。
この発明の目的化合物の製造法を以下詳細に説明する。
製造法1
化合物(I)またはその塩は、化合物(I[)またはア
ミン基におけるその反応性誘導体またはその塩を化合物
(I)またはカルボキシ基におけるその反応性誘導体ま
たはその塩と反応させることにより製造することができ
る。
ミン基におけるその反応性誘導体またはその塩を化合物
(I)またはカルボキシ基におけるその反応性誘導体ま
たはその塩と反応させることにより製造することができ
る。
化合物(m)のアミン基における好適な反応性誘導体と
しては、化合物(I[)とアルデヒド、ケ、トン等のよ
うなカルボニル化合物との反応によって生成するンノフ
の塩基型イミノまたはそのエナミン型互変異性体;化合
物(It)とN、O−ビス(トリメチルシリル)アセト
アミド、N−トリメチルシリルアセトアミド等のような
シリル化合物との反応によって生成するシリル誘導体;
化合物(I[>と三塩化溝またはホスゲンとの反応によ
って生成する誘導体等が挙げられる。
しては、化合物(I[)とアルデヒド、ケ、トン等のよ
うなカルボニル化合物との反応によって生成するンノフ
の塩基型イミノまたはそのエナミン型互変異性体;化合
物(It)とN、O−ビス(トリメチルシリル)アセト
アミド、N−トリメチルシリルアセトアミド等のような
シリル化合物との反応によって生成するシリル誘導体;
化合物(I[>と三塩化溝またはホスゲンとの反応によ
って生成する誘導体等が挙げられる。
化合物(I[)および(III>の好適な塩類について
は、化合物(1)について例示したものを参照すればよ
い。
は、化合物(1)について例示したものを参照すればよ
い。
化合物(III)のカルボキシ基における好適な反応性
誘導体としては、酸ハロゲン化物、酸無水物、活性化ア
ミド、活性化エステル等が挙げられる。
誘導体としては、酸ハロゲン化物、酸無水物、活性化ア
ミド、活性化エステル等が挙げられる。
その好適な例としては酸塩化物、酸アジド:例えばジア
ルキル燐酸、フェニル燐酸、ジフェニル燐酸、ジヘンジ
ル燐酸、ハロゲン化燐酸等の置換きれた燐酸、ジアルキ
ル亜燐酸、亜硫酸、チオ硫酸、例えばメタンスルホン酸
、エタンスルホン酸等のアルカンスルホン酸、硫酸、ア
ルキル炭酸、例えばピバリン酸、ペンタン酸、インペン
タン酸、2−エチル酪酸またはトリクロロ酢酸等の、脂
肪凍カルボンタまたはイブ1えば安息香酸等の芳香族カ
ルボン酸のような酸との混合酸無水物;対称酸無水物;
イミダゾール、4−置換イミダゾール、ツメチルピラゾ
ール、トリアゾールまたはテトラゾールとの活性化アミ
ド;または例えばシアノメチルエステル、メトキシメチ
ルエステル、ジメチルイミノメチル[(co3)2W−
cH−]エステL、 ビニルエステ4.プロパルギル
エステル、p−ニトロフェニルエステル、2.4−ジニ
トロフェニルエステル、トリクロロフェニルエステル、
ペンタクロロフェニルエステル、メシルフェニルエステ
ル、フェニルアゾフェニルエステル、フェニルチオニス
7)b、p−ニトロフェニルチオエステノ呟p−クレブ
ルチオエステL、カルボキシメチルチオエステル、ピラ
ニルエステル、ピリジルエステル、ビペリンルエステル
、8−キノリルチオエステル等の活性化エステル、また
は例えばN、N−ジメチルヒドロキシルアミン、1−ヒ
ドロキシ−2−(IH)−ピリドン、N−ヒドロキシス
クシンイミド、N−ヒドロキシフタルイミド、1−ヒド
ロキシ−6−クロロ−IH−ベンゾトリアゾール等のN
−ヒドロキシ化合物とのエステル等が挙げられる。
ルキル燐酸、フェニル燐酸、ジフェニル燐酸、ジヘンジ
ル燐酸、ハロゲン化燐酸等の置換きれた燐酸、ジアルキ
ル亜燐酸、亜硫酸、チオ硫酸、例えばメタンスルホン酸
、エタンスルホン酸等のアルカンスルホン酸、硫酸、ア
ルキル炭酸、例えばピバリン酸、ペンタン酸、インペン
タン酸、2−エチル酪酸またはトリクロロ酢酸等の、脂
肪凍カルボンタまたはイブ1えば安息香酸等の芳香族カ
ルボン酸のような酸との混合酸無水物;対称酸無水物;
イミダゾール、4−置換イミダゾール、ツメチルピラゾ
ール、トリアゾールまたはテトラゾールとの活性化アミ
ド;または例えばシアノメチルエステル、メトキシメチ
ルエステル、ジメチルイミノメチル[(co3)2W−
cH−]エステL、 ビニルエステ4.プロパルギル
エステル、p−ニトロフェニルエステル、2.4−ジニ
トロフェニルエステル、トリクロロフェニルエステル、
ペンタクロロフェニルエステル、メシルフェニルエステ
ル、フェニルアゾフェニルエステル、フェニルチオニス
7)b、p−ニトロフェニルチオエステノ呟p−クレブ
ルチオエステL、カルボキシメチルチオエステル、ピラ
ニルエステル、ピリジルエステル、ビペリンルエステル
、8−キノリルチオエステル等の活性化エステル、また
は例えばN、N−ジメチルヒドロキシルアミン、1−ヒ
ドロキシ−2−(IH)−ピリドン、N−ヒドロキシス
クシンイミド、N−ヒドロキシフタルイミド、1−ヒド
ロキシ−6−クロロ−IH−ベンゾトリアゾール等のN
−ヒドロキシ化合物とのエステル等が挙げられる。
これらの反応性誘導体は使用すべき化合物(I[[)の
種類によってそれらの中から任意に選択することができ
る。
種類によってそれらの中から任意に選択することができ
る。
反応は通常、水、アセトン、ジオキサン、アセトニトリ
ル、クロロホルム、塩化メチレン、塩化エチレン、テト
ラヒドロフラン、酢酸エチル、N、N−ジメチルホルム
アミド、ピリジンのような常用の溶媒中で行われるが、
反応に悪影響を及ぼさないものであればその他のいかな
る有機溶媒中でも反応を行うことができる。これらの常
用の溶媒は水との混合物として使用してもよい。
ル、クロロホルム、塩化メチレン、塩化エチレン、テト
ラヒドロフラン、酢酸エチル、N、N−ジメチルホルム
アミド、ピリジンのような常用の溶媒中で行われるが、
反応に悪影響を及ぼさないものであればその他のいかな
る有機溶媒中でも反応を行うことができる。これらの常
用の溶媒は水との混合物として使用してもよい。
化合物(I[[)を遊離酸の形または塩の形で反応に使
用する場合には、N、N’ −ンシクロヘキシルカルポ
ジイミド;N−シクロへキシル−N′ −モルホリノエ
チルカルボジイミド;N−シクロへキンルーN’−(4
−ジエチルアミノシクロヘキシル)カルボジイミド、N
、N’ −ジエチルカルボブイミド;N、N’ −ジ
イソプロピルカルボジイミド;N−エチル−N′−(3
−ジメチルアミノプロピル)カルボレイミド、N、N−
ビス(2−メチルイミダゾール);ペンタメチレンケテ
ン−N−7クロヘキシルイミン;ジフェニルケテン−N
−ンクロヘキンルイミン;エトキシアセチレン;1−ア
ルコキシ−1−クロロエチレン;亜燐酸トリアルキノ呟
ポリ燐酸エチル;ポリ燐酸イソプロピル;オキシ塩化燐
(塩化ホスホリル);三塩化溝;塩化チオニル;塩化オ
キサリル5トリフェニルホスフィン;2−エチル−7−
ヒドロキノ・\ンズイソオキサゾリウム塩;2−エチル
−5−(m−スルホフェニル)イソオキサゾリウムヒド
ロキンド・分子内塩Ht−(p−クロロベンゼンスルホ
ニルオキン)−6−クロロ−IH−ベンゾトリアゾール
;N、N−’、;メチルホルムアミドと塩化チオニル、
ホスゲン、オキシ塩化燐等との反応によって調製したい
わゆるビルスマイヤー試薬等のような慣用の縮合剤の存
在下に反応を行うのが好ましい。
用する場合には、N、N’ −ンシクロヘキシルカルポ
ジイミド;N−シクロへキシル−N′ −モルホリノエ
チルカルボジイミド;N−シクロへキンルーN’−(4
−ジエチルアミノシクロヘキシル)カルボジイミド、N
、N’ −ジエチルカルボブイミド;N、N’ −ジ
イソプロピルカルボジイミド;N−エチル−N′−(3
−ジメチルアミノプロピル)カルボレイミド、N、N−
ビス(2−メチルイミダゾール);ペンタメチレンケテ
ン−N−7クロヘキシルイミン;ジフェニルケテン−N
−ンクロヘキンルイミン;エトキシアセチレン;1−ア
ルコキシ−1−クロロエチレン;亜燐酸トリアルキノ呟
ポリ燐酸エチル;ポリ燐酸イソプロピル;オキシ塩化燐
(塩化ホスホリル);三塩化溝;塩化チオニル;塩化オ
キサリル5トリフェニルホスフィン;2−エチル−7−
ヒドロキノ・\ンズイソオキサゾリウム塩;2−エチル
−5−(m−スルホフェニル)イソオキサゾリウムヒド
ロキンド・分子内塩Ht−(p−クロロベンゼンスルホ
ニルオキン)−6−クロロ−IH−ベンゾトリアゾール
;N、N−’、;メチルホルムアミドと塩化チオニル、
ホスゲン、オキシ塩化燐等との反応によって調製したい
わゆるビルスマイヤー試薬等のような慣用の縮合剤の存
在下に反応を行うのが好ましい。
この反応はまた、アルカリ金属炭酸水素塩、トリ(低級
)アルキルアミン、ピリジン、N−(低級)アルキルモ
ルホリン、N、N−ジ(低級)アルキルベンジルアミン
等のような無機塩基または有機塩基の存在下に行っても
よい。
)アルキルアミン、ピリジン、N−(低級)アルキルモ
ルホリン、N、N−ジ(低級)アルキルベンジルアミン
等のような無機塩基または有機塩基の存在下に行っても
よい。
反応温度は特に限定きれないが、通常は冷却下または常
温で反応が行われる。
温で反応が行われる。
製造法2
化合物(Ib)またはその塩は、化合物(Ia)または
その塩をアミノ保護基の脱離反応にイすすことにより製
造することができる。
その塩をアミノ保護基の脱離反応にイすすことにより製
造することができる。
化合物(Ia)および(Ib)の好適な塩類としては、
化合物(I>について例示したようなものを挙げろこと
ができる。
化合物(I>について例示したようなものを挙げろこと
ができる。
脱離反応は加水分解:還元、R1の保護されたアミン基
がアシルアミノ基である化合物(Ia)をイミノハロゲ
ン化剤、イミノエーテル化剤で処理し、次いで必要に応
じて生成物を加水分解する方法等のような常法に従って
行われる。加水分解としては酸または塩基またはヒドラ
ジン等を使用する方法が挙げられる。これらの方法は脱
離すべき保護基の種類によって選択すればよい。
がアシルアミノ基である化合物(Ia)をイミノハロゲ
ン化剤、イミノエーテル化剤で処理し、次いで必要に応
じて生成物を加水分解する方法等のような常法に従って
行われる。加水分解としては酸または塩基またはヒドラ
ジン等を使用する方法が挙げられる。これらの方法は脱
離すべき保護基の種類によって選択すればよい。
これらの方法中酸を使用する加水分解は、置換されたま
たは非置換アルフキジカルボニル基、その例として、第
三級ペンチルオキシカルボニル基、例えばホルミル、ア
セチル等の低級アルカノイル基、シクロアルコキシカル
ボニル基、置換きれたまたは非置換アラルコキシカルボ
ニル基、例えばトリチル等のアラルキル基、置換された
フェニルチオ基、置換きれたアラルキリデン基、置換さ
れたアルキリデン基、置換きれたシクロアルキリデン基
等のような保護基に最も共通した好ましい方法の一つで
ある。
たは非置換アルフキジカルボニル基、その例として、第
三級ペンチルオキシカルボニル基、例えばホルミル、ア
セチル等の低級アルカノイル基、シクロアルコキシカル
ボニル基、置換きれたまたは非置換アラルコキシカルボ
ニル基、例えばトリチル等のアラルキル基、置換された
フェニルチオ基、置換きれたアラルキリデン基、置換さ
れたアルキリデン基、置換きれたシクロアルキリデン基
等のような保護基に最も共通した好ましい方法の一つで
ある。
好適な酸としては、ギ酸、トリフルオロ酢酸、ベンゼン
スルホン酸、p−トルエンスルホン酸、塩酸等のような
有機酸または無機酸が挙げられるが、最も適当な酸は反
応混合物から減圧蒸留のような常法により容易に回収さ
れうる酸、例えば、ギ酸、トリフルオロ酢酸、塩酸等が
挙げられる。
スルホン酸、p−トルエンスルホン酸、塩酸等のような
有機酸または無機酸が挙げられるが、最も適当な酸は反
応混合物から減圧蒸留のような常法により容易に回収さ
れうる酸、例えば、ギ酸、トリフルオロ酢酸、塩酸等が
挙げられる。
酸は脱離すべき保護基の種類に応じて選択することがで
きる。脱離反応を酸で行う場合番こは、溶媒の存在下ま
たは存在させずに反応を行うこと力(できる。
きる。脱離反応を酸で行う場合番こは、溶媒の存在下ま
たは存在させずに反応を行うこと力(できる。
好適な溶媒としては、水、塩化メチレン、例えばメタノ
ール、エタノール等のアルコール、テトラヒドロフラン
が挙げられるが、反応に悪影響を及ぼさない溶媒であれ
ばその他のいかなる溶媒中でも反応を行うことができ、
またそれらの混合物中で反応を行ってもよい。
ール、エタノール等のアルコール、テトラヒドロフラン
が挙げられるが、反応に悪影響を及ぼさない溶媒であれ
ばその他のいかなる溶媒中でも反応を行うことができ、
またそれらの混合物中で反応を行ってもよい。
トリフルオロ酢酸を用いる脱離反応はアニソールの存在
下に行ってもよい。
下に行ってもよい。
ヒドラジンを使用する加水分解はフタロイノ呟スクンニ
ル型アミノ保護基の脱離に共通して適用される。
ル型アミノ保護基の脱離に共通して適用される。
塩基を使用する脱離反応はトリフルオロアセチル基のよ
うなアシル基の脱離に用1−られる。好適な塩基として
は無機塩基および有機塩基が挙げられる。
うなアシル基の脱離に用1−られる。好適な塩基として
は無機塩基および有機塩基が挙げられる。
還元による脱離は一般的に、例えばトリクロロエトキシ
カルボニル ル 換されたまたは非置換アラルコキシカルボニル基、2−
ピリジルメトキシカルボニル基等がその例として挙げら
れるような保護基の脱離に適用きれる。好適な還元法と
しては、例えば水素化ホウ素ナトリウム等の水素化ホウ
素アルカリ金属による還元;例えばスズ、亜鉛、鉄等の
金属、またはこれらの金属と例えば塩化第一クロム、酢
酸第一クロム等の金属塩化合物と、例えば酢酸、プロピ
オン酸、塩酸等の有機酸または無機酸との組合わせによ
る還元:および接触還元がその例として挙げられる.好
適な触媒としては、例えばラネーニッケル、酸化白金、
パラジウム−炭素等の常用のものが挙げられる。
カルボニル ル 換されたまたは非置換アラルコキシカルボニル基、2−
ピリジルメトキシカルボニル基等がその例として挙げら
れるような保護基の脱離に適用きれる。好適な還元法と
しては、例えば水素化ホウ素ナトリウム等の水素化ホウ
素アルカリ金属による還元;例えばスズ、亜鉛、鉄等の
金属、またはこれらの金属と例えば塩化第一クロム、酢
酸第一クロム等の金属塩化合物と、例えば酢酸、プロピ
オン酸、塩酸等の有機酸または無機酸との組合わせによ
る還元:および接触還元がその例として挙げられる.好
適な触媒としては、例えばラネーニッケル、酸化白金、
パラジウム−炭素等の常用のものが挙げられる。
保護基中、アシル基は通常加水分解によって脱離するこ
とができる。特に、ハロゲン置換アルフキジカルボニル
基および8−キノリルオキシカルボニル基は通常、銅、
亜鉛等のような重金3処理によって脱離きれる。
とができる。特に、ハロゲン置換アルフキジカルボニル
基および8−キノリルオキシカルボニル基は通常、銅、
亜鉛等のような重金3処理によって脱離きれる。
保護基の中でアシル基はまた、例えばオキシ塩化燐等の
イミノハロゲン化剤および例えばメタノール、エタノー
ル等の低級アルコールのようなイミノエーテル化剤で処
理し、要すれば引続いて加水分解することによっても脱
離することができる。
イミノハロゲン化剤および例えばメタノール、エタノー
ル等の低級アルコールのようなイミノエーテル化剤で処
理し、要すれば引続いて加水分解することによっても脱
離することができる。
反応温度は特に限定されず、アミン保護基の種類および
上記脱離法の種類によって選択すればよいが、通常は冷
却下または若干加,@する程度の温和な条件下に反応が
行われる。
上記脱離法の種類によって選択すればよいが、通常は冷
却下または若干加,@する程度の温和な条件下に反応が
行われる。
この反応においては、R3のカルボキシ保護基が上記脱
離反応過程中または、反応混合物または反応生成物の後
処理工程中に3M離カルボキシ基に変化する場合もその
範囲内に包含きれる。
離反応過程中または、反応混合物または反応生成物の後
処理工程中に3M離カルボキシ基に変化する場合もその
範囲内に包含きれる。
製造法3
化合物(Id)またはその塩は、化合物(Ic)または
その塩をカルボキシ保護基の脱離反応に付すことにより
製造することができる。
その塩をカルボキシ保護基の脱離反応に付すことにより
製造することができる。
化合物(Ic)および(Id)の好適な塩類としては、
化合物(I)について例示したようなものを挙げること
ができる。
化合物(I)について例示したようなものを挙げること
ができる。
この反応は加水分解、還元等の常法によって行うことが
できる。
できる。
保護基がエステルである場合には、保護基は加水分解に
より脱離することができる。加水分解は塩基または酸の
存在下に行うのが好ましい。好適な塩基としては、例え
ばナトリウム、カリウム等のアルカリ金属、例えばマグ
ネシウム、カルシウム等のアルカリ土金属、それらの金
属の水酸化物または炭酸塩または炭酸水素塩、例えばト
リメチルアミン、トリエチルアミン等のトリアルキルア
ミン、ビフリン、1.5−ジアザビシクロ[4,3゜0
]ノン−5−エン、1,4−ジアザビンクロ[2,2,
2]オクタン、1.8−ジアザビシクロ[5,4,0]
ウンデセン−7等のような無機塩基および有機塩基が挙
げられる。好適な酸としては、イ列えばギ酸、酢酸、プ
ロピオン酸、トリフルオロ酢酸等の有機酸および、例え
ば塩酸、臭化水素酸、硫酸停のような無機酸が挙げられ
る。
より脱離することができる。加水分解は塩基または酸の
存在下に行うのが好ましい。好適な塩基としては、例え
ばナトリウム、カリウム等のアルカリ金属、例えばマグ
ネシウム、カルシウム等のアルカリ土金属、それらの金
属の水酸化物または炭酸塩または炭酸水素塩、例えばト
リメチルアミン、トリエチルアミン等のトリアルキルア
ミン、ビフリン、1.5−ジアザビシクロ[4,3゜0
]ノン−5−エン、1,4−ジアザビンクロ[2,2,
2]オクタン、1.8−ジアザビシクロ[5,4,0]
ウンデセン−7等のような無機塩基および有機塩基が挙
げられる。好適な酸としては、イ列えばギ酸、酢酸、プ
ロピオン酸、トリフルオロ酢酸等の有機酸および、例え
ば塩酸、臭化水素酸、硫酸停のような無機酸が挙げられ
る。
反応は通常、水、例えばメタノール、エタノール等のア
ルコール、塩化メチレン、ジオキサンまたはそれらの混
合物中で行われるが、反応に悪影響を及ぼきないもので
あればその他のいかなる溶媒中でも反応を行うことがで
きる。液状の塩基または酸も溶媒として使用することが
できる。
ルコール、塩化メチレン、ジオキサンまたはそれらの混
合物中で行われるが、反応に悪影響を及ぼきないもので
あればその他のいかなる溶媒中でも反応を行うことがで
きる。液状の塩基または酸も溶媒として使用することが
できる。
反応温度は特に限定されず、通常冷却下ないし加熱下に
反応が行われる。
反応が行われる。
還元は4−ニトロベンジル、2−ヨードエチル、2.2
.2−トリクロロエチル等のような保護基の脱離に適用
するのが好ましい。この脱離反応に適用されうる還元法
としては、例えば亜鉛、亜鉛アマルガム等の金属または
例えば塩化第一クロム、酢酸第一クロム等のクロム化合
物の塩と、例えば酢酸、プロピオン酸、塩酸等の有機酸
または無m酸との組合わせを用いる還元;および例えば
パラジウム−炭素等の常用の金属触媒の存在下における
接触還元法が挙げられる。
.2−トリクロロエチル等のような保護基の脱離に適用
するのが好ましい。この脱離反応に適用されうる還元法
としては、例えば亜鉛、亜鉛アマルガム等の金属または
例えば塩化第一クロム、酢酸第一クロム等のクロム化合
物の塩と、例えば酢酸、プロピオン酸、塩酸等の有機酸
または無m酸との組合わせを用いる還元;および例えば
パラジウム−炭素等の常用の金属触媒の存在下における
接触還元法が挙げられる。
製造法4
化合物(I)またはその塩は、化合物(IV)またはそ
の塩を化合物(V)またはその塩と反応きせることによ
り製造することができる。
の塩を化合物(V)またはその塩と反応きせることによ
り製造することができる。
化合物(V)の好適な塩としては、例えばナトリウム塩
、カリウム塩等のアルカリ金属塩等のような金属塩が挙
げられる。
、カリウム塩等のアルカリ金属塩等のような金属塩が挙
げられる。
この反応は水、緩衝液、アセトン、トリフルオロ酢酸、
ニトロベンゼン、塩化メチレン、塩化エチレン、N、N
−ジメチルホルムアミド、メタノール、エタノール、エ
ーテル、テトラヒドロフラン、ジメチルスルホキシド、
アセトニトリルのような溶媒中で行われるが、反応に悪
影響を及ぼさない溶媒であればその他のいかなる有機溶
媒中でも反応を行うことができる。これらの溶媒中親水
性溶媒は水との混合物として使用してもよい。
ニトロベンゼン、塩化メチレン、塩化エチレン、N、N
−ジメチルホルムアミド、メタノール、エタノール、エ
ーテル、テトラヒドロフラン、ジメチルスルホキシド、
アセトニトリルのような溶媒中で行われるが、反応に悪
影響を及ぼさない溶媒であればその他のいかなる有機溶
媒中でも反応を行うことができる。これらの溶媒中親水
性溶媒は水との混合物として使用してもよい。
反応は中性付近の媒質中で行うのが好ましい、化合物(
V)を遊離の形で使用する場合には、例えば、アルカリ
金属水酸化物、アルカリ金属炭酸塩、アルカリ金属炭酸
水素塩のような無機塩基、トリアルキルアミンのような
有機塩基等のような塩基の存在下に反応を行うのが好ま
しい。
V)を遊離の形で使用する場合には、例えば、アルカリ
金属水酸化物、アルカリ金属炭酸塩、アルカリ金属炭酸
水素塩のような無機塩基、トリアルキルアミンのような
有機塩基等のような塩基の存在下に反応を行うのが好ま
しい。
反応温度は特に限定きれないが、通常は常温、加温下ま
たは若干加熱する程度の温度範囲で反応が行われる。
たは若干加熱する程度の温度範囲で反応が行われる。
この発明の累料化合物の製造法を以下に説明する。
製造法A
化合物(■a)は化合物(VI)を化合物(■)または
その塩と反応させることにより製造することができる。
その塩と反応させることにより製造することができる。
反応条件については後記製造例5(1)の条件を参照す
ればよい。
ればよい。
製造法B−■
化合物(XI)またはその塩は、化合物(IX)または
その塩を化合物(X)またはその塩と反応させることに
より製造することができる。
その塩を化合物(X)またはその塩と反応させることに
より製造することができる。
反応条件については後記製造例4(1)の条件を参照す
ればよい。
ればよい。
製造法B−■
化合物(■b)は化合物(XI)またはその塩をハロゲ
ン化反応に付すことにより製造することができる。
ン化反応に付すことにより製造することができる。
反応条件については後記製造例4(2)の条件を参照す
ればよい。
ればよい。
製造法C−■
化合物(XI[[)は化合物(VIa)を化合物(XI
[)と反応させることにより製造することができる。
[)と反応させることにより製造することができる。
反応条件については後記製造例1(1)の条件を参照す
ればよい。
ればよい。
製造法C−■
化合物(■C)は化合物(XII[)をホルムアルデヒ
ドと反応させることにより製造することができる。
ドと反応させることにより製造することができる。
反応条件については後記製造例1(2)の条件を参照す
ればよい。
ればよい。
製造法り
化合物(■d)またはその塩は、化合物(■C)をオゾ
ン処理し、次いで生成する化合物を還元に付すことによ
り製造することができる。
ン処理し、次いで生成する化合物を還元に付すことによ
り製造することができる。
反応条件については後記製造例2(1〉の条件を参照す
ればよい。
ればよい。
製造法E−■
化合物(XV)は化合物(XI[[)を化合物(XIV
)と反応させることにより製造することができる。
)と反応させることにより製造することができる。
反応条件については後記製造例3(1)の条件を参照す
ればよい。
ればよい。
製造法E−■
化合物(XVI)またはその塩は化合物(X”/)を、
ハロゲン原子をメルカプト基によって置換しうる置換剤
と反応させることにより製造することができる。
ハロゲン原子をメルカプト基によって置換しうる置換剤
と反応させることにより製造することができる。
好適な1置換剤」としては、例えば硫化水素ナトリウム
、硫化水素カリウム等の硫化水素アルカリ金属、チオズ
素等が挙げられる。
、硫化水素カリウム等の硫化水素アルカリ金属、チオズ
素等が挙げられる。
反応は通常、例えばメタノール、エタノール等のアルコ
ール、N、N−ジメチルホルムアミドのような常用の溶
媒中で行われるが反応に悪影口を及ぼさない溶媒であれ
ばその他のいかなる溶媒中でも反応を行うことができる
。
ール、N、N−ジメチルホルムアミドのような常用の溶
媒中で行われるが反応に悪影口を及ぼさない溶媒であれ
ばその他のいかなる溶媒中でも反応を行うことができる
。
反応温度は特に限定されず、通常冷却下ないし加熱下に
反応が行われる。
反応が行われる。
製造法F
化合物(Va)またはその塩は、化合物(X■)または
その塩をヒドロキシ保護基の脱離反応に付すことにより
製造することができる。
その塩をヒドロキシ保護基の脱離反応に付すことにより
製造することができる。
脱離反応は加水分解、還元等のような常法に従って行わ
れる。
れる。
これらの方法は脱離すべき保護基の種類によって選択す
ればよい。
ればよい。
製造法G
化合物(Vb)またはその塩は、化合物(■)またはそ
の塩を、ハロゲン原子をメルカプト基によって置換しう
る置換剤と反応させることにより製造することができる
。
の塩を、ハロゲン原子をメルカプト基によって置換しう
る置換剤と反応させることにより製造することができる
。
この反応は製造法E−■の反応と実質的に同じである。
類l法H
化合物(I[)またはその塩は、化合物(X■)または
その塩を化合物(V)またはその塩と反応させることに
より製造することができる。
その塩を化合物(V)またはその塩と反応させることに
より製造することができる。
この反応は製造法4の反応と実質的に同じである。
この発明の目的化合物(1)およびその塩は、高い抗菌
活性を示し、ダラム陽性菌およびダラム陰性菌を含む多
種の病w、菌の発育を阻止する新規の化合物であり、抗
菌剤として有用である。治療の目的には、この発明の化
合物は、経口投与、非経口投与または外用に適した有機
または無機の固体状もしくは液状賦形剤のような医薬と
して許容される担体と混合して、該化合物を有効成分と
して含有する医薬製剤の形で使用することができる。
活性を示し、ダラム陽性菌およびダラム陰性菌を含む多
種の病w、菌の発育を阻止する新規の化合物であり、抗
菌剤として有用である。治療の目的には、この発明の化
合物は、経口投与、非経口投与または外用に適した有機
または無機の固体状もしくは液状賦形剤のような医薬と
して許容される担体と混合して、該化合物を有効成分と
して含有する医薬製剤の形で使用することができる。
医薬製剤は、カプセル剤、錠剤、糖衣錠、軟膏剤または
平割、液剤、懸濁剤、乳剤等であってよい、所望によっ
ては、上記製剤に助剤、安定化剤、湿潤剤または乳化剤
、緩衝液および通常使用されるその他の添加剤が含まれ
ていてもよい。
平割、液剤、懸濁剤、乳剤等であってよい、所望によっ
ては、上記製剤に助剤、安定化剤、湿潤剤または乳化剤
、緩衝液および通常使用されるその他の添加剤が含まれ
ていてもよい。
化合物の投与量は、患者の年令および容態によって変化
するが、この発明の化合物は、平均1回投与量約10m
g、50mg、 100mg、250mg、500n+
gおよび1000mgで、病原菌に起因する感染症に有
効である。一般的には、1日当り1mg〜6000mg
またはそれ以上の量を投与してもよい。
するが、この発明の化合物は、平均1回投与量約10m
g、50mg、 100mg、250mg、500n+
gおよび1000mgで、病原菌に起因する感染症に有
効である。一般的には、1日当り1mg〜6000mg
またはそれ以上の量を投与してもよい。
目的化合物の有用性を示すために、この発明の代表的な
化合物の抗菌活性を以下に示す。
化合物の抗菌活性を以下に示す。
ロ1コ試験化合物ニ
ア−[2−ジフルオロメトキシイミノ−2−(2−アミ
ノチアゾール−4−イル)アセトアミド]−3−(3−
ヒドロキシメチル−1,2゜4−チアジアゾール−5−
イル)デオメチル=3−セフェムー4−カルボン酸ナト
リウム(シン異性体)[以下化合物(1)と略称コ[2
コ試験法: 下記の寒天板倍数希釈法によって試験管内抗菌活性を測
定した。
ノチアゾール−4−イル)アセトアミド]−3−(3−
ヒドロキシメチル−1,2゜4−チアジアゾール−5−
イル)デオメチル=3−セフェムー4−カルボン酸ナト
リウム(シン異性体)[以下化合物(1)と略称コ[2
コ試験法: 下記の寒天板倍数希釈法によって試験管内抗菌活性を測
定した。
試験菌株をトリプトケース ソイプロス中、−夜培養し
てその1白金耳(生菌数108個/mu)を各濃度段階
の試験化合物を含むハート インフユーノヨン寒天(H
I寒天)に接種し、37℃で20時間培養した後、最小
発育阻止濃度(MIC)を(/−で表わした。
てその1白金耳(生菌数108個/mu)を各濃度段階
の試験化合物を含むハート インフユーノヨン寒天(H
I寒天)に接種し、37℃で20時間培養した後、最小
発育阻止濃度(MIC)を(/−で表わした。
〔3コ試験結果:
MIC(l1g/唾)
以下製造例および実施例に従ってこの発明を説明する。
製造例1
(1)3−クロロメチル−5−クロロ−1,2,4−デ
アジアゾール(40,0g)のアセトン(11)溶液に
、沃化ナトリウム(70,5g)を水冷下に加える。1
0〜15°Cで2時間攪拌後、混合物を減圧濃縮する。
アジアゾール(40,0g)のアセトン(11)溶液に
、沃化ナトリウム(70,5g)を水冷下に加える。1
0〜15°Cで2時間攪拌後、混合物を減圧濃縮する。
残渣を水と酢酸エチルとの混合物に溶解する。有機層を
分取し、まず5%チオ硫酸ナトリウム水溶液で2回洗浄
し、次いで5%塩化ナトリウム水溶液で洗浄する。硫酸
マグネシウムで乾燥後、有機層の溶媒を減圧下に留去し
て粗製5−クロロ−3−ヨードメチル−1,2,4−チ
アジアゾール(60g)を得る。この粗製化合物を酢酸
エチル(0,61)に溶解し、この溶液にトリフェニル
ホスフィン(61,6g)を加える。゛常温で攪拌後、
沈殿を濾取し、酢酸エチルでfc序、乾燥して、(5−
クロロ−1,2,4−チアジアゾール−3−イル)メチ
ルトリフェニルホスホニウム・沃化物(97,6g)を
得る。
分取し、まず5%チオ硫酸ナトリウム水溶液で2回洗浄
し、次いで5%塩化ナトリウム水溶液で洗浄する。硫酸
マグネシウムで乾燥後、有機層の溶媒を減圧下に留去し
て粗製5−クロロ−3−ヨードメチル−1,2,4−チ
アジアゾール(60g)を得る。この粗製化合物を酢酸
エチル(0,61)に溶解し、この溶液にトリフェニル
ホスフィン(61,6g)を加える。゛常温で攪拌後、
沈殿を濾取し、酢酸エチルでfc序、乾燥して、(5−
クロロ−1,2,4−チアジアゾール−3−イル)メチ
ルトリフェニルホスホニウム・沃化物(97,6g)を
得る。
NMR(DMSO−九、δ) : 5.75 (2H,
dj=15H2)、 7.6−8.0 (15H,a+
) (2)(5−クロロ−1,2,4−チアジアゾール−3
−イル)メチルトリフェニルホスホニウム◆沃化物(9
7,6g)の塩化メチレン(1,On溶液に、36?≦
ホルムアルデヒド水溶液(400mQ )を力口える。
dj=15H2)、 7.6−8.0 (15H,a+
) (2)(5−クロロ−1,2,4−チアジアゾール−3
−イル)メチルトリフェニルホスホニウム◆沃化物(9
7,6g)の塩化メチレン(1,On溶液に、36?≦
ホルムアルデヒド水溶液(400mQ )を力口える。
混合物をIN*M化ナトリウムでpH10,0に調整し
、25〜30°Cで2時間激しく攪拌する。この混合物
を10%塩酸で酸性にしてpH3,0とする。有機層を
分取し、3回水洗して減圧濃縮する。残渣をn−ヘキサ
ン中で粉砕して不溶物を濾去する。
、25〜30°Cで2時間激しく攪拌する。この混合物
を10%塩酸で酸性にしてpH3,0とする。有機層を
分取し、3回水洗して減圧濃縮する。残渣をn−ヘキサ
ン中で粉砕して不溶物を濾去する。
濾液の溶媒を減圧下に留去し、油状残渣を蒸留(bp4
2.5〜43℃/ 5 mmHg) シて、5−クロロ
−3−ビニル−1,2,4−チアジアゾール(19,3
6g)を得る。
2.5〜43℃/ 5 mmHg) シて、5−クロロ
−3−ビニル−1,2,4−チアジアゾール(19,3
6g)を得る。
IR()・ルム) : 1465. 1310.
1068 cm−’NMR(CDCl2,8 ) ’
5.75 (LHldd、J=10.5Hz。
1068 cm−’NMR(CDCl2,8 ) ’
5.75 (LHldd、J=10.5Hz。
2Hz)、 6.40 (LH,ABqI7)d、2
Hz、 18Hz)、 6.76(IH,ABqの
d、10.5Hz、 18Hz)(3)5−クロロ−
3−ビニル−1,2,4−チアジアゾール(68g)の
N、N−ジメチルホルムアミド(340m1! )溶液
に、硫化水素ナトリウム(54,9g)を分割してカロ
える。混合物を25〜30°Cで30分間攪拌し、氷水
中に注ぎ、10%塩酸でpH30に調整して酢酸エチル
で抽出する。有機層を分取して3回水洗し、硫酸マグネ
シウムで乾燥して減圧濃縮する。残渣をジイソプロピル
エーテルで粉砕し、濾取して、5−メルカプト−3−ビ
ニル−1,2,4−チアジアゾール(zz、7gg)を
得る。
Hz、 18Hz)、 6.76(IH,ABqの
d、10.5Hz、 18Hz)(3)5−クロロ−
3−ビニル−1,2,4−チアジアゾール(68g)の
N、N−ジメチルホルムアミド(340m1! )溶液
に、硫化水素ナトリウム(54,9g)を分割してカロ
える。混合物を25〜30°Cで30分間攪拌し、氷水
中に注ぎ、10%塩酸でpH30に調整して酢酸エチル
で抽出する。有機層を分取して3回水洗し、硫酸マグネ
シウムで乾燥して減圧濃縮する。残渣をジイソプロピル
エーテルで粉砕し、濾取して、5−メルカプト−3−ビ
ニル−1,2,4−チアジアゾール(zz、7gg)を
得る。
IR(スジ1−ル) ’ 1550. 1432.
1200 am−’NMR<CDC13−1; )
’ 5.7−5.9 (LHlm)、6.25−6.
80(2H,m) 製造例2 (1)5−クロロ−3−ビニル−1,2,4−チアジア
ゾール(16,Og ) (7)メタ、t −JL、
(300mQ )溶液を−70〜−60℃でオゾン処理
する。この溶液に水素化ホウ素ナトリウム(4,16g
)を−30°Cで加える。混合物を常温で1時間攪拌す
る。10%塩酸でpH6,0に調整し、溶液を減圧a縮
する。残渣を酢酸エチルで抽出して有機層を分取し、水
洗して硫酸マグネシウムで乾燥後、溶媒を減圧下に留去
して、5−クロロ−3−ヒドロキシメチル−1,2゜4
−チアジアゾール(11,27g )を得る。
1200 am−’NMR<CDC13−1; )
’ 5.7−5.9 (LHlm)、6.25−6.
80(2H,m) 製造例2 (1)5−クロロ−3−ビニル−1,2,4−チアジア
ゾール(16,Og ) (7)メタ、t −JL、
(300mQ )溶液を−70〜−60℃でオゾン処理
する。この溶液に水素化ホウ素ナトリウム(4,16g
)を−30°Cで加える。混合物を常温で1時間攪拌す
る。10%塩酸でpH6,0に調整し、溶液を減圧a縮
する。残渣を酢酸エチルで抽出して有機層を分取し、水
洗して硫酸マグネシウムで乾燥後、溶媒を減圧下に留去
して、5−クロロ−3−ヒドロキシメチル−1,2゜4
−チアジアゾール(11,27g )を得る。
IR(フィルム) : 3350 (br)、
1628. 1477゜1442゜−1 NMR(CDC13,8) :4.86 (2H1s)
、3.67 (1)(。
1628. 1477゜1442゜−1 NMR(CDC13,8) :4.86 (2H1s)
、3.67 (1)(。
br 5)
(2)5−クロロ−3−ヒドロキシメチル−1゜2.4
−チアジアゾール(10,0g)のエタノール(loo
mQ ) H液に、チオvy、素(5,05g)を65
℃で加える。65〜75°Cで50分間攪拌後、混合物
を氷水中に注ぎ、酢酸エチルで抽出する。有機層を分取
して5%塩化ナトリウム水溶液で3回洗浄し、硫酸マグ
ネシウムで乾燥して減圧濃縮する。生成する沈澱を濾取
、乾燥して、3−ヒドロキンメチル−5−メルカプト−
1,2,4−チアジアゾール(1,98g)を得る。
−チアジアゾール(10,0g)のエタノール(loo
mQ ) H液に、チオvy、素(5,05g)を65
℃で加える。65〜75°Cで50分間攪拌後、混合物
を氷水中に注ぎ、酢酸エチルで抽出する。有機層を分取
して5%塩化ナトリウム水溶液で3回洗浄し、硫酸マグ
ネシウムで乾燥して減圧濃縮する。生成する沈澱を濾取
、乾燥して、3−ヒドロキンメチル−5−メルカプト−
1,2,4−チアジアゾール(1,98g)を得る。
IR(スジシール) : 3350. 1630.
1475 cm−1HMR(DMSO−d6,8
) ’ 4. to (2)1.s>製造例3 <1)(5−クロロ−1,2,4−チアジアゾール−3
−イル)メチルトリフェニルホスホニウム−沃化物(3
2,0g)および(2−テトラヒドロピラニルオキシ)
アセトアルデヒド(11,0g )の塩化メチレン(3
zomu )溶液に、IN水酸化ナトリウムを加えてp
H10,2〜10.4に調整する。混合物を常温で1時
間攪拌する。2N塩酸でpH3,0に調整後、有機層を
水洗する。有機層を分取して硫酸マグネシウムで乾燥後
、減圧濃縮し、残渣をシリカゲル(300g)を使用す
るカラムクロマトグラフィーに付し、n−ヘキサン−酢
酸エチル(6:1)で溶出、1青製して、3−[(Eお
よびZ)−3−(2−テトラヒドロピラニルオキシ)−
1−プロペニルツー5−クロロ−1,2,4−チアジア
ゾール(14,5g)を得る。
1475 cm−1HMR(DMSO−d6,8
) ’ 4. to (2)1.s>製造例3 <1)(5−クロロ−1,2,4−チアジアゾール−3
−イル)メチルトリフェニルホスホニウム−沃化物(3
2,0g)および(2−テトラヒドロピラニルオキシ)
アセトアルデヒド(11,0g )の塩化メチレン(3
zomu )溶液に、IN水酸化ナトリウムを加えてp
H10,2〜10.4に調整する。混合物を常温で1時
間攪拌する。2N塩酸でpH3,0に調整後、有機層を
水洗する。有機層を分取して硫酸マグネシウムで乾燥後
、減圧濃縮し、残渣をシリカゲル(300g)を使用す
るカラムクロマトグラフィーに付し、n−ヘキサン−酢
酸エチル(6:1)で溶出、1青製して、3−[(Eお
よびZ)−3−(2−テトラヒドロピラニルオキシ)−
1−プロペニルツー5−クロロ−1,2,4−チアジア
ゾール(14,5g)を得る。
IR<フィルム) ’ 1660. 1467、
1310. 1118 cm−1HMR(CDC13
,6) ’ 1.4−2.0 (6H,m)、3.4−
4.1(2H,m)、 4.6−4.9 (3H,
m)、 6.1−7.0 <2H,m)(2)3−
[(EおよびZ)−3−(2−テトラヒドロピラニルオ
キシ)−1−プロペニルヨー5=クロロ−1,2,4−
チアジアゾール(14,0g)のメタノール(310+
1111 )溶液に、硫化水素ナトリウム(7,0g)
を水冷、攪拌下に加える。同温で1.5時間攪拌後、混
合物を水と酢酸エチルとの混合物中に注ぎ、10%塩酸
でpH3,0に調整する。有機層を分取して硫酸マグネ
シウムで乾燥し、溶媒を減圧下に留去する。残渣をシリ
カゲル(260g)を使用するカラムクロマトグラフィ
ーに付し、n−ヘキサン−酢酸エチル(3:1)で溶出
して、3−[(EおよびZ)−3−(2−テトラヒドロ
ピラニルオキシ)−1−プロペニル]−5−メツしカプ
ト−1,2,4−チアジアゾール(10,44g )を
得る。
1310. 1118 cm−1HMR(CDC13
,6) ’ 1.4−2.0 (6H,m)、3.4−
4.1(2H,m)、 4.6−4.9 (3H,
m)、 6.1−7.0 <2H,m)(2)3−
[(EおよびZ)−3−(2−テトラヒドロピラニルオ
キシ)−1−プロペニルヨー5=クロロ−1,2,4−
チアジアゾール(14,0g)のメタノール(310+
1111 )溶液に、硫化水素ナトリウム(7,0g)
を水冷、攪拌下に加える。同温で1.5時間攪拌後、混
合物を水と酢酸エチルとの混合物中に注ぎ、10%塩酸
でpH3,0に調整する。有機層を分取して硫酸マグネ
シウムで乾燥し、溶媒を減圧下に留去する。残渣をシリ
カゲル(260g)を使用するカラムクロマトグラフィ
ーに付し、n−ヘキサン−酢酸エチル(3:1)で溶出
して、3−[(EおよびZ)−3−(2−テトラヒドロ
ピラニルオキシ)−1−プロペニル]−5−メツしカプ
ト−1,2,4−チアジアゾール(10,44g )を
得る。
IR(フィルム) : 1700. 1655.
1540. 1440 cm−1HMR(CDCl2
. δ ) : 1.4−2.0 (6H,m
)、 3.3−4.2(2H,m>、 4.3−4.
9 (31(、m)、 6.2−6.8 (2H,m>
(3)3−[(EおよびZ)−3−(2−テトラヒドロ
ピラニルオキシ)−1−プロペニルコー5−メルカプト
−1,2,4−チアジアゾール(9,60g)およびピ
リジニウムs++p−)ルエンスルホナート(1,0g
)のエタノール(1201nQ)溶液を55゛Cで15
時間攪拌し、水中に注いで酢酸エチルで3回抽出する。
1540. 1440 cm−1HMR(CDCl2
. δ ) : 1.4−2.0 (6H,m
)、 3.3−4.2(2H,m>、 4.3−4.
9 (31(、m)、 6.2−6.8 (2H,m>
(3)3−[(EおよびZ)−3−(2−テトラヒドロ
ピラニルオキシ)−1−プロペニルコー5−メルカプト
−1,2,4−チアジアゾール(9,60g)およびピ
リジニウムs++p−)ルエンスルホナート(1,0g
)のエタノール(1201nQ)溶液を55゛Cで15
時間攪拌し、水中に注いで酢酸エチルで3回抽出する。
酢酸エチル層を合わせ、硫酸マグネシウムで乾燥して溶
媒を減圧下に留去し、残渣をジイソプロピルエーテルで
粉砕して、3−[cEおよびZ)−3−ヒドロキシ−1
−プロペニル]−5−メツしカプト−1,2,4−チア
ジアゾール(5,48g)を得る。
媒を減圧下に留去し、残渣をジイソプロピルエーテルで
粉砕して、3−[cEおよびZ)−3−ヒドロキシ−1
−プロペニル]−5−メツしカプト−1,2,4−チア
ジアゾール(5,48g)を得る。
mp : 108−110℃
IR(スジ1−ル) ’ 1550. 1530.
1290 cm−’NMR(DMSO−da、8
) ’ 4.1−4.6 (2H9m)、6−0−7.
2(21(、?11> 製造例4 (1)5−アミノ−3−クロロメチル−1,2,4−チ
アジアゾール(30,0g)のメタノール(200mM
) 溶液に、ナトリウムメトキシド(21,7g)の
メタノール(50m1l ) ifI液を攪拌還流下に
1.5時間かけて滴下し、混合物を還流下に30分間攪
拌する。溶液を冷却し、濃塩酸でpH8に調整して溶媒
を留去する。残渣を酢酸エチルとテトラヒドロフランと
の混合物(1:1)に溶解し、硫酸マグネシウムで乾燥
して減圧濃縮する。残渣をシリカゲルを使用するカラム
クロマトグラフィーに付し、酢酸エチル−n−ヘキサン
(3:1)で溶出して、5−アミノ−3−メトキシメチ
ル−1,2,4−チアジアゾール(5,89g)を得る
。
1290 cm−’NMR(DMSO−da、8
) ’ 4.1−4.6 (2H9m)、6−0−7.
2(21(、?11> 製造例4 (1)5−アミノ−3−クロロメチル−1,2,4−チ
アジアゾール(30,0g)のメタノール(200mM
) 溶液に、ナトリウムメトキシド(21,7g)の
メタノール(50m1l ) ifI液を攪拌還流下に
1.5時間かけて滴下し、混合物を還流下に30分間攪
拌する。溶液を冷却し、濃塩酸でpH8に調整して溶媒
を留去する。残渣を酢酸エチルとテトラヒドロフランと
の混合物(1:1)に溶解し、硫酸マグネシウムで乾燥
して減圧濃縮する。残渣をシリカゲルを使用するカラム
クロマトグラフィーに付し、酢酸エチル−n−ヘキサン
(3:1)で溶出して、5−アミノ−3−メトキシメチ
ル−1,2,4−チアジアゾール(5,89g)を得る
。
IR(スジョール) : 3370. 3250.
3100. 1680. 1610゜1530、14
90 am’ NMR(DMSO−ds−8> ’ 3.33 (3H
,s)、4.26 (2)1゜9>、 7.84
(2H,ブロード 5)(2)5−アミノ−3−メトキ
シメチル−1,2゜4−チアジアゾール(9,0g)の
水(86,81)溶液に48%臭化水素酸(103,5
mA )および銅粉(62mg)を室温で加える。混合
物を一10℃に冷却し、これに亜硝酸ナトリウム(8,
6g)の水(12,4誰)溶液を滴下する。混合物を一
10°Cで1時間、40°Cで1時間攪拌する。溶液を
冷却し、IN水酸化ナトリウムでpH6,2に調整し、
酢酸エチルで抽出する。酢酸エチル溶液を亜硫酸ナトリ
ウム水溶液で洗浄し、硫酸マグネシウムで乾燥後、減圧
濃縮して、5−ブロモ−3−メトキシメチル−1゜2.
4−チアジアゾール(10,5g)を得る。
3100. 1680. 1610゜1530、14
90 am’ NMR(DMSO−ds−8> ’ 3.33 (3H
,s)、4.26 (2)1゜9>、 7.84
(2H,ブロード 5)(2)5−アミノ−3−メトキ
シメチル−1,2゜4−チアジアゾール(9,0g)の
水(86,81)溶液に48%臭化水素酸(103,5
mA )および銅粉(62mg)を室温で加える。混合
物を一10℃に冷却し、これに亜硝酸ナトリウム(8,
6g)の水(12,4誰)溶液を滴下する。混合物を一
10°Cで1時間、40°Cで1時間攪拌する。溶液を
冷却し、IN水酸化ナトリウムでpH6,2に調整し、
酢酸エチルで抽出する。酢酸エチル溶液を亜硫酸ナトリ
ウム水溶液で洗浄し、硫酸マグネシウムで乾燥後、減圧
濃縮して、5−ブロモ−3−メトキシメチル−1゜2.
4−チアジアゾール(10,5g)を得る。
IR()・ルム) : 1480. 1390. 1
310 cLn−’NMR(CDC13,s> =3
.56 (3H−s)、4.76 (2H1s)(3)
5−ブロモ−3−メトキンメチル−1゜2.4−チアン
アゾール(10,0g )のメタノール(190mM)
溶液に、硫化水素ナトリウム(5,6g)を水冷下に加
える。混合物を水冷下に15時間攪拌し、酢酸エチル(
50011111)と水(500+nQ )との混合物
中に注ぎ、6N塩酸でpH3,0に調整する。酢酸エチ
ル層を分取し、硫酸マグネシウムで乾燥して減圧濃縮す
る。残渣にメタノール(1oOInQ)を加え、不溶物
を濾去する。濾液の溶媒を留去し、残渣をシリカゲルを
使用するカラムクロマトグラフィーに付し、n−ヘキサ
ンと酢酸エチルとの混合物(2:1)で溶出、精製して
、5−メルカプト−3−メトキシメチル−1,2,4−
チアジアゾール(3,55g)を得る。
310 cLn−’NMR(CDC13,s> =3
.56 (3H−s)、4.76 (2H1s)(3)
5−ブロモ−3−メトキンメチル−1゜2.4−チアン
アゾール(10,0g )のメタノール(190mM)
溶液に、硫化水素ナトリウム(5,6g)を水冷下に加
える。混合物を水冷下に15時間攪拌し、酢酸エチル(
50011111)と水(500+nQ )との混合物
中に注ぎ、6N塩酸でpH3,0に調整する。酢酸エチ
ル層を分取し、硫酸マグネシウムで乾燥して減圧濃縮す
る。残渣にメタノール(1oOInQ)を加え、不溶物
を濾去する。濾液の溶媒を留去し、残渣をシリカゲルを
使用するカラムクロマトグラフィーに付し、n−ヘキサ
ンと酢酸エチルとの混合物(2:1)で溶出、精製して
、5−メルカプト−3−メトキシメチル−1,2,4−
チアジアゾール(3,55g)を得る。
IR()・ルム) : 1450. 1420.
1190 am−’hMR(CDC13,8) ’
3.48 (3H1s)、 4.48 (2H
,s)。
1190 am−’hMR(CDC13,8) ’
3.48 (3H1s)、 4.48 (2H
,s)。
11.5 (IH,ブロード S)
製造イIA5
(1)3−ヨードメチル−5−クロロ−1,2,4−チ
ア・ジアゾール(32,1g)のテトラヒドロフラン(
360mM )溶液に、ナトリウム−メタンチオラート
(12,9g ’)を水冷下に加える。水冷下に1時間
攪拌後、溶液を水と酢酸エチルとの混合物中に注ぎ、酢
酸エチルで抽出する。酢酸エチル溶液を水洗し、硫酸マ
グネシウムで乾燥して減圧濃縮する。残渣をシリカゲル
を使用するカラムクロマトグラフィーに付し、n−ヘキ
サンと酢酸エチルとの混液(20:1)で溶出して、3
−メチルチオメチル−5−クロロ−1,2,4−チアジ
アゾール(14,2g )を得る。
ア・ジアゾール(32,1g)のテトラヒドロフラン(
360mM )溶液に、ナトリウム−メタンチオラート
(12,9g ’)を水冷下に加える。水冷下に1時間
攪拌後、溶液を水と酢酸エチルとの混合物中に注ぎ、酢
酸エチルで抽出する。酢酸エチル溶液を水洗し、硫酸マ
グネシウムで乾燥して減圧濃縮する。残渣をシリカゲル
を使用するカラムクロマトグラフィーに付し、n−ヘキ
サンと酢酸エチルとの混液(20:1)で溶出して、3
−メチルチオメチル−5−クロロ−1,2,4−チアジ
アゾール(14,2g )を得る。
IR(フィルム) : 1480. 1395.
1310. 1070 cm−1HMR(CDC13
,E ) ;2−17 (3H1s>、386 (2H
9s)(2)製造例4(3)と同様にして、5−クロロ
−3−メチルチオメチル−1,2,4−チアジアゾール
を処理することにより、5−メルカプト−3−メチルチ
オメチル−1,2,4−チアジアゾールを得る。
1310. 1070 cm−1HMR(CDC13
,E ) ;2−17 (3H1s>、386 (2H
9s)(2)製造例4(3)と同様にして、5−クロロ
−3−メチルチオメチル−1,2,4−チアジアゾール
を処理することにより、5−メルカプト−3−メチルチ
オメチル−1,2,4−チアジアゾールを得る。
IR(スジョール) : 1565. 1330.
1220. 1085 cm−INMR(CDC1
3,8) ’ 2.13 (3H1s)、3.67 (
2H1s>製造例6 ツーアミノ−3−アセトキシメチル−3−セフェム−4
−カルボン酸(1,0g)および5−メルカプト−3−
ビニル−1,2,4−チアジアゾール(0,68g)の
燐酸−クエン酸緩衝液(121!IQ )中温合物を炭
酸水素ナトリウム(800mg)でpH6,9に調整す
る。溶液を60〜636C,pH6,9〜7,2の範囲
内で2時間攪拌する。この溶液を水(12mt )で希
釈し、10%塩酸でpH3,8に調整する。沈殿を濾取
、水洗(20戚、3回)し、次いでアセトンで洗浄し、
乾燥して、7−アミノ−3−(3−ビニル−1,2,4
−チアジアゾール−5−イル)チオメチル−3−セフェ
ム−4−カルボン酸(0,90g)を得る。
1220. 1085 cm−INMR(CDC1
3,8) ’ 2.13 (3H1s)、3.67 (
2H1s>製造例6 ツーアミノ−3−アセトキシメチル−3−セフェム−4
−カルボン酸(1,0g)および5−メルカプト−3−
ビニル−1,2,4−チアジアゾール(0,68g)の
燐酸−クエン酸緩衝液(121!IQ )中温合物を炭
酸水素ナトリウム(800mg)でpH6,9に調整す
る。溶液を60〜636C,pH6,9〜7,2の範囲
内で2時間攪拌する。この溶液を水(12mt )で希
釈し、10%塩酸でpH3,8に調整する。沈殿を濾取
、水洗(20戚、3回)し、次いでアセトンで洗浄し、
乾燥して、7−アミノ−3−(3−ビニル−1,2,4
−チアジアゾール−5−イル)チオメチル−3−セフェ
ム−4−カルボン酸(0,90g)を得る。
IR(スジ遭−ル) : 3400. 3180.
1810. 162g。
1810. 162g。
1550 crn−’
NMR(D 0−NaHCOδ) : 3.40.3.
70 (2)1.ABQ。
70 (2)1.ABQ。
23゛
J:18Hz)、 4.12.4.56(2H,ABq
J=14)1z)。
J=14)1z)。
5.02 (LH,d、J=5Hz>、 5.45 (
LH,d、J=5Hz)。
LH,d、J=5Hz)。
5.81 (1)1.ddJ=10.5Hz、 2Hz
)、 6.30 (LH。
)、 6.30 (LH。
dd、J:18Hz、 2Hz)、 6.78 (1
)1.dd、J=10.5Hz。
)1.dd、J=10.5Hz。
18H2)
製造例7
ツーアミノ−3−アセトキシメチル−3−セフェム−4
−カッしボン酸(5,7g)を、5−メルカプト−3−
メトキ・ンメチル−1.2.4−チアジアゾール(3,
4&)のトリフルオロ酢酸(98zQ )溶液に加え、
混合物を数分間攪拌し、三フッ化ホウ素・エーテル付加
物(8,9g)をこれに加える。混合物を室温で3時間
pIl拌し、溶媒を減圧下に留去する。残渣を28%水
酸化アンモニウムにより水冷下pH3,9に調整する。
−カッしボン酸(5,7g)を、5−メルカプト−3−
メトキ・ンメチル−1.2.4−チアジアゾール(3,
4&)のトリフルオロ酢酸(98zQ )溶液に加え、
混合物を数分間攪拌し、三フッ化ホウ素・エーテル付加
物(8,9g)をこれに加える。混合物を室温で3時間
pIl拌し、溶媒を減圧下に留去する。残渣を28%水
酸化アンモニウムにより水冷下pH3,9に調整する。
沈殿を濾取して水、アセトンおよびジイソプロピルエー
テルで順次洗浄し、乾燥して、粗製目的化合物を得る。
テルで順次洗浄し、乾燥して、粗製目的化合物を得る。
この粗生成物を濃塩酸(40眠)中に懸濁し、混合物を
室温で30分間攪拌する。不溶物を濾去後、溶液を28
%水酸化アンモニウムで水冷下にpH3,9に調整する
。生成する沈毅を濾取し、水冷、アセトンおよびジイソ
プロピルエーテルで洗浄し、乾燥して、7−アミノ−3
−(3−メトキシメチル−1,2゜4−チアジアゾール
−5−イル)チオメチル−3−セフェム−4−カルボン
酸(6,1g ) ヲ得ル。
室温で30分間攪拌する。不溶物を濾去後、溶液を28
%水酸化アンモニウムで水冷下にpH3,9に調整する
。生成する沈毅を濾取し、水冷、アセトンおよびジイソ
プロピルエーテルで洗浄し、乾燥して、7−アミノ−3
−(3−メトキシメチル−1,2゜4−チアジアゾール
−5−イル)チオメチル−3−セフェム−4−カルボン
酸(6,1g ) ヲ得ル。
IR(スジ貨−ル) : 17g0. 1605.
1500 am−’NMR(D 0−NaHCOa
、l; ) ’ 3−51 (3)1.s)、3.13
゜3.83 <2H,ABq、J=18Hz>、 4.
17.4.59 <2H。
1500 am−’NMR(D 0−NaHCOa
、l; ) ’ 3−51 (3)1.s)、3.13
゜3.83 <2H,ABq、J=18Hz>、 4.
17.4.59 <2H。
ABq、J=14Hz)、 4.68 (2H,s)、
5.08 (LH,d。
5.08 (LH,d。
J=5Hz>、 5.48 (IH,d、J=5Hz>
製造例8 製造例6および7と同様にして下記化合物を得る。
製造例8 製造例6および7と同様にして下記化合物を得る。
(1)7−アミノ−3−(3−ヒドロキシメチル−1,
2,4−チアジアゾール−5−イル)チオメチル−3−
セフェム−4−カルボン酸。
2,4−チアジアゾール−5−イル)チオメチル−3−
セフェム−4−カルボン酸。
IR(スジ3−ル) : 3350 (ブロード
)、 1800. 1620 crn−”NMR(
Na)ICO3−C20,S ) ’ 3.40.3.
80 (2H,ABq。
)、 1800. 1620 crn−”NMR(
Na)ICO3−C20,S ) ’ 3.40.3.
80 (2H,ABq。
J=18Hz>、 4.07. 4.65 (2H,
ABq、J:14Hz)。
ABq、J:14Hz)。
4.545 (2H,s)、 4.9−5.3
(2H,m)(2)7−アミノ−3−[3−((Eおよ
びZ)−3−ヒドロキン−1−プロペニル)−1,2,
4−チアジアゾール−5−イルコチオメチル−3−セフ
ェム−4−カルボン酸。
(2H,m)(2)7−アミノ−3−[3−((Eおよ
びZ)−3−ヒドロキン−1−プロペニル)−1,2,
4−チアジアゾール−5−イルコチオメチル−3−セフ
ェム−4−カルボン酸。
IR(スジ9−ル) ’ 3360. 1796.
1613 am’NMR(D 0−NaHCO3,
8> ’ 3.43.3.79 (2H9ABq。
1613 am’NMR(D 0−NaHCO3,
8> ’ 3.43.3.79 (2H9ABq。
JJ8Hz>、 4.0−5.2 (4H,m>、 5
.08 (LH,d。
.08 (LH,d。
J=5Hz)、 5.55 (IH,d、J:5Hz>
、 6.1−7.2(2H,m) 製造例9 2、−(2−トリチルアミンチアゾール−4−イル)−
2−ジフルオロメトキシイミノ酢酸(シン異性体)(2
,4g)およびジイソプロピルエチルアミン(1,29
g)のN、N−ジメチルホルムアミド(35mρ)中温
合物を一30℃に冷却し、これに塩化メシル(1,15
g)を滴下する。混合物を−20〜−30°Cで攪拌し
て活性化酸溶液を得る。一方別に7−アミノ−3−クロ
ロメチル−3−セフェムー4−カルボン酸ベンズヒドリ
ル(2,18g)およびN−トリメチルシリルアセトア
ミド(5,25g)の塩化メチレン(2(InQ )中
温合物を室温で30分間攪拌して透明溶液とし、次いで
一20°Cに冷却する。
、 6.1−7.2(2H,m) 製造例9 2、−(2−トリチルアミンチアゾール−4−イル)−
2−ジフルオロメトキシイミノ酢酸(シン異性体)(2
,4g)およびジイソプロピルエチルアミン(1,29
g)のN、N−ジメチルホルムアミド(35mρ)中温
合物を一30℃に冷却し、これに塩化メシル(1,15
g)を滴下する。混合物を−20〜−30°Cで攪拌し
て活性化酸溶液を得る。一方別に7−アミノ−3−クロ
ロメチル−3−セフェムー4−カルボン酸ベンズヒドリ
ル(2,18g)およびN−トリメチルシリルアセトア
ミド(5,25g)の塩化メチレン(2(InQ )中
温合物を室温で30分間攪拌して透明溶液とし、次いで
一20°Cに冷却する。
この溶液に上記で得られる活性化酸溶液を一挙に加える
。混合物を−15〜−10℃で30分間攪拌し、水中に
注いで酢酸エチルで抽出する。抽出液を3回゛ 水洗
し、硫酸マグネシウムで乾燥して減圧濃縮する。残渣を
ジイソプロピルエーテル中で粉砕して、7−[=l−ト
リチルアミノチアゾール−4−イル)−2−ジフルオロ
メトキシイミノアセトアミド]−3−クロロメチル−3
−セフェム−4−カルボン酸ベンズヒドリル(シン異性
体)(4,64g)を得る。
。混合物を−15〜−10℃で30分間攪拌し、水中に
注いで酢酸エチルで抽出する。抽出液を3回゛ 水洗
し、硫酸マグネシウムで乾燥して減圧濃縮する。残渣を
ジイソプロピルエーテル中で粉砕して、7−[=l−ト
リチルアミノチアゾール−4−イル)−2−ジフルオロ
メトキシイミノアセトアミド]−3−クロロメチル−3
−セフェム−4−カルボン酸ベンズヒドリル(シン異性
体)(4,64g)を得る。
LR(スジ3−ル) : 1780. 1720.
1670. 1590゜1520 cm−1 X皇ヱユ N、N−ジメチルホルムアミド(0,13m )および
塩化ホスホリル(0,154m11 )から調製したビ
ルスマイヤー試薬のテトラヒドロフラン(5m11)溶
液に、2−メトキシイミノ−2−(2−ホルムアミドチ
アゾール−4−イル)酢酸(シン異性体)(0,32g
)を水冷下に加える。混合物を同温で1時間攪拌して活
性化酸溶液を製造する。7−アミノ−3−(3−ビニル
−1,2,4−チアジアゾール−5−イル)チオメチル
−3−セフェム−4−カルボン#(0,50g)および
N−トリメチルシリルアセトアミド(1,5g、)のテ
トラヒドロフラン(30mQ )溶液に、上記で製造し
た活性化酸溶液を一20’Cで加える。同温で30分間
攪拌後、混合物を氷水中に注ぎ、酢酸エチルで抽出する
。有機層を分取して水洗し、硫酸マグネシウムで乾燥し
て溶媒を減圧下に留去する。残る沈殿をジイソプロピル
エーテルで粉砕し、濾取して、7−[2−メトキシイミ
ノ−2−(2−ホルムアミドチアゾール−4−イル)ア
セトアミド]−3−(3−ビニル−1,2,4−チアジ
アゾール−5−イル)チオメチル−3−セフェム−4−
カルボン酸(シン異性体)(o、7og)を得る。
1670. 1590゜1520 cm−1 X皇ヱユ N、N−ジメチルホルムアミド(0,13m )および
塩化ホスホリル(0,154m11 )から調製したビ
ルスマイヤー試薬のテトラヒドロフラン(5m11)溶
液に、2−メトキシイミノ−2−(2−ホルムアミドチ
アゾール−4−イル)酢酸(シン異性体)(0,32g
)を水冷下に加える。混合物を同温で1時間攪拌して活
性化酸溶液を製造する。7−アミノ−3−(3−ビニル
−1,2,4−チアジアゾール−5−イル)チオメチル
−3−セフェム−4−カルボン#(0,50g)および
N−トリメチルシリルアセトアミド(1,5g、)のテ
トラヒドロフラン(30mQ )溶液に、上記で製造し
た活性化酸溶液を一20’Cで加える。同温で30分間
攪拌後、混合物を氷水中に注ぎ、酢酸エチルで抽出する
。有機層を分取して水洗し、硫酸マグネシウムで乾燥し
て溶媒を減圧下に留去する。残る沈殿をジイソプロピル
エーテルで粉砕し、濾取して、7−[2−メトキシイミ
ノ−2−(2−ホルムアミドチアゾール−4−イル)ア
セトアミド]−3−(3−ビニル−1,2,4−チアジ
アゾール−5−イル)チオメチル−3−セフェム−4−
カルボン酸(シン異性体)(o、7og)を得る。
IR(スジ1−ル) : 3200. 1770.
1690 (sh)、 1675(sh)、 1
653 am−1 NMR(DMSO−d6.δ’) : 3.53.3.
80 (2H,ABq。
1690 (sh)、 1675(sh)、 1
653 am−1 NMR(DMSO−d6.δ’) : 3.53.3.
80 (2H,ABq。
J=18Hz)、 3.87 (3H,s)、 4
.2g、 4.67 (2)1゜ABq、J=13.
5Hz)、 5.15 (LH,d、J=5)1z)
、 5.80(IH,dd、J=5)1z、 81
(z)、 5.77 (1)t、dd。
.2g、 4.67 (2)1゜ABq、J=13.
5Hz)、 5.15 (LH,d、J=5)1z)
、 5.80(IH,dd、J=5)1z、 81
(z)、 5.77 (1)t、dd。
J=10.5Hz、 2Hz)、 6.33 (L
H,dd、J=18Hz。
H,dd、J=18Hz。
2Hz>、 6.80 (1)!、dd、J=181
(z、 10.5H2)、 7.39(LH,s)
、 8.17 (LH,s)、 9.65 (LH
,d、J=8Hz>実施例2 2−ジフルオロメトキシイミノ−2−(2−トリチルア
ミノチアゾール−4−イル)酢酸(シン異性体) (1
,01g )のN、N−ジメチルホルムアミド(211
111)溶液に、ジイソプロピルエチルアミン(0,5
4g)および塩化メシル(0,48g)を加え、混合物
を同温で30分間攪拌して活性化酸溶液を得る。7−ア
ミノ−3−(3−メトキシメチル−1,2,4−チアジ
アゾール−5−イル)チオメチル−3−セフェム−4−
カルボン酸(0,87g)およびN−トリメチルシリル
アセトアミド(4,6g)のテトラヒドロフラン(21
鶴)溶液に、活性化酸溶液を一40°Cで加える。反応
溶液を一5°Cで1時間攪拌し、水(100mQ )と
酢酸エチル(100IIIQ )との混合物中に注ぎ、
酢酸エチルで抽出する。酢酸エチル溶液を水洗し、硫酸
マグネシウムで乾燥して溶媒を減圧下に留去する。残渣
をジイソプロピルエーテルで粉砕して、7−[2−ジフ
ルオロメトキシイミノ−2−(2−トリチルアミンチア
ゾール−4−イル)アセトアミド]−3−(3−メトキ
シメチル−1,2,4−チアジアゾール−5−イル)デ
オメテルー3−セフェムー4−カルボン酸(シン異性体
) (1,87g )を得る。
(z、 10.5H2)、 7.39(LH,s)
、 8.17 (LH,s)、 9.65 (LH
,d、J=8Hz>実施例2 2−ジフルオロメトキシイミノ−2−(2−トリチルア
ミノチアゾール−4−イル)酢酸(シン異性体) (1
,01g )のN、N−ジメチルホルムアミド(211
111)溶液に、ジイソプロピルエチルアミン(0,5
4g)および塩化メシル(0,48g)を加え、混合物
を同温で30分間攪拌して活性化酸溶液を得る。7−ア
ミノ−3−(3−メトキシメチル−1,2,4−チアジ
アゾール−5−イル)チオメチル−3−セフェム−4−
カルボン酸(0,87g)およびN−トリメチルシリル
アセトアミド(4,6g)のテトラヒドロフラン(21
鶴)溶液に、活性化酸溶液を一40°Cで加える。反応
溶液を一5°Cで1時間攪拌し、水(100mQ )と
酢酸エチル(100IIIQ )との混合物中に注ぎ、
酢酸エチルで抽出する。酢酸エチル溶液を水洗し、硫酸
マグネシウムで乾燥して溶媒を減圧下に留去する。残渣
をジイソプロピルエーテルで粉砕して、7−[2−ジフ
ルオロメトキシイミノ−2−(2−トリチルアミンチア
ゾール−4−イル)アセトアミド]−3−(3−メトキ
シメチル−1,2,4−チアジアゾール−5−イル)デ
オメテルー3−セフェムー4−カルボン酸(シン異性体
) (1,87g )を得る。
IR(スジ3−ル) : 1770. 1675.
1530 cm−’NMR(DMSO−ds、8
) :3.33 (3)1.s)、 3−50.3.7
3(2H,ABq、J=18Hz>、 4.26.4.
58 (2H,ABq。
1530 cm−’NMR(DMSO−ds、8
) :3.33 (3)1.s)、 3−50.3.7
3(2H,ABq、J=18Hz>、 4.26.4.
58 (2H,ABq。
J−14Hz)、 4.54 (2H,s)、 5.1
3 (IH,d。
3 (IH,d。
J=5Hz>、 5.68 (LH,ddJ=5)
1z、 8Hz)、 6.92<IH,s)、
7.03 (LH,t、J472Hz)、 7.3
0 <15)!。
1z、 8Hz)、 6.92<IH,s)、
7.03 (LH,t、J472Hz)、 7.3
0 <15)!。
m)、 8.92 (LH,s)、 9.87 (LH
,d、J:8Hz>実施例3 実施例!および2と同様にして下記化合物を得る。
,d、J:8Hz>実施例3 実施例!および2と同様にして下記化合物を得る。
(1)7−[2−メトキシイミノ−2−(2−ホルムア
ミドチアゾール−4−イル)アセトアミド]−3−(3
−ヒドロキシメチル−1,2,4−テアジアゾール−5
−イル)チオメチル−3−セフェム−4−カルボン酸(
シン異性体〕。
ミドチアゾール−4−イル)アセトアミド]−3−(3
−ヒドロキシメチル−1,2,4−テアジアゾール−5
−イル)チオメチル−3−セフェム−4−カルボン酸(
シン異性体〕。
IR(スジョール) : 3250. 1768.
1653 (br) cm−1HMR(DMSO
−da、S ) :3.60 (2H9br、 s)、
3.85(3)1.s)、 4.23. 4.60
(2H,ABq、J=14Hz>。
1653 (br) cm−1HMR(DMSO
−da、S ) :3.60 (2H9br、 s)、
3.85(3)1.s)、 4.23. 4.60
(2H,ABq、J=14Hz>。
4.58 (2H,s)、 5.13 (1)1.d、
J=5Hz)、 5.78<LH,dd、J=5Hz、
8Hz)、 7.37 (LH,s)、 8
.45(LH,s)、 9.60 (1)!、d、J=
8Hz)、 12.53 (IH。
J=5Hz)、 5.78<LH,dd、J=5Hz、
8Hz)、 7.37 (LH,s)、 8
.45(LH,s)、 9.60 (1)!、d、J=
8Hz)、 12.53 (IH。
br、5)
(2)7−[2−’、;フルオロメトキシイミノー2−
(2−トリチルアミノチアゾール−4−イル)アセトア
ミトコ−3−(3−ヒドロキシメチル−1,2,4−チ
アジアゾール−5−イル)チオメチル−3−セフェム−
4−カルボン酸(シン異性体)。
(2−トリチルアミノチアゾール−4−イル)アセトア
ミトコ−3−(3−ヒドロキシメチル−1,2,4−チ
アジアゾール−5−イル)チオメチル−3−セフェム−
4−カルボン酸(シン異性体)。
IR(スジa−1> ’ 3300 (br)、
1775. 1680 crn−’NMR(DM
SO−da、δ) : 3.6 (2H,m)、 4.
23.4.60(2H,ABq、J=12Hz)、 4
.60 (2H,s)、 5.13 (IH。
1775. 1680 crn−’NMR(DM
SO−da、δ) : 3.6 (2H,m)、 4.
23.4.60(2H,ABq、J=12Hz)、 4
.60 (2H,s)、 5.13 (IH。
d、J二5Hz>、 5.73 (LH,dd、J
=51(z、 8Hz)、 6.93(LH,s)
、 7.2−7.5 (15H,m)、 7.10 (
IH,t。
=51(z、 8Hz)、 6.93(LH,s)
、 7.2−7.5 (15H,m)、 7.10 (
IH,t。
J=72Hz)、 8.87 (IH,s>、 9.8
1 (LH,dJ=8Hz)(3)7−C2−メトキシ
イミノ−2−(2−ホルムアミドデアゾール−4−イル
)アセトアミトコ−3−[a−[(EおよびZ)−3−
ヒドロキシ−1−プロペニル)−1,2,4−チアジア
ゾール−5−イルコチオメチル−3−セフェム−4−カ
ルボン酸(シン異性体)。
1 (LH,dJ=8Hz)(3)7−C2−メトキシ
イミノ−2−(2−ホルムアミドデアゾール−4−イル
)アセトアミトコ−3−[a−[(EおよびZ)−3−
ヒドロキシ−1−プロペニル)−1,2,4−チアジア
ゾール−5−イルコチオメチル−3−セフェム−4−カ
ルボン酸(シン異性体)。
IR(スジコール) : 1780. 1670.
1545 am−1HMR(DMSO−da、S
) ’ 3.66 (2H1s)、3.89 (3H1
s)、 4.18 (2H,d、J=5Hz)、
4.2−4゜8 (28,m)。
1545 am−1HMR(DMSO−da、S
) ’ 3.66 (2H1s)、3.89 (3H1
s)、 4.18 (2H,d、J=5Hz)、
4.2−4゜8 (28,m)。
5、L3 (LH,d、J=5Hz>、 5.79 (
IH,ddJ=SHz。
IH,ddJ=SHz。
8Hz>、 6.1−7.0 (2H,m)、 7.4
0 (IH,s)、 8.5゜(IH,s)、 9.5
9 (IH,d、J=8Hz)(4)7−[2−メトキ
シイミノ−2−(2−ホルムアミドチアゾール−4−イ
ル)アセトアミトコ−3−(3−メトキシメチル−1,
2,4−チアジアゾール−5−イル)チオメチル−3−
セフェム−4−カルボン#(シン異性体)。
0 (IH,s)、 8.5゜(IH,s)、 9.5
9 (IH,d、J=8Hz)(4)7−[2−メトキ
シイミノ−2−(2−ホルムアミドチアゾール−4−イ
ル)アセトアミトコ−3−(3−メトキシメチル−1,
2,4−チアジアゾール−5−イル)チオメチル−3−
セフェム−4−カルボン#(シン異性体)。
IR(スジー−ル) : 1780. 1675.
1540 am−’NMR(DMSO−da、8
) ’ 3.33 (3H1s)、 3.5
g、 3.76(2H,ABq、J=18Hz)、
3.86 <38.s)、 4.26゜4.58
(28,ABq、J=14Hzン、 4.55
(2H,s)、 5.15(IH,d、J=5Hz
>、 5゜79 (IH,dd、J−5Hz、 81(
z)。
1540 am−’NMR(DMSO−da、8
) ’ 3.33 (3H1s)、 3.5
g、 3.76(2H,ABq、J=18Hz)、
3.86 <38.s)、 4.26゜4.58
(28,ABq、J=14Hzン、 4.55
(2H,s)、 5.15(IH,d、J=5Hz
>、 5゜79 (IH,dd、J−5Hz、 81(
z)。
7.40 <18.s)、 8.51 (LH,s)、
9.67 (IH,d。
9.67 (IH,d。
J=8Hz)
(5)7−[2−ジフルオロメトキシイミ7〜2−(2
−トリチルアミノチアゾール−4−イル)アセトアミド
]−3−[3−((EおよびZ)−3−ヒドロキン−1
−プロペニル)−1,2,4〜チアジアゾール−5−イ
ルコチオメチル−3−セフェム−4−カルボン酸(シン
異性体)。
−トリチルアミノチアゾール−4−イル)アセトアミド
]−3−[3−((EおよびZ)−3−ヒドロキン−1
−プロペニル)−1,2,4〜チアジアゾール−5−イ
ルコチオメチル−3−セフェム−4−カルボン酸(シン
異性体)。
IR<−Aジa−4) ’ 1780. 1675
. 1530 am−1HMR(DMSO−ds、l
; ) ’ 3,66 (2H−m>−4,0−4−9
(4H,m>、 5.13 (IH,d、、c5Hz
)、 5.75 (LH,dd。
. 1530 am−1HMR(DMSO−ds、l
; ) ’ 3,66 (2H−m>−4,0−4−9
(4H,m>、 5.13 (IH,d、、c5Hz
)、 5.75 (LH,dd。
J:5Hz、 8Hz>、 5.9−7.1 (
2H,m)、 6.92 (1)1゜s)、 7.
00 (1)1.t、J=72Hz>、 7.30
(158,m)。
2H,m)、 6.92 (1)1゜s)、 7.
00 (1)1.t、J=72Hz>、 7.30
(158,m)。
8.86 (IH,s)、 9.86 (LH,d、
J=81(z)塞Jd1土 2−ジフルオロメトキシイミノ−2−(2−トリチルア
ミノチアゾール−4−イル)酢酸(シン異性体)(0,
60g)を、テトラヒドロフラン(5瓢)中N、N−ジ
メチルホルムアミド(0,12或)および塩化ホスホリ
ル(0,133mQ )から調製したビルスマイヤー試
薬により活性化する。7−アミノ−3−(3−ビニル−
1,2,4−チアジアゾール−5−イル)チオメチル−
3−ヒフエム−4−カルボン#(0,45g)およびN
−トリメチルシリルアセトアミド(1,3g)のテトラ
ヒドロフラン(20m11 )溶液に、上記で製造した
活性化酸溶液を一25℃で加える。同温で1時間攪拌後
、混合物を氷水中に注ぐ、混合物を5%炭酸水素ナトリ
ウム水溶液でpH2,0にvR整し、酢酸エチルで抽出
する。有機層を分取し、5%塩化ナトリウム水fu液で
洗浄し、硫酸マグネシウムで乾燥して溶媒をMrE下に
留去する。残渣に水(3mM)とギ酸(10戒)との混
合物を加え、混合物を5〜10°Cで3時間攪拌する。
J=81(z)塞Jd1土 2−ジフルオロメトキシイミノ−2−(2−トリチルア
ミノチアゾール−4−イル)酢酸(シン異性体)(0,
60g)を、テトラヒドロフラン(5瓢)中N、N−ジ
メチルホルムアミド(0,12或)および塩化ホスホリ
ル(0,133mQ )から調製したビルスマイヤー試
薬により活性化する。7−アミノ−3−(3−ビニル−
1,2,4−チアジアゾール−5−イル)チオメチル−
3−ヒフエム−4−カルボン#(0,45g)およびN
−トリメチルシリルアセトアミド(1,3g)のテトラ
ヒドロフラン(20m11 )溶液に、上記で製造した
活性化酸溶液を一25℃で加える。同温で1時間攪拌後
、混合物を氷水中に注ぐ、混合物を5%炭酸水素ナトリ
ウム水溶液でpH2,0にvR整し、酢酸エチルで抽出
する。有機層を分取し、5%塩化ナトリウム水fu液で
洗浄し、硫酸マグネシウムで乾燥して溶媒をMrE下に
留去する。残渣に水(3mM)とギ酸(10戒)との混
合物を加え、混合物を5〜10°Cで3時間攪拌する。
ギ酸を減圧下に留去し、残渣を2%炭酸水素ナトリウム
水溶液(15mM )に溶解する。
水溶液(15mM )に溶解する。
酢酸エチルで洗浄後、水石を10%塩酸で酸性にしてp
H3,2とし、テトラヒドロフラン(,20m12)と
酢酸エチル(ramρ)との混合物で抽出する。有機溝
を分取し、できるだけ少量の水で洗浄し、硫酸マグネ〉
ラムで乾燥して減圧濃縮する。残渣シジイソブロビルエ
ーテルで粉砕し、濾取、乾燥して、7−C2−ジフルオ
ロメトキシイミノ−2−(2−アミノチアゾール−4−
イル)アセトアミトコ−3−(3−ビニル−1,2,4
−チアジアゾール−5−イル)チオメチル−3−セフェ
ム−4−カルボン酸(シン異性体)(o、tsg)を得
る。
H3,2とし、テトラヒドロフラン(,20m12)と
酢酸エチル(ramρ)との混合物で抽出する。有機溝
を分取し、できるだけ少量の水で洗浄し、硫酸マグネ〉
ラムで乾燥して減圧濃縮する。残渣シジイソブロビルエ
ーテルで粉砕し、濾取、乾燥して、7−C2−ジフルオ
ロメトキシイミノ−2−(2−アミノチアゾール−4−
イル)アセトアミトコ−3−(3−ビニル−1,2,4
−チアジアゾール−5−イル)チオメチル−3−セフェ
ム−4−カルボン酸(シン異性体)(o、tsg)を得
る。
IR(ズブ3−ル) : 3250. 1770.
1672. 1628゜1532 am−1 NごR(DMSO−ds、 f; ) : 3.57.
3.84 (2H,AB(1゜J=18Hz)、 4.
30.4.67 (2)1.ABqJ=13.5Hz)
。
1672. 1628゜1532 am−1 NごR(DMSO−ds、 f; ) : 3.57.
3.84 (2H,AB(1゜J=18Hz)、 4.
30.4.67 (2)1.ABqJ=13.5Hz)
。
5.18 (IH,d、J=5)1z)、 5.7
8 CIH,dd、J=5Hz。
8 CIH,dd、J=5Hz。
8Hz>、 5.75 (LH,dd、に10.5
Hz、 2Hz)、 6.35(IH,dd、J=
2Hz、18Hz)、6.80 (ILdd。
Hz、 2Hz)、 6.35(IH,dd、J=
2Hz、18Hz)、6.80 (ILdd。
J=10.5)+z、 18)1z)、 6.98
(11(、s)、 7.08 (LH。
(11(、s)、 7.08 (LH。
し、J=66Hz)、9.89 (IH,d、J=8
)1z)実施例5 7−[2−メトキンイミノ−2−(2−ホルムアミドデ
アゾール−4−イル)アセトアミトコ〜3−(3−ビニ
ル−12,4−チアジアゾール−5−イル)チオメチル
−3−セフェム−4−カッしボン酸(シン異性体) (
0,65r; )のメタノール(25mM )中!!瀾
液に、濃塩酸(0,40mM )を加える。r捏合物を
常温で1時間攪拌し、この溶液を炭酸水素ナトリウムで
中和する。メタノールを減圧下に留去後、残渣を2%炭
酸水素ナトリウム水溶液に溶解する。水溶液を酢酸エチ
ルで151:浄し、次いで10%塩酸で水冷下に酸性に
してpH2,5とする。周温で1時間攪拌後、沈殿を濾
取、水洗、乾燥して、7−[2−メトキンイミノ−2−
(2〜アミノチアゾール−4−イル)アセトアミトコ〜
3−(3−ビニル−1,2,4−チアジアゾール−5−
イル)チオメチル−3−セフェム−4−カッしポンυ(
ノン異性体)+1.34g)を得る。
)1z)実施例5 7−[2−メトキンイミノ−2−(2−ホルムアミドデ
アゾール−4−イル)アセトアミトコ〜3−(3−ビニ
ル−12,4−チアジアゾール−5−イル)チオメチル
−3−セフェム−4−カッしボン酸(シン異性体) (
0,65r; )のメタノール(25mM )中!!瀾
液に、濃塩酸(0,40mM )を加える。r捏合物を
常温で1時間攪拌し、この溶液を炭酸水素ナトリウムで
中和する。メタノールを減圧下に留去後、残渣を2%炭
酸水素ナトリウム水溶液に溶解する。水溶液を酢酸エチ
ルで151:浄し、次いで10%塩酸で水冷下に酸性に
してpH2,5とする。周温で1時間攪拌後、沈殿を濾
取、水洗、乾燥して、7−[2−メトキンイミノ−2−
(2〜アミノチアゾール−4−イル)アセトアミトコ〜
3−(3−ビニル−1,2,4−チアジアゾール−5−
イル)チオメチル−3−セフェム−4−カッしポンυ(
ノン異性体)+1.34g)を得る。
IR(xジa−4) ’ 3300. 1775.
1663. 1620゜1530 am−’ NMR(DMSO−d 8 ) : 3.53.3.
80 (2H,ABq。
1663. 1620゜1530 am−’ NMR(DMSO−d 8 ) : 3.53.3.
80 (2H,ABq。
6゛
J=18)1z)、 3.83 (3H,s)、 4.
29.4.63 (2H。
29.4.63 (2H。
ABqJ=12.5Hz)、 5.12 (IH,d、
J=5Hz>、 5.80(1)1.dd、J=5Hz
、 8Hz)、 5.78 (LH,dd。
J=5Hz>、 5.80(1)1.dd、J=5Hz
、 8Hz)、 5.78 (LH,dd。
J=1(1,5Hz、 2H2)、 6.30 <LH
,dd、J=18Hz。
,dd、J=18Hz。
2)1z)、 6.72 (IH,s)、 6.77
(LH,dd、J=18Hz。
(LH,dd、J=18Hz。
10.5Hz)、 9.52 (LH,dj:8Hz)
K及更至 実施例5と同様にして下記化合物を得る。
K及更至 実施例5と同様にして下記化合物を得る。
(1)7−[2−メトキシイミノ〜2−(2−アミノチ
アゾール−4−イル)アセトアミド]−3−(3−ヒド
ロキシメチル−1,2,4−チアジアゾール−5−イル
)チオメチル−3−セフェム−4−カルボン酸(シン異
性体)。
アゾール−4−イル)アセトアミド]−3−(3−ヒド
ロキシメチル−1,2,4−チアジアゾール−5−イル
)チオメチル−3−セフェム−4−カルボン酸(シン異
性体)。
IR<xジ*−ル) : 3300 (ブO−t
’)、 1770. 1665(プ。−4・) 。
’)、 1770. 1665(プ。−4・) 。
−1
NMR<Dご5O−ds、6 ) 、3.51−3.7
8 (2H,ABq。
8 (2H,ABq。
J=18)1z)、 3.82 (3H,s)、
4.27. 4.56 <28゜ABq、J=12Hz
)、 4.60 (21(,9)、 5.H(I
H,d。
4.27. 4.56 <28゜ABq、J=12Hz
)、 4.60 (21(,9)、 5.H(I
H,d。
J=5Hz)、 5.76 (11(、dd、J=5
Hz、 81(z)、 6.71(1)1.s)、
7.15 (2H,ブロー)’ s)、 9
.53 (LH,d。
Hz、 81(z)、 6.71(1)1.s)、
7.15 (2H,ブロー)’ s)、 9
.53 (LH,d。
J=8H2)
(2)7−[2−メトキシイミノ−2−(2−アミノチ
アゾール−4−イル)アセトアミトコ−3−[3−((
EおよびZ)−3−ヒドロキシ−1−プロペニル)−1
,2,4−チアジアゾール−5−イルコチオメチル−3
−セフェム−4−カルボン酸(シン異性体)。
アゾール−4−イル)アセトアミトコ−3−[3−((
EおよびZ)−3−ヒドロキシ−1−プロペニル)−1
,2,4−チアジアゾール−5−イルコチオメチル−3
−セフェム−4−カルボン酸(シン異性体)。
IR(スジョール) ’ 1775. 1660.
1050 cm−1HMR(DMSO−ds、δ″
) : 3.56.3.79 <2H,AB(1゜に1
gHz)、 3.84 (3)1.s)、 4.1−4
.8 (41(、m)。
1050 cm−1HMR(DMSO−ds、δ″
) : 3.56.3.79 <2H,AB(1゜に1
gHz)、 3.84 (3)1.s)、 4.1−4
.8 (41(、m)。
5.17 (LH,d、J=5Hz)、 5.79 <
LH,dd、J=5Hz。
LH,dd、J=5Hz。
8Hz)、 6.0−7.1 (2H,m>、
6.76 (1)1.s)、 7.20(2)!、
s)、 9.58 (LH,d、J=8Hz)(3
)7−[2−メトキシイミノ−2−(2−アミノチアゾ
ール−4−イル)アセトアミド]−3−(3−メトキシ
メチル−1,2,4−チアジアゾール−5−イル)チオ
メチル−3−セフェム−4−カルボン酸(シン異性体)
。
6.76 (1)1.s)、 7.20(2)!、
s)、 9.58 (LH,d、J=8Hz)(3
)7−[2−メトキシイミノ−2−(2−アミノチアゾ
ール−4−イル)アセトアミド]−3−(3−メトキシ
メチル−1,2,4−チアジアゾール−5−イル)チオ
メチル−3−セフェム−4−カルボン酸(シン異性体)
。
IR(スジう−ル) : 1770. 1660.
1520 crn−’NMR(DMSO−d6.
l; ) : 3゜35 (3H,s)、 3.53.
3.76<2H,ABq、に18Hz)、 3.83
(3H,s)、 4.28゜4.56 (2H,ABq
、J=14Hz)、 4.56.(2H,s)、 5.
12(LH,d、J=5Hz>、 5.74 (LH,
dd、J=5Hz、 8Hz)。
1520 crn−’NMR(DMSO−d6.
l; ) : 3゜35 (3H,s)、 3.53.
3.76<2H,ABq、に18Hz)、 3.83
(3H,s)、 4.28゜4.56 (2H,ABq
、J=14Hz)、 4.56.(2H,s)、 5.
12(LH,d、J=5Hz>、 5.74 (LH,
dd、J=5Hz、 8Hz)。
6.71 (LH,s)、 7.13 (2H,
ブロード s)、 9.51(LH,d、J=8Hz) (4)7−[2−メトキシイミノ−2−(2−アミノチ
アゾール−4−イル)アセトアミトコ−3−(3−メチ
ルチオメチル−1,2,4−チアジアゾール−5−イル
)チオメチル−3−セフェム−4−カルボン酸ベンズヒ
ドリル(シン異性体)。
ブロード s)、 9.51(LH,d、J=8Hz) (4)7−[2−メトキシイミノ−2−(2−アミノチ
アゾール−4−イル)アセトアミトコ−3−(3−メチ
ルチオメチル−1,2,4−チアジアゾール−5−イル
)チオメチル−3−セフェム−4−カルボン酸ベンズヒ
ドリル(シン異性体)。
IR(アノ3−ル) ’ 1780. 1720.
1670. 1525 crn−’NMR(DMS
O−d6,8 ) ’ 2.10 (3H1s)、3−
30 (3H1s)、 3.66、 3.83 (
2H,ABq、J=18)1z)、 3.84(2H
,s)、 4.20. 4.46 <2)(、ABq
、J=14)1z)。
1670. 1525 crn−’NMR(DMS
O−d6,8 ) ’ 2.10 (3H1s)、3−
30 (3H1s)、 3.66、 3.83 (
2H,ABq、J=18)1z)、 3.84(2H
,s)、 4.20. 4.46 <2)(、ABq
、J=14)1z)。
5.20 (LH,d、J:5Hz)、 5.84
(LH’、dd、J=EiHz。
(LH’、dd、J=EiHz。
9Hz)、 6.73 (LH,s)、 6.95
(IH,s>、 7.36(10)(、m>、
9.56 (IH,d、J:9Hz)(5)7−(:
2−メトキシイミノ−2−(2−アミノデアゾール−4
−イル)アセトアミトコ−3−(5−エトキシカルボニ
ル− ゾール−2−イル)チオメチル−3−セフェム−4−カ
ルボン酸ベンズヒドリル(シン異性体)。
(IH,s>、 7.36(10)(、m>、
9.56 (IH,d、J:9Hz)(5)7−(:
2−メトキシイミノ−2−(2−アミノデアゾール−4
−イル)アセトアミトコ−3−(5−エトキシカルボニ
ル− ゾール−2−イル)チオメチル−3−セフェム−4−カ
ルボン酸ベンズヒドリル(シン異性体)。
IR (Xジa−ル) : 1775, 17
00, 1520 Ca11−’XX及ユ ニ−[2−ジフルオロメトキシイミノ−2−(2−トリ
チルアミノチアゾール−4−イル)アセトアミド]−3
−(3−ヒドロキシメチル−1、2.4−チアジアゾー
ル−5−イル)チオメチル−3〜セフェム−4−カルボ
ン酸(シン異性体)(0.95g,)、木(31)およ
びギ酸(10恨)の混合物を水冷下に3時間攪拌する。
00, 1520 Ca11−’XX及ユ ニ−[2−ジフルオロメトキシイミノ−2−(2−トリ
チルアミノチアゾール−4−イル)アセトアミド]−3
−(3−ヒドロキシメチル−1、2.4−チアジアゾー
ル−5−イル)チオメチル−3〜セフェム−4−カルボ
ン酸(シン異性体)(0.95g,)、木(31)およ
びギ酸(10恨)の混合物を水冷下に3時間攪拌する。
炭酸水前ナトリウムで中和後、混合物を水で希伏し、酢
酸二チメして3河洗浄する。水層を10%塩酸でpH4
. 5に調整し、大孔非イオン性吸着樹脂1ダイヤイオ
ン)IP−20,(商標二三菱化成社製)を使用するカ
ラムクロマトグラフィーに付す.カラムを水洗して30
%イソプロピルアルコール水溶液で溶出する。
酸二チメして3河洗浄する。水層を10%塩酸でpH4
. 5に調整し、大孔非イオン性吸着樹脂1ダイヤイオ
ン)IP−20,(商標二三菱化成社製)を使用するカ
ラムクロマトグラフィーに付す.カラムを水洗して30
%イソプロピルアルコール水溶液で溶出する。
目的化合物を含む両分をi!II結乾燥して、7−[2
−ノフルオロメトキシイミノ−2−( 2−アミノチア
ゾール−4−イル)アセトアミトコ−3−(3−ヒドロ
キシメチル−1.2.4−チアジアゾール−5−イル)
チオメチル−3−セフェム−4−カルボン酸ナトリウム
(シン異性体)(0.28g)を得る。
−ノフルオロメトキシイミノ−2−( 2−アミノチア
ゾール−4−イル)アセトアミトコ−3−(3−ヒドロ
キシメチル−1.2.4−チアジアゾール−5−イル)
チオメチル−3−セフェム−4−カルボン酸ナトリウム
(シン異性体)(0.28g)を得る。
IR (スジ1−ル) : 3250 (ブロ
ード)、 1775. 1672(ブロード)
Cm” NMR (DMSO−九,、5’ ) : 3.3Q,
3.63 (2H,ABQ。
ード)、 1775. 1672(ブロード)
Cm” NMR (DMSO−九,、5’ ) : 3.3Q,
3.63 (2H,ABQ。
J=18Hz>、 4.38. 4.69 (2H,A
Bq,J=12)1z)。
Bq,J=12)1z)。
4、57 (2H,s)、 5.03 (IH.d.J
=5Hz)、 5.60(1)1,dd.J=5)1z
. 8Hz)、 6.95 (IH,s)、 7.07
(l)1.t.J=72Hz)、 7.35 (2
H,ブロード’ s)、 9.85( IH. d
. J=8)1z ) 31.% イ列 8 実施例7と同様にして下記化合物を得る・7−[z−ジ
フルオロメトキノイミノ−2−(2−アミノチアゾール
−4−イル)アセトアミド]−3−(3−メトキンメチ
ル−12.4−チアジアゾール−5−イル)チオメチル
−3−セフェム−4−カルボン酸(シン異性体)。
=5Hz)、 5.60(1)1,dd.J=5)1z
. 8Hz)、 6.95 (IH,s)、 7.07
(l)1.t.J=72Hz)、 7.35 (2
H,ブロード’ s)、 9.85( IH. d
. J=8)1z ) 31.% イ列 8 実施例7と同様にして下記化合物を得る・7−[z−ジ
フルオロメトキノイミノ−2−(2−アミノチアゾール
−4−イル)アセトアミド]−3−(3−メトキンメチ
ル−12.4−チアジアゾール−5−イル)チオメチル
−3−セフェム−4−カルボン酸(シン異性体)。
IR (スノー−ル) : 1770. 16
70, L525 am−1HMR <oMso−
d6. 8 ) ’ 3.35 (3H.s)、3.
53,3.79(2H.ABq,J48Hz)、 4.
26. 4.58 (2H.ABq。
70, L525 am−1HMR <oMso−
d6. 8 ) ’ 3.35 (3H.s)、3.
53,3.79(2H.ABq,J48Hz)、 4.
26. 4.58 (2H.ABq。
J=14Hz)、 4.56 (2H.s)、 5.1
6 (LH.d。
6 (LH.d。
J:5Hz>、 5.78 (18,dd.J=5Hz
. 8)(z)、 6.96(18,s)、 7.07
(LH.t.J=71Hz)、 7.28 (28。
. 8)(z)、 6.96(18,s)、 7.07
(LH.t.J=71Hz)、 7.28 (28。
ブロード s)、 9.86 (LH,d,J=8
Hz)実′wi例9 7−[ 2−ジフルオロメトキシイミノ−2−(2−ト
リチルアミノチアゾール−4−イル)アセトアミド]−
3−[3−((EおよびZ)−3−ヒドロキン−1−プ
ロペニル)−1.2.4−チアノアゾール−5−イルコ
デ才メチル−3ーセフェム−4−カルボン酸(シン異性
体)(2,1g)、アニソール(2n+Q)および塩化
メチレン(61)の、2合物に、トリフルオロ酢酸(4
戚)を水冷攪拌下にカロえる。同温で2時間攪拌後、混
合物をジイソプロピルエーテル(50111Q )中に
注ぐ、生成する沈殿を濾取して酢酸エチル(somu
)と水(50mσ)との混合物に溶解する。有機層を分
取して炭酸水素ナトリウム水溶液によりpH7,2で抽
出する。酢酸エチルで2回洗浄後、水層をIN塩酸で酸
性にしてpH2,8にする。生成する沈殿を濾取、水洗
し、五酸化燐で減圧乾燥して、7−[2−ジフルオロメ
トキシイミノ−2−(2−アミノチアゾール−4−イル
)アセトアミトコ−3−[3−((EおよびZ)−3−
ヒドロキシ−1−プロペニル)−1,2゜4−チアジア
ゾール−5−イルコチオメチル− ン酸(シン異性体)を得る。
Hz)実′wi例9 7−[ 2−ジフルオロメトキシイミノ−2−(2−ト
リチルアミノチアゾール−4−イル)アセトアミド]−
3−[3−((EおよびZ)−3−ヒドロキン−1−プ
ロペニル)−1.2.4−チアノアゾール−5−イルコ
デ才メチル−3ーセフェム−4−カルボン酸(シン異性
体)(2,1g)、アニソール(2n+Q)および塩化
メチレン(61)の、2合物に、トリフルオロ酢酸(4
戚)を水冷攪拌下にカロえる。同温で2時間攪拌後、混
合物をジイソプロピルエーテル(50111Q )中に
注ぐ、生成する沈殿を濾取して酢酸エチル(somu
)と水(50mσ)との混合物に溶解する。有機層を分
取して炭酸水素ナトリウム水溶液によりpH7,2で抽
出する。酢酸エチルで2回洗浄後、水層をIN塩酸で酸
性にしてpH2,8にする。生成する沈殿を濾取、水洗
し、五酸化燐で減圧乾燥して、7−[2−ジフルオロメ
トキシイミノ−2−(2−アミノチアゾール−4−イル
)アセトアミトコ−3−[3−((EおよびZ)−3−
ヒドロキシ−1−プロペニル)−1,2゜4−チアジア
ゾール−5−イルコチオメチル− ン酸(シン異性体)を得る。
mp : 160°C(分解)
IR (スジ1−ル) : 1770, 16
80. 1530 am−1HMR (DMSO−
da−8) : 3.56. 3.83 (2H,AB
q。
80. 1530 am−1HMR (DMSO−
da−8) : 3.56. 3.83 (2H,AB
q。
J=18)(z)、 4.1−5.0 (4H,m)
、 5.20 (LH,d。
、 5.20 (LH,d。
J=5)1z)、 5.83 (LH.dd.J=5
Hz, 8Hz)、 6.1−7、0 (2H,
m)、 7.03 (IH.s)、 7.13 (
LH,t。
Hz, 8Hz)、 6.1−7、0 (2H,
m)、 7.03 (IH.s)、 7.13 (
LH,t。
J=72Hz)、 7.35 (2H,s)、 9
.96 (LH,d.J=8Hz>米ya <p+籾 実施例9と同様にして、7−[2−ジフルオロメトキシ
イミノ−2−(2−トリチルアミノチアゾール−4−イ
ル)アセトアミトコ−3−( 3−メチルチオメチル−
1.2.4−チアジアゾール−5−イル)チオメチル−
3−セフェム−4−カルボン酸ベンズヒドリル(シン異
性体)を処理することにより下記化合物を得る。
.96 (LH,d.J=8Hz>米ya <p+籾 実施例9と同様にして、7−[2−ジフルオロメトキシ
イミノ−2−(2−トリチルアミノチアゾール−4−イ
ル)アセトアミトコ−3−( 3−メチルチオメチル−
1.2.4−チアジアゾール−5−イル)チオメチル−
3−セフェム−4−カルボン酸ベンズヒドリル(シン異
性体)を処理することにより下記化合物を得る。
7−[2−ジフルオロメトキシイミノ−2=(2−アミ
ノチアゾール−4−イル)アセトアミド]−3−(3−
メチルチオメチル−1.2.4−チアジアゾール−5−
イル)チオメゾルー3−セフェム−4−力んボン酸(シ
ン異性体)。
ノチアゾール−4−イル)アセトアミド]−3−(3−
メチルチオメチル−1.2.4−チアジアゾール−5−
イル)チオメゾルー3−セフェム−4−力んボン酸(シ
ン異性体)。
IR (スジタール) : 1770, 16
75. 1520 am−’NMR (DMSO−
ds.S ) ’ 2.10 (3H.s)、 3.
56,3. 76(2H,ABq.J=18Hz)、
3.86 (2H,s)、 4.26。
75. 1520 am−’NMR (DMSO−
ds.S ) ’ 2.10 (3H.s)、 3.
56,3. 76(2H,ABq.J=18Hz)、
3.86 (2H,s)、 4.26。
4、56 (2H.ABq.J=14Hz)、 5
.17 (LH,d。
.17 (LH,d。
J=5Hz)、 5.71 (lH.dd.J:5
)(z, 9Hz)、 6.96(IH,s)、
7.08 (1)1,t.に71Hz>、 7.3
0 (2H。
)(z, 9Hz)、 6.96(IH,s)、
7.08 (1)1,t.に71Hz>、 7.3
0 (2H。
s)、 9.87 (IH.d.J=9)1z)実
施例11 実施例9と同様にして,7−[2−ジフルオロメトキシ
イミノ−2−(2−トリチルアミンチアゾール−4−イ
ル)アセトアミトコ−3−( 5−エトキ・ンカルポニ
ルー4−メチルチアゾール−−イル)チオメチル−3−
セフェム−4−カルボン酸ベンズヒドリル(シン異性体
)を処理することにより下記化合物を得る。
施例11 実施例9と同様にして,7−[2−ジフルオロメトキシ
イミノ−2−(2−トリチルアミンチアゾール−4−イ
ル)アセトアミトコ−3−( 5−エトキ・ンカルポニ
ルー4−メチルチアゾール−−イル)チオメチル−3−
セフェム−4−カルボン酸ベンズヒドリル(シン異性体
)を処理することにより下記化合物を得る。
7−[2−ジフルオロメトキシイミノ−2−(2−アミ
ノチアゾール−4−イル)アセトアミド]−3−[5−
エトキシカルボニル−4−メチルチアゾール−2−イル
)チオメチル−3−セフェム−4−カルボン酸(シン異
性体)。
ノチアゾール−4−イル)アセトアミド]−3−[5−
エトキシカルボニル−4−メチルチアゾール−2−イル
)チオメチル−3−セフェム−4−カルボン酸(シン異
性体)。
IR (スジ1−ル) : 1775. 16
80. 1530 cm−’NMR (DMSO
−d6. δ ) : 1.26 (3H.t
.J=7Hz>、 2.59(3H.s)、 3.2
0. 3.78 (2H.ABq.J=18Hz>。
80. 1530 cm−’NMR (DMSO
−d6. δ ) : 1.26 (3H.t
.J=7Hz>、 2.59(3H.s)、 3.2
0. 3.78 (2H.ABq.J=18Hz>。
4、26 (2H.q,JニアHz>、 4.1B,
4.63 <28.ABq。
4.63 <28.ABq。
J=14)tz)、 5.17 (IH.d.J:5)
1z)、 5.79 (IH。
1z)、 5.79 (IH。
ddJ=5Hz. 9Hz)、 7.00 (18,s
)、 7.10 (1)1。
)、 7.10 (1)1。
t.c70Hz)、 7.33 (2H.ブロード
s)、 9.92 (11(。
s)、 9.92 (11(。
d,J=9)1z)
実施例12
実施例9と同様にして、7−[2−メトキシイミノ−2
−(2−アミノチアゾール−4−イル)アセトアミトコ
−3−(3−メチルチオメチル−1、2.4−チアジア
ゾール−5−イル)チオメチル−3−セフェム−4−カ
ルボン酸ベンズヒドリル(シン異性体)を処理すること
により下記化合物を得る。
−(2−アミノチアゾール−4−イル)アセトアミトコ
−3−(3−メチルチオメチル−1、2.4−チアジア
ゾール−5−イル)チオメチル−3−セフェム−4−カ
ルボン酸ベンズヒドリル(シン異性体)を処理すること
により下記化合物を得る。
7−[2−メトキシイミノ−2−(2−アミノチアゾー
ル−4−イル)アセトアミトコ−3−(3−メチルチオ
メチル−1.2.4−チアジアゾール−5−イル)チオ
メチル−3−セフェム−4−カルボン酸(シン異性体)
。
ル−4−イル)アセトアミトコ−3−(3−メチルチオ
メチル−1.2.4−チアジアゾール−5−イル)チオ
メチル−3−セフェム−4−カルボン酸(シン異性体)
。
1R (ス九−ル) : 1770. 166
0. 1520 cmNMR (DMSO−d
8 ) : 2.10 (3H.s)、 3.56.
3.786゛ (2)!、ABq、J=18Hz)、 3.83 (
3H,s)、 3.86 (2H。
0. 1520 cmNMR (DMSO−d
8 ) : 2.10 (3H.s)、 3.56.
3.786゛ (2)!、ABq、J=18Hz)、 3.83 (
3H,s)、 3.86 (2H。
s)、 4.26. 4.56 (2H,ABq、J
=14Hz>、 5.13(IH,d、J=5Hz)
、 5.76 (IH,dd、J=5)1z、 9
Hz)。
=14Hz>、 5.13(IH,d、J=5Hz)
、 5.76 (IH,dd、J=5)1z、 9
Hz)。
6.73 (IH,s)、 7.18 (2H,
ブロード s)、 8.54(LH,d、J=9H2
) 実施例13 実施例9と同様にして、7−[2−メトキシイミノ−2
−(2−アミノチアゾール−4−イル)アセトアミトコ
−3−(5−エトキシカルボニル−4−メチルチアゾー
ル−2−イル)チオメチル−3−セフェム−4−カルボ
ン酸ベンズヒドリル(シン異性体)を処理することによ
り下記化合物を得る。
ブロード s)、 8.54(LH,d、J=9H2
) 実施例13 実施例9と同様にして、7−[2−メトキシイミノ−2
−(2−アミノチアゾール−4−イル)アセトアミトコ
−3−(5−エトキシカルボニル−4−メチルチアゾー
ル−2−イル)チオメチル−3−セフェム−4−カルボ
ン酸ベンズヒドリル(シン異性体)を処理することによ
り下記化合物を得る。
7−[2−メトキシイミノ−2−(2−アミノチアゾー
ル−4−イル)アセトアミトコ−3−(5−エトキシカ
ルボニル−4−メチルチアゾール−2−イル)チオメチ
ル−3−セフェム−4−カルボン酸(シン異性体)。
ル−4−イル)アセトアミトコ−3−(5−エトキシカ
ルボニル−4−メチルチアゾール−2−イル)チオメチ
ル−3−セフェム−4−カルボン酸(シン異性体)。
IR(スジ1−ル) ’ 1775. 1710.
1650. 1530 cm−INMR(DMSO
−ds−8> ’ 1.24 (3H1t、J=7)1
z)、2.58(3)1.s)、 3.51. 3.
73 (2M、ABq、J=18)1z)。
1650. 1530 cm−INMR(DMSO
−ds−8> ’ 1.24 (3H1t、J=7)1
z)、2.58(3)1.s)、 3.51. 3.
73 (2M、ABq、J=18)1z)。
4.25 (2H,q、J=7Hz>、 4.18.
4.61 <2H,ABq。
4.61 <2H,ABq。
J=14Hz)、 5.13 (LH,d、J=5H
z)、’ 5.76 (1)!。
z)、’ 5.76 (1)!。
dd、J:5Hz、 9Hz)、 6.73 (
IH,s)、 7.18 (2H。
IH,s)、 7.18 (2H。
ブロード s)、 9.54 (1)!、d、J=
9Hz)塞mll聾 7−[2−ジフルオロメトキシイミノ−2−(2−トリ
チルアミノチアゾール−4−イル)アセトアミド]−3
−クロロメチル−3−セフェム−4−カルボン酸ベンズ
ヒドリル(シン異性体)(7,01g)のアセトニトリ
ル(40m文)ン容l夜に、沃化ナトリウム(3,6g
)を室温で加える。30分間攪拌後、この溶液に5−メ
ルカプト−3−メチルチオメチル−1,2,4−チアジ
アゾール(2,86g)を加える。この溶液を室温で1
.5時間攪拌し、水と酢酸エチルとの混合物中に注ぐ。
9Hz)塞mll聾 7−[2−ジフルオロメトキシイミノ−2−(2−トリ
チルアミノチアゾール−4−イル)アセトアミド]−3
−クロロメチル−3−セフェム−4−カルボン酸ベンズ
ヒドリル(シン異性体)(7,01g)のアセトニトリ
ル(40m文)ン容l夜に、沃化ナトリウム(3,6g
)を室温で加える。30分間攪拌後、この溶液に5−メ
ルカプト−3−メチルチオメチル−1,2,4−チアジ
アゾール(2,86g)を加える。この溶液を室温で1
.5時間攪拌し、水と酢酸エチルとの混合物中に注ぐ。
酢酸エチル溶液を水洗して不溶物を除去し、次いで有機
溶媒溶液を硫酸マグネシウムで乾燥して減圧濃縮する。
溶媒溶液を硫酸マグネシウムで乾燥して減圧濃縮する。
残渣をシリカゲルを使用するカラムクロマトグラフィー
に付し、塩化メチレンと酢酸エチルとの混液(10:1
)で溶出して、7−[2−ジフルオロメトキシイミノ−
2−(2−トリチルアミノチアゾール−4−イル)アセ
トアミトコ−3−(3−メチルチオメチル−1,2,4
−チアジアゾール−5−イル)チオメチル−3−セフェ
ム−4−カルボン酸ベンズヒドリル(シン異性体)(4
,13g)を得る。
に付し、塩化メチレンと酢酸エチルとの混液(10:1
)で溶出して、7−[2−ジフルオロメトキシイミノ−
2−(2−トリチルアミノチアゾール−4−イル)アセ
トアミトコ−3−(3−メチルチオメチル−1,2,4
−チアジアゾール−5−イル)チオメチル−3−セフェ
ム−4−カルボン酸ベンズヒドリル(シン異性体)(4
,13g)を得る。
IR(スジ9−ル) : 1770. 1675.
1530 am−1HMR(DMSO−ds、8
) ’ 2. to (3H,s)、 3.66.3.
89(2H,ABq、J:18Hz)、 3.69 (
2H,s)、 4.20゜4.50 (28,ABq、
J:14Hz)、 5.20 (1)1.d。
1530 am−1HMR(DMSO−ds、8
) ’ 2. to (3H,s)、 3.66.3.
89(2H,ABq、J:18Hz)、 3.69 (
2H,s)、 4.20゜4.50 (28,ABq、
J:14Hz)、 5.20 (1)1.d。
J=5Hz)、 5.74 (LH,dd、J:5Hz
、 9Hz)、 6.92(LH,s)、 6.96
(IH,s)、 7.03 (L)I、t。
、 9Hz)、 6.92(LH,s)、 6.96
(IH,s)、 7.03 (L)I、t。
J=70Hz)、 8.89 (IH,s)、 9.8
6 (LH,d。
6 (LH,d。
J:9Hz)、 7.36 (25H,m>夫産!旦
実施例14と同様にして下記化合物を得る。
(1)7−[2−メトキシイミノ−2−(2−ホルムア
ミドチアゾール−4−イル)アセトアミド]−3−(3
−メチルチオメチル−1,2,4−チアジアゾール−5
−イル)チオメチル−3−セフェム−4−カルボン酸ベ
ンズヒドリル(シン異性体)。
ミドチアゾール−4−イル)アセトアミド]−3−(3
−メチルチオメチル−1,2,4−チアジアゾール−5
−イル)チオメチル−3−セフェム−4−カルボン酸ベ
ンズヒドリル(シン異性体)。
IR(スジ1−ル) : 1780. 1670.
1540 am−’NMR(DMSO−ds、8
) ’ 2−10 (3H1s)、 3.69
.3.92(2)1.ABq、J=18Hz)、 3
.83 (2)1.s)、 3.89 (3)(
。
1540 am−’NMR(DMSO−ds、8
) ’ 2−10 (3H1s)、 3.69
.3.92(2)1.ABq、J=18Hz)、 3
.83 (2)1.s)、 3.89 (3)(
。
s)、 4.20.4.46 (2H,ABq、J=1
4)1z)、 5.23(IH,d、J=5Hz)、
5.92 (IH,ddJ=5Hz、 9Hz)。
4)1z)、 5.23(IH,d、J=5Hz)、
5.92 (IH,ddJ=5Hz、 9Hz)。
6.97 (II(、s)、 7.36 (10
H,m>、 7.43 (1)1.s)。
H,m>、 7.43 (1)1.s)。
8.50 (1)1.s)、 9.68 (11
(、d、J=9)1z)(2)7−42−ジフルオロメ
トキシイミノ−2−(2−トリチルアミノチアゾール−
4−イル)アセトアミトコ−3−(5−エトキンカルボ
ニル−4−メチルチアゾール−2−イル)チオメチル−
3−廿フエムー4−カルボン酸ベンズヒドリル(シン異
性体)。
(、d、J=9)1z)(2)7−42−ジフルオロメ
トキシイミノ−2−(2−トリチルアミノチアゾール−
4−イル)アセトアミトコ−3−(5−エトキンカルボ
ニル−4−メチルチアゾール−2−イル)チオメチル−
3−廿フエムー4−カルボン酸ベンズヒドリル(シン異
性体)。
IR(スジヲール) ’ 1780. 1700.
1520 cm−1HMR(DMSO−da、8
) ’ 1.23 (3H1t、J=7Hz)
、 2.52(3H,s)、 3.49.3.76 (
2H,ABq、J=18Hz)。
1520 cm−1HMR(DMSO−da、8
) ’ 1.23 (3H1t、J=7Hz)
、 2.52(3H,s)、 3.49.3.76 (
2H,ABq、J=18Hz)。
4.20 <2H,q、J=7Hz>、 4.17.4
.45 (28,ABq。
.45 (28,ABq。
J=14Hz)、 5.17 (IH,d、J=5
Hz)、 5.71 (IH。
Hz)、 5.71 (IH。
dd、J=5)1z、 9Hz)、 6.89
(LH,s)、 6.94 (1)1゜s)、
7.00 (L)!、t、Jニア0Hz)、 7.
30 (25H,m)。
(LH,s)、 6.94 (1)1゜s)、
7.00 (L)!、t、Jニア0Hz)、 7.
30 (25H,m)。
8.86 (IH,s)、 9.81 (LH,
d、J=9Hz>(3)7−[2−メトキシイミノ−2
−(2−ホルムアミドチアゾール−4−イル)アセトア
ミド]−3−(5−エトキシカルボニル−4−メチルチ
アゾール−2−イル)チオメチル−3−セフェム−4−
カルボン酸ベンズヒドリル(シン異性体)。
d、J=9Hz>(3)7−[2−メトキシイミノ−2
−(2−ホルムアミドチアゾール−4−イル)アセトア
ミド]−3−(5−エトキシカルボニル−4−メチルチ
アゾール−2−イル)チオメチル−3−セフェム−4−
カルボン酸ベンズヒドリル(シン異性体)。
IR(スジョール) : 1785. 1700.
1540 am−1HMR(DMSOds、S )
’ 1.26 (3)1− t、J=7Hz>、2.
57(3H,s)、 3.73 (2H,d、J=2H
z)、 4.25 (2H,q。
1540 am−1HMR(DMSOds、S )
’ 1.26 (3)1− t、J=7Hz>、2.
57(3H,s)、 3.73 (2H,d、J=2H
z)、 4.25 (2H,q。
JニアHz>、 4.17.4.50 (2H,ABq
、J=14Hz)。
、J=14Hz)。
5.23 (IH,d、J=5)1z)、 5.92
(IH,dd、J=5)Tz。
(IH,dd、J=5)Tz。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1)式: ▲数式、化学式、表等があります▼ [式中、R^1はアミノ基または保護されたアミノ基、 R^2はハロゲン原子を有していてもよい低級アルキル
基、 R^3はカルボキシ基または保護されたカルボキシ基、 R^4は式: ▲数式、化学式、表等があります▼ {式中、R^5は低級アルケニル基、ヒドロキシ(低級
)アルケニル基、ヒドロキシ(低級)アルキル基、低級
アルコキシ(低級)アルキル基または低級アルキルチオ
(低級)アルキル基を意味する}で示される基または式
: ▲数式、化学式、表等があります▼ (式中、R^6は低級アルキル基、 R^7は保護されたカルボキシ基を意味する)で示され
る基を意味する]で示される新規セフェム化合物および
その塩。 2)式: ▲数式、化学式、表等があります▼ [式中、R^3はカルボキシ基または保護されたカルボ
キシ基、 R^4は式: ▲数式、化学式、表等があります▼ {式中、R^5は低級アルケニル基、ヒドロキシ(低級
)アルケニル基、ヒドロキシ(低級)アルキル基、低級
アルコキシ(低級)アルキル基または低級アルキルチオ
(低級)アルキル基を意味する}で示される基または式
: ▲数式、化学式、表等があります▼ (式中、R^6は低級アルキル基、 R^7は保護されたカルボキシ基を意味する)で示され
る基を意味する]で示される化合物およびその塩。 3)式: ▲数式、化学式、表等があります▼ [式中、R^5は低級アルケニル基、ヒドロキシ(低級
)アルケニル基、ヒドロキシ(低級)アルキル基、低級
アルコキシ(低級)アルキル基または低級アルキルチオ
(低級)アルキル基を意味する]で示される化合物およ
びその塩。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
GB8616002 | 1986-07-01 | ||
GB868616002A GB8616002D0 (en) | 1986-07-01 | 1986-07-01 | Cephem compounds |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP6177812A Division JP2518546B2 (ja) | 1986-07-01 | 1994-07-29 | 新規セフェム化合物 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6322094A true JPS6322094A (ja) | 1988-01-29 |
JPH0713073B2 JPH0713073B2 (ja) | 1995-02-15 |
Family
ID=10600345
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP62154140A Expired - Lifetime JPH0713073B2 (ja) | 1986-07-01 | 1987-06-19 | 新規セフェム化合物 |
JP6177812A Expired - Lifetime JP2518546B2 (ja) | 1986-07-01 | 1994-07-29 | 新規セフェム化合物 |
Family Applications After (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP6177812A Expired - Lifetime JP2518546B2 (ja) | 1986-07-01 | 1994-07-29 | 新規セフェム化合物 |
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Country | Link |
---|---|
JP (2) | JPH0713073B2 (ja) |
GB (1) | GB8616002D0 (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO1999020631A1 (fr) * | 1997-10-17 | 1999-04-29 | Otsuka Kagaku Kabushiki Kaisha | Procede de production de composes de 3 cephems |
WO2005007636A1 (de) * | 2003-07-16 | 2005-01-27 | Skw Stickstoffwerke Piesteritz Gmbh | 1,2,4- thiadiazol-5-thioverbindungen und deren derivate, verfahren zu ihrer herstellung und ihre verwendung als urease- und nitrifikationsinhibitoren |
-
1986
- 1986-07-01 GB GB868616002A patent/GB8616002D0/en active Pending
-
1987
- 1987-06-19 JP JP62154140A patent/JPH0713073B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1994
- 1994-07-29 JP JP6177812A patent/JP2518546B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO1999020631A1 (fr) * | 1997-10-17 | 1999-04-29 | Otsuka Kagaku Kabushiki Kaisha | Procede de production de composes de 3 cephems |
US6448393B1 (en) | 1997-10-17 | 2002-09-10 | Otsuka Kagaku Kabushiki Kaisha | Process for producing 3-cephem compounds |
KR100420739B1 (ko) * | 1997-10-17 | 2004-03-02 | 오쯔까 가가꾸 가부시키가이샤 | 3-세펨 화합물의 제조방법 |
WO2005007636A1 (de) * | 2003-07-16 | 2005-01-27 | Skw Stickstoffwerke Piesteritz Gmbh | 1,2,4- thiadiazol-5-thioverbindungen und deren derivate, verfahren zu ihrer herstellung und ihre verwendung als urease- und nitrifikationsinhibitoren |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
GB8616002D0 (en) | 1986-08-06 |
JP2518546B2 (ja) | 1996-07-24 |
JPH0713073B2 (ja) | 1995-02-15 |
JPH07165766A (ja) | 1995-06-27 |
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