JPS6321831A - Pattern forming method - Google Patents
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- JPS6321831A JPS6321831A JP16696886A JP16696886A JPS6321831A JP S6321831 A JPS6321831 A JP S6321831A JP 16696886 A JP16696886 A JP 16696886A JP 16696886 A JP16696886 A JP 16696886A JP S6321831 A JPS6321831 A JP S6321831A
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 17
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims abstract description 34
- 239000010408 film Substances 0.000 claims abstract description 31
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 8
- 238000005530 etching Methods 0.000 abstract description 16
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 abstract description 5
- 239000011368 organic material Substances 0.000 abstract description 3
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 10
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 description 3
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 description 3
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 2
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 2
- XPDWGBQVDMORPB-UHFFFAOYSA-N Fluoroform Chemical compound FC(F)F XPDWGBQVDMORPB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NTIZESTWPVYFNL-UHFFFAOYSA-N Methyl isobutyl ketone Chemical compound CC(C)CC(C)=O NTIZESTWPVYFNL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UIHCLUNTQKBZGK-UHFFFAOYSA-N Methyl isobutyl ketone Natural products CCC(C)C(C)=O UIHCLUNTQKBZGK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 229920003986 novolac Polymers 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 230000008961 swelling Effects 0.000 description 1
Abstract
Description
【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は微細パターン形成方法に関するものである。[Detailed description of the invention] Industrial applications The present invention relates to a method for forming fine patterns.
従来の技術
半導体素子の高集債化が進むにつれて、リソグラフィ工
程の微細化、高精度化が要求される。最近、これらの要
求を実現する技術として、三層レジスト工程が使われ始
めている。第３図ａ−ｄは、この三層レジスト工程をあ
られす工程順断面図を示す。三層レジスト工程では、第
３図ａに示すように、基板１上に、有機物薄膜２．塗布
酸化膜４．レジスト３を形成する。次に、第３図すに示
すように、レジスト３に露光、現像を行うことにより、
レジスト３に開口部６を形成する。さらに、第３図Ｃに
示すように、レジスト３をマスクとして、塗布酸化膜４
をエツチングすることにより、塗布酸化膜４にレジスト
３の開口部６と同形の開ロアを形成する。最後に、塗布
酸化膜４をマスクとして、有機物薄膜２をエツチングす
ることにより、第３図ｄのように、所望の有機物薄膜２
に開ロバターン８を形成することができる。BACKGROUND OF THE INVENTION As semiconductor devices become more and more expensive, miniaturization and higher precision lithography processes are required. Recently, a three-layer resist process has begun to be used as a technology to meet these requirements. FIGS. 3a-3d show step-by-step cross-sectional views showing this three-layer resist process. In the three-layer resist process, as shown in FIG. 3a, an organic thin film 2. Coated oxide film 4. A resist 3 is formed. Next, as shown in Figure 3, by exposing and developing the resist 3,
An opening 6 is formed in the resist 3. Furthermore, as shown in FIG. 3C, using the resist 3 as a mask, the coated oxide film 4 is
By etching, an open lower portion having the same shape as the opening 6 of the resist 3 is formed in the applied oxide film 4. Finally, by etching the organic thin film 2 using the coated oxide film 4 as a mask, a desired organic thin film 2 is formed as shown in FIG.
An open pattern 8 can be formed in the opening.
発明が解決しようとする問題点
以上に述べた従来の三層レジスト工程では、レジストパ
ターン８をマスクとして、塗布酸化膜４をエツチングし
て、塗布酸化膜４に開ロアを形成するにあたって、以下
の問題点がある。第１は、エツチングの際に生じるパタ
ーン変換誤差である。第２はレジスト３に耐ドライエツ
チ性が要求され、使用できるレジストの種類が限定され
ることである。第３は、エツチングのマスクとなるよう
に、レジストを厚く塗布する必要があるので、解像度が
制限されることである。第４は、ネガ形レジストを用い
る場合、レジストの膨潤によって、第４図に示すように
、ネガ形レジスト５３゛の開口部６の中に、ブリッジ５
が残留するために、微細なセパレーションを形成するこ
とが難しいことである。Problems to be Solved by the Invention In the conventional three-layer resist process described above, the coated oxide film 4 is etched using the resist pattern 8 as a mask to form an open lower layer in the coated oxide film 4, as follows. There is a problem. The first is a pattern conversion error that occurs during etching. Second, the resist 3 is required to have dry etch resistance, which limits the types of resist that can be used. Third, the resolution is limited because it is necessary to apply a thick resist to serve as an etching mask. Fourthly, when a negative resist is used, the swelling of the resist causes the bridge 5 to form in the opening 6 of the negative resist 53, as shown in FIG.
remains, making it difficult to form fine separations.
問題点を解決するための手段 本発明は以上の問題点を解決するものである。Means to solve problems The present invention solves the above problems.
すなわち、本発明は、基板上に第１の薄膜、およびレジ
スト膜を順次形成したのち、前記レジスト膜の所定部を
露光、現像して、同レジスト膜に所定開口部を形成した
後、これらの全面に、第２の薄膜を形成し、ついで、前
記第２の薄膜を前記レジスト膜の開口部に残して、他を
除去し、次に、前記第２の薄膜をマスクとして前記第１
の薄膜を選択的に除去する工程をそなえたパターン形成
方法である。That is, the present invention sequentially forms a first thin film and a resist film on a substrate, and then exposes and develops a predetermined portion of the resist film to form a predetermined opening in the resist film. A second thin film is formed on the entire surface, the second thin film is left in the opening of the resist film and the rest is removed, and then the second thin film is used as a mask to cover the first resist film.
This is a pattern forming method that includes a step of selectively removing a thin film.
作用
本発明を用いることにより、従来の三層レジスト工程で
生じた問題点を解決することができる。Function: By using the present invention, the problems encountered in the conventional three-layer resist process can be solved.
第１は、パターン変換誤差をなくすこ七ができることで
ある。第２は耐ドライエツチ性の低いレジストを使用で
きることである。第３はレジストを薄くできるので解像
度が向上することである。第４はネガ形レジストにおい
てブリッジが発生したとしても、それは最終的に形成さ
れるパターンに影響せず、ネガ形レジストを用いた場合
でも微細なパターンを形成できることである。The first is that pattern conversion errors can be eliminated. Second, a resist with low dry etch resistance can be used. Third, since the resist can be made thinner, the resolution can be improved. Fourth, even if a bridge occurs in a negative resist, it does not affect the pattern that is finally formed, and a fine pattern can be formed even when a negative resist is used.
実施例
第１図ａ −ｄの工程順断面図により、本発明実施例を
、以下に概略的に述べる。第１図ａに示すように、基板
１上に有機物による第１薄膜２を形成し、さらにその上
にレジスト３を塗布し、露光、現像により、このレジス
ト３に、開口部を有する所定パターンを形成する。ここ
で、レジスト３の厚さは０．２〜０．４μｍでよい。次
に、第１図すに示すように、第２の薄膜４を塗布により
形成する。この第２の薄膜４は、１μｍ以上の厚さで塗
布することにより、その表面をほぼ平坦にすることがで
きる。次に、レジスト３の表面が露出するまで、第２の
４膜４のエツチングを行う。この工程により、第１図Ｃ
に示すように、第２の薄膜４のパターンを、レジスト３
の開口部に埋め込んだ形状で得ることができる。最後に
、この第２の薄膜４をマスクとして、第１の薄膜２をエ
ツチングすることにより、第１の薄膜２を第２の薄膜４
と同形のパターンで得ることができる。Embodiment Embodiments of the present invention will be schematically described below with reference to step-by-step sectional views shown in FIGS. 1a to 1d. As shown in FIG. 1a, a first thin film 2 made of an organic material is formed on a substrate 1, a resist 3 is applied thereon, and a predetermined pattern having openings is formed in this resist 3 by exposure and development. Form. Here, the thickness of the resist 3 may be 0.2 to 0.4 μm. Next, as shown in FIG. 1, a second thin film 4 is formed by coating. By applying the second thin film 4 to a thickness of 1 μm or more, the surface can be made substantially flat. Next, the second four films 4 are etched until the surface of the resist 3 is exposed. Through this process, Figure 1C
As shown in FIG.
It can be obtained in the form of being embedded in the opening of. Finally, by etching the first thin film 2 using this second thin film 4 as a mask, the first thin film 2 becomes the second thin film 4.
It can be obtained with a pattern of the same shape as .
本発明においては、従来の三層レジスト法で問題になっ
たネガ形レジストのブリッジも、最終的なパターンには
全（影響しない。第２図ａ〜Ｃの工程順断面図により、
その理由を説明する。まず、第２図ａのように、基板１
上に有機物による第１の薄膜２、ついでネガ形レジスト
により、所定の開口部を有するレジストパターン３を作
る。In the present invention, bridges in the negative resist, which were a problem in the conventional three-layer resist method, do not affect the final pattern.
Let me explain the reason. First, as shown in Figure 2a, the substrate 1
A first thin film 2 made of an organic material is formed thereon, and then a resist pattern 3 having predetermined openings is formed using a negative resist.
このとき、開口部の底に、ブリッジ５が発生したとして
も、この上に第２の薄膜４を塗布するこ七により、その
開口部が埋まる。そして、第２の薄膜４をエツチング後
には、第２図すに示すように、開口部を第２の薄膜４で
埋め込んだ断面形状となる。最後に、０２ガスを用いて
第１の薄膜２をエツチングするときは、ブリッジ５は、
エツチングにより除去される部分ではなく、マスクとな
る部分になる。したがって、第２図Ｃに示すように、ブ
リッジ５が生じても、最終的に形成される第１の薄膜２
のパターンには問題が生じない。At this time, even if a bridge 5 occurs at the bottom of the opening, the opening is filled by coating the second thin film 4 thereon. After etching the second thin film 4, the cross-sectional shape is such that the opening is filled with the second thin film 4, as shown in FIG. Finally, when etching the first thin film 2 using 02 gas, the bridge 5 is
This is not the part that will be removed by etching, but the part that will become a mask. Therefore, as shown in FIG. 2C, even if a bridge 5 occurs, the first thin film 2 that is finally formed
There is no problem with this pattern.
本発明の実施例を以下により詳細に説明する。Embodiments of the invention are described in more detail below.
基板１にシリコン基板を用い、この上に第１の薄膜２と
して、東京応化製ノボラックホトレジスト０ＦＰＲ８０
０を２μｍの厚さで塗布し、温度２５０°Ｃで３０分間
の熱処理を行う。その上に、レジスト３として、電子ビ
ームレジストＰＭＭＡ（ポリメチルメタクリレート）を
０．４μｍの厚さで塗布し、温度１７０℃で３０分間の
プリベークを行う。A silicon substrate is used as the substrate 1, and a novolak photoresist 0FPR80 manufactured by Tokyo Ohka Co., Ltd. is applied thereon as the first thin film 2.
0 to a thickness of 2 μm and heat-treated at a temperature of 250° C. for 30 minutes. Thereon, an electron beam resist PMMA (polymethyl methacrylate) is applied as a resist 3 to a thickness of 0.4 μm, and prebaked at a temperature of 170° C. for 30 minutes.
電子ビーム露光装置を用いて、露光量６４μｍ ／ ｃ
！で所定パターンを描画する。Ｍ Ｔ Ｂ Ｋ （メチ
ルイソブチルケトン）溶液を用いて１分間現像すること
により、第１図ａに示すようにパターンが形成される５
次に、第２の薄膜４として、東京応化製ＯＣＤを１μｍ
の厚さくレジスト３の開口部分）で塗布することにより
、第１図すに示すように、金属元素を含む有機物からの
生成酸化膜、いわゆる、塗布酸化膜を形成する。さらに
、反応性イオンエツチング装置を用い、ＲＦ電力密度０
、２ Ｗ ／ Ｃｎｔ 。Exposure amount 64μm/c using electron beam exposure equipment
! to draw a predetermined pattern. By developing with MTBK (methyl isobutyl ketone) solution for 1 minute, a pattern is formed as shown in Figure 1a.5
Next, as the second thin film 4, OCD manufactured by Tokyo Ohka Co., Ltd. was coated with a thickness of 1 μm.
As shown in FIG. 1, an oxide film formed from an organic substance containing a metal element, a so-called coated oxide film, is formed. Furthermore, using a reactive ion etching device, the RF power density was 0.
, 2 W/Cnt.
圧力ｉ ５ ＱｍＴｏｒｒでＣＨＦ３ガスを用いてエツ
チングを行う。このときの塗布酸化膜のエツチング速度
は０．１μＩＩｌ／ ｍ ｉ ｒ＋である。約６分のエ
ツチングを行い、第１図Ｃに示すように、ＰＭＭＡレジ
ストパターン３の最上部を露出させる。このときエツチ
ング時間は、オーバーエツチングにしておけば、厳密な
制御は不必要である。その理由は、少々オーバーエツチ
ングしても、塗布酸化膜のパターン幅はほとんど変化し
ないからである。最後に、反応性イオンエツチング装置
を用い、ＲＦ電力密度０ 、２ Ｗ ／ ｃ！ 、圧力
Ｉ ＱｍＴｏｒｒの条件で０２ガスによりエツチングを
行い、０ＦＰＲ８００にパターンを形成する。このとき
、０ＦＰＲ８００のエツチング速度は、０．１μｍ ／
ｔｎ ｉ ｎであり、塗布酸化膜に対するエツチング
速度比は３０倍以上である。Etching is carried out using CHF3 gas at a pressure of i 5 QmTorr. The etching rate of the applied oxide film at this time was 0.1 μII/m i r+. Etching is performed for about 6 minutes to expose the top of the PMMA resist pattern 3, as shown in FIG. 1C. At this time, if the etching time is set to overetch, strict control is not necessary. The reason for this is that even if slightly overetched, the pattern width of the applied oxide film hardly changes. Finally, using a reactive ion etching device, the RF power density was 0,2 W/c! , and a pressure of IQmTorr using 02 gas to form a pattern on the 0FPR800. At this time, the etching rate of 0FPR800 is 0.1 μm/
tn in , and the etching rate ratio to the applied oxide film is 30 times or more.
発明の効果
本発明を用いることにより、以下に述べる効果が生じる
。第１に、従来の三層レジスト工程において生じた、レ
ジストパターンをマスクとして塗布酸化膜をエツチング
する際におきろパターン変換誤差をなくすことができる
ので、パターン精度が向上する。第２は、バターニング
を行うレジストとして耐ドライエツチ性の低いレジスト
を使用することができるので、レジストに対する制限が
緩和される。第３は、バターニングを行うレジストの膜
厚を薄くすることができるので解像度が向上する。第４
は、ネガ形レジストにおけるブリッジが最終的なパター
ンに影響しないので、ネガ形レジストを用いた場合でも
微細なパターンを形成することができる。Effects of the Invention By using the present invention, the following effects are produced. First, it is possible to eliminate blank pattern conversion errors that occur in the conventional three-layer resist process when etching a coated oxide film using a resist pattern as a mask, thereby improving pattern accuracy. Second, since a resist with low dry etch resistance can be used as the resist for patterning, restrictions on the resist are relaxed. Thirdly, the resolution can be improved because the thickness of the resist that is patterned can be made thinner. Fourth
Since bridges in the negative resist do not affect the final pattern, fine patterns can be formed even when using the negative resist.
第１図ａ−ｄは本発明実施例の三層レジスト工程による
パターン形成方法を説明する工程順断面図、第２図ａ−
Ｃは、本発明実施例のネガ形レジストによるパターン形
成方法を説明する工程順断・ 面図、第３図ａ−ｄお
よび第４図は従来例を示す工程順断面図である。
１・・・・・・基板、２・・・・・・第１の薄膜、３，
３′・・・・・・レジストパターン、４・・・・・・第
２の薄膜、５・・・・・・ブリッジ。
代理人の氏名 弁理士 中尾敏男 ほか１名第 １１
３レジ′スト（・ぐグー
ン）嘉 ２ 図
フソツシ
第 ３ 図1A to 1D are step-by-step cross-sectional views illustrating a pattern forming method using a three-layer resist process according to an embodiment of the present invention, and FIGS.
C is a step-by-step cross-sectional view illustrating a pattern forming method using a negative resist according to an embodiment of the present invention, and FIGS. 3A to 3D and 4 are step-by-step cross-sectional views showing a conventional example. 1...Substrate, 2...First thin film, 3,
3'...Resist pattern, 4...Second thin film, 5...Bridge. Name of agent: Patent attorney Toshio Nakao and 1 other person No. 11
3. Registration (・gugun)ka 2. Figure 3.
Claims (1)
のち、前記レジスト膜の所定部を露光、現像して、同レ
ジスト膜に所定開口部を形成した後、これらの全面に、
第２の薄膜を形成し、ついで、前記第２の薄膜を、前記
レジスト膜の開口部に残して、他を除去し、次に、前記
第２の薄膜をマスクとして前記第１の薄膜を選択的に除
去する工程をそなえたパターン形成方法。After sequentially forming a first thin film and a resist film on a substrate, a predetermined portion of the resist film is exposed and developed to form a predetermined opening in the resist film, and then a predetermined opening is formed in the resist film.
forming a second thin film; then, leaving the second thin film in the opening of the resist film and removing the others; then, using the second thin film as a mask, select the first thin film A pattern forming method that includes a process of selectively removing the pattern.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61166968A JPH0821574B2 (en) | 1986-07-16 | 1986-07-16 | Pattern forming method |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61166968A JPH0821574B2 (en) | 1986-07-16 | 1986-07-16 | Pattern forming method |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6321831A true JPS6321831A (en) | 1988-01-29 |
| JPH0821574B2 JPH0821574B2 (en) | 1996-03-04 |
Family
ID=15840957
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61166968A Expired - Lifetime JPH0821574B2 (en) | 1986-07-16 | 1986-07-16 | Pattern forming method |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0821574B2 (en) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01283887A (en) * | 1988-05-11 | 1989-11-15 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Forming method for pattern of oxide superconductor |
| JP2007287951A (en) * | 2006-04-18 | 2007-11-01 | Canon Inc | Substrate processing method, and production method of member having pattern region |
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| JPS59103337A (en) * | 1982-12-03 | 1984-06-14 | Fujitsu Ltd | Pattern formation |
| JPS59145528A (en) * | 1983-02-09 | 1984-08-21 | Matsushita Electronics Corp | Pattern forming method |
| JPS59197138A (en) * | 1983-04-25 | 1984-11-08 | Fujitsu Ltd | Forming method of pattern |
-
1986
- 1986-07-16 JP JP61166968A patent/JPH0821574B2/en not_active Expired - Lifetime
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| JPS59103337A (en) * | 1982-12-03 | 1984-06-14 | Fujitsu Ltd | Pattern formation |
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0821574B2 (en) | 1996-03-04 |
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