JPS63216826A - １，１―ジフルオロエチレン誘導体の製造法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は１，１−ジフルオロエチレン誘導体及び弗化ア
シル誘導体の新規な製造法に関するものである。

これまで一般式（１）で表わされる１、１−ジフルオロ
エチレン誘導体の類縁体を製造する方法としては、グリ
ニヤール試薬を用いる方法（Ｊ、　ｌ’ｌｕｏｒｉｎｅ
Ｃｈｅｍ、、３，２４７（１９７３／７４）、５ｙｎｔ
ｈｅｓｉｓ。

１９７５．１２２）や亜鉛を化学量論量以上用いる方法
（Ｔｅｔｒａｂｅｄｒｏｎ　Ｌｅｔｔ、、　２ヱ、　３
６５５　（１９８６））等が刈られている。しかしなが
ら前者の方法では反応条件が非常に厳しくまた反応試剤
の取シ扱いに注意を要する。ｔた後者の方法では重金属
を化学量論量以上必要とするため公害上大きな問題を包
含しており、工業的規模で実施するには問題がある。

また一般式 で表わされる１、１−ジフルオロエチレン誘導体から一
般式 で表わされる弗化アシル誘導体を合成した例はない。

発明の目的 本発明の目的は上記従来法の如き難点がなく、安全かつ
簡便な操作でカルビノール誘導体から１．１−０フルオ
ロ工チレン誘導体を製造する方法、さらにこの１，１−
ジフルオロエチレン誘導体を原料として弗化アシル誘導
体を製造する新規な方法を提供することにある。

発明の内容 本発明は一般式 〔式中Ｒは水素、　Ｃ１−Ｃ２０の直鎖或いは分岐のア
ルキル基、Ｃ３〜Ｃ１６の脂環式基、Ｃ１〜ＣＺＯの側
鎖を少なくとも１つ有するＣ３．ＣＩ、の脂環式基、ｃ
、ｃ２ｏの直鎖或いは分岐の不飽和炭化水素基、アリー
ル基、複素環基、アラルキル基又は了り−ルオキシ基を
示し、同一でありても異なりていてもよく、炭素鎖又は
へテロ原子を含む炭素鎖で環を形成してもよい。さらに
これらは置換基を有していても良い、置換基としては水
酸基、保護された水酸基、アシル基、アシルオキシ基、
ハロゲン、Ｃｌ−、Ｃ、の直鎖或いは分岐のアルキル基
、Ｃ２−、Ｃ６の直鎖或いは分岐の不飽和炭化水素基、
アラルキル基、アミノ基、　ｃｌ、Ｃ５の直鎖或いは分
岐のアルキル基で置換されたアミノ基、保護されたアミ
ン基、ニトロ基、保護されたチオール基、カルボキシル
基、保護されたカルボキシル基、ホルミル基、保護され
たホルミル基、スルホン酸基、保護されたスルホン酸基
、シアノ基であり、当該置換基の数は１〜５であシ、と
れらは同一でありても異なつていてもよい、〕で表わさ
れるカルビノール誘導体を極性溶媒中、鉛よりイオン化
傾向の大きい金属の存在下鉛化合物と反応させ、一般式
〔式中Ｒは前記と同意義。〕で表わされる１、１−ジフ
ルオロエチレン誘導体を製造する方法及び当該１，１−
ジフルオロエチレン誘導体ｔａ性溶媒中で反応させ、一
般式 〔式中Ｒは前記と同意義、〕で表わされる弗化ｆアシル
誘導体を製造する方法である。

本発明で得られる一般式ｔｌｌ）で表わされる１、ｌ−
ジフルオロエチレン誘導体及び一般式＠）で表わされる
弗化アシル訪導体は、弗素原子を含む反応性の高いオレ
フィンであり、医薬、農薬等を合成するための中間体と
して非常に重要な化合物である。

本発明者らは上記一般式（１）で表わされるカルビノー
ル誘導体の還元を鋭意検討した結果、鉛化合物と鉛よシ
もイオン化傾向の大きい金属を用いる独特の反応系で鉛
が優れた還元剤として拗くことを見出し、本発明を完成
するに至りた。即ち、本発明によれば一般式（ＩＩ）で
表わされる１、１−ジフルオロエチレン誘導体は一般式
（１）で表わされるカルビノール誘導体を極性溶媒中、
鉛よりもイオン化傾向の大きい金属の存在下で触媒量の
鉛化合物と反応させることによシ副生物を伴うことなく
高収率でかつ簡便な操作で製造される。また一般式（Ｉ
ＩＤで表わされる弗化アシル誘導体はその１，１−ジフ
ルオロエチレン誘導体全酸性溶媒中で反応させることに
よシ副生物を伴うことなく高収率でかつ簡便な操作で製
造される。ｔたその弗化アシル誘導体を水、アルコール
類、アミン類等の求核剤と反応させることによ）アクリ
ル酸、アクリル酸エステル、アクリルアミド等を合成す
ることができる。

本発明においてＲは水素、Ｃ１−Ｃ２ｏの直鎖或いは分
岐のアルキル基、Ｃ３−Ｃ１，の脂環式基、Ｃ１〜Ｃ２
０の側鎖を少なくとも１つ有するＣ３〜Ｃ１６の脂環式
基、Ｃ２，、Ｃ２Ｏの直鎖或いは分岐の不飽和炭化水゛
素基、アリール基、複素環基、アラルキル基又はアリー
ルオキシ基を示し、同一であっても異なっていてもよく
、炭素鎖又はへテロ原子を含む炭素鎖で環を形成しても
よい、さらにこれらは置換基な有していても良い。

Ｃ１＜２ｏの直鎖或いは分岐のアルキル基の具体例とし
ては、メチル、エチル、プロピル、イソプロピル、ブチ
ル、イソブチル、ｔ−ブチル、アミル、イソアミル、ヘ
キシル、オクチル、デシル、ドデシル基等を挙げること
ができる。

Ｃ、−０、６の脂環式基の具体例としては、シクロフグ
ピル、シクロブチル、シクロペンチル、シクロヘキシル
、シクロオクチル、シフロチシル、シクロブテニル、シ
クロペンテニル、シクロヘキセニル、シクロオクテニル
、シクロオクタジェニル基等を挙げることができる。

ｃ、、Ｃ２，側鎖を少なくとも１つ有するＣ３〜−６の
脂環式基の具体例としては、１−メチルシフ党プ四♂ル
、２，２−ジメチルシクロプロピル、３−メチルシクａ
ゾチル、ｌ−メチルシクロペンチル、３−エチルシクロ
インチル、３−ｔ−’チルシクａ＜メチル、４−イソプ
ロピルシクロヘキシル、４−ｔ−ブチルシクロヘキシル
基等を挙げることができる。

Ｃ２，Ｃ２Ｏの直鎖或いは分岐の不飽和炭化水素基の具
体例としては、ビニル、エチニル、１−プロイニル、２
−メチル−１−７’ロイニル、フローエル、３−エチニ
ル、フチニル、ペンテニル、ペンタジェニル、ペンチニ
ル、ヘキセニル、ヘキシニル、ヘプテニル、ヘプテニル
、オクテニル、オクテニル。９−ｆセニル、フレニル、
ケラニル基等金挙げることができる。

アリール基としてはフェニル基又は多核芳香族炭化水素
基であり、多核芳香族炭化水素基の具体例としてはα−
ナフチル、β−す７チル、アンドラニル、ピレニル基等
を挙げることができる。

複素環基としては酸素、窒素、硫黄原子等を含む環状基
を挙げることができ、その具体例としてはテトラヒドロ
フリル、フリル、テトラヒドロピラニル、ピラニル、ピ
ロリル、ピはリジニル、ピリジル、オキサシリル、モル
ホリニル、テトラヒト四チェニル、チェニル、チアジア
ゾリル、トリアゾリル、チアゾリル、トリアゾリル、テ
トラゾリル基等を挙げることができる。

アラルキル基の具体例としてはベンジル、フェネチル、
フェニルブチル、ジフェニルメチル、トリフェニルメチ
ル、ナフチルメチル、ナフチルエチル基等を挙げること
ができる。

アリールオキシ基の具体例としてはフェノキシ、α−す
７チルオキシ、β−ナフチルオキシ、アントラニルオキ
シ、ピレニルオキシ基等を挙げることができる。

また炭素鎖又はへテロ原子を含む炭素鎖で環を形成する
場合（−（ＣＨ２）ｋ−）　（ｋは２〜１３）であシー
ＣＨ２基に代わシ酸素、窒素、硫黄等のへテロ原子が入
る場合がある。

また上記Ｒのｉｔ置換基しては水酸基、保護された水酸
基、アシル基、アシルオキシ基、ハロゲン、Ｃ１−、Ｃ
５の直鎖或いは分岐のアルキル基、０２〜Ｃ６の直鎖或
いは分岐の不飽和炭化水素基、アラルキル基、アミノ基
、　Ｃ１，Ｃ５の直鎖或いは分岐のアルキル基で置換さ
れたアミノ基、保護されたアミノ基、ニド四基、保護さ
れたチオール基、カルボキシル基、保護されたカルボキ
シル基、ホルミル基、保護されたホルミル基、スルホン
酸基、保護されたスルホン酸基、シアノ基であシ、当該
置換基の数は１〜５であり、これらは同一であっても異
なっていてもよい。水酸基の保護基としては、例えばメ
チル、エチル、プロピル、イソプロピル、メチル基等の
低級アルキル基、或いはグリーネ（Ｔｈｅｏｄｏｒａ　
Ｗ、　Ｇｒｅｅｎｅ）著の’ＰｒｏｔｅｃｔｉｖｅＧｒ
ｏｕｐｓｉｎ　Ｏｒｇａｎｉｃ　５）ｒｎｔｏｅａｉｓ
”（Ａ、　Ｗｅｉｘｅｙ−工ｎｔｅｒｓａｉｅｎｃｅ　
Ｐｕｂｌｉｃａｔｉｏｎ、　　１９８１）の！２章に記
載の水酸基の保ＩＩ基を挙げることができる。

アシル基としてはホルミル、アセチル−プロピオニル、
バレリル、はンソイル、トルオイル、７賞イル基等を挙
げるととができる。アシルオキシ基の具体例としてはホ
ルミルオキシ、アセチルオキシ、プロピオニルオキシ、
バレリルオキシ、ベンゾイルオキシ、トルオイルオキシ
、フロイルオキシ基等を挙げることができる。ハロゲン
としては弗素、塩素、臭素、沃素を挙げることができる
。

ＣＩ、Ｃ５の直鎖或いは分岐のアルキル基としてはメチ
ル、エチル、プロピル、イソプロピル、ブチル、ｔ−ブ
チル、アミル、イソアミル基等が例示される＊　Ｃ２”
””６の直鎖或いは分岐の不飽和炭化水素基として例え
ばビニル、エチニル、プロ４ニル、ブテニル、ヘキセニ
ル基等を、アラルキル基としては例えばベンジル、フェ
ネチル、フェニルプロピル、フェニルブチル、ジフェニ
ルメチル基等を挙げるととができる。アミノ基に置換し
たＣ１〜Ｃ５の直鎖或いは分岐のアルキル基の例として
はメチル、エチル、プロピル、イソプロピル、エチル、
ｔ−ブチル、アミル、イソアミル基等が挙げられる。ア
ミノ基の保護基としては同上書籍のｇ７章に記載のアミ
ノ基の保護基を挙げることができる。チオール基の保護
基としてはメチル、エチル、プロピル、イソプロピル、
エチル、１−ブチル、アミル、イソアミル基等のｃｌ、
Ｃ５のアルキル基、７エ二ルＪベンジル、フェネチル基
及びホルミル、アセチル、トリクロルアセチル、プロピ
オニル、ベンゾイル、トルオイル、フ鴛イル基等のアシ
ル基を例示することができる。カルボキシル基の保護基
としては同上書籍の第５章に記載のカルボキシル基の保
護基を挙げることができる。ホルミル基の保護基として
は同上書籍の第４章に記載のホルミル基の保護基を挙げ
ることができる。スルホン酸基の保護基としてはメチル
、エチル、プロピル、イソプロピル、ブチル、ｔ−ブチ
ル、アミル、イソアミル基等のアルキル基、フェニルー
ワペンジル、７エネチル基等のアラルキル基等を挙げる
ことができる。

またこれらの基に前記の置換基が置換したものの具体例
としては、一般式 〔式中Ｒ′は水素又は前記のカルボン酸保護基〕で表わ
される基を１例として挙げることができる。

本発明の出発原料である一般式（Ｉ）で示されるカルビ
ノール誘導体は、例えばＪ、　Ｆ’ｌｕｏｒｉｎｅＣｈ
ｅｍ、、２６，４６７（１９８４）、Ｔｅｔｒａｈｅｄ
ｒｏｎＬｅｔｔ、、　２ヱ、２１３５（１９８６）、Ｃ
ｈｅｍ、　Ｌｅｔｔ、。

１９８６．２０４３等に記載の方法で製造することがで
きる。

本発明を実施するには、上記一般式（１）で示されるカ
ルビノール誘導体を極性溶媒中、鉛よシもイオン化傾向
の大きい金属の存在下で触媒量の鉛化合物と反応させて
一般式（ｎ）で示される１、１−ジフルオロエチレン誘
導体を製造する。

この反応で使用する鉛化合物は鉛の原子価が０価、２価
又は４価のいずれでもよく、またこれら化合物は水和物
の形態であってもよい。使用される鉛化合物としては従
来公知のものを広く使用できる０例えば弗化鉛、塩化鉛
、Ｑ化鉛、沃化鉛等のへ京ゲン化鉛、硝酸鉛、硫酸鉛、
過頃素酸鉛、ホウ酸鉛、炭酸鉛、リン酸鉛等の無機酸鉛
、酢酸鉛、シェラ酸鉛、ステアリン酸鉛等の脂肪酸鉛、
酸化鉛、水酸化鉛等が使用し得るものとして挙げられる
。これらの鉛化合物は単独又は２種以上混合して使用す
ることができる。これら鉛化合物の中で特に好ましいも
のは弗化鉛、塩化鉛、臭化鉛、沃化鉛等のハロゲン化鉛
である。これら鉛化合物の使用量としては通常出発原料
として使用される一般式（１）で表わされるカルビノー
ル誘導体１当量Ｇ−に対して０．００１〜０．５当量の
範囲であることが好ましい。

またこの反応で使用する鉛よりイオン化傾向の大きい金
属としては、アルミニウム、鉄、ニッケル、錫、コバル
ト及びマグネシウムが用いられる。

またこれらの金属は単独又は２１以上混合しても使用で
きるが、特に好ましいものはアルキニウムである。使用
するこれらの金属の形状には特に制限は表く、粉状、板
状、箔状、塊状或いは針状等様々な形状で用いることが
できる。これら鉛よりイオン化傾向の大きい金属の使用
量としては一般式（１）のカルビノール誘導体１当景に
対して０．３〜４当量の範囲でちることが好ましい。

またこの反応で使用する溶媒としては極性溶媒が好まし
く、例えばアルコール類、エーテル類、ニトリル類、ア
ミド類等、具体的にはメタノール、テトラヒドロ７ラン
、ジオキサン、アセトニトリル、ジメチルホルムアミド
、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、１．３−ジメチル−２
−イミダゾリジノン、ジメチルスルホキシド等の一般式
（１１の化合物を溶解しかつ該反応条件下では還元され
ないものである限シ広い・足囲から選択することができ
る。

またこれらの溶媒は２稽以上混合してもよい、また必要
に応じて水が含有されていてもよい０％に好ましいもの
としてはジメチルホルムアミドが挙げられ、その使用量
は特に制限はないが、少なくとも原料物質が完全に溶解
する量であることが好ましい。

またこの反応くおける反応温度は、原料物質、溶媒等に
よ〕好ましい範明が変化するが、通常約０〜１００℃の
範囲で行うのが好ましい。

またその１．１−ジフルオロエチレン誘導体から一般式
（２）で表わされる弗化アシル誘導体を得るには、当該
反応生成物に、或いは生成した１、１−ジフルオロエチ
レン誘導体を分離、精製した後、酸性の溶媒を混合すれ
ばよく、反応はほぼ定量的に進行する。その酸性の溶媒
としては塩唆、硫酸等の鉱酸の溶液、酢陵等の有機酸の
溶液が好適に用いられ、溶媒は水をはじめとしてこれら
の酸と反応しない溶媒であればよい、また用いる酸の濃
度は広範囲の濃度が使用できるが、反応時間及び生成物
の選択性の点から５０％以上の濃度であることが好まし
い、またこの反応における反応温度は、原料物質、酸の
濃度、溶媒等により好ましい範囲が変化するが、通常約
−２０〜１００℃の範囲で行うのが好ましい。

以上のように本発明の方法は工業的に極めて有利な１，
１−ジフルオロエチレン誘導体及び弗化アシル誘導体の
製造法である。

実施例 以下に実施例を記し、本発明をより一層具体的に説明す
る。

実施例１ 丸底フラスコに臭化鉛１８４■（０，５ミリモル）と細
かに切ったアルミはく１６２■（６，０ミリモル）をと
シ、これにジメチルホルムアミ）１０ａｆｆ。

化合物（１３１，５２９（５１モル）會加え、室温下で
２０時間か含まぜて反応を行った０反応終了後、反応液
に水１０１４を加えエーテルで抽出した。その抽出液は
飽和重曹水及び飽和食塩水で洗浄し、無水硫酸マグネシ
ウムで乾燥したのち、濃縮すると淡黄色液体が１．３１
得られた。このものをシリカゲルカラムを用いて精製す
ることによシ化合物（２）が無色液体として１．２３９
（収率９９％）得られた。

”Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤ（Ｊ３　；化合物（２）〕　δ２．
７０（ｂｒ　　ａ。

ＩＨ，ＯＨ）、５．４５〜５．７５（ｍ、ＩＨ，ＣＨ−
０）。

５．９０　（ｓ　、　２Ｈ，０−ＣＨ２−０）、６．７
０〜６．９５（ｍ、ａＨ，Ｐｈ） 実施例２ 丸底フラスコに塩化鉛１３９１ｒ！ｇ（０，５ミリモル
）と細かに切ったアルミは（１６２ＦＷ（６，０ミリモ
ル）ｔ−とシ、これにジメチルホルムアミド１０ｍ／。

化合物（３１１，１９９，（５ミリモル）を加え、室温
下で１０時間かきまぜて反応を行つた０反応終了後、反
応液に氷水１０ｍ１を加えエーテルで抽出した。

その抽出液は飽和重曹水及び飽和食塩水で洗浄し、無水
硫酸マグネシウムで乾燥したのち、濃縮すると淡黄色液
体が８００岬得られた。このものをシリカゲルカラムを
用いて精製することにょシ化合物（４）が無色液体とし
て７４０＋ｙ（収率８１％）得られた。

ＩＨＬＮＭＲ（ＣＤＣｆｉ３；化合物４）〕　　δ１．
７５（ｓ、６Ｅ。

ＣＨｓ　）　ｐ　２−１０　（’ｂ　ｒ　ｅ　ｓ　ｔ　
Ｉ　Ｈ＃　ＯＨ）　ｅ　５−０８〜５．５５（ｍ、２Ｈ
，ＣＨ−０，Ｃ−ＣＨ−）実施例３〜７ ｊｌＥ１表に示す条件以外は実施例１の方法と同条件下
で反応上行い、Ｍ１表に記載の生成物を高収率、高選択
率で得九。

実施例８ 実施例１で得られた化合物（２１４９７■（２ミリモル
）を−１０℃で９５％硫酸水溶液中にかきまぜながら加
え、その後θ℃で１時間かきまぜて反応を行りた６反応
終了後、反応液を氷水１０ｓｌ中に注ぎエーテルで抽出
した。その抽出液は飽和重曹水及び飽和食塩水で洗浄し
、無水硫酸マグネシウムで乾燥し死後、濃縮すると淡黄
色結晶が４６ＣＰ？得られた。このものをシリカゲルカ
ラムを用いてＮ製することによシ化合物（５）が白色結
晶として４３４η（収率９５％）得られた。

化合物（５）： ＩＨ−ＮＭＲ（ＣＤＣｆｉ３）　　δ５．９７　（ｓ　
、　２　Ｈ、０−ＣＨ２−０）　。

６．７８〜７．５１　（ｍ　＊　３　Ｈ、Ｐ　ｈ　）　
ｅ　７．７４　（ｓ　−Ｉ　Ｈ、（Ｊ−ＣＣ見） ＩＲ（ＫＥｒ）１７９０ｍ−’（Ｃ”Ｏ）実施例９ 実施例２で得られた化合物（４）３６５Ｆ（２ミリモル
）を実施例８と同じ条件下で反応させることＫｌ化合物
（６）が２６０９（収率８０％）得られ九。

化合物（６）： ＩＨ−ＮＭＲ（ＣＤＣＪ１３）　　δ１．９９　（＃　
、　６Ｈ、０Ｈ３）　、　６．１６〜６．４８（ｍ、Ｉ
Ｈ，Ｃ−ＣＨ−Ｃ−）、７．６９（ａ。

１ｇ、ＱＨ−ＣＣＪり 工Ｒ（ＫＢｒ）　　１７９０ｃｍ−”（Ｃ−０）実施例
１０ 実施例１で得られ九化合物（２）２４９’Ｗ（１ミ！Ｊ
モル）をごく微量の塩酸存在下で１日放置すると、化合
物（５）が６９■（収率３０チ）得られた。

手　　続　　補　　正　　書 昭、和６２年９月１日

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. （１）一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼（ I ） 〔式中Ｒは水素、Ｃ＿１〜Ｃ＿２＿０の直鎖或いは分岐
   のアルキル基、Ｃ＿３〜Ｃ＿１＿６の脂環式基、Ｃ＿１
   〜Ｃ＿２＿０の側鎖を少なくとも１つ有するＣ＿３〜Ｃ
   ＿１＿６の脂環式基、Ｃ＿２〜Ｃ＿２＿０の直鎖或いは
   分岐の不飽和炭化水素基、アリール基、複素環基、アラ
   ルキル基又はアリールオキシ基を示し、同一であっても
   異なっていてもよく、炭素鎖又はヘテロ原子を含む炭素
   鎖で環を形成してもよい。さらにこれらは置換基を有し
   ていても良い。置換基としては水酸基、保護された水酸
   基、アシル基、アシルオキシ基、ハロゲン、Ｃ＿１〜Ｃ
   ＿５の直鎖或いは分岐のアルキル基、Ｃ＿２〜Ｃ＿６の
   直鎖或いは分岐の不飽和炭化水素基、アラルキル基、ア
   ミノ基、Ｃ＿１〜Ｃ＿５の直鎖或いは分岐のアルキル基
   で置換されたアミノ基、保護されたアミノ基、ニトロ基
   、保護されたチオール基、カルボキシル基、保護された
   カルボキシル基、ホルミル基、保護されたホルミル基、
   スルホン酸基、保護されたスルホン酸基、シアノ基であ
   り、当該置換基の数は１〜５であり、これらは同一であ
   っても異なっていてもよい。〕で表わされるカルビノー
   ル誘導体を極性溶媒中、鉛よりイオン化傾向の大きい金
   属の存在下鉛化合物と反応させることを特徴とする一般
   式 ▲数式、化学式、表等があります▼（II） 〔式中Ｒは前記と同意義。〕で表わされる１，１−ジフ
   ルオロエチレン誘導体の製造法。
2. （２）一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼（ I ） 〔式中Ｒは前記と同意義。〕で表わされるカルビノール
   誘導体を極性溶媒中、鉛よりイオン化傾向の大きい金属
   の存在下鉛化合物と反応させ、一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼（II） 〔式中Ｒは前記と同意義。〕で表わされる１，１−ジフ
   ルオロエチレン誘導体を製造し、しかる後、該生成物を
   酸性溶媒中で反応させることを特徴とする一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼（III） 〔式中Ｒは前記と同意義。〕で表わされる弗化アシル誘
   導体の製造法。
3. （３）鉛よりイオン化傾向の大きい金属がアルミニウム
   、鉄、ニツケル、錫、コバルト、マグネシウムのいずれ
   か或いはこれらの混合物である特許請求の範囲第１項又
   は第２項記載の製造法。