JPS63213235A - 含浸形カソ−ド - Google Patents
含浸形カソ−ドInfo
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- JPS63213235A JPS63213235A JP62044845A JP4484587A JPS63213235A JP S63213235 A JPS63213235 A JP S63213235A JP 62044845 A JP62044845 A JP 62044845A JP 4484587 A JP4484587 A JP 4484587A JP S63213235 A JPS63213235 A JP S63213235A
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- cathode
- noble metal
- impregnated
- electron
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Links
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Landscapes
- Solid Thermionic Cathode (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、高電流密度カソードの一種である含浸形カソ
ードに関し、特に電子放出特性が改善された含浸形カソ
ードに関する。
ードに関し、特に電子放出特性が改善された含浸形カソ
ードに関する。
従来の技術
高電流密度カソードとして使用される含浸形カソードは
タングステン等の高融点金属の多孔質基体ニバリウムー
カルシウムーアルミネート等の電子放射物質を含浸され
たものが知られている。更に電子放出特性を向上するた
めに、カソード表面に主としてイリジウム、オスミウム
等の貴金属薄膜を数千人の膜厚に付着形成することによ
って、より長期間にわたって安定した電子放出特性をも
つものが得られた。
タングステン等の高融点金属の多孔質基体ニバリウムー
カルシウムーアルミネート等の電子放射物質を含浸され
たものが知られている。更に電子放出特性を向上するた
めに、カソード表面に主としてイリジウム、オスミウム
等の貴金属薄膜を数千人の膜厚に付着形成することによ
って、より長期間にわたって安定した電子放出特性をも
つものが得られた。
発明が解決しようとする問題点
しかし、上述のようなカソードの表面に貴金属薄膜を形
成した含浸形カソードは、電流密度が初期加熱時には増
加傾向にあり、電流密度を一定化させるための枯化時間
として、数百時間ないし数千時間を必要とする。゛ かかる含浸形カソードを管球に使用した場合、管球の特
性が経時的に変動する欠点があった。
成した含浸形カソードは、電流密度が初期加熱時には増
加傾向にあり、電流密度を一定化させるための枯化時間
として、数百時間ないし数千時間を必要とする。゛ かかる含浸形カソードを管球に使用した場合、管球の特
性が経時的に変動する欠点があった。
本発明はかかる従来技術の欠点に鑑みてなされたもので
、電子放出特性を向上するとともに枯化時間を短くし、
かつ安定したカソード電流特性が得られる含浸形カソー
ドを提供することを目的とする。
、電子放出特性を向上するとともに枯化時間を短くし、
かつ安定したカソード電流特性が得られる含浸形カソー
ドを提供することを目的とする。
問題点を解決するための手段
すなわち、本発明によるならば、高融点金属の多孔質基
体に電子放出物質を含浸せしめてなる含浸形カソードに
おいて、該カソード電子放出面上に、貴金属あるいは貴
金属の合金からなる貴金属薄膜と電子放射性酸化物薄膜
とが交互に積層された多層膜を形成すると共に、該多層
膜の少なくとも最上層を前記貴金属薄膜とした ここで、貴金属の合金としては、２種類以上の貴金属の
合金も、１種類以上の貴金属とタングステンなどの他の
１種類以上の金属との合金でもよい。
体に電子放出物質を含浸せしめてなる含浸形カソードに
おいて、該カソード電子放出面上に、貴金属あるいは貴
金属の合金からなる貴金属薄膜と電子放射性酸化物薄膜
とが交互に積層された多層膜を形成すると共に、該多層
膜の少なくとも最上層を前記貴金属薄膜とした ここで、貴金属の合金としては、２種類以上の貴金属の
合金も、１種類以上の貴金属とタングステンなどの他の
１種類以上の金属との合金でもよい。
また、好ましくは、貴金属薄膜と電子放射性酸化物薄膜
とが交互に積層された多層膜の最上層だけでなく最下層
も、貴金属薄膜とする。
とが交互に積層された多層膜の最上層だけでなく最下層
も、貴金属薄膜とする。
作用
カソード電子放出面に、上記した貴金属薄膜と電子放射
性酸化物薄膜との交互積層多層膜を介在させたことによ
って、カソード電流は、枯化時間゛が極めて少なくても
安定化されるようになった。
性酸化物薄膜との交互積層多層膜を介在させたことによ
って、カソード電流は、枯化時間゛が極めて少なくても
安定化されるようになった。
実施例
本発明による含浸形カソードの実施例を図面に従って説
明する。第１図は本発明の一実施例である含浸形カソー
ドの断面図である。
明する。第１図は本発明の一実施例である含浸形カソー
ドの断面図である。
第１図に示す本発明による含浸形カソードの実施例にお
いて、高融点金属であるタングステンの空孔率１８〜２
５％の多孔質基体２の空孔３内にＢａＯ−ＣａＯ−Ａ１
２０３が４：１：１の割合で含浸して、カソード材料の
ペレット１を形成している。ペレット１の下端周囲には
モリブデンのスリーブ４がろう材５でろう付けされてい
る。スリーブ４の中にはコイル状のヒータ６がアルミナ
７によって充填・保持されている。
いて、高融点金属であるタングステンの空孔率１８〜２
５％の多孔質基体２の空孔３内にＢａＯ−ＣａＯ−Ａ１
２０３が４：１：１の割合で含浸して、カソード材料の
ペレット１を形成している。ペレット１の下端周囲には
モリブデンのスリーブ４がろう材５でろう付けされてい
る。スリーブ４の中にはコイル状のヒータ６がアルミナ
７によって充填・保持されている。
又、ペレット１の電子放出面上には２０００人のオスミ
ウム（０，）薄膜８と５００Ａの酸化バリウム（Ｂａｄ
）の薄膜９と２０００人の０．薄膜１０とからなる多層
膜が形成付着されている。
ウム（０，）薄膜８と５００Ａの酸化バリウム（Ｂａｄ
）の薄膜９と２０００人の０．薄膜１０とからなる多層
膜が形成付着されている。
かかる含浸形カソードとアノードとによって２極管を構
成し、カソード輝度温度９５０℃に加熱し動作させて、
時間経過に対するカソード電流の変化を調べた結果を第
２図に示す。第２図中に本発明による含浸形カソードの
カソード電流特性１１を示す。第２図中には第１図に示
すものと同一のペレット１１スリーブ４及びヒータコイ
ル６でペレット１の表面にＯｓ薄膜のみを貼着した従来
構造のもののカソード電流特性１２も比較のために示す
。
成し、カソード輝度温度９５０℃に加熱し動作させて、
時間経過に対するカソード電流の変化を調べた結果を第
２図に示す。第２図中に本発明による含浸形カソードの
カソード電流特性１１を示す。第２図中には第１図に示
すものと同一のペレット１１スリーブ４及びヒータコイ
ル６でペレット１の表面にＯｓ薄膜のみを貼着した従来
構造のもののカソード電流特性１２も比較のために示す
。
第２図に示された結果から明らかな通り、従来構造のＯ
５薄膜のみをペレット１上に貼着した含浸形カソードの
カソード電流１２は時間とともに増加し、安定化するた
めには３０００ないし５０００時間の枯化時間を必要と
するのに比べ、本発明の構造のものは、初期加熱からカ
ソード電流１１は急速に安定し、約１００時間の枯化時
間もあればほぼ安定したカソード電流特性が得られるこ
とが分る。
５薄膜のみをペレット１上に貼着した含浸形カソードの
カソード電流１２は時間とともに増加し、安定化するた
めには３０００ないし５０００時間の枯化時間を必要と
するのに比べ、本発明の構造のものは、初期加熱からカ
ソード電流１１は急速に安定し、約１００時間の枯化時
間もあればほぼ安定したカソード電流特性が得られるこ
とが分る。
第３図に本発明による含浸形カソードの他の実施例の断
面図を示す。第３図に示す含浸形カソードの実施例にお
いて、高融点金属であるタングステンの空孔率２５〜３
０％の多孔質基体２２の空孔２３内に電子放出物質であ
るＢａ Ｏ−Ｃａ Ｏ−Ａ１２０３を４：ｌ：１の割合
で混合・含浸させてカソード材料のペレット２１を形成
している。ペレット２１の下端周囲には、モリブデンの
スリーブ２４がろう材５によってろう付けされている。
面図を示す。第３図に示す含浸形カソードの実施例にお
いて、高融点金属であるタングステンの空孔率２５〜３
０％の多孔質基体２２の空孔２３内に電子放出物質であ
るＢａ Ｏ−Ｃａ Ｏ−Ａ１２０３を４：ｌ：１の割合
で混合・含浸させてカソード材料のペレット２１を形成
している。ペレット２１の下端周囲には、モリブデンの
スリーブ２４がろう材５によってろう付けされている。
スリーブ４の中にはコイル状のヒータ６がアルミナ７に
よって充填・保持されている。又、ペレット２１の電子
放出面上には５００人のオスミウム・タングステン（Ｏ
Ｓ−Ｗ）薄膜２８と１００人の酸化バリウム（Ｂａｄ）
薄膜２９とを交互に、多層に付着成形し、総合膜厚が７
０００〜１００００ Ａとなるような多層膜に形成し、
最上層には５００人のイリジウム（Ｉｒ）薄膜３０を付
着形成している。
よって充填・保持されている。又、ペレット２１の電子
放出面上には５００人のオスミウム・タングステン（Ｏ
Ｓ−Ｗ）薄膜２８と１００人の酸化バリウム（Ｂａｄ）
薄膜２９とを交互に、多層に付着成形し、総合膜厚が７
０００〜１００００ Ａとなるような多層膜に形成し、
最上層には５００人のイリジウム（Ｉｒ）薄膜３０を付
着形成している。
かかる含浸形カソードとアノードとによって２極管を構
成し、カソード輝度温度９５０℃におけるカソード電流
の経時変化を測定した。その結果を第２図中にＸ印で示
す。
成し、カソード輝度温度９５０℃におけるカソード電流
の経時変化を測定した。その結果を第２図中にＸ印で示
す。
第２図中に示す本発明による第３図に示す構造の含浸形
カソードのカソード電流特性１３から明らかな通り、本
発明の構造のものは初期加熱によって直ちにカソード電
流は安定し、はぼ数時間の枯化時間でカソード電流が安
定化されることが分る。
カソードのカソード電流特性１３から明らかな通り、本
発明の構造のものは初期加熱によって直ちにカソード電
流は安定し、はぼ数時間の枯化時間でカソード電流が安
定化されることが分る。
発明の効果
本発明による含浸形カソードによれば、電子放出物質が
含浸された高融点金属の多孔質基体の電子放出面上に貴
金属薄膜と電子放射性酸化物薄膜との交互多層膜を設け
たことによって、極めて短時間の枯化時間で安定化する
カソード電流特性のものが得られた。更に、含浸形カソ
ードのペレット上面が貴金属薄膜層を含む総合多層膜で
保護されるため、著しく長寿命化された。
含浸された高融点金属の多孔質基体の電子放出面上に貴
金属薄膜と電子放射性酸化物薄膜との交互多層膜を設け
たことによって、極めて短時間の枯化時間で安定化する
カソード電流特性のものが得られた。更に、含浸形カソ
ードのペレット上面が貴金属薄膜層を含む総合多層膜で
保護されるため、著しく長寿命化された。
第１図は本発明による含浸形カソードの一実施例の断面
図、 第２図は従来例のものを本発明のものとのカソード電流
特性を比較する図、 第３図は本発明の他の実施例の断面図である。 （主な参照番号） １．２１・・ペレット、 ２．２２・・多孔質基体、
３．２３・・空孔、 ４・・スリーブ、５・・ろう
材、 ６・・ヒータコイノペ７・・アルミナ、 ８．１０・・オスミウム薄膜、 ９．２９・・酸化バリウム薄膜、 １１、１２．１３・・カソード電流特性、２８・・オス
ミウム・タングステン薄膜、３０・・イリジウム薄膜
図、 第２図は従来例のものを本発明のものとのカソード電流
特性を比較する図、 第３図は本発明の他の実施例の断面図である。 （主な参照番号） １．２１・・ペレット、 ２．２２・・多孔質基体、
３．２３・・空孔、 ４・・スリーブ、５・・ろう
材、 ６・・ヒータコイノペ７・・アルミナ、 ８．１０・・オスミウム薄膜、 ９．２９・・酸化バリウム薄膜、 １１、１２．１３・・カソード電流特性、２８・・オス
ミウム・タングステン薄膜、３０・・イリジウム薄膜
Claims (1)
- 高融点金属の多孔質基体に電子放出物質を含浸せしめて
なる含浸形カソードにおいて、該カソード電子放出面上
に、貴金属あるいは貴金属の合金からなる貴金属薄膜と
電子放射性酸化物薄膜とが交互に積層された多層膜を形
成すると共に、該多層膜の少なくとも最上層を前記貴金
属薄膜としたことを特徴とする含浸形カソード。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62044845A JPS63213235A (ja) | 1987-02-27 | 1987-02-27 | 含浸形カソ−ド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62044845A JPS63213235A (ja) | 1987-02-27 | 1987-02-27 | 含浸形カソ−ド |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63213235A true JPS63213235A (ja) | 1988-09-06 |
Family
ID=12702812
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62044845A Pending JPS63213235A (ja) | 1987-02-27 | 1987-02-27 | 含浸形カソ−ド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63213235A (ja) |
-
1987
- 1987-02-27 JP JP62044845A patent/JPS63213235A/ja active Pending
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