JPS6321209A - 耐摩耗膜およびその製造方法 - Google Patents
耐摩耗膜およびその製造方法Info
- Publication number
- JPS6321209A JPS6321209A JP61162306A JP16230686A JPS6321209A JP S6321209 A JPS6321209 A JP S6321209A JP 61162306 A JP61162306 A JP 61162306A JP 16230686 A JP16230686 A JP 16230686A JP S6321209 A JPS6321209 A JP S6321209A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- carbon
- ion beam
- substrate
- wear
- film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 9
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 39
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 37
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 claims abstract description 26
- 239000010432 diamond Substances 0.000 claims abstract description 26
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 claims abstract description 24
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 claims abstract description 15
- 230000001050 lubricating effect Effects 0.000 claims abstract description 13
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 12
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims abstract description 8
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims abstract description 8
- 239000004215 Carbon black (E152) Substances 0.000 claims abstract description 7
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 7
- 229930195733 hydrocarbon Natural products 0.000 claims abstract description 7
- 150000002430 hydrocarbons Chemical class 0.000 claims abstract description 7
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 6
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 claims abstract description 6
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 claims abstract description 6
- UCKMPCXJQFINFW-UHFFFAOYSA-N Sulphide Chemical compound [S-2] UCKMPCXJQFINFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 3
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M Fluoride anion Chemical compound [F-] KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims abstract 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 12
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 claims description 8
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 5
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 4
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 150000002366 halogen compounds Chemical class 0.000 claims description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 3
- 150000001721 carbon Chemical class 0.000 claims description 2
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 claims description 2
- 229940065287 selenium compound Drugs 0.000 claims description 2
- 150000003343 selenium compounds Chemical class 0.000 claims description 2
- 150000003498 tellurium compounds Chemical class 0.000 claims description 2
- 150000002484 inorganic compounds Chemical class 0.000 claims 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 claims 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 abstract description 7
- 239000002245 particle Substances 0.000 abstract description 3
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 abstract description 2
- BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N Selenium Chemical compound [Se] BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- 239000008246 gaseous mixture Substances 0.000 abstract 1
- 150000004820 halides Chemical class 0.000 abstract 1
- 229910052711 selenium Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 239000011669 selenium Substances 0.000 abstract 1
- 229910052714 tellurium Inorganic materials 0.000 abstract 1
- PORWMNRCUJJQNO-UHFFFAOYSA-N tellurium atom Chemical compound [Te] PORWMNRCUJJQNO-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- 239000000314 lubricant Substances 0.000 description 5
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 3
- YKYOUMDCQGMQQO-UHFFFAOYSA-L cadmium dichloride Chemical compound Cl[Cd]Cl YKYOUMDCQGMQQO-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 2
- CWQXQMHSOZUFJS-UHFFFAOYSA-N molybdenum disulfide Chemical compound S=[Mo]=S CWQXQMHSOZUFJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052582 BN Inorganic materials 0.000 description 1
- -1 BN) Chemical class 0.000 description 1
- PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N Boron nitride Chemical compound N#B PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004809 Teflon Substances 0.000 description 1
- 229920006362 Teflon® Polymers 0.000 description 1
- NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N Titanium nitride Chemical compound [Ti]#N NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- NGTSQWJVGHUNSS-UHFFFAOYSA-N bis(sulfanylidene)vanadium Chemical compound S=[V]=S NGTSQWJVGHUNSS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WVMYSOZCZHQCSG-UHFFFAOYSA-N bis(sulfanylidene)zirconium Chemical compound S=[Zr]=S WVMYSOZCZHQCSG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- SYHGEUNFJIGTRX-UHFFFAOYSA-N methylenedioxypyrovalerone Chemical compound C=1C=C2OCOC2=CC=1C(=O)C(CCC)N1CCCC1 SYHGEUNFJIGTRX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004763 sulfides Chemical class 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
3ベージ
よびその製造方法に関するものである。
従来の技術
従来、耐摩耗膜には、耐摩耗性を得るだめの硬質被膜と
して、炭化ケイ素(Sin)、窒化チタン(TiN)等
の材料を、スパッタリング、化学蒸着などの方法で機構
部品の表面に被膜し、寸だ潤滑層としてワックス、高分
子系テフロン、硫化物。
して、炭化ケイ素(Sin)、窒化チタン(TiN)等
の材料を、スパッタリング、化学蒸着などの方法で機構
部品の表面に被膜し、寸だ潤滑層としてワックス、高分
子系テフロン、硫化物。
ハロゲン化合物等が用いられていた。
発明が解決しようとする問題点
しかし上記従来の構成では、硬質被膜はヴイッカース硬
度(ダイヤモンドのヴイソカース硬度:約10000k
g/mj)f2000kg/7nAないし3000kg
/−程度の硬度しかなく、機構部品の摺動部や切削工具
の表面に形成しても、潤滑性に乏しいために、応力が集
中することにより基体と硬質被膜の境界面で剥離すると
いった問題があった。
度(ダイヤモンドのヴイソカース硬度:約10000k
g/mj)f2000kg/7nAないし3000kg
/−程度の硬度しかなく、機構部品の摺動部や切削工具
の表面に形成しても、潤滑性に乏しいために、応力が集
中することにより基体と硬質被膜の境界面で剥離すると
いった問題があった。
本発明は、これらの問題点を解決するもので、ダイヤモ
ンドにより近い硬度を有し、耐摩耗性に富み、低摩擦性
を有する耐環境性に優れた耐摩耗膜を提供することを目
的とする。
ンドにより近い硬度を有し、耐摩耗性に富み、低摩擦性
を有する耐環境性に優れた耐摩耗膜を提供することを目
的とする。
問題点を解決するだめの手段
この目的を達成するために、本発明の耐摩耗膜は、基体
の少なくとも一主面に凹凸部を形成し、この主面に少な
くともダイヤモンド粒を含む炭素膜を形成し、壕だこの
炭素膜上に潤滑層を設けた構成を有する。前記炭素膜は
不活性ガスと水素または炭化水素の混合ガスあるいはフ
ッ素ガスのイオンビームを用い、炭素のターゲットをス
パッタして形成し、前記潤滑層は、イオンビームとして
不活性ガスを用い、炭素のターゲットをスパッタするこ
とによって形成している。
の少なくとも一主面に凹凸部を形成し、この主面に少な
くともダイヤモンド粒を含む炭素膜を形成し、壕だこの
炭素膜上に潤滑層を設けた構成を有する。前記炭素膜は
不活性ガスと水素または炭化水素の混合ガスあるいはフ
ッ素ガスのイオンビームを用い、炭素のターゲットをス
パッタして形成し、前記潤滑層は、イオンビームとして
不活性ガスを用い、炭素のターゲットをスパッタするこ
とによって形成している。
作用
上記の構成および手段により、基体の主面にダイヤモン
ド粒を含む炭素膜を形成することにより、ダイヤモンド
により近い硬度を実現し、摩擦力だけでなく衝撃からも
基体を保護し、前記基体の主面に設けた凹凸部の設定条
件(位置9表面密度等)により、前記ダイヤモンド粒の
形成(形成位置。
ド粒を含む炭素膜を形成することにより、ダイヤモンド
により近い硬度を実現し、摩擦力だけでなく衝撃からも
基体を保護し、前記基体の主面に設けた凹凸部の設定条
件(位置9表面密度等)により、前記ダイヤモンド粒の
形成(形成位置。
密度)を選択的に行なうことが可能となる。また5 ペ
ージ 前記炭素膜上に潤滑層を形成することによシ、前記主面
が他の面と接触する際の摩擦を小さくし、さらにこの潤
滑層を不活性ガスのイオンビームで、炭素のターゲット
をスパッタして形成することによシ、前記主面に対する
前記炭素膜の接着力を大きくし、前記炭素膜が剥離する
ことを防止することができる。
ージ 前記炭素膜上に潤滑層を形成することによシ、前記主面
が他の面と接触する際の摩擦を小さくし、さらにこの潤
滑層を不活性ガスのイオンビームで、炭素のターゲット
をスパッタして形成することによシ、前記主面に対する
前記炭素膜の接着力を大きくし、前記炭素膜が剥離する
ことを防止することができる。
実施例
以下に本発明の実施例について第1図〜第2図を参照し
ながら説明する。
ながら説明する。
イオンビーム源22より発生する不活性ガスと水素また
は炭化水素の混合ガスあるいはフッ素ガスのイオンビー
ム23によって、炭素ターゲット21をスパッタする。
は炭化水素の混合ガスあるいはフッ素ガスのイオンビー
ム23によって、炭素ターゲット21をスパッタする。
この炭素ターゲット21から高速粒子が発生し、前記イ
オンビーム23に平行に設置した基体11の主面に前記
高速粒子が衝突する。この衝突の衝撃によシ前記基体1
1の衝突部位を高温高圧と同様の状態とし、前記基体1
1を低温に保持したまま炭素膜13を形成する。
オンビーム23に平行に設置した基体11の主面に前記
高速粒子が衝突する。この衝突の衝撃によシ前記基体1
1の衝突部位を高温高圧と同様の状態とし、前記基体1
1を低温に保持したまま炭素膜13を形成する。
とくに前記基体11の凹凸部10は炭素の結晶の6ペー
ジ 形成が促され、ダイヤモンド粒12が形成される。
ジ 形成が促され、ダイヤモンド粒12が形成される。
実験においては、アルゴンと水素のイオンビーム23(
イオンエネルギー1.2KeV 、 eo mA )で
炭素ターゲット21をスパッタし、幅1μm、深さ約3
0oo人の凹凸部10に、直径約0.5μm(=500
0人)のダイヤモンド粒12を形成した。前記炭素膜1
3を形成したのち、前記イオンビーム23を不活性ガス
のイオンビームとし、前記炭素ターゲット21をスパッ
タすることにより、前記ダイヤモンド粒12を含む前記
炭素膜13上に潤滑層14が形成される。実験において
は、アルゴンガスのイオンビーム(イオンエネルギー1
.2に6V 、 6010人)で潤滑層14を形成した
。
イオンエネルギー1.2KeV 、 eo mA )で
炭素ターゲット21をスパッタし、幅1μm、深さ約3
0oo人の凹凸部10に、直径約0.5μm(=500
0人)のダイヤモンド粒12を形成した。前記炭素膜1
3を形成したのち、前記イオンビーム23を不活性ガス
のイオンビームとし、前記炭素ターゲット21をスパッ
タすることにより、前記ダイヤモンド粒12を含む前記
炭素膜13上に潤滑層14が形成される。実験において
は、アルゴンガスのイオンビーム(イオンエネルギー1
.2に6V 、 6010人)で潤滑層14を形成した
。
上記の構成ならびに製造方法において、前記イオンビー
ム23のイオンエネルギーの大きさを変化させること、
あるいは前記イオンビーム23の不活性ガスに対する水
素あるいは炭化水素の分圧を変化させること、また前記
基体11のイオンビーム23に対する照射角度を変化さ
せること、さらに前記凹凸部1oの深さ等を変えるとと
によつ7 ページ って、前記ダイヤモンド粒12を所要の大きさで形成す
ることが可能であシ、前記凹凸部1oの形成位置、密度
により、前記ダイヤモンド粒12の形成位置、密度も任
意に設定できる。
ム23のイオンエネルギーの大きさを変化させること、
あるいは前記イオンビーム23の不活性ガスに対する水
素あるいは炭化水素の分圧を変化させること、また前記
基体11のイオンビーム23に対する照射角度を変化さ
せること、さらに前記凹凸部1oの深さ等を変えるとと
によつ7 ページ って、前記ダイヤモンド粒12を所要の大きさで形成す
ることが可能であシ、前記凹凸部1oの形成位置、密度
により、前記ダイヤモンド粒12の形成位置、密度も任
意に設定できる。
また前記凹凸部1oの深さを5000Å以下とするとと
で、より効果的にダイヤモンド粒12を炭素膜13表面
に突出させることが可能であり、さらに前記ダイヤモン
ド粒の直径を1μm以下とすることによりフィルム基体
上でも形成可能な耐摩耗膜を形成することが可能である
。
で、より効果的にダイヤモンド粒12を炭素膜13表面
に突出させることが可能であり、さらに前記ダイヤモン
ド粒の直径を1μm以下とすることによりフィルム基体
上でも形成可能な耐摩耗膜を形成することが可能である
。
なお前記潤滑層14は、不活性ガスのイオンビーム23
で炭素ターゲット21をスパッタして形成したが、硫化
ジルコニウム(ZrS2)、硫化バナジウム(vs2)
、硫化モリブデン(MoB2)等の硫化物、塩化カドミ
ウム(CdCA2)等のハロゲン化合物、窒化ホウ素(
BN)等の窒化物、セレン化合物、テルル化合物を蒸着
等により形成してもよい。
で炭素ターゲット21をスパッタして形成したが、硫化
ジルコニウム(ZrS2)、硫化バナジウム(vs2)
、硫化モリブデン(MoB2)等の硫化物、塩化カドミ
ウム(CdCA2)等のハロゲン化合物、窒化ホウ素(
BN)等の窒化物、セレン化合物、テルル化合物を蒸着
等により形成してもよい。
発明の効果
以上の実施例の説明より明らかなように、本発明によれ
ば、 (1)ダイヤモンド粒を含む炭素膜により、十分な硬度
を有し、摩擦力だけでなく衝撃力にも強い長寿命の耐摩
耗膜を実現できる。
ば、 (1)ダイヤモンド粒を含む炭素膜により、十分な硬度
を有し、摩擦力だけでなく衝撃力にも強い長寿命の耐摩
耗膜を実現できる。
(2)ダイヤモンド粒を設け、さらに潤滑層を設けるこ
とにより、基体の主面が他の装置のある面と接触する際
の摩擦を小さくするととができる。
とにより、基体の主面が他の装置のある面と接触する際
の摩擦を小さくするととができる。
(3)凹凸部の表面密度9位置寸たは深さを調節するこ
とによシ、ダイヤモンド粒の表面密度、サイズおよび形
成位置を任意に制御でき、用途にあった耐摩耗膜を実現
できる。
とによシ、ダイヤモンド粒の表面密度、サイズおよび形
成位置を任意に制御でき、用途にあった耐摩耗膜を実現
できる。
(4)イオンビームは不活性ガスと水素捷たは炭化水素
の混合ガスあるいはフッ素ガスであることにより、凝結
する炭素との反応は起こらず、効率よくダイヤモンド粒
が形成される。
の混合ガスあるいはフッ素ガスであることにより、凝結
する炭素との反応は起こらず、効率よくダイヤモンド粒
が形成される。
(5)潤滑層を、イオンビームとして不活性ガスを用い
て、炭素ターゲットをスパッタして形成することにより
、容易に接着力の大きい潤滑層が実現できる。
て、炭素ターゲットをスパッタして形成することにより
、容易に接着力の大きい潤滑層が実現できる。
という優れた耐摩耗膜およびその製造方法を実9ベーノ
現できる。
第1図は本発明の一実施例における耐摩耗膜の断面図、
第2図は同耐摩耗膜の製造装置の概略図である。 10・・・・・・凹凸部、11・・・・・・基体、12
・・・・・・ダイヤモンド粒、13・・・・・・炭素膜
、14・・・・・・潤滑層、21・・・・・・炭素ター
ゲット、23・・・・・・イオンビーム。
第2図は同耐摩耗膜の製造装置の概略図である。 10・・・・・・凹凸部、11・・・・・・基体、12
・・・・・・ダイヤモンド粒、13・・・・・・炭素膜
、14・・・・・・潤滑層、21・・・・・・炭素ター
ゲット、23・・・・・・イオンビーム。
Claims (7)
- (1)基体の少なくとも一主面に凹凸部を設け、この主
面に少なくともダイヤモンド粒を含む炭素膜を形成した
ことを特徴とする耐摩耗膜。 - (2)基体の少なくとも一主面に凹凸部を設け、この主
面に少なくともダイヤモンド粒を含む炭素膜を形成し、
この炭素膜を潤滑層で被膜したことを特徴とする耐摩耗
膜。 - (3)潤滑層は、硫化物、セレン化合物、テルル化合物
、フッ化物、ハロゲン化合物、窒化物の少なくとも1つ
を含む無機化合物からなることを特徴とする特許請求の
範囲第2項記載の耐摩耗膜。 - (4)不活性ガスと水素または炭化水素の混合ガスある
いはフッ素ガスのイオンビームを用い、炭素のターゲッ
トをスパッタし、少なくとも一主面に凹凸部を有する基
体の前記主面に、ダイヤモンド粒を含む炭素膜を形成し
たことを特徴とする耐摩耗膜の製造方法。 - (5)不活性ガスと水素または炭化水素の混合ガスある
いはフッ素ガスのイオンビームを用い、炭素のターゲッ
トをスパッタし、少なくとも一主面に凹凸部を有する基
体の前記主面に、ダイヤモンド粒を含む炭素膜を形成し
、この炭素膜上に潤滑層を形成したことを特徴とする耐
摩耗膜の製造方法。 - (6)イオンビームとして不活性ガスを用い、炭素のタ
ーゲットをスパッタすることによって潤滑層を形成した
ことを特徴とする特許請求の範囲第5項記載の耐摩耗膜
の製造方法。 - (7)不活性ガスとしてアルゴンガスを用いたことを特
徴とする特許請求の範囲第6項記載の耐摩耗膜の製造方
法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61162306A JPS6321209A (ja) | 1986-07-10 | 1986-07-10 | 耐摩耗膜およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61162306A JPS6321209A (ja) | 1986-07-10 | 1986-07-10 | 耐摩耗膜およびその製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6321209A true JPS6321209A (ja) | 1988-01-28 |
Family
ID=15752000
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP61162306A Pending JPS6321209A (ja) | 1986-07-10 | 1986-07-10 | 耐摩耗膜およびその製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6321209A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
GB2253416A (en) * | 1991-02-21 | 1992-09-09 | De Beers Ind Diamond | Radiation absorber comprising a CVD diamond film having special surface characteristics |
EP0763504A1 (en) * | 1995-09-14 | 1997-03-19 | Heraeus Quarzglas GmbH | Silica glass member and method for producing the same |
JP2007162045A (ja) * | 2005-12-12 | 2007-06-28 | Japan Science & Technology Agency | 摺動材及びその製造方法 |
-
1986
- 1986-07-10 JP JP61162306A patent/JPS6321209A/ja active Pending
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
GB2253416A (en) * | 1991-02-21 | 1992-09-09 | De Beers Ind Diamond | Radiation absorber comprising a CVD diamond film having special surface characteristics |
EP0763504A1 (en) * | 1995-09-14 | 1997-03-19 | Heraeus Quarzglas GmbH | Silica glass member and method for producing the same |
JP2007162045A (ja) * | 2005-12-12 | 2007-06-28 | Japan Science & Technology Agency | 摺動材及びその製造方法 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US4828728A (en) | Dry lubricated bearing | |
Donnet et al. | Solid lubricant coatings: recent developments and future trends | |
Vancoille et al. | Dry sliding wear of TiN based ternary PVD coatings | |
AU554846B2 (en) | Disordered carbon and boron coatings | |
KR920021734A (ko) | 하드코팅, 하드코팅에 의해 피복되는 공작물 및 하드코팅에 의해 공작물을 피복하는 코팅방법 | |
US4540636A (en) | Metal bearing element with a score-resistant coating | |
JPH04232249A (ja) | ダイヤモンド状炭素被膜の付着法 | |
JPS6321209A (ja) | 耐摩耗膜およびその製造方法 | |
JPH07300649A (ja) | 耐摩耗性および耐酸化性に優れた硬質皮膜及び高硬度部材 | |
JPS55150941A (en) | Cutting tool of coated sintered hard alloy | |
ATE98303T1 (de) | Verfahren zur beschichtung von hartmetallgrundkoerpern und hartmetallwerkzeug hergestellt nach dem verfahren. | |
JP3045184B2 (ja) | 耐摩耗性硬質皮膜及びその形成方法と、耐摩耗性硬質皮膜被覆工具 | |
CA2061302A1 (en) | Method of making synthetic diamond film | |
Dearnaley | Materials science aspects of ion beam technology | |
KR850001928A (ko) | 내마모성 조성물 및 점착 코팅과 방법 | |
Hirvonen et al. | Unlubricated friction and wear of an ion beam mixed, nitrogen‐implanted Fe50Ti50 surface alloy on AISI 304 stainless steel | |
Chen | TRANSFER DURING SLIDING WEAR OF SELECTED METAL SYSTEMS (TRIBOLOGY) | |
JP3208908B2 (ja) | 耐摩耗性に優れた炭化珪素皮膜の形成方法 | |
JPH04214854A (ja) | 窒化ほう素膜の形成方法 | |
JPS61120897A (ja) | 固体潤滑膜および作製方法 | |
SU1110212A1 (ru) | Режущий инструмент и способ его изготовлени | |
JPH07310170A (ja) | 耐酸化性および耐摩耗性に優れた硬質皮膜 | |
Solnick‐Legg et al. | Friction and wear reduction in tool steel by ion beam enhanced TiN deposition | |
JPS6442570A (en) | Wear resistant coating film | |
SU952450A1 (ru) | Способ изготовлени режущего инструмента |