JP3208908B2 - 耐摩耗性に優れた炭化珪素皮膜の形成方法 - Google Patents
耐摩耗性に優れた炭化珪素皮膜の形成方法Info
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、炭素鋼やステンレス鋼
等の鉄系合金基材表面に、耐摩耗性に優れた炭化珪素皮
膜を形成する為の方法に関するものであり、得られる皮
膜形成材は、切削工具、圧延ロール、金型等の各種耐摩
耗部材として有用である。
等の鉄系合金基材表面に、耐摩耗性に優れた炭化珪素皮
膜を形成する為の方法に関するものであり、得られる皮
膜形成材は、切削工具、圧延ロール、金型等の各種耐摩
耗部材として有用である。
【０００２】
【従来の技術】近年、真空蒸着とイオン注入を同時に行
なうことによって硬質化合物の薄膜を作成するダイナミ
ックミキシング法が注目されている。この方法は、低温
処理の可能な真空蒸着とイオン注入を同時併行的に行な
う方法であり、通常は高温でないと作成できないＴｉ
Ｎ，ＡｌＮ，ＢＮ等の様な硬質化合物皮膜を室温で作成
することができ、且つ金属基材表面の温度上昇が抑えら
れて該基材を熱的に劣化させることがないという利点を
有する。またイオン照射によって皮膜形成元素が金属基
材表面において原子レベルでミキシングされるため、皮
膜の密着性も著しく高められる。
なうことによって硬質化合物の薄膜を作成するダイナミ
ックミキシング法が注目されている。この方法は、低温
処理の可能な真空蒸着とイオン注入を同時併行的に行な
う方法であり、通常は高温でないと作成できないＴｉ
Ｎ，ＡｌＮ，ＢＮ等の様な硬質化合物皮膜を室温で作成
することができ、且つ金属基材表面の温度上昇が抑えら
れて該基材を熱的に劣化させることがないという利点を
有する。またイオン照射によって皮膜形成元素が金属基
材表面において原子レベルでミキシングされるため、皮
膜の密着性も著しく高められる。
【０００３】この様なダイナミックミキシング法によっ
て上記の様な化合物皮膜を形成するには、例えばＴｉＮ
皮膜を形成する場合は、Ｔｉ蒸着とＮイオン注入が同時
に行なわれている。この様に、化合物を構成する元素の
一方を蒸着で供給し、他方をイオン注入で供給するのが
一般的である。
て上記の様な化合物皮膜を形成するには、例えばＴｉＮ
皮膜を形成する場合は、Ｔｉ蒸着とＮイオン注入が同時
に行なわれている。この様に、化合物を構成する元素の
一方を蒸着で供給し、他方をイオン注入で供給するのが
一般的である。
【０００４】一方炭化珪素（ＳｉＣ）は、高硬度であ
り、安定性や機能性等の優れた性質から、各種の工業分
野で広く利用されているが、ＳｉＣ皮膜の通常の作製方
法では１０００℃以上の高温プロセスが必要になる。こ
うしたことから、上記の様なダイナミックミキシング法
を適用すれば、ＳｉＣ皮膜を室温プロセスで作製できる
ことが期待できる。しかしながら、ＳｉＣ皮膜をダイナ
ミックミキシング法によって形成する技術はこれまで提
案されていない。
り、安定性や機能性等の優れた性質から、各種の工業分
野で広く利用されているが、ＳｉＣ皮膜の通常の作製方
法では１０００℃以上の高温プロセスが必要になる。こ
うしたことから、上記の様なダイナミックミキシング法
を適用すれば、ＳｉＣ皮膜を室温プロセスで作製できる
ことが期待できる。しかしながら、ＳｉＣ皮膜をダイナ
ミックミキシング法によって形成する技術はこれまで提
案されていない。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】ＳｉＣ皮膜をダイナミ
ックミキシング法によって形成する場合は、前述した構
成から明らかな様に、Ｓｉ蒸着とＣ+ イオン注入を同時
に行なう構成を採用することが容易に予測されるが、最
適な処理条件については確立されていないのが実情であ
る。実際、本発明者らが実験したところによると、一般
的に予想される条件でダイナミックミキシング法を適用
しても、ＳｉＣ皮膜は形成できるが、耐摩耗性の向上効
果があまり大きくない場合が多いことが分かった。即
ち、耐摩耗性向上に有効な処理条件の範囲が狭く、その
見極めが非常に困難であることが判明した。
ックミキシング法によって形成する場合は、前述した構
成から明らかな様に、Ｓｉ蒸着とＣ+ イオン注入を同時
に行なう構成を採用することが容易に予測されるが、最
適な処理条件については確立されていないのが実情であ
る。実際、本発明者らが実験したところによると、一般
的に予想される条件でダイナミックミキシング法を適用
しても、ＳｉＣ皮膜は形成できるが、耐摩耗性の向上効
果があまり大きくない場合が多いことが分かった。即
ち、耐摩耗性向上に有効な処理条件の範囲が狭く、その
見極めが非常に困難であることが判明した。
【０００６】本発明は上記の様な事情に着目してなされ
たものであって、その目的は、ダイナミックミキシング
法を利用してＳｉＣ皮膜を形成する際の最適な処理条件
を確立し、優れた耐摩耗性を発揮するＳｉＣ皮膜を形成
する為の方法を実現しようとするものである。
たものであって、その目的は、ダイナミックミキシング
法を利用してＳｉＣ皮膜を形成する際の最適な処理条件
を確立し、優れた耐摩耗性を発揮するＳｉＣ皮膜を形成
する為の方法を実現しようとするものである。
【０００７】
【課題を解決する為の手段】上記目的を達成することの
できた本発明に係るＳｉＣ皮膜の形成方法とは、ダイナ
ミックミキシング法を利用し、鉄系合金基材表面に炭素
イオン注入と珪素蒸着を同時に行なうと共に、蒸着単位
時間当たりの炭素イオン到達数と蒸着珪素原子到達数の
割合（Ｃ+ ／Ｓｉ）を０．２６〜０．４９とする点に要
旨を有するものである。
できた本発明に係るＳｉＣ皮膜の形成方法とは、ダイナ
ミックミキシング法を利用し、鉄系合金基材表面に炭素
イオン注入と珪素蒸着を同時に行なうと共に、蒸着単位
時間当たりの炭素イオン到達数と蒸着珪素原子到達数の
割合（Ｃ+ ／Ｓｉ）を０．２６〜０．４９とする点に要
旨を有するものである。
【０００８】
【作用】本発明者らは、ＳｉＣ皮膜が形成される金属基
材として炭素鋼やステンレス鋼等の鉄系合金を用いた場
合における、前記ＳｉＣ皮膜による耐摩耗性向上効果に
ついて検討した。その結果、ＳｉＣ皮膜による耐摩耗性
向上効果は、硬質なＳｉＣ皮膜層と軟質な金属基板との
間に適切な厚みの中間層もしくは遷移層が存在する場合
にしか発揮されないことが判明した。即ち、ダイナミッ
クミキシング法によれば、皮膜と基板の界面がイオン照
射によって原子的に混合されて傾斜組織となるので、こ
の様な中間層もしくは遷移層自体の形成は容易になされ
るが、これらの層が適切な厚みでないと上記の様な効果
が発揮されないことが分かった。
材として炭素鋼やステンレス鋼等の鉄系合金を用いた場
合における、前記ＳｉＣ皮膜による耐摩耗性向上効果に
ついて検討した。その結果、ＳｉＣ皮膜による耐摩耗性
向上効果は、硬質なＳｉＣ皮膜層と軟質な金属基板との
間に適切な厚みの中間層もしくは遷移層が存在する場合
にしか発揮されないことが判明した。即ち、ダイナミッ
クミキシング法によれば、皮膜と基板の界面がイオン照
射によって原子的に混合されて傾斜組織となるので、こ
の様な中間層もしくは遷移層自体の形成は容易になされ
るが、これらの層が適切な厚みでないと上記の様な効果
が発揮されないことが分かった。
【０００９】そこで本発明者らは、適切な厚みの中間層
もしくは遷移層を形成するための条件について、更に検
討した。その結果、単位時間当たりのＣイオン到達数と
蒸着Ｓｉ原子到達数の割合（Ｃ+ ／Ｓｉ）を０．２６〜
０．４９の範囲に設定して前記鉄系合金基材上にＳｉＣ
皮膜を形成すれば、最適な厚みのＦｅ3 Ｃ中間層が形成
され、これによってＳｉＣ皮膜の外力に対する変形抵抗
が大きくなり、耐摩耗性が著しく改善されることを見出
し、本発明を完成した。
もしくは遷移層を形成するための条件について、更に検
討した。その結果、単位時間当たりのＣイオン到達数と
蒸着Ｓｉ原子到達数の割合（Ｃ+ ／Ｓｉ）を０．２６〜
０．４９の範囲に設定して前記鉄系合金基材上にＳｉＣ
皮膜を形成すれば、最適な厚みのＦｅ3 Ｃ中間層が形成
され、これによってＳｉＣ皮膜の外力に対する変形抵抗
が大きくなり、耐摩耗性が著しく改善されることを見出
し、本発明を完成した。
【００１０】そして上記割合（Ｃ+／Ｓｉ）の値が上記
設定範囲を外れると、十分な耐摩耗性が得られず、本発
明の目的が達成されない。即ち、Ｃイオンが相対的に少
なくなって上記割合が０．２６未満になると、ＳｉＣ皮
膜は形成されるが、Ｆｅ3Ｃ中間層の厚さが不足し、十
分な変形抵抗が得られず耐摩耗性が低下する。またＣイ
オンが相対的に多くなって上記割合が０．４９を超える
と、ＳｉＣ皮膜層とＦｅ3Ｃ中間層の間にＣイオンの蓄
積によるグラファイト層が形成され、この層が十分な硬
度を持たないことによって摩耗時の変形抵抗が小さくな
り、耐摩耗性が低下する。
設定範囲を外れると、十分な耐摩耗性が得られず、本発
明の目的が達成されない。即ち、Ｃイオンが相対的に少
なくなって上記割合が０．２６未満になると、ＳｉＣ皮
膜は形成されるが、Ｆｅ3Ｃ中間層の厚さが不足し、十
分な変形抵抗が得られず耐摩耗性が低下する。またＣイ
オンが相対的に多くなって上記割合が０．４９を超える
と、ＳｉＣ皮膜層とＦｅ3Ｃ中間層の間にＣイオンの蓄
積によるグラファイト層が形成され、この層が十分な硬
度を持たないことによって摩耗時の変形抵抗が小さくな
り、耐摩耗性が低下する。
【００１１】上記割合（Ｃ+ ／Ｓｉ）を０．２６〜０．
４９とするための具体的な条件は特に制限されず、イオ
ンビームの加速電圧や電流密度、蒸着速度等を夫々バラ
ンスよく適正に設定すればよいが、標準的な条件として
示すならば、Ｃをイオン注入するときの好ましいイオン
ビーム加速電圧は２０〜７０ＫｅＶ，電流密度は２５〜
３５μＡ／ｃｍ2 、Ｓｉ蒸着するときの好ましい蒸着速
度は０．０９〜０．１２ｎｍ／ｓｅｃの各範囲であり、
Ｃイオン到達数と蒸着Ｓｉ原子到達数の割合が上記設定
範囲を満たす様にそれらの条件を制御すればよい。
４９とするための具体的な条件は特に制限されず、イオ
ンビームの加速電圧や電流密度、蒸着速度等を夫々バラ
ンスよく適正に設定すればよいが、標準的な条件として
示すならば、Ｃをイオン注入するときの好ましいイオン
ビーム加速電圧は２０〜７０ＫｅＶ，電流密度は２５〜
３５μＡ／ｃｍ2 、Ｓｉ蒸着するときの好ましい蒸着速
度は０．０９〜０．１２ｎｍ／ｓｅｃの各範囲であり、
Ｃイオン到達数と蒸着Ｓｉ原子到達数の割合が上記設定
範囲を満たす様にそれらの条件を制御すればよい。
【００１２】以下本発明を実施例によって更に詳細に説
明するが、下記実施例は本発明を限定する性質のもので
はなく前・後記の趣旨に徴して設計変更することはいず
れも本発明の技術的範囲に含まれるものである。
明するが、下記実施例は本発明を限定する性質のもので
はなく前・後記の趣旨に徴して設計変更することはいず
れも本発明の技術的範囲に含まれるものである。
【００１３】
【実施例】ダイヤモンド砥粒（１μｍ）による鏡面仕上
げを施した炭素鋼を基材として用い、下記に示す様に、
Ｓｉ蒸着条件を一定とし、Ｃのイオン注入条件（イオン
ビーム電流密度）を３通りに変えて（処理〜）ダイ
ナミックミキシング処理を行い、ＳｉＣ皮膜を形成し
た。
げを施した炭素鋼を基材として用い、下記に示す様に、
Ｓｉ蒸着条件を一定とし、Ｃのイオン注入条件（イオン
ビーム電流密度）を３通りに変えて（処理〜）ダイ
ナミックミキシング処理を行い、ＳｉＣ皮膜を形成し
た。
【００１４】（ダイナミックミキシング条件） Ｓｉ蒸着 ・蒸着速度：０．１ｎｍ／ｓｅｃ ・蒸着厚さ：７５０ｎｍ Ｃイオン注入 イオンビーム加速電圧：４０ＫｅＶ イオンビーム電流密度：２０μＡ／ｃｍ2 （Ｃ+ ／Ｓ
ｉ＝０．２５） ３０μｍ／ｃｍ2 （Ｃ+ ／Ｓｉ＝０．３８） ４０μｍ／ｃｍ2 （Ｃ+ ／Ｓｉ＝０．５０） 図１〜３は、処理〜で得られた各皮膜形成材のＸ線
回折結果を夫々示すグラフである（但し、図１は伏角５
°、図２，３は伏角２°である）。
ｉ＝０．２５） ３０μｍ／ｃｍ2 （Ｃ+ ／Ｓｉ＝０．３８） ４０μｍ／ｃｍ2 （Ｃ+ ／Ｓｉ＝０．５０） 図１〜３は、処理〜で得られた各皮膜形成材のＸ線
回折結果を夫々示すグラフである（但し、図１は伏角５
°、図２，３は伏角２°である）。
【００１５】これらの結果から明らかな様にＣ+ ／Ｓｉ
が０．２５のとき（図１）および０．３８のとき（図
２）は、基板のＦｅのピークに加えてαＳｉＣとＦｅ3
Ｃのピークが観察されたが、Ｃ+ ／Ｓｉが０．５０のと
き（図３）は、Ｓｉのピークは観察されなかった。
が０．２５のとき（図１）および０．３８のとき（図
２）は、基板のＦｅのピークに加えてαＳｉＣとＦｅ3
Ｃのピークが観察されたが、Ｃ+ ／Ｓｉが０．５０のと
き（図３）は、Ｓｉのピークは観察されなかった。
【００１６】図４〜６は、処理〜で得られる各皮膜
形成材のＸ線光電子分光分析結果（ＸＰＳプロフィル）
を夫々示すグラフである。また図７〜９は、処理〜
で得られた各皮膜形成材のオージェ電子分光分析結果
（ＡＥＳプロフィル）を夫々示すグラフである。深さ方
向の組成プロフィルおよびＣ１ｓのエネルギーシフトか
ら、Ｃ+ ／Ｓｉが０．２５のとき（図４，７）および
０．３８のとき（図５，８）では、皮膜の大部分はＳｉ
Ｃであるが、鋼基板との間にＦｅ3 Ｃ層が形成されてお
り、この層の厚さはＣ+ ／Ｓｉが０．３８で処理したと
きの方が厚くなっていることがわかる。これに対し、Ｃ
+ ／Ｓｉが０．５０で処理したとき（図６，９）は、皮
膜のほとんどがＣイオンの蓄積によってグラファイト層
になっており、ＳｉＣ層はごく表面にのみ形成され、Ｆ
ｅ3 Ｃ層はグラファイトと鋼基板の間にわずかに存在し
ているだけである。以上の結果から、各処理〜で得
られた皮膜形成材の皮膜形態を、夫々図１０〜１２に模
式的に示す。得られた各皮膜形成材について、下記の条
件で往復摺動摩耗試験を行ない、摩擦係数の変化を調査
した。
形成材のＸ線光電子分光分析結果（ＸＰＳプロフィル）
を夫々示すグラフである。また図７〜９は、処理〜
で得られた各皮膜形成材のオージェ電子分光分析結果
（ＡＥＳプロフィル）を夫々示すグラフである。深さ方
向の組成プロフィルおよびＣ１ｓのエネルギーシフトか
ら、Ｃ+ ／Ｓｉが０．２５のとき（図４，７）および
０．３８のとき（図５，８）では、皮膜の大部分はＳｉ
Ｃであるが、鋼基板との間にＦｅ3 Ｃ層が形成されてお
り、この層の厚さはＣ+ ／Ｓｉが０．３８で処理したと
きの方が厚くなっていることがわかる。これに対し、Ｃ
+ ／Ｓｉが０．５０で処理したとき（図６，９）は、皮
膜のほとんどがＣイオンの蓄積によってグラファイト層
になっており、ＳｉＣ層はごく表面にのみ形成され、Ｆ
ｅ3 Ｃ層はグラファイトと鋼基板の間にわずかに存在し
ているだけである。以上の結果から、各処理〜で得
られた皮膜形成材の皮膜形態を、夫々図１０〜１２に模
式的に示す。得られた各皮膜形成材について、下記の条
件で往復摺動摩耗試験を行ない、摩擦係数の変化を調査
した。
【００１７】（試験条件） 圧子：直径１０ｍｍのアルミナ（Ａｌ2 Ｏ3 ）球 荷重：１００ｇｆ 摺動摩耗試験結果を図１３に示す。尚図１３には、比較
の為に未処理鋼およびＳｉ蒸着材についての摺動摩耗試
験結果についても示した。図１３から明らかな様に、Ｃ
+ ／Ｓｉが０．２５および０．５０の条件でＳｉＣ皮膜
を形成したものでは、摺動中の摩擦係数が未処理鋼のも
のよりも高くなったが、Ｃ+ ／Ｓｉが０．３８の条件で
ＳｉＣ皮膜を形成したもの（実施例）では、未処理鋼の
１／３以下に抑えられている。これは前記図１１に示し
た様に、Ｃ+ ／Ｓｉが０．３８の条件でＳｉＣ皮膜を形
成したものでは、十分な厚さのＦｅ3 Ｃ中間層が形成さ
れており、これによって摺動摩耗時の外力に対する皮膜
の変形抵抗が大きくなったためと考えられる。これに対
しＣ+ ／Ｓｉが０．２５の条件で行なったものは前記図
１０に示した様に、Ｆｅ3 Ｃ中間層の厚さが薄くなって
おり、またＣ+ ／Ｓｉが０．５０の条件で行なったもの
は前記図１２に示した様に、比較的軟らかいグラファイ
ト層が形成されており、いずれも摺動摩耗時の外力に対
する変形抵抗が十分でなくなり、摺動時の変形によって
摩耗が速く進行し、摩擦係数が早期に大きくなってい
る。
の為に未処理鋼およびＳｉ蒸着材についての摺動摩耗試
験結果についても示した。図１３から明らかな様に、Ｃ
+ ／Ｓｉが０．２５および０．５０の条件でＳｉＣ皮膜
を形成したものでは、摺動中の摩擦係数が未処理鋼のも
のよりも高くなったが、Ｃ+ ／Ｓｉが０．３８の条件で
ＳｉＣ皮膜を形成したもの（実施例）では、未処理鋼の
１／３以下に抑えられている。これは前記図１１に示し
た様に、Ｃ+ ／Ｓｉが０．３８の条件でＳｉＣ皮膜を形
成したものでは、十分な厚さのＦｅ3 Ｃ中間層が形成さ
れており、これによって摺動摩耗時の外力に対する皮膜
の変形抵抗が大きくなったためと考えられる。これに対
しＣ+ ／Ｓｉが０．２５の条件で行なったものは前記図
１０に示した様に、Ｆｅ3 Ｃ中間層の厚さが薄くなって
おり、またＣ+ ／Ｓｉが０．５０の条件で行なったもの
は前記図１２に示した様に、比較的軟らかいグラファイ
ト層が形成されており、いずれも摺動摩耗時の外力に対
する変形抵抗が十分でなくなり、摺動時の変形によって
摩耗が速く進行し、摩擦係数が早期に大きくなってい
る。
【００１８】
【発明の効果】本発明は以上の様に構成されており、ダ
イナミックミキシング法を利用してＳｉＣ皮膜を形成す
る際の最適な処理条件を確立し、これによって優れた耐
摩耗性を発揮するＳｉＣ皮膜を形成することができる様
になった。
イナミックミキシング法を利用してＳｉＣ皮膜を形成す
る際の最適な処理条件を確立し、これによって優れた耐
摩耗性を発揮するＳｉＣ皮膜を形成することができる様
になった。
【図１】Ｃ+ ／Ｓｉが０．２５の条件で得られた皮膜形
成材のＸ線回折結果を示すグラフである。
成材のＸ線回折結果を示すグラフである。
【図２】Ｃ+ ／Ｓｉが０．３８の条件で得られた皮膜形
成材のＸ線回折結果を示すグラフである。
成材のＸ線回折結果を示すグラフである。
【図３】Ｃ+ ／Ｓｉが０．５０の条件で得られた皮膜形
成材のＸ線回折結果を示すグラフである。
成材のＸ線回折結果を示すグラフである。
【図４】Ｃ+ ／Ｓｉが０．２５の条件で得られた皮膜形
成材のＸＰＳプロフィルを示すグラフである。
成材のＸＰＳプロフィルを示すグラフである。
【図５】Ｃ+ ／Ｓｉが０．３８の条件で得られた皮膜形
成材のＸＰＳプロフィルを示すグラフである。
成材のＸＰＳプロフィルを示すグラフである。
【図６】Ｃ+ ／Ｓｉが０．５０の条件で得られた皮膜形
成材のＸＰＳプロフィルを示すグラフである。
成材のＸＰＳプロフィルを示すグラフである。
【図７】Ｃ+ ／Ｓｉが０．２５の条件で得られた皮膜形
成材のＡＥＳプロフィルを示すグラフである。
成材のＡＥＳプロフィルを示すグラフである。
【図８】Ｃ+ ／Ｓｉが０．３８の条件で得られた皮膜形
成材のＡＥＳプロフィルを示すグラフである。
成材のＡＥＳプロフィルを示すグラフである。
【図９】Ｃ+ ／Ｓｉが０．５０の条件で得られた皮膜形
成材のＡＥＳプロフィルを示すグラフである。
成材のＡＥＳプロフィルを示すグラフである。
【図１０】Ｃ+ ／Ｓｉが０．２５の条件で得られた皮膜
形成材の皮膜形態を摸式的に示す説明図である。
形成材の皮膜形態を摸式的に示す説明図である。
【図１１】Ｃ+ ／Ｓｉが０．３８の条件で得られた皮膜
形成材の皮膜形態を摸式的に示す説明図である。
形成材の皮膜形態を摸式的に示す説明図である。
【図１２】Ｃ+ ／Ｓｉが０．５０の条件で得られた皮膜
形成材の皮膜形態を摸式的に示す説明図である。
形成材の皮膜形態を摸式的に示す説明図である。
【図１３】各皮膜形成材の摺動摩耗試験結果を示すグラ
フである。
フである。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 安永 龍哉 兵庫県神戸市西区高塚台１丁目５番５号 株式会社神戸製鋼所 神戸総合技術研 究所内 (72)発明者 河田 和久 兵庫県神戸市西区高塚台１丁目５番５号 株式会社神戸製鋼所 神戸総合技術研 究所内 (56)参考文献 特開 平２−307631（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) C23C 14/00 - 14/58
Claims (1)
- 【請求項１】 ダイナミックミキシング法を利用し、鉄
系合金基材表面に炭素イオン注入と珪素蒸着を同時に行
なうと共に、蒸着単位時間当たりの炭素イオン到達数と
蒸着珪素原子到達数の割合（Ｃ+ ／Ｓｉ）を０．２６〜
０．４９とすることを特徴とする耐摩耗性に優れた炭化
珪素皮膜の形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP07031093A JP3208908B2 (ja) | 1993-03-29 | 1993-03-29 | 耐摩耗性に優れた炭化珪素皮膜の形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP07031093A JP3208908B2 (ja) | 1993-03-29 | 1993-03-29 | 耐摩耗性に優れた炭化珪素皮膜の形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06279988A JPH06279988A (ja) | 1994-10-04 |
| JP3208908B2 true JP3208908B2 (ja) | 2001-09-17 |
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ID=13427763
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP07031093A Expired - Fee Related JP3208908B2 (ja) | 1993-03-29 | 1993-03-29 | 耐摩耗性に優れた炭化珪素皮膜の形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3208908B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP5649215B2 (ja) * | 2010-12-10 | 2015-01-07 | 日立金属株式会社 | 耐摩耗性と摺動特性に優れた被覆部材およびその製造方法 |
-
1993
- 1993-03-29 JP JP07031093A patent/JP3208908B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH06279988A (ja) | 1994-10-04 |
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