JPS63211733A - ワイヤボンデイング装置 - Google Patents
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明はICやLSIなど半導体装置の製造工程で、
半導体チップの電極と外部リード端子を金属細線で接続
するワイヤボンディング装置の改良に関するものである
。
半導体チップの電極と外部リード端子を金属細線で接続
するワイヤボンディング装置の改良に関するものである
。
ワイヤボンディング装置の全体外観図を第3図に、ワイ
ヤボンディングを行なう作業部の断面模式図を第4図に
、従来の加熱ヒートブロックの平面図および正面よりの
断面図を第5図および第6図に示す。
ヤボンディングを行なう作業部の断面模式図を第4図に
、従来の加熱ヒートブロックの平面図および正面よりの
断面図を第5図および第6図に示す。
ワイヤボンディング装置(1)は大きく分けて、リード
フレームを搬送するフレームツイータ部(2+。
フレームを搬送するフレームツイータ部(2+。
IJ −1’フレームを載置しワイヤポンディンクラ行
なう加熱ヒートブロックの内蔵されたホンディング作業
部(3)、ポンディングヘッド(4)に大別される。
なう加熱ヒートブロックの内蔵されたホンディング作業
部(3)、ポンディングヘッド(4)に大別される。
従来より行なわれているポンディング作業手順を簡単に
説明する。まず、第3図の(イ)の部分よりリードフレ
ームのダイパッド部に半導体ペレット伊ダイポンドされ
た半製品が送り込まれる。順次、このリードフレームが
ピッチ送りでホンディングポジション(3)に送り込ま
れ、ここで第4図に示すフレーム押え(II+により固
定され、ワイヤボンディング作業が行なわれる。この時
、加熱ヒートブロツク(3)の従来の構成および機能を
第5図、第6図をもとに説明する。(3)は従来技術の
加熱ヒートブロックで、ヒートブロック(3)と、その
内部に挿入されたヒータ(6)より成る。第5図におい
て図示(a)がフレームの進行方向とすると、ヒートブ
ロック(31u 、フレームの入ってくる方向に対し長
くなっている。これは、ホンディング点にフレームが入
る前にチップ付のリードフレームを予じめ予熱するため
に、長くされている。これは、通常のポンディング時の
第4図における半導体ペレット(8)の表面温度を20
0〜300℃に保持する必要があり、予熱を行なわない
と連続で1ペレツトづつポンディングする際に確実に昇
温しないためである。また、ポンディング後にはフレー
ムの出て行く方向には長(していないのは、従来のワイ
ヤボンディングはポンディング用のワイヤに金線、およ
び電極にはアルミを用いており、ポンディング直後、さ
らにワークを加熱すると、電極接続部の金とアルミの合
金層が成長し、接合部の劣化を加速するために、ポンデ
ィング後は出来るだけ加熱させないよう圧しである。
説明する。まず、第3図の(イ)の部分よりリードフレ
ームのダイパッド部に半導体ペレット伊ダイポンドされ
た半製品が送り込まれる。順次、このリードフレームが
ピッチ送りでホンディングポジション(3)に送り込ま
れ、ここで第4図に示すフレーム押え(II+により固
定され、ワイヤボンディング作業が行なわれる。この時
、加熱ヒートブロツク(3)の従来の構成および機能を
第5図、第6図をもとに説明する。(3)は従来技術の
加熱ヒートブロックで、ヒートブロック(3)と、その
内部に挿入されたヒータ(6)より成る。第5図におい
て図示(a)がフレームの進行方向とすると、ヒートブ
ロック(31u 、フレームの入ってくる方向に対し長
くなっている。これは、ホンディング点にフレームが入
る前にチップ付のリードフレームを予じめ予熱するため
に、長くされている。これは、通常のポンディング時の
第4図における半導体ペレット(8)の表面温度を20
0〜300℃に保持する必要があり、予熱を行なわない
と連続で1ペレツトづつポンディングする際に確実に昇
温しないためである。また、ポンディング後にはフレー
ムの出て行く方向には長(していないのは、従来のワイ
ヤボンディングはポンディング用のワイヤに金線、およ
び電極にはアルミを用いており、ポンディング直後、さ
らにワークを加熱すると、電極接続部の金とアルミの合
金層が成長し、接合部の劣化を加速するために、ポンデ
ィング後は出来るだけ加熱させないよう圧しである。
従来のワイヤボンディング装置の加熱ヒータは上記のよ
うに構成されているが、ポンディングワイヤに銅線を用
いる時は、この加熱ヒートブロックでは、以下に記載の
問題点がある。同一の保存温度に対して温度加速による
銅とアルミの合金層の成長スピードは、金とアルミの合
金層の約1/100と非常に遅くポンディング時の初期
の接合部の合金層の厚みが薄い。
うに構成されているが、ポンディングワイヤに銅線を用
いる時は、この加熱ヒートブロックでは、以下に記載の
問題点がある。同一の保存温度に対して温度加速による
銅とアルミの合金層の成長スピードは、金とアルミの合
金層の約1/100と非常に遅くポンディング時の初期
の接合部の合金層の厚みが薄い。
また、銅ワイヤを用いる時はリードフレームの材質も銅
合金フレームを用いるため、銅と銅の相互拡散も加熱時
間が長い程、接合性が安定する。
合金フレームを用いるため、銅と銅の相互拡散も加熱時
間が長い程、接合性が安定する。
このため、ポンディング完了後も加熱を続けることが、
逆に必要となる。従来の加熱ヒートブロックは金とアル
ミ接合を目的とし、ワイヤポンド直後は加熱を行なわな
い構造となっているため、銅とアルミ、または銅と銅の
接合に対しては初期接合の合金層を厚くするためには不
十分であった。
逆に必要となる。従来の加熱ヒートブロックは金とアル
ミ接合を目的とし、ワイヤポンド直後は加熱を行なわな
い構造となっているため、銅とアルミ、または銅と銅の
接合に対しては初期接合の合金層を厚くするためには不
十分であった。
本発明は銅線を用いた場合の初期の接合性を向上させる
加熱ヒートブロックの改良を目的とし、ポンディング直
後もワークを加熱するために、従来の加熱ヒートブロッ
クを進行方向に長<シ、アフターキュアを行なったもの
である。
加熱ヒートブロックの改良を目的とし、ポンディング直
後もワークを加熱するために、従来の加熱ヒートブロッ
クを進行方向に長<シ、アフターキュアを行なったもの
である。
従来の加熱ヒートブロックをフレームの進行方向にその
長さを増加し全体長を長くしたものである。ヒートブロ
ックの内部にヒータを挿入し、ポンディング部でワイヤ
ボンディング完了後、さらに増加部分で加熱ヒートブロ
ックによってワークをアフター加熱するようにしたもの
である。
長さを増加し全体長を長くしたものである。ヒートブロ
ックの内部にヒータを挿入し、ポンディング部でワイヤ
ボンディング完了後、さらに増加部分で加熱ヒートブロ
ックによってワークをアフター加熱するようにしたもの
である。
以下、この発明の実施例の構成を第1図、@2図をもと
に説明する。第1図はホンディングを行なう部分の平面
図、第2図は正面断面図である。
に説明する。第1図はホンディングを行なう部分の平面
図、第2図は正面断面図である。
第1図(、)方向からリードフレームのダイパッドにグ
イ付けされた半導体ペレットが投入され、加熱ヒートブ
ロック(5)の上に載置され予熱をされた後に、ポンデ
ィング部(3)に送り込まれポンディングヘッド(4)
によりワイヤボンディングが行なわれる。ワイヤボンデ
ィング後は加熱ヒートブロックの(7)の増加部分に送
り込まれ、さらにこの場所で加熱を行なう。加熱ヒート
ブロックは、金属製のブロック内にヒータ(6)を挿入
して加熱する方式を本実施例では示している。
イ付けされた半導体ペレットが投入され、加熱ヒートブ
ロック(5)の上に載置され予熱をされた後に、ポンデ
ィング部(3)に送り込まれポンディングヘッド(4)
によりワイヤボンディングが行なわれる。ワイヤボンデ
ィング後は加熱ヒートブロックの(7)の増加部分に送
り込まれ、さらにこの場所で加熱を行なう。加熱ヒート
ブロックは、金属製のブロック内にヒータ(6)を挿入
して加熱する方式を本実施例では示している。
本実施例ではヒータ(6)を内蔵した加熱ヒートブロッ
クを例に説明したが、半導体ペレットのダイ付けされた
リードフレームを加熱する型であれば形状、方式は問わ
ない。
クを例に説明したが、半導体ペレットのダイ付けされた
リードフレームを加熱する型であれば形状、方式は問わ
ない。
また、この発明の特徴は同一のワイヤボンディング装置
内で予熱、ポンディング加熱、ポンディング後加熱を連
続で一体化した点に特徴を持っているが、ワイヤボンド
直後であれば他の装置で行なってもよい。
内で予熱、ポンディング加熱、ポンディング後加熱を連
続で一体化した点に特徴を持っているが、ワイヤボンド
直後であれば他の装置で行なってもよい。
以上のようにこの発明によれば、接合部金属の拡散速度
の遅いものに対し、接合完了後もさらに加熱して拡散を
進め初期の接合強度をさらに安定させることが出来、特
に銅線とアルミパッドおよび銅線と銅フレームへの直接
ポンディングに対して初期接合性の向上に対し効果があ
る。
の遅いものに対し、接合完了後もさらに加熱して拡散を
進め初期の接合強度をさらに安定させることが出来、特
に銅線とアルミパッドおよび銅線と銅フレームへの直接
ポンディングに対して初期接合性の向上に対し効果があ
る。
第1図、第2図はこの発明の実施例を示したもので、第
1図はワイヤボンディング装置のポンディング部分の平
面図、第2図は同じく正面断面図、@3図はワイヤホン
ディング装置の全体外観図、第4図はワイヤボンディン
グを行なう作業部の断面模式図、第5図および第6図は
従来のワイヤボンディング装置のホンディング部分の平
面図および正面断面図である。 図中、1:ワイヤホンディング装置、2:フレームフィ
ーダ部、3;ワイヤボンディング作東部、31111ワ
イヤポンド前位置、3−+2+1ワイヤボンド後位置、
4;ポンディングヘッド、5:ヒートブロック、6蓄ヒ
ータ、7Iワイヤポンド後延長ヒートブロツク、8=半
導体ペレット、9:ダイスパッド、10:リード、11
Iフレーム押え、128金属細線、131超音波ホー
ン、14+xyテーブル。 なお、図中、同一符号は同−又は相当部分を示すO 慣へ 大岩増雄 第1図 第2図 s:t−ti”o−,7b: ヒ−y
q:f&Qヒ−トブ’a、v7第3図
1図はワイヤボンディング装置のポンディング部分の平
面図、第2図は同じく正面断面図、@3図はワイヤホン
ディング装置の全体外観図、第4図はワイヤボンディン
グを行なう作業部の断面模式図、第5図および第6図は
従来のワイヤボンディング装置のホンディング部分の平
面図および正面断面図である。 図中、1:ワイヤホンディング装置、2:フレームフィ
ーダ部、3;ワイヤボンディング作東部、31111ワ
イヤポンド前位置、3−+2+1ワイヤボンド後位置、
4;ポンディングヘッド、5:ヒートブロック、6蓄ヒ
ータ、7Iワイヤポンド後延長ヒートブロツク、8=半
導体ペレット、9:ダイスパッド、10:リード、11
Iフレーム押え、128金属細線、131超音波ホー
ン、14+xyテーブル。 なお、図中、同一符号は同−又は相当部分を示すO 慣へ 大岩増雄 第1図 第2図 s:t−ti”o−,7b: ヒ−y
q:f&Qヒ−トブ’a、v7第3図
Claims (1)
- 半導体リードフレームのダイパッドに固着された半導
体ペレットの電極と上記リードフレームのリード用導体
を金属細線で接続するワイヤボンディング装置において
、上記リードフレームを載置しワイヤボンディング作業
前の予備加熱、次にワイヤボンディング時の接合を助長
する本加熱の他にワイヤボンディング後にも、ワークを
さらに加熱する後加熱を行なうため、上記ヒートブロッ
クの長さをワイヤボンディング後のワークの進行方向に
長くしたことを特徴とするワイヤボンディング装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP62045648A JPS63211733A (ja) | 1987-02-27 | 1987-02-27 | ワイヤボンデイング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP62045648A JPS63211733A (ja) | 1987-02-27 | 1987-02-27 | ワイヤボンデイング装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS63211733A true JPS63211733A (ja) | 1988-09-02 |
Family
ID=12725193
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP62045648A Pending JPS63211733A (ja) | 1987-02-27 | 1987-02-27 | ワイヤボンデイング装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS63211733A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6482638A (en) * | 1987-09-25 | 1989-03-28 | Toshiba Corp | Bonding device |
JPH0377340A (ja) * | 1989-08-18 | 1991-04-02 | Nec Kansai Ltd | ワイヤボンディング方法 |
US9076910B2 (en) | 2006-12-26 | 2015-07-07 | Kyocera Corporation | Solar cell module |
-
1987
- 1987-02-27 JP JP62045648A patent/JPS63211733A/ja active Pending
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6482638A (en) * | 1987-09-25 | 1989-03-28 | Toshiba Corp | Bonding device |
JPH0377340A (ja) * | 1989-08-18 | 1991-04-02 | Nec Kansai Ltd | ワイヤボンディング方法 |
US9076910B2 (en) | 2006-12-26 | 2015-07-07 | Kyocera Corporation | Solar cell module |
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