JPH07105411B2 - ベアーボンディング方法 - Google Patents
ベアーボンディング方法Info
- Publication number
- JPH07105411B2 JPH07105411B2 JP62261394A JP26139487A JPH07105411B2 JP H07105411 B2 JPH07105411 B2 JP H07105411B2 JP 62261394 A JP62261394 A JP 62261394A JP 26139487 A JP26139487 A JP 26139487A JP H07105411 B2 JPH07105411 B2 JP H07105411B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- bonding
- horn
- wire
- lead
- lead frame
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L24/49—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
- H01L2224/05—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
- H01L2224/0554—External layer
- H01L2224/0555—Shape
- H01L2224/05552—Shape in top view
- H01L2224/05554—Shape in top view being square
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
- H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
- H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/45001—Core members of the connector
- H01L2224/45099—Material
- H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
- H01L2224/45138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
- H01L2224/45147—Copper (Cu) as principal constituent
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/484—Connecting portions
- H01L2224/48463—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond
- H01L2224/48465—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond the other connecting portion not on the bonding area being a wedge bond, i.e. ball-to-wedge, regular stitch
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/49—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/49—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
- H01L2224/491—Disposition
- H01L2224/4912—Layout
- H01L2224/49175—Parallel arrangements
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
- H01L2224/78—Apparatus for connecting with wire connectors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
- H01L2224/78—Apparatus for connecting with wire connectors
- H01L2224/7825—Means for applying energy, e.g. heating means
- H01L2224/783—Means for applying energy, e.g. heating means by means of pressure
- H01L2224/78301—Capillary
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
- H01L2224/8512—Aligning
- H01L2224/85148—Aligning involving movement of a part of the bonding apparatus
- H01L2224/85169—Aligning involving movement of a part of the bonding apparatus being the upper part of the bonding apparatus, i.e. bonding head, e.g. capillary or wedge
- H01L2224/8518—Translational movements
- H01L2224/85181—Translational movements connecting first on the semiconductor or solid-state body, i.e. on-chip, regular stitch
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
- H01L2224/852—Applying energy for connecting
- H01L2224/85201—Compression bonding
- H01L2224/85205—Ultrasonic bonding
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
- H01L2224/852—Applying energy for connecting
- H01L2224/85201—Compression bonding
- H01L2224/85205—Ultrasonic bonding
- H01L2224/85206—Direction of oscillation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01029—Copper [Cu]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01082—Lead [Pb]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/151—Die mounting substrate
- H01L2924/156—Material
- H01L2924/157—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
- H01L2924/15738—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950 C and less than 1550 C
- H01L2924/15747—Copper [Cu] as principal constituent
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Wire Bonding (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明はトランジスタやICのワイヤボンディング工程に
おけるメッキレスのリードフレームにベアーボンディン
グするためのベアーボンディング方法に関するものであ
る。
おけるメッキレスのリードフレームにベアーボンディン
グするためのベアーボンディング方法に関するものであ
る。
従来、この種のベアーボンディングとしては、第3図,
第4図に示すようにリードフレームにガス供給口5から
還元ガス4を吹き付けて極力無酸化状態でしかも汚れの
ない状態に保持してリードフレームが酸化まで到らない
温度に加熱し、キャピラリー2に通したワイヤ3にボー
ル6を形成してアイランド8上のチップ7のパッド9に
USホーン1でボールボンディングし接合強度を得ようと
していた。10はリード、11は配線ワイヤである。
第4図に示すようにリードフレームにガス供給口5から
還元ガス4を吹き付けて極力無酸化状態でしかも汚れの
ない状態に保持してリードフレームが酸化まで到らない
温度に加熱し、キャピラリー2に通したワイヤ3にボー
ル6を形成してアイランド8上のチップ7のパッド9に
USホーン1でボールボンディングし接合強度を得ようと
していた。10はリード、11は配線ワイヤである。
上述した従来のベアーボンディング方法はリードフレー
ムが前工程のマウント工程における高温加熱又は搬送、
作業者のハンドリング、工程内での保管等によってワイ
ヤボンディング工程を流れる際にリードフレームがかな
り酸化しているので、ボンディング工程での還元雰囲気
が充分でないと、ワイヤとリードとの接合状態が弱くな
ってしまうという欠点がある。またマウント工程でのソ
ルダにはAuソルダ、半田等があるが、半田等のソフトソ
ルダを使用する場合には、ボンディング工程における加
熱温度をソルダの融点未満の低い温度に設定するため、
ワイヤとリードとの接合状態はUSを使用した場合でも弱
くなるという欠点があった。一方、リード側に比べてパ
ッド側はAuやCu線などのワイヤでボールを成形すること
は還元ガスを吹き付けていれば簡単にでき、Al等のパッ
ドへの接着は一般のボンダでも簡単にできる。これによ
りメッキレスベアーボンディングを行い、ワイヤ引張試
験を行うと、チップ上のパッドとワイヤの接合強度は充
分であるのに対し、ワイヤとリードの接合強度が弱く、
リード上でワイヤが切れることが多い。
ムが前工程のマウント工程における高温加熱又は搬送、
作業者のハンドリング、工程内での保管等によってワイ
ヤボンディング工程を流れる際にリードフレームがかな
り酸化しているので、ボンディング工程での還元雰囲気
が充分でないと、ワイヤとリードとの接合状態が弱くな
ってしまうという欠点がある。またマウント工程でのソ
ルダにはAuソルダ、半田等があるが、半田等のソフトソ
ルダを使用する場合には、ボンディング工程における加
熱温度をソルダの融点未満の低い温度に設定するため、
ワイヤとリードとの接合状態はUSを使用した場合でも弱
くなるという欠点があった。一方、リード側に比べてパ
ッド側はAuやCu線などのワイヤでボールを成形すること
は還元ガスを吹き付けていれば簡単にでき、Al等のパッ
ドへの接着は一般のボンダでも簡単にできる。これによ
りメッキレスベアーボンディングを行い、ワイヤ引張試
験を行うと、チップ上のパッドとワイヤの接合強度は充
分であるのに対し、ワイヤとリードの接合強度が弱く、
リード上でワイヤが切れることが多い。
従来のボンディング技術には、スクラブやリード上で、
キャピラリーを設定時間停止状態にすることが可能であ
るがリード上でスクラブをかけると、第5図に示すよう
にワイヤ切れが起きたり、リード上でキャピラリーを設
定時間停止状態にすると、リード側を接合した後のテー
ル12の先端が第6図に示すようにつぶれてしまい、電気
トーチ13でスパークさせても真円のボールができなくな
る。
キャピラリーを設定時間停止状態にすることが可能であ
るがリード上でスクラブをかけると、第5図に示すよう
にワイヤ切れが起きたり、リード上でキャピラリーを設
定時間停止状態にすると、リード側を接合した後のテー
ル12の先端が第6図に示すようにつぶれてしまい、電気
トーチ13でスパークさせても真円のボールができなくな
る。
本発明の目的はCuワイヤ等の金属ワイヤをメッキレスリ
ードフレームにベアーボンディングするベアーボンディ
ング方法を提供することにある。
ードフレームにベアーボンディングするベアーボンディ
ング方法を提供することにある。
上述した従来のベアーボンディング方法に対し、本発明
は製品の組立方法としてパッドとリードの位置をベアー
ボンディングにおけるステッチ側のワイヤ接合強度を得
られるように配置するという点で独創的内容を有する。
は製品の組立方法としてパッドとリードの位置をベアー
ボンディングにおけるステッチ側のワイヤ接合強度を得
られるように配置するという点で独創的内容を有する。
本発明のベアーボンディング方法は、ボールボンディン
グ工程とステッチボンディング工程とを行い、メッキレ
スのリードフレームのアイランド上に搭載された半導体
素子のパッドと、該半導体素子の周囲に設けられたメッ
キレスリードフレームのリードとを金属ワイヤにより電
気的に接続するベアーボンディング方法であって、ボー
ルボンディング工程は、前記半導体素子のパッドに金属
ワイヤの一端をボールボンディングする処理であり、ス
テッチボンディング工程は、前記パッドにボールボンデ
ィングされた金属ワイヤの他端を前記メッキレスリード
フレームのリードにUSホーンによるスクラブで接合する
処理であり、半導体素子の複数のパッドと複数のメッキ
レスリードフレームの接合点とは、ボンディングに先立
て予め特定の位置関係に配置され、半導体素子の複数の
パッドは、USホーンのスクラブ方向とは直行する方向に
配列されて設けられ、複数のメッキレスリードフレーム
の接合点は、前記半導体素子の複数のパッドに対向した
位置に設けられたものであり、前記複数のパッドにボー
ルボンディングされた全ての金属ワイヤの引き出し方向
をUSホーンのスクラブ方向と一致する方向に規制し、US
ホーンのスクラブを金属ワイヤの配線方向と一致させて
作用させることにより、金属ワイヤの他端をリードに接
合することを特徴とする。
グ工程とステッチボンディング工程とを行い、メッキレ
スのリードフレームのアイランド上に搭載された半導体
素子のパッドと、該半導体素子の周囲に設けられたメッ
キレスリードフレームのリードとを金属ワイヤにより電
気的に接続するベアーボンディング方法であって、ボー
ルボンディング工程は、前記半導体素子のパッドに金属
ワイヤの一端をボールボンディングする処理であり、ス
テッチボンディング工程は、前記パッドにボールボンデ
ィングされた金属ワイヤの他端を前記メッキレスリード
フレームのリードにUSホーンによるスクラブで接合する
処理であり、半導体素子の複数のパッドと複数のメッキ
レスリードフレームの接合点とは、ボンディングに先立
て予め特定の位置関係に配置され、半導体素子の複数の
パッドは、USホーンのスクラブ方向とは直行する方向に
配列されて設けられ、複数のメッキレスリードフレーム
の接合点は、前記半導体素子の複数のパッドに対向した
位置に設けられたものであり、前記複数のパッドにボー
ルボンディングされた全ての金属ワイヤの引き出し方向
をUSホーンのスクラブ方向と一致する方向に規制し、US
ホーンのスクラブを金属ワイヤの配線方向と一致させて
作用させることにより、金属ワイヤの他端をリードに接
合することを特徴とする。
次に、本発明について図面を参照して説明する。
(実施例1) 第1図は本発明の第1の実施例を示す工程図である。
第1図において、まず、USホーン1にキャピラリ2を取
り付け、金属ワイヤ3を通し、還元ガス4をガス供給口
5からワイヤとリードフレームに供給し、ボール6を成
形してボンディングを行う。還元ガス4を供給する限
り、AuやCu等の金属ワイヤのボール6は酸化させず簡単
にボール6を成形することが可能になる。
り付け、金属ワイヤ3を通し、還元ガス4をガス供給口
5からワイヤとリードフレームに供給し、ボール6を成
形してボンディングを行う。還元ガス4を供給する限
り、AuやCu等の金属ワイヤのボール6は酸化させず簡単
にボール6を成形することが可能になる。
しかしながら、工程内のリードフレームとチップ7にベ
アーボンディングしようとすると、ワイヤ強度に弱い部
分がある。第8図はワイヤ強度を方向別に測定した結果
である。X方向はUSホーンと垂直な方向、Y方向はUSホ
ーンと平行な方向である。本実験ではCuワイヤφ30μを
使用している。リードフレームの加熱温度を300℃以上
に設定した場合には、ボンディング方向が任意の位置で
あってもある程度のワイヤ強度が得られるが、第7図に
示すようにソフトソルダを使用したマウントチップ品に
対して設定する250℃近くではボンディング方向を任意
に行うと、ワイヤ強度は極端に弱くなる。しかも、接合
強度が弱い場合は、ほとんどが引張試験においてリード
上で破壊されることから、ベアーボンディングを行うた
めにはワイヤとリードの接合強度を強くすることが重要
であることが分かる。第7図においては温度設定が300
℃であっても接合強度の最小値としては低い値が出てい
ることも分かる。温度が300℃を超えると接合強度は上
がるが、リードフレームや金属ワイヤが酸化しやすくな
ってしまう。
アーボンディングしようとすると、ワイヤ強度に弱い部
分がある。第8図はワイヤ強度を方向別に測定した結果
である。X方向はUSホーンと垂直な方向、Y方向はUSホ
ーンと平行な方向である。本実験ではCuワイヤφ30μを
使用している。リードフレームの加熱温度を300℃以上
に設定した場合には、ボンディング方向が任意の位置で
あってもある程度のワイヤ強度が得られるが、第7図に
示すようにソフトソルダを使用したマウントチップ品に
対して設定する250℃近くではボンディング方向を任意
に行うと、ワイヤ強度は極端に弱くなる。しかも、接合
強度が弱い場合は、ほとんどが引張試験においてリード
上で破壊されることから、ベアーボンディングを行うた
めにはワイヤとリードの接合強度を強くすることが重要
であることが分かる。第7図においては温度設定が300
℃であっても接合強度の最小値としては低い値が出てい
ることも分かる。温度が300℃を超えると接合強度は上
がるが、リードフレームや金属ワイヤが酸化しやすくな
ってしまう。
そこで、本発明は以上の実験結果に基づいてベアーボン
ディングを行うものであり、第1図において、ボールボ
ンディング工程とステッチボンディング工程とを行い、
メッキレスのリードフレームのアイランド8上に搭載さ
れたトランジスタやダイオード等の半導体素子(以下、
チップという)7のパッド9と、チップ7の周囲に設け
られたメッキレスリードフレームのリード10とを金属ワ
イヤ3により電気的に接続するものである。
ディングを行うものであり、第1図において、ボールボ
ンディング工程とステッチボンディング工程とを行い、
メッキレスのリードフレームのアイランド8上に搭載さ
れたトランジスタやダイオード等の半導体素子(以下、
チップという)7のパッド9と、チップ7の周囲に設け
られたメッキレスリードフレームのリード10とを金属ワ
イヤ3により電気的に接続するものである。
ボールボンディング工程は、チップ7のパッド9に金属
ワイヤ3の一端をボールボンディングする処理であり、
ステッチボンディング工程は、パッド9にボールボンデ
ィングされたワイヤ3の他端をメッキレスリードフレー
ムのリード10にUSホーン1によるスクラブで接合する処
理である。11は配線処理後の配線ワイヤである。
ワイヤ3の一端をボールボンディングする処理であり、
ステッチボンディング工程は、パッド9にボールボンデ
ィングされたワイヤ3の他端をメッキレスリードフレー
ムのリード10にUSホーン1によるスクラブで接合する処
理である。11は配線処理後の配線ワイヤである。
本発明においては、チップ7のパッド9とメッキレスリ
ードフレームのリード10とは第1図に示すように、ボン
ディングに先立って予め特定の位置関係に配置され、チ
ップ7のパッド9は、USホーン1のスクラブ方向(第1
図では上下(縦)方向)とは直交する方向(第1図では
横方向)に配列されて設けられ、メッキレスリードフレ
ームのリード10は、USホーン1のスクラブ方向とは平行
な方向に配列されて設けられている。
ードフレームのリード10とは第1図に示すように、ボン
ディングに先立って予め特定の位置関係に配置され、チ
ップ7のパッド9は、USホーン1のスクラブ方向(第1
図では上下(縦)方向)とは直交する方向(第1図では
横方向)に配列されて設けられ、メッキレスリードフレ
ームのリード10は、USホーン1のスクラブ方向とは平行
な方向に配列されて設けられている。
本発明は、前記パッド9にボールボンディングされた全
ての金属ワイヤ3の引き出し方向をUSホーン1のスクラ
ブ方向と一致する方向に規制し、USホーン1のスクラブ
を金属ワイヤ3の配線方向と一致させて作用させること
により、金属ワイヤ3の他端をリードに接合させるもの
である。これにより第4図に示すチップ7へのUSホーン
1の発振により最も接合強度が得られる方向でワイヤボ
ンディングすることができる。
ての金属ワイヤ3の引き出し方向をUSホーン1のスクラ
ブ方向と一致する方向に規制し、USホーン1のスクラブ
を金属ワイヤ3の配線方向と一致させて作用させること
により、金属ワイヤ3の他端をリードに接合させるもの
である。これにより第4図に示すチップ7へのUSホーン
1の発振により最も接合強度が得られる方向でワイヤボ
ンディングすることができる。
(実施例2) 第2図は本発明の第2の実施例を示す工程図である。こ
こでチップ7はICチップである。本実施例はパッド9を
USホーン1と垂直の方向に複数配置し、リード10をUSホ
ーン1と平行にワイヤボンディングできるように配置し
ている。
こでチップ7はICチップである。本実施例はパッド9を
USホーン1と垂直の方向に複数配置し、リード10をUSホ
ーン1と平行にワイヤボンディングできるように配置し
ている。
第1図,第2図ともワイヤ3はAu又はCu等の金属ワイヤ
である。
である。
以上説明したように本発明は、半導体素子のパッドとリ
ードとの位置をボンディングに先立って設定することに
より、パットにボールボンディングされた全ての金属ワ
イヤの引き出し方向をUSホーンのスクラブ方向と一致す
る方向に規制し、USホーンのスクラブを金属ワイヤの配
線方向と一致させて作用させることにより、金属ワイヤ
をメッキレスリードフレームにステッチボンディングす
るため、金属ワイヤにUSホーンのスクラブによる無理な
力が加わらず、ワイヤ切れを防止することができ、しか
もCuワイヤ等の金属ワイヤとメッキレスのCuリードフレ
ーム等に接合強度の高いベアーボンディングを実施する
ことができる効果がある。
ードとの位置をボンディングに先立って設定することに
より、パットにボールボンディングされた全ての金属ワ
イヤの引き出し方向をUSホーンのスクラブ方向と一致す
る方向に規制し、USホーンのスクラブを金属ワイヤの配
線方向と一致させて作用させることにより、金属ワイヤ
をメッキレスリードフレームにステッチボンディングす
るため、金属ワイヤにUSホーンのスクラブによる無理な
力が加わらず、ワイヤ切れを防止することができ、しか
もCuワイヤ等の金属ワイヤとメッキレスのCuリードフレ
ーム等に接合強度の高いベアーボンディングを実施する
ことができる効果がある。
第1図は本発明の第1の実施例を示す工程図、第2図は
本発明の第2の実施例を示す工程図、第3図は従来例を
示す工程図、第4図はUSホーンによるボンディング状態
を示す図、第5図は従来装置のスクラブをかけている状
態を示す図、第6図は従来装置のキャピラリーの設定時
間停止させた状態を示す図、第7図はCuベアーボンディ
ング時の温度別接合強度の実験結果を示す図、第8図は
Cuベアーボンディング時の方向別接合強度の実験結果を
示す図である。 1……USホーン、2……キャピラリー 3……ワイヤ、4……還元ガス 5……ガス供給口、6……ボール 7……チップ、8……アイランド 9……パッド、10……リード 11……配線ワイヤ、12……テール 13……電気トーチ
本発明の第2の実施例を示す工程図、第3図は従来例を
示す工程図、第4図はUSホーンによるボンディング状態
を示す図、第5図は従来装置のスクラブをかけている状
態を示す図、第6図は従来装置のキャピラリーの設定時
間停止させた状態を示す図、第7図はCuベアーボンディ
ング時の温度別接合強度の実験結果を示す図、第8図は
Cuベアーボンディング時の方向別接合強度の実験結果を
示す図である。 1……USホーン、2……キャピラリー 3……ワイヤ、4……還元ガス 5……ガス供給口、6……ボール 7……チップ、8……アイランド 9……パッド、10……リード 11……配線ワイヤ、12……テール 13……電気トーチ
Claims (1)
- 【請求項1】ボールボンディング工程とステッチボンデ
ィング工程とを行い、メッキレスのリードフレームのア
イランド上に搭載された半導体素子のパッドと、該半導
体素子の周囲に設けられたメッキレスリードフレームの
リードとを金属ワイヤにより電気的に接続するベアーボ
ンディング方法であって、 ボールボンディング工程は、前記半導体素子のパッドに
金属ワイヤの一端をボールボンディングする処理であ
り、 ステッチボンディング工程は、前記パッドにボールボン
ディングされた金属ワイヤの他端を前記メッキレスリー
ドフレームのリードにUSホーンによるスクラブで接合す
る処理であり、 半導体素子の複数のパッドと複数のメッキレスリードフ
レームの接合点とは、ボンディングに先立て予め特定の
位置関係に配置され、 半導体素子の複数のパッドは、USホーンのスクラブ方向
とは直行する方向に配列されて設けられ、複数のメッキ
レスリードフレームの接合点は、前記半導体素子の複数
のパッドに対向した位置に設けられたものであり、 前記複数のパッドにボールボンディングされた全ての金
属ワイヤの引き出し方向をUSホーンのスクラブ方向と一
致する方向に規制し、USホーンのスクラブを金属ワイヤ
の配線方向と一致させて作用させることにより、金属ワ
イヤの他端をリードに接合することを特徴とするベアー
ボンディング方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP62261394A JPH07105411B2 (ja) | 1987-10-16 | 1987-10-16 | ベアーボンディング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP62261394A JPH07105411B2 (ja) | 1987-10-16 | 1987-10-16 | ベアーボンディング方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH01103845A JPH01103845A (ja) | 1989-04-20 |
JPH07105411B2 true JPH07105411B2 (ja) | 1995-11-13 |
Family
ID=17361253
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP62261394A Expired - Lifetime JPH07105411B2 (ja) | 1987-10-16 | 1987-10-16 | ベアーボンディング方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH07105411B2 (ja) |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5598836A (en) * | 1979-01-20 | 1980-07-28 | Thomson Csf | Method of and device for connecting semiconductor element |
JPS59178737A (ja) * | 1983-03-29 | 1984-10-11 | Fujitsu Ltd | ワイヤボンデイング方法 |
JPS6114732A (ja) * | 1984-06-29 | 1986-01-22 | Toshiba Corp | ワイヤボンデイング方法 |
JPS61231736A (ja) * | 1985-04-05 | 1986-10-16 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置の製造方法 |
JPS6286736A (ja) * | 1985-10-11 | 1987-04-21 | Mitsubishi Electric Corp | ボンデイング方法 |
-
1987
- 1987-10-16 JP JP62261394A patent/JPH07105411B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH01103845A (ja) | 1989-04-20 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US4437604A (en) | Method of making fine wire interconnections | |
US6624059B2 (en) | Method of improving interconnect of semiconductor devices by utilizing a flattened ball bond | |
US20070222087A1 (en) | Semiconductor device with solderable loop contacts | |
JPH0455341B2 (ja) | ||
JPH11102928A (ja) | Csp型半導体装置及びその製造方法 | |
JPH06291160A (ja) | 半導体装置および半導体装置の製造方法 | |
JPH07105411B2 (ja) | ベアーボンディング方法 | |
JPH05211192A (ja) | 半導体装置のワイヤボンディング方法 | |
JPS61241953A (ja) | リ−ドフレ−ムおよびそれを用いた半導体装置 | |
JPS62150836A (ja) | 半導体装置 | |
JPH05235080A (ja) | 半田ワイヤーによるワイヤーボンディング装置 | |
JP2846095B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JP2741204B2 (ja) | 半導体装置 | |
JPS5944836A (ja) | ワイヤ−ボンデイング方法 | |
JPH04255237A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
KR100565960B1 (ko) | 와이어 본딩 장치 | |
JPH0546271Y2 (ja) | ||
JP2681145B2 (ja) | 樹脂封止半導体装置 | |
JPS6379331A (ja) | ワイヤボンデイング装置 | |
JPH05243307A (ja) | 半導体装置 | |
KR940005489Y1 (ko) | 스몰언더라인(Small Underline)형 반도체 패키지 | |
JPH04256330A (ja) | ワイヤーボンディング方法及びワイヤーボンディング装置 | |
JPH01293526A (ja) | 樹脂封止型半導体装置用リードフレーム | |
JPS61117846A (ja) | 接合用金属突起の製造方法 | |
JPH0590320A (ja) | ボール式ワイヤーボンデイング方法 |