JPS63211717A - ＜１００＞結晶方位オリエンテ−シヨン・フラツトＳｉウエ−ハ - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は（ｉｏｏ）結晶面を有するＳＳウェーハのオリ
エンテーション・フラットの結晶方位に関する。

〔従来の技術〕

従来、（１００’）結晶面を有するＳ（ウェー７１面１
１に対し、オリエンチーシロン・フラット１２は、第２
図に示す如く、円形（１００）結晶面の一部に直線状に
、且つ＜１１０＞結晶方位に数十ミリメートルの長さで
設定されているのが通例であった。

〔発明が解決しようとする問題点〕

しかし、上記、従来技術によると、（１００）結晶面を
有するＳ１ウ工−ハ面に対し、〈１１０〉結晶方位のオ
リエンテーラ１ン・フラットをガイドとして、方形の穴
を垂直に形成する場合に１該穴側面には（１１０）結晶
面が現出する事になり、該大側面ＩｃＭＯ８型ＩＭＣＴ
を構成する場合に、界面準位密度が大となる問題点があ
った。

本発明は、かかる従来技術の問題点をなくし、（１００
）結晶面ＳＳウェーハに方形の穴を垂直に形成する場合
に、該大側面に（１００）結晶面を現出させ、該大側面
にＭＯＢ型？ＥＴを構成した場合に、界面準位密度が最
小になる様に、パターンニング膜のガイドとしてのオリ
エンテーション・フラットの結晶方位を規定する事を目
的とする。

〔問題点を解決するための手段〕

上記問題点を解決するために、本発明は、（１Ｄｏ）結
晶面のＳｉウェーハに於て、オリエンテーション・フラ
ットの結晶方位を＜１００＞となす手段をとる。

〔実施例〕

以下、実施例により本発明を詳述する。

第１図は本発明の実施例を示すＳ＜ウェーハの平面図で
ある。すなわち、（１００）結晶面を有する円形Ｓｉウ
ェーハ面１０周辺端部に数十ミＩＪメートルの直線状の
オリエンテーション・フラット２を＜１００＞結晶方位
に設けて成る０すなわち、第２図の＜１１０＞に対しく
１００＞は４５度傾いた位置に設けることとなる。該オ
リエンテーション・フラットは、例えば方形の溝をＳ＜
つ工−ハ面に対し、垂直に形成する場合に、マスク合わ
せのガイドとなり、該マスクには、通常、オリエンテー
ション・フラットに対し、水平又は垂直に方形図の端部
が描かれ、該方形図をパターンニングし、ドライ・エツ
チング等でＳｉミラニー圃面対し垂直にエツチングを施
し、方形の溝を形成する訳であるが、本発明の如＜、＜
１００＞結晶方位の（１００）結晶面Ｓｉウェーハに於
ては、前記溝の側面は主として（１００）結晶面が現出
し、該（１００）結晶面を側壁に有する溝内で、側壁部
に、絶縁膜とゲート電極を形成して、垂直にＭＯ８型Ｉ
ＦＫＴを構成する場合に、（１００）Ｓ（ウェーハ面と
同等の設計基準すなわち（１００）面でのＭＯ９型ＦＥ
Ｔが構成できることとなるＯ 〔発明の効果〕 本発明の如く、（１００）結晶面Ｓｉウエーノ・に於て
、＜１００＞結晶方位オリエンテーション・フラットを
設ける事によシ、（１００）結晶面に、ＭＯ８型ＦＩＴ
を作成する場合に、その界面準位密度を最小にすること
ができる効果がある。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明を実施例を示すＳｉウェーハの平面図を
、第２図は従来技術によるＳ＜ウエーノ・の平面図を示
す。 １．１１・・・・・・ｓ５ウェーハ面 ２　、１２−−°°オリエンテーション・フラット以　
　上 出願人　セイコーエプソン株式会社 代理人　弁理士最　上　務他１名 第１図 第２図

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 　オリエンテーション・フラットを＜１００＞結晶方位
   に有する事を特徴とする（１００）結晶面のＳｉウエー
   ハ。