JPS63211683A - 太陽光選択吸収膜 - Google Patents
太陽光選択吸収膜Info
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- JPS63211683A JPS63211683A JP62042835A JP4283587A JPS63211683A JP S63211683 A JPS63211683 A JP S63211683A JP 62042835 A JP62042835 A JP 62042835A JP 4283587 A JP4283587 A JP 4283587A JP S63211683 A JPS63211683 A JP S63211683A
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- polyimide film
- selective absorption
- solar selective
- solar
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- Pending
Links
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Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02B—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES RELATED TO BUILDINGS, e.g. HOUSING, HOUSE APPLIANCES OR RELATED END-USER APPLICATIONS
- Y02B10/00—Integration of renewable energy sources in buildings
- Y02B10/10—Photovoltaic [PV]
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
Landscapes
- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は太陽エネルギーを有効に利用する家庭用給温装
置、発電装置などに適用する太陽光選択吸収膜に関する
。
置、発電装置などに適用する太陽光選択吸収膜に関する
。
（従来の技術）
従来の太陽光線選択吸収膜としては、（１） Ｓｉ／
ＨｏＳｉ／Ｇｅ／ Ａｅ等の半導体コートの帯間遷移に
よる吸収利用、（わ ＳｉＯ／Ａｅ、 ＴｉＯ，／Ｔｉ
、ＺｒＣｘ／Ｚｒ。
ＨｏＳｉ／Ｇｅ／ Ａｅ等の半導体コートの帯間遷移に
よる吸収利用、（わ ＳｉＯ／Ａｅ、 ＴｉＯ，／Ｔｉ
、ＺｒＣｘ／Ｚｒ。
Ｍ２０１７Ｎｏ／Ｍ ｚ Ｏｉ ／Ｎｏなトノ多ｆＢ
Ｄ−テンクニよる干渉効果利用、（Ｉ Ｗ、Ｎｉホイ
スカー、サーメットなどの凹凸表面の多重反射、金属粒
子のプラズマ共鳴吸収の利用、■ 赤外線域でも放射率
の高い黒色塗料膜、■ 前記（１）〜（１）の複合効果
の利用等が公知である。
Ｄ−テンクニよる干渉効果利用、（Ｉ Ｗ、Ｎｉホイ
スカー、サーメットなどの凹凸表面の多重反射、金属粒
子のプラズマ共鳴吸収の利用、■ 赤外線域でも放射率
の高い黒色塗料膜、■ 前記（１）〜（１）の複合効果
の利用等が公知である。
（発明が解決しようとする問題点）
従来の上記（１）は、半導体をコートする場合材料費が
高く、複雑な蒸着工程を必要とし、上記（わは、蒸着、
スパッタなどで製作するが、その条件出しが容易でない
。又、これらの酸化物は、耐熱温度が低く真空中に封じ
て使用しなければならない。上記（ｉ）は、材料費が高
く製造工程が複雑である。上記（至）は、耐熱湿度が低
く最高が２００℃程度である等の不都合を有する。
高く、複雑な蒸着工程を必要とし、上記（わは、蒸着、
スパッタなどで製作するが、その条件出しが容易でない
。又、これらの酸化物は、耐熱温度が低く真空中に封じ
て使用しなければならない。上記（ｉ）は、材料費が高
く製造工程が複雑である。上記（至）は、耐熱湿度が低
く最高が２００℃程度である等の不都合を有する。
（問題点を解決するための手段）
本発明は、比較的安価に且つ容易に製造し得られ、大気
中や高温下でも安定に使用できる太陽光選択吸収膜を提
供するもので、太陽光選択吸収膜はポリイミド膜である
ことを特徴とし、更にその選択吸収性を高めるため、加
熱処理されたポリイミド膜であることを特徴とする。
中や高温下でも安定に使用できる太陽光選択吸収膜を提
供するもので、太陽光選択吸収膜はポリイミド膜である
ことを特徴とし、更にその選択吸収性を高めるため、加
熱処理されたポリイミド膜であることを特徴とする。
（実施例）
本発明の実施例を添付図面につき説明する。
第１図は、本発明実施の１例を示し、赤外線域で高い反
射率を有するアルミニウムなどの板状の金属ｔｊ基材（
１）面にポリイミド膜（２）をコーテングしたものであ
る。該ポリイミド膜（２）は太陽光線の可視光線を吸収
すると同時に赤外線には透明な膜として働く。基板が金
属のため赤外線には低い放射率を示し、太陽光選択吸収
膜として作用する。ポリイミド膜（２）の厚さは、例え
ば２１ｃ ｍとする。第２図は、ポリイミド膜（りの被
着材として前記の板状の基材（１）に代えて、管状の金
属製基材（１）の外周面に管状にポリイミド膜（２）を
形成した例を示す。その金属製バイブ基材（１）の内周
面に図示しないがポリイミド膜（２）を形成するときは
、この管状ポリイミド族は、この金属製バイブを、例え
ば海水淡水化利用に配設する場合には、耐塩水被膜とし
ても作用するので、一般に腐食性の媒体を通しこれを太
陽熱で加熱できる耐食性被膜として役立つ。従って、例
えば家庭用給湯に用いた場合、太陽熱の再放出が少ない
ので、その熱を多く利用でき、それだけ基材を高温にで
き、又１度温められた湯はさめにくい等の効果がある。
射率を有するアルミニウムなどの板状の金属ｔｊ基材（
１）面にポリイミド膜（２）をコーテングしたものであ
る。該ポリイミド膜（２）は太陽光線の可視光線を吸収
すると同時に赤外線には透明な膜として働く。基板が金
属のため赤外線には低い放射率を示し、太陽光選択吸収
膜として作用する。ポリイミド膜（２）の厚さは、例え
ば２１ｃ ｍとする。第２図は、ポリイミド膜（りの被
着材として前記の板状の基材（１）に代えて、管状の金
属製基材（１）の外周面に管状にポリイミド膜（２）を
形成した例を示す。その金属製バイブ基材（１）の内周
面に図示しないがポリイミド膜（２）を形成するときは
、この管状ポリイミド族は、この金属製バイブを、例え
ば海水淡水化利用に配設する場合には、耐塩水被膜とし
ても作用するので、一般に腐食性の媒体を通しこれを太
陽熱で加熱できる耐食性被膜として役立つ。従って、例
えば家庭用給湯に用いた場合、太陽熱の再放出が少ない
ので、その熱を多く利用でき、それだけ基材を高温にで
き、又１度温められた湯はさめにくい等の効果がある。
該ポリイミド膜（２）の基材（１）面への形成は、ポリ
イミドの前駆物質をディップコート、スプレーコートに
より基材（１）面にコートした後加熱しポリイミド化処
理することにより或は蒸着重合法によりポリイミドを基
材（１）にコートした後、熱処理を行なうことなどによ
り得られる。蒸着重合法は、三次元的な物体へのコーテ
ングを容易にできる。又その製造は、空気中、又はｏ２
雰囲気中、或は減圧真空下で、或は又Ｎ２、Ａｒなとの
不活性ガスの導入下でイミド化し、生成したポリイミド
膜を３００〜５００℃の高温で加熱処理することが好ま
しい。この加熱処理によりポリイミド膜の光学特性は、
第３図示の如く変化する。第３図において、曲Ｉ！ｉｌ
Ａは、加熱処理前のポリイミド膜の光学特性曲線、常温
乃至２００’Ｃ程度で加熱処理したポリイミド膜の光学
特性曲線、Ｂは空気中で４００℃で加熱処理したポリイ
ミド膜の光学特性曲線を示す。これから明らかなように
、ポリイミド膜の加熱処理により可視光線（０，３〜０
．７μｍ）の反射率を著しく低下せしめることができ、
従ってその吸収率を増大でき、−万券外線の透過率を向
上させることができる。
イミドの前駆物質をディップコート、スプレーコートに
より基材（１）面にコートした後加熱しポリイミド化処
理することにより或は蒸着重合法によりポリイミドを基
材（１）にコートした後、熱処理を行なうことなどによ
り得られる。蒸着重合法は、三次元的な物体へのコーテ
ングを容易にできる。又その製造は、空気中、又はｏ２
雰囲気中、或は減圧真空下で、或は又Ｎ２、Ａｒなとの
不活性ガスの導入下でイミド化し、生成したポリイミド
膜を３００〜５００℃の高温で加熱処理することが好ま
しい。この加熱処理によりポリイミド膜の光学特性は、
第３図示の如く変化する。第３図において、曲Ｉ！ｉｌ
Ａは、加熱処理前のポリイミド膜の光学特性曲線、常温
乃至２００’Ｃ程度で加熱処理したポリイミド膜の光学
特性曲線、Ｂは空気中で４００℃で加熱処理したポリイ
ミド膜の光学特性曲線を示す。これから明らかなように
、ポリイミド膜の加熱処理により可視光線（０，３〜０
．７μｍ）の反射率を著しく低下せしめることができ、
従ってその吸収率を増大でき、−万券外線の透過率を向
上させることができる。
これは、空気中又は０２中では、酸化により、不活性ガ
スを導入し又はしない真空下では分解により、ポリイミ
ド本来の赤外線での吸収を少な（し、カーボン化するこ
とにより全体的に色が黒くなり赤外線での透過率を向上
させる効果をもたらす。
スを導入し又はしない真空下では分解により、ポリイミ
ド本来の赤外線での吸収を少な（し、カーボン化するこ
とにより全体的に色が黒くなり赤外線での透過率を向上
させる効果をもたらす。
（発明の効果）
このように本発明によるときは、太陽光線選択吸収膜を
ポリイミド膜で形成するので、！！１造が容易で且つ比
較的安価に得られ、その使用は、耐熱耐酸化性であるた
め、高温の集熱温度でも真空中に封する必要がなく、大
気中で使用できるため、太陽熱家庭用給湯装置、太陽熱
発電装置などとしての容易且つ安価に設置することがで
き、又その加熱処理したポリイミド膜は、可視光線の吸
収率を増大する一方赤外線域では透過率を増大でき、透
明な膜として働き、従って反射率が増大するため再放出
が少なく、又大気中でも、高温でも安定であり、太陽光
選択吸収性能を著しく向上でき又製造容易である等の効
果を有する。
ポリイミド膜で形成するので、！！１造が容易で且つ比
較的安価に得られ、その使用は、耐熱耐酸化性であるた
め、高温の集熱温度でも真空中に封する必要がなく、大
気中で使用できるため、太陽熱家庭用給湯装置、太陽熱
発電装置などとしての容易且つ安価に設置することがで
き、又その加熱処理したポリイミド膜は、可視光線の吸
収率を増大する一方赤外線域では透過率を増大でき、透
明な膜として働き、従って反射率が増大するため再放出
が少なく、又大気中でも、高温でも安定であり、太陽光
選択吸収性能を著しく向上でき又製造容易である等の効
果を有する。
第１図及び第２図は、本発明の実施例の断面図、第３図
は、ポリイミド膜の加熱処理温度と光。 （１）・・・基材 （２）・・・ポリイミド膜ムＦ易
克り液長（／”Ｉｔ）
は、ポリイミド膜の加熱処理温度と光。 （１）・・・基材 （２）・・・ポリイミド膜ムＦ易
克り液長（／”Ｉｔ）
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、ポリイミド膜から成る太陽光選択吸収膜。 ２、加熱処理を施したポリイミド膜から成る太陽光選択
吸収膜。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62042835A JPS63211683A (ja) | 1987-02-27 | 1987-02-27 | 太陽光選択吸収膜 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62042835A JPS63211683A (ja) | 1987-02-27 | 1987-02-27 | 太陽光選択吸収膜 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63211683A true JPS63211683A (ja) | 1988-09-02 |
Family
ID=12647028
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62042835A Pending JPS63211683A (ja) | 1987-02-27 | 1987-02-27 | 太陽光選択吸収膜 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63211683A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100962233B1 (ko) | 2004-04-08 | 2010-06-11 | 오스트리아마이크로시스템즈 아게 | 고전압 접합형 전계효과 트랜지스터 |
| WO2017029972A1 (ja) * | 2015-08-17 | 2017-02-23 | 住友電気工業株式会社 | プリント配線板及び電子部品 |
| WO2017029973A1 (ja) * | 2015-08-17 | 2017-02-23 | 住友電気工業株式会社 | プリント配線板及び電子部品 |
-
1987
- 1987-02-27 JP JP62042835A patent/JPS63211683A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100962233B1 (ko) | 2004-04-08 | 2010-06-11 | 오스트리아마이크로시스템즈 아게 | 고전압 접합형 전계효과 트랜지스터 |
| US7781809B2 (en) | 2004-04-08 | 2010-08-24 | Austriamicrosystems Ag | High voltage depletion layer field effect transistor |
| WO2017029972A1 (ja) * | 2015-08-17 | 2017-02-23 | 住友電気工業株式会社 | プリント配線板及び電子部品 |
| WO2017029973A1 (ja) * | 2015-08-17 | 2017-02-23 | 住友電気工業株式会社 | プリント配線板及び電子部品 |
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