JPS62104081A - 反射防止膜の製造方法 - Google Patents
反射防止膜の製造方法Info
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- JPS62104081A JPS62104081A JP60245127A JP24512785A JPS62104081A JP S62104081 A JPS62104081 A JP S62104081A JP 60245127 A JP60245127 A JP 60245127A JP 24512785 A JP24512785 A JP 24512785A JP S62104081 A JPS62104081 A JP S62104081A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0216—Coatings
- H01L31/02161—Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
- H01L31/02167—Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells
- H01L31/02168—Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells the coatings being antireflective or having enhancing optical properties for the solar cells
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は太陽電池に用いる反射防止膜およびその製法に
関する。
関する。
（従来技術およびその問題点）
太陽電池は光のエネルギーを電気的エネルギーに変換す
るものであり、はぼ無尽蔵の太陽エネルギーの有効利用
をはかる点で注目されている。
るものであり、はぼ無尽蔵の太陽エネルギーの有効利用
をはかる点で注目されている。
しかしながら、太陽電池のエネルギー変換効率は一般に
１０％を越える程度であり、その効率を高める種々の工
夫がなされている。例えば、太陽電池表面で入射する光
の多くの部分が反射され、変換効率を低下させるのを解
決するために、一般に反射防止膜が必要不可欠である。
１０％を越える程度であり、その効率を高める種々の工
夫がなされている。例えば、太陽電池表面で入射する光
の多くの部分が反射され、変換効率を低下させるのを解
決するために、一般に反射防止膜が必要不可欠である。
その反射防止膜には単層膜および多層膜の２種類がある
。単層膜として一般的なＳ！３Ｎ４の膜は真空チャンバ
ー内で形成するために、バッチ処理となり、膜形成のた
めの付帯設備が大掛かりとなる。また、ＴａｔＯｓの単
層膜を蒸着法により形成するものも用いられているが、
この場合も真空チャンバーを必要とし、バッチ処理とな
り生産効率が悪い。酸化チタン膜をスピン法により形成
し反射防止膜として用いられているか、液体ソースをウ
ェバーに塗布した後、高い屈折率の膜を得るために高温
処理（８００〜９００℃）が必要となり、２段階のステ
ップが必要となる。
。単層膜として一般的なＳ！３Ｎ４の膜は真空チャンバ
ー内で形成するために、バッチ処理となり、膜形成のた
めの付帯設備が大掛かりとなる。また、ＴａｔＯｓの単
層膜を蒸着法により形成するものも用いられているが、
この場合も真空チャンバーを必要とし、バッチ処理とな
り生産効率が悪い。酸化チタン膜をスピン法により形成
し反射防止膜として用いられているか、液体ソースをウ
ェバーに塗布した後、高い屈折率の膜を得るために高温
処理（８００〜９００℃）が必要となり、２段階のステ
ップが必要となる。
一方、多層膜では酸化アルミニウム／酸化チタンあるい
はフッ化マグネシウム／酸化チタンを蒸着法により形成
するが、真空蒸着法のため設備が大掛かりでかつバッチ
式となる。また、屈折率を変えた５１３Ｎ４の４層膜を
プラズマＣＶＤ法により形成する方法も用いられている
が、前記Ｓｉ３Ｎ４とで述べたのと同様の欠点がある。
はフッ化マグネシウム／酸化チタンを蒸着法により形成
するが、真空蒸着法のため設備が大掛かりでかつバッチ
式となる。また、屈折率を変えた５１３Ｎ４の４層膜を
プラズマＣＶＤ法により形成する方法も用いられている
が、前記Ｓｉ３Ｎ４とで述べたのと同様の欠点がある。
（発明の目的）
本発明は、極めて生産効率を高め、連続ベルト方式で形
成することができ、しからその屈折率が連続的に変化す
る反射防止膜を形成することを目的とする。
成することができ、しからその屈折率が連続的に変化す
る反射防止膜を形成することを目的とする。
（発明の構成）
すなわち、本発明は屈折率が連続的に変化した反射防止
膜およびその製法を提供する。
膜およびその製法を提供する。
一般に、太陽電池パネルは太陽電池表面に反射防止膜を
形成し、その太陽電池を樹脂層（ポリビニルブチラール
、エチレンビニルアセテートなど）ではさみ、上下より
ガラスとバックカバーフィルムを重ねて熱圧着（ラミネ
ート法）することにより得られる。反射防止膜となる材
料は太陽電池表面における反射率を極小するために、光
学的な観点から最良の屈折率となるものを選択する必要
がある。例えば、シリコンを用いる太陽電池の場合は、
シリコンの屈折率ｎは光の波長の関数であるが、感度の
高い６００〜ｌ １００（ｎｍ）の波長領域では３．５
＜ ｎ ＜４程度である。単層反射防止膜の場合、反
射防止膜の屈折率をｎとし、樹脂材料の屈折率をｎ。と
すると、反射防止膜の最適屈折率はｎ’＝ｎｏ”ｎで表
わすことができ、樹脂層の屈折率は通常１．４５程度な
ので、 ２．２５＜ｎ＜２．４１ の屈折率を持つ材料が最適となる。
形成し、その太陽電池を樹脂層（ポリビニルブチラール
、エチレンビニルアセテートなど）ではさみ、上下より
ガラスとバックカバーフィルムを重ねて熱圧着（ラミネ
ート法）することにより得られる。反射防止膜となる材
料は太陽電池表面における反射率を極小するために、光
学的な観点から最良の屈折率となるものを選択する必要
がある。例えば、シリコンを用いる太陽電池の場合は、
シリコンの屈折率ｎは光の波長の関数であるが、感度の
高い６００〜ｌ １００（ｎｍ）の波長領域では３．５
＜ ｎ ＜４程度である。単層反射防止膜の場合、反
射防止膜の屈折率をｎとし、樹脂材料の屈折率をｎ。と
すると、反射防止膜の最適屈折率はｎ’＝ｎｏ”ｎで表
わすことができ、樹脂層の屈折率は通常１．４５程度な
ので、 ２．２５＜ｎ＜２．４１ の屈折率を持つ材料が最適となる。
一方、多層反射防止膜の場合、界面での反射ロスを小さ
くするために反射防止膜の屈折率は（約１．４５ ）＜
ｎ＋＜＋ｔｔ＜・＜ｎ、＜ ３ 、６ （シリコンの屈
折率） ［式中、ｎは反射防止膜のそれぞれの層の屈折率を示す
。］ となるような組み合わせが最良である。
くするために反射防止膜の屈折率は（約１．４５ ）＜
ｎ＋＜＋ｔｔ＜・＜ｎ、＜ ３ 、６ （シリコンの屈
折率） ［式中、ｎは反射防止膜のそれぞれの層の屈折率を示す
。］ となるような組み合わせが最良である。
本発明の反射防止膜の製法は種々のものに応用できるが
、酸化チタン膜の形成を基本として更に詳細に説明する
。
、酸化チタン膜の形成を基本として更に詳細に説明する
。
チタンの有機化合物（Ｔｉ（ＯＣ３Ｈｔ）＋テトライソ
プロピルチタネートなど）と水との反応による酸化チタ
ン膜の形成： Ｔ；（ｏＣ３Ｈ７）４＋Ｈ２０→Ｔ ｉＯ２を連続ヘル
ド式のＣＶＤ装置により行なう。この反応においてはデ
ポジション温度により酸化チタンの屈折率を任意に変え
ることができるため、１種の材料で、連続的に屈折率を
変化させた膜を容易に形成することができる。
プロピルチタネートなど）と水との反応による酸化チタ
ン膜の形成： Ｔ；（ｏＣ３Ｈ７）４＋Ｈ２０→Ｔ ｉＯ２を連続ヘル
ド式のＣＶＤ装置により行なう。この反応においてはデ
ポジション温度により酸化チタンの屈折率を任意に変え
ることができるため、１種の材料で、連続的に屈折率を
変化させた膜を容易に形成することができる。
このデポジション温度と屈折率の変化を第１図に示す。
第１図に示すようにデポジション温度を変えることによ
り酸化チタン膜の屈折率が１．８前後から２．４以上ま
で連続的に変化する。従って、デポジション温度を徐々
に下げていくことにより、前記のようにシリコンに近い
屈折率から連続的に樹脂層に近い屈折率にまで変化した
反射防止膜を形成することができる。このように屈折率
が変化した反射防止膜は、反射ロスを従来のものに比較
して大きく改善することができる。
り酸化チタン膜の屈折率が１．８前後から２．４以上ま
で連続的に変化する。従って、デポジション温度を徐々
に下げていくことにより、前記のようにシリコンに近い
屈折率から連続的に樹脂層に近い屈折率にまで変化した
反射防止膜を形成することができる。このように屈折率
が変化した反射防止膜は、反射ロスを従来のものに比較
して大きく改善することができる。
ＣＶＤ法は連続ベルト式であって従来公知の装置および
器具が有効に用いられる。
器具が有効に用いられる。
本発明の反射防止膜を用いた太陽電池の模式構造図を第
２図に示す。
２図に示す。
シリコン型太陽電池（１）は反射防止膜（２）が表面に
載置され、その上には樹脂層（３）が存在する。
載置され、その上には樹脂層（３）が存在する。
更にその上層にはガラス層が存在する。シリコン型太陽
電池の背面にも樹脂層（５）が存在し、さらにその上に
はバックカバーフィルム（６）が存在する。反射防止膜
（２）は連続的に屈折率が変化するが、ここではｉが無
限大である多層反射防止膜として図面を形成する。樹脂
層（３）に接して屈折率Ｎｌの層があり、その後順次屈
折率が大きくなり、シリコン太陽電池に接するＮ１層は
シリコンの屈折率に最も近くなる。
電池の背面にも樹脂層（５）が存在し、さらにその上に
はバックカバーフィルム（６）が存在する。反射防止膜
（２）は連続的に屈折率が変化するが、ここではｉが無
限大である多層反射防止膜として図面を形成する。樹脂
層（３）に接して屈折率Ｎｌの層があり、その後順次屈
折率が大きくなり、シリコン太陽電池に接するＮ１層は
シリコンの屈折率に最も近くなる。
（発明の効果）
ＣＶＤ法のため、特別な装置や複雑な付帯設備を必要と
せず、デポジション温度の変化のみで酸化チタン膜の屈
折率を変えることができ、製造その他経済的な利点があ
る。しかも、酸化チタンの場合、モジュール構造におけ
る樹脂（Ｎ＃１．４５）とシリコン基板（ｎ″；３．６
）との中間の屈折率をもつ膜を形成できるため反射防止
効果が極めて高い。また、製造方法も連続ベルト式のた
め量産性が高くコストダウンに寄与ができる。
せず、デポジション温度の変化のみで酸化チタン膜の屈
折率を変えることができ、製造その他経済的な利点があ
る。しかも、酸化チタンの場合、モジュール構造におけ
る樹脂（Ｎ＃１．４５）とシリコン基板（ｎ″；３．６
）との中間の屈折率をもつ膜を形成できるため反射防止
効果が極めて高い。また、製造方法も連続ベルト式のた
め量産性が高くコストダウンに寄与ができる。
第１図はデポジション温度と屈折率の関係を示すグラフ
を示す。 第２図は本発明の反射防止膜を用いた太陽電池の模式的
断面図である。 図中、番号は以下の通りである： （１）・太陽電池、 （２）・・・反射防止膜、（３）
・樹脂層、 （４）・・・ガラス、（５）・・・樹脂
層、 （６）・・・バックカバーフィルム。 第１図 第２図
を示す。 第２図は本発明の反射防止膜を用いた太陽電池の模式的
断面図である。 図中、番号は以下の通りである： （１）・太陽電池、 （２）・・・反射防止膜、（３）
・樹脂層、 （４）・・・ガラス、（５）・・・樹脂
層、 （６）・・・バックカバーフィルム。 第１図 第２図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、屈折率が連続的に変化した反射防止膜。 ２、屈折率が約１．８〜約２．４まで連続的に変化する
第１項記載の反射防止膜。 ３、反射防止膜が酸化チタン膜である第１項記載の反射
防止膜。 ４、デポジション温度を連続的に変えてＣＶＤ法を実施
することにより形成することを特徴とする屈折率が連続
的に変化した反射防止膜の製造方法。 ５、デポジション温度を約１５０℃から約３５０℃に連
続的に変化させる第４項記載の製造方法。 ６、ＣＶＤ法の反応ガスがＴｉ（ＯＣ＿３Ｈ＿７）＿４
（ｇ）とＨ＿２Ｏ（ｇ）である第４項記載の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60245127A JPS62104081A (ja) | 1985-10-30 | 1985-10-30 | 反射防止膜の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60245127A JPS62104081A (ja) | 1985-10-30 | 1985-10-30 | 反射防止膜の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62104081A true JPS62104081A (ja) | 1987-05-14 |
| JPH0446470B2 JPH0446470B2 (ja) | 1992-07-30 |
Family
ID=17129024
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60245127A Granted JPS62104081A (ja) | 1985-10-30 | 1985-10-30 | 反射防止膜の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62104081A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02111638A (ja) * | 1988-09-07 | 1990-04-24 | Carl Zeiss:Fa | 絶縁性の層状組織が被覆されたガラス母材を製造する方法 |
| US5674356A (en) * | 1994-04-05 | 1997-10-07 | Sony Corporation | Method for forming a semiconductor device in which an anti reflective layer is formed by varying the composition thereof |
| US6297134B1 (en) | 1999-04-21 | 2001-10-02 | Sharp Kabushiki Kaisha | Deposition of titanium oxide film containing droping element on Si substrate |
| JP2012522395A (ja) * | 2009-03-31 | 2012-09-20 | エルジー イノテック カンパニー リミテッド | 太陽光発電装置及びその製造方法 |
| CN105322028A (zh) * | 2014-06-05 | 2016-02-10 | 中物院成都科学技术发展中心 | 钛箔太阳能电池及其制备方法 |
-
1985
- 1985-10-30 JP JP60245127A patent/JPS62104081A/ja active Granted
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02111638A (ja) * | 1988-09-07 | 1990-04-24 | Carl Zeiss:Fa | 絶縁性の層状組織が被覆されたガラス母材を製造する方法 |
| US5674356A (en) * | 1994-04-05 | 1997-10-07 | Sony Corporation | Method for forming a semiconductor device in which an anti reflective layer is formed by varying the composition thereof |
| US5831321A (en) * | 1994-04-05 | 1998-11-03 | Sony Corporation | Semiconductor device in which an anti-reflective layer is formed by varying the composition thereof |
| US6297134B1 (en) | 1999-04-21 | 2001-10-02 | Sharp Kabushiki Kaisha | Deposition of titanium oxide film containing droping element on Si substrate |
| JP2012522395A (ja) * | 2009-03-31 | 2012-09-20 | エルジー イノテック カンパニー リミテッド | 太陽光発電装置及びその製造方法 |
| CN105322028A (zh) * | 2014-06-05 | 2016-02-10 | 中物院成都科学技术发展中心 | 钛箔太阳能电池及其制备方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0446470B2 (ja) | 1992-07-30 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |