JPH0446470B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPH0446470B2 JPH0446470B2 JP60245127A JP24512785A JPH0446470B2 JP H0446470 B2 JPH0446470 B2 JP H0446470B2 JP 60245127 A JP60245127 A JP 60245127A JP 24512785 A JP24512785 A JP 24512785A JP H0446470 B2 JPH0446470 B2 JP H0446470B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- refractive index
- antireflection film
- film
- titanium oxide
- deposition temperature
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F77/00—Constructional details of devices covered by this subclass
- H10F77/30—Coatings
- H10F77/306—Coatings for devices having potential barriers
- H10F77/311—Coatings for devices having potential barriers for photovoltaic cells
- H10F77/315—Coatings for devices having potential barriers for photovoltaic cells the coatings being antireflective or having enhancing optical properties
Landscapes
- Surface Treatment Of Glass (AREA)
- Photovoltaic Devices (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は太陽電池に用いる反射防止膜の製造方
法に関する。
法に関する。
（従来技術およびその問題点）
太陽電池は光のエネルギーを電気的エネルギー
に変換するものであり、ほぼ無尽蔵の太陽エネル
ギーの有効利用をはかる点で注目されている。
に変換するものであり、ほぼ無尽蔵の太陽エネル
ギーの有効利用をはかる点で注目されている。
しかしながら、太陽電池のエネルギー変換効率
は一般に10％を越える程度であり、その効率を高
める種々の工夫がなされている。例えば、太陽電
池表面で入射する光の多くの部分が反射され、変
換効率を低下させるのを解決するために、一般に
反射防止膜が必要不可欠である。
は一般に10％を越える程度であり、その効率を高
める種々の工夫がなされている。例えば、太陽電
池表面で入射する光の多くの部分が反射され、変
換効率を低下させるのを解決するために、一般に
反射防止膜が必要不可欠である。
その反射防止膜には単層膜および多層膜の２種
類がある。単層膜として一般的なSi3N4の膜は真
空チヤンバー内で形成するために、バツチ処理と
なり、膜形成のための付帯設備が大掛かりとな
る。また、Ta2O5の単層膜を蒸着法により形成す
るものも用いられているが、この場合も真空チヤ
ンバーを必要とし、バツチ処理となり生産効率が
悪い。酸化チタン膜をスピン法により形成し反射
防止膜として用いているが、液体ソースをウエハ
ーに塗布した後、高い屈折率の膜を得るために高
温処理（800〜900℃）が必要となり、２段階のス
テツプが必要となる。
類がある。単層膜として一般的なSi3N4の膜は真
空チヤンバー内で形成するために、バツチ処理と
なり、膜形成のための付帯設備が大掛かりとな
る。また、Ta2O5の単層膜を蒸着法により形成す
るものも用いられているが、この場合も真空チヤ
ンバーを必要とし、バツチ処理となり生産効率が
悪い。酸化チタン膜をスピン法により形成し反射
防止膜として用いているが、液体ソースをウエハ
ーに塗布した後、高い屈折率の膜を得るために高
温処理（800〜900℃）が必要となり、２段階のス
テツプが必要となる。
一方、多層膜では酸化アルミニウム／酸化チタ
ンあるいはフツ化マグネシウム／酸化チタンを蒸
着法により形成するが、真空蒸着法のため設備が
大掛かりでかつバツチ式となる。また、屈折率を
変えたSi3N4の４層膜をプラズマCVD法により形
成する方法も用いられているが、前記Si3N4とで
述べたのと同様の欠点がある。
ンあるいはフツ化マグネシウム／酸化チタンを蒸
着法により形成するが、真空蒸着法のため設備が
大掛かりでかつバツチ式となる。また、屈折率を
変えたSi3N4の４層膜をプラズマCVD法により形
成する方法も用いられているが、前記Si3N4とで
述べたのと同様の欠点がある。
（発明の目的）
本発明は、極めて生産効率を高め、連続ベルト
方式で形成することができ、しかもその屈折率が
連続的に変化す反射防止膜を形成することを目的
とする。
方式で形成することができ、しかもその屈折率が
連続的に変化す反射防止膜を形成することを目的
とする。
（発明の構成）
すなわち、本発明は屈折率が連続的に変化した
反射防止膜の製造方法を提供する。
反射防止膜の製造方法を提供する。
一般に、太陽電池パネルは太陽電池表面に反射
防止膜を形成し、その太陽電池を樹脂層（ポリビ
ニルブチラール、エチレンビニルアセテートな
ど）ではさみ、上下よりガラスとバツクカバーフ
イルムを重ねて熱圧着（ラミネート法）すること
により得られる。反射防止膜となる材料は太陽電
池表面における反射率を極小するために、光学的
な観点から最良の屈折率となるものを選択する必
要がある。例えば、シリコンを用いる太陽電池の
場合は、シリコンの屈折率nSは光の波長の関数で
あるが、感度の高い600〜1100（nm）の波長領域
では3.5＜ns＜４程度である。単層反射防止膜の
場合、反射防止膜の屈折率をｎとし、樹脂材料の
屈折率をn0とすると、反射防止膜の最適屈折率は
n2＝n0・nsで表わすことができ、樹脂層の屈折率
は通常1.45程度なので、 2.25n＜ｎ＜2.41 の屈折率を持つ材料が最適ととなる。
防止膜を形成し、その太陽電池を樹脂層（ポリビ
ニルブチラール、エチレンビニルアセテートな
ど）ではさみ、上下よりガラスとバツクカバーフ
イルムを重ねて熱圧着（ラミネート法）すること
により得られる。反射防止膜となる材料は太陽電
池表面における反射率を極小するために、光学的
な観点から最良の屈折率となるものを選択する必
要がある。例えば、シリコンを用いる太陽電池の
場合は、シリコンの屈折率nSは光の波長の関数で
あるが、感度の高い600〜1100（nm）の波長領域
では3.5＜ns＜４程度である。単層反射防止膜の
場合、反射防止膜の屈折率をｎとし、樹脂材料の
屈折率をn0とすると、反射防止膜の最適屈折率は
n2＝n0・nsで表わすことができ、樹脂層の屈折率
は通常1.45程度なので、 2.25n＜ｎ＜2.41 の屈折率を持つ材料が最適ととなる。
一方、多層反射防止膜の場合、界面での反射ロ
スを小さくするために反射防止膜の屈折率は（約
1.45）＜n1＜n2＜…＜ni＜3.6（シリコンの屈折率）
［式中、ｎは反射防止膜のそれぞれの層の屈折
率を示す。］ となるような組み合わせが最良である。
スを小さくするために反射防止膜の屈折率は（約
1.45）＜n1＜n2＜…＜ni＜3.6（シリコンの屈折率）
［式中、ｎは反射防止膜のそれぞれの層の屈折
率を示す。］ となるような組み合わせが最良である。
本発明の反射防止膜の製法は種々のものに応用
できるが、酸化チタン膜の形成を基本として更に
詳細に説明する。
できるが、酸化チタン膜の形成を基本として更に
詳細に説明する。
チタンの有機化合物（Ti（OC3H7）4テトライソ
プロピルチタネートなど）と水との反応による酸
化チタン膜の形成： Ti（OC3H7）4＋H2O→TiO2 を連続ベルト式のCVD装置により行なう。この
反応においてはデポジシヨン温度により酸化チタ
ンの屈折率を任意に変えることができるため、１
種の材料で、連続的に屈折率を変化させた膜を容
易に形成することができる。
プロピルチタネートなど）と水との反応による酸
化チタン膜の形成： Ti（OC3H7）4＋H2O→TiO2 を連続ベルト式のCVD装置により行なう。この
反応においてはデポジシヨン温度により酸化チタ
ンの屈折率を任意に変えることができるため、１
種の材料で、連続的に屈折率を変化させた膜を容
易に形成することができる。
ここで、デポジシヨン温度とは、一般的にデポ
ジシヨンしようとする基板の温度を意味する。し
かし実際には、熱伝達等により雰囲気温度も実質
基板と同温度になることが多い。
ジシヨンしようとする基板の温度を意味する。し
かし実際には、熱伝達等により雰囲気温度も実質
基板と同温度になることが多い。
屈折率変化の理由は、現時点では明らかではな
いが、高いデポジシヨン温度の場合に低温度の場
合よりも緻密な膜質形成が行えるため、温度に従
つて屈折率が高くなると考えれる。
いが、高いデポジシヨン温度の場合に低温度の場
合よりも緻密な膜質形成が行えるため、温度に従
つて屈折率が高くなると考えれる。
このデポジシヨン温度と屈折率の変化を第１図
に示す。
に示す。
第１図に示すようにデポジシヨン温度を変える
ことにより酸化チタン膜の屈折率が1.8前後から
2.4以上まで連続的に変化する。従つて、デポジ
シヨン温度を徐々に下げていくことにより、前記
のようにシリコンに近い屈折率から連続的に樹脂
層に近い屈折率にまで変化した反射防止膜を形成
することができる。このように屈折率が変化した
反射防止膜は、反射ロスを従来のものに比較して
大きく改善することができる。
ことにより酸化チタン膜の屈折率が1.8前後から
2.4以上まで連続的に変化する。従つて、デポジ
シヨン温度を徐々に下げていくことにより、前記
のようにシリコンに近い屈折率から連続的に樹脂
層に近い屈折率にまで変化した反射防止膜を形成
することができる。このように屈折率が変化した
反射防止膜は、反射ロスを従来のものに比較して
大きく改善することができる。
CVD法は連続ベルト式であつて従来公知の装
置および器具が有効に用いられる。
置および器具が有効に用いられる。
本発明の反射防止膜を用いた太陽電池の模式構
造図を第２図に示す。
造図を第２図に示す。
シリコン型太陽電池１は反射防止膜２が表面に
載置され、その上には樹脂層３が存在する。更に
その上層にはガラス層が存在する。シリコン型太
陽電池の背面にも樹脂層５が存在し、さらにその
上にはバツクカバーフイルム６が存在する。反射
防止膜２は連続的に屈折率が変化するが、ここで
はｉが無限大である多層反射防止膜として図面を
形成する。樹脂層３に接して屈折率N1の層があ
り、その後順次屈折率が大きくなり、シリコン太
陽電池に接するNi層はシリコンの屈折率に最も
近くなる。
載置され、その上には樹脂層３が存在する。更に
その上層にはガラス層が存在する。シリコン型太
陽電池の背面にも樹脂層５が存在し、さらにその
上にはバツクカバーフイルム６が存在する。反射
防止膜２は連続的に屈折率が変化するが、ここで
はｉが無限大である多層反射防止膜として図面を
形成する。樹脂層３に接して屈折率N1の層があ
り、その後順次屈折率が大きくなり、シリコン太
陽電池に接するNi層はシリコンの屈折率に最も
近くなる。
（発明の効果）
CVD法のため、特別な装置や複雑な付帯設備
を必要とせず、デポジシヨン温度の変化のみで酸
化チタン膜の屈折率を変えることができ、製造そ
の他経済的な利点がある。しかも、酸化チタンの
場合、モジユール構造における樹脂（Ｎ≒1.45）
とシリコン基板（ｎ≒3.6）との中間の屈折率を
もつ膜を形成できるため反射防止膜効果が極めて
高い。また、製造方法も連続ベルト式のため量産
性が高くコストダウンに寄与ができる。
を必要とせず、デポジシヨン温度の変化のみで酸
化チタン膜の屈折率を変えることができ、製造そ
の他経済的な利点がある。しかも、酸化チタンの
場合、モジユール構造における樹脂（Ｎ≒1.45）
とシリコン基板（ｎ≒3.6）との中間の屈折率を
もつ膜を形成できるため反射防止膜効果が極めて
高い。また、製造方法も連続ベルト式のため量産
性が高くコストダウンに寄与ができる。
第１図はデポジシヨン温度と屈折率の関係を示
すグラフを示す。第２図は本発明の反射防止膜を
用いた太陽電池の模式的断面図である。 図中、番号は以下の通りである：１…太陽電
池、２…反射防止膜、３…樹脂層、４…ガラス、
５…樹脂層、６…バツクカバーフイルム。
すグラフを示す。第２図は本発明の反射防止膜を
用いた太陽電池の模式的断面図である。 図中、番号は以下の通りである：１…太陽電
池、２…反射防止膜、３…樹脂層、４…ガラス、
５…樹脂層、６…バツクカバーフイルム。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ テトライソプロピルチタネートと水とを反応
ガスとするCVD法により、デポジシヨン温度を
連続的に変化させて、酸化チタン膜よりなる屈折
率が連続的に変化する反射防止膜を形成すること
を特徴とする反射防止膜の製造方法。 ２ 前記デポジシヨン温度は約350℃から約150℃
の間で連続的に変化することを特徴とする第１項
記載の反射防止膜の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60245127A JPS62104081A (ja) | 1985-10-30 | 1985-10-30 | 反射防止膜の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60245127A JPS62104081A (ja) | 1985-10-30 | 1985-10-30 | 反射防止膜の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62104081A JPS62104081A (ja) | 1987-05-14 |
| JPH0446470B2 true JPH0446470B2 (ja) | 1992-07-30 |
Family
ID=17129024
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60245127A Granted JPS62104081A (ja) | 1985-10-30 | 1985-10-30 | 反射防止膜の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62104081A (ja) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE3830364C1 (ja) * | 1988-09-07 | 1990-01-18 | Schott Glaswerke, 6500 Mainz, De | |
| KR100366910B1 (ko) * | 1994-04-05 | 2003-03-04 | 소니 가부시끼 가이샤 | 반도체장치의제조방법 |
| JP4256980B2 (ja) | 1999-04-21 | 2009-04-22 | シャープ株式会社 | チタン酸化物膜の製造装置 |
| KR101072204B1 (ko) * | 2009-03-31 | 2011-10-11 | 엘지이노텍 주식회사 | 태양전지 및 이의 제조방법 |
| CN105322028A (zh) * | 2014-06-05 | 2016-02-10 | 中物院成都科学技术发展中心 | 钛箔太阳能电池及其制备方法 |
-
1985
- 1985-10-30 JP JP60245127A patent/JPS62104081A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS62104081A (ja) | 1987-05-14 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR101194257B1 (ko) | 광대역 반사방지 다층코팅을 갖는 태양전지용 투명 기판 및 그 제조방법 | |
| AU2018220915A1 (en) | Coated plate, preparation method thereof and solar module | |
| JPS60208813A (ja) | 光電変換装置とその製造方法 | |
| JP5014223B2 (ja) | 太陽電池セルの製造方法および太陽電池モジュールの製造方法 | |
| JP4565105B2 (ja) | 太陽電池用の光学薄膜およびその製造方法 | |
| CN115451594A (zh) | 一种宽光谱太阳能吸收增强器件及其制备方法 | |
| JPH04372177A (ja) | 光起電力装置 | |
| JPH0446470B2 (ja) | ||
| CN215418191U (zh) | 一种太阳能电池减反射膜结构、太阳能电池及电池组件 | |
| TWI652831B (zh) | 彩色太陽能電池及含有該電池之太陽能面板 | |
| JP2017126737A (ja) | 光電変換素子および光電変換素子の製造方法 | |
| Hovel | Transparency of thin metal films on semiconductor substrates | |
| CN107831564B (zh) | 一种铝-三氧化二铝三明治型红外滤波器 | |
| JPWO2006046397A1 (ja) | 薄膜光電変換装置用基板およびそれを用いた集積型薄膜光電変換装置 | |
| CN110600555A (zh) | 一种减反射膜结构及perc电池 | |
| JPH02177374A (ja) | 光電変換装置 | |
| JPH0659120A (ja) | 波長帯域選択性吸収膜 | |
| JP5542038B2 (ja) | 薄膜太陽電池およびその製造方法、薄膜太陽電池モジュール | |
| CN113948595B (zh) | 一种宽带热电子光探测器件及其制备方法 | |
| WO2019218318A1 (zh) | 一种太阳能电池 | |
| Martirosyan et al. | Reflectance calculation of a diamond-like carbon/porous Si thin films in silicon-based photovoltaic cells | |
| WO2022167927A1 (en) | Solar energy conversion device | |
| CN113130691A (zh) | 一种太阳光谱选择性透过涂层及其制备方法 | |
| JP2007251114A (ja) | 光学多層膜を有した高性能太陽光電池用基板及びその製造方法 | |
| JPS5994472A (ja) | 光電変換半導体装置の作製方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |