JPS63201627A - 半導体装置の交換方法 - Google Patents
半導体装置の交換方法Info
- Publication number
- JPS63201627A JPS63201627A JP62034987A JP3498787A JPS63201627A JP S63201627 A JPS63201627 A JP S63201627A JP 62034987 A JP62034987 A JP 62034987A JP 3498787 A JP3498787 A JP 3498787A JP S63201627 A JPS63201627 A JP S63201627A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- lsi chip
- conductive adhesive
- semiconductor device
- defective
- high temp
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/30—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistors
- H05K3/32—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistors electrically connecting electric components or wires to printed circuits
- H05K3/321—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistors electrically connecting electric components or wires to printed circuits by conductive adhesives
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W90/00—Package configurations
- H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
- H10W90/721—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bump connectors
- H10W90/724—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bump connectors between a chip and a stacked insulating package substrate, interposer or RDL
Landscapes
- Liquid Crystal (AREA)
- Wire Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は接続された半導体装置の不良箇所の交換方法に
関する。詳しくはＬＳＩチップが基板に導電性接着剤に
てフェイスダウンボンディングされている半導体装置実
装構造における不良箇所のＬＳＩチップの交換方法に関
する。
関する。詳しくはＬＳＩチップが基板に導電性接着剤に
てフェイスダウンボンディングされている半導体装置実
装構造における不良箇所のＬＳＩチップの交換方法に関
する。
従来、導電性接着剤を用いた半導体装置の接続方法は実
用化されていなかった。
用化されていなかった。
しかし、１００’Ｃ〜１５０℃の低温で或いは紫外線硬
化等が可能で最近になって液晶パネルのガラス基板上に
突起電極（バンプ）を有するＬＳＩチップがフェイスダ
ウンボンディングされた実装構造が実用化されている。
化等が可能で最近になって液晶パネルのガラス基板上に
突起電極（バンプ）を有するＬＳＩチップがフェイスダ
ウンボンディングされた実装構造が実用化されている。
この実装方法は液晶パネルのガラス基板の導電パターン
としては透明のＩＴＯ膜でもよく特別のメタライズを必
要とせず液晶パネルコストの上昇をもたらさないで可能
である。
としては透明のＩＴＯ膜でもよく特別のメタライズを必
要とせず液晶パネルコストの上昇をもたらさないで可能
である。
もちろん、ＬＳＩチップを液晶パネルのガラス基板上に
ボンディングするため非常に高密度なコンパクトな実装
が可能である。
ボンディングするため非常に高密度なコンパクトな実装
が可能である。
しかし、この実装方法の問題点は接続不良、或いは不良
ＬＳＩをポンディングした場合リペアが難かしい事であ
る。不良箇所のＬＳＩを無理にはがすとＬＳＩ、或いは
液晶パネルのガラス基板を損傷し再生しにくく、結果と
して歩留りの低下をきたしていた。
ＬＳＩをポンディングした場合リペアが難かしい事であ
る。不良箇所のＬＳＩを無理にはがすとＬＳＩ、或いは
液晶パネルのガラス基板を損傷し再生しにくく、結果と
して歩留りの低下をきたしていた。
本発明はかかる点に着目し、その目的とするところは、
ＬＳＩチップを導電性接着剤で基板にフェイスダウンボ
ンディングする実装構造において、基板及びＬＳＩチッ
プに損傷を与えず剥離する方法を提供し、再ボンディン
グする事により不良箇所を再生する事にある。
ＬＳＩチップを導電性接着剤で基板にフェイスダウンボ
ンディングする実装構造において、基板及びＬＳＩチッ
プに損傷を与えず剥離する方法を提供し、再ボンディン
グする事により不良箇所を再生する事にある。
上記目的を達成するため本発明の要旨とするところは光
硬化型、或いは熱硬化型導電接着剤の熱間接着力の低下
を利用し、不良箇所のＬＳＩチップを高温下で剥離し、
その後良品ＬＳＩチップを再度ボンディングする事によ
り実装モジュールを再生する事にある。
硬化型、或いは熱硬化型導電接着剤の熱間接着力の低下
を利用し、不良箇所のＬＳＩチップを高温下で剥離し、
その後良品ＬＳＩチップを再度ボンディングする事によ
り実装モジュールを再生する事にある。
次に本発明の実施例を図面にて説明する。第１図は本発
明に用いる半導体を実装したパネルの平面図、第２図は
要部断面図、第３図は接続部の拡大断面図である。
明に用いる半導体を実装したパネルの平面図、第２図は
要部断面図、第３図は接続部の拡大断面図である。
１は液晶パネルのガラス基板、２は液晶駆動ＬＳＩチッ
プ、６はＬＳＩチップ２に設けられているバンプである
。ＬＳＩチップ２が導電性接着剤４によってガラス基板
１にフェイスダウンボンディングされている。
プ、６はＬＳＩチップ２に設けられているバンプである
。ＬＳＩチップ２が導電性接着剤４によってガラス基板
１にフェイスダウンボンディングされている。
この例では液晶パネルのガラス基板１に７個のＬＳＩチ
ップ２が接続されている。このうち１箇所でも接続不良
となったり、不良ＬＳＩチップをボンディングしてしま
ったりすると液晶パネルブロック全体が不良となるため
不良箇所の再生が必要となる。
ップ２が接続されている。このうち１箇所でも接続不良
となったり、不良ＬＳＩチップをボンディングしてしま
ったりすると液晶パネルブロック全体が不良となるため
不良箇所の再生が必要となる。
この場合ＬＳＩチップ２を強引に引きはがすとＬＳＩチ
ップ２が破損したり、ＬＳＩチップ２のバンプ根元部６
ａから剥離したり、ガラス基板１を損傷し、たりして再
生する事はかなり困難であった。
ップ２が破損したり、ＬＳＩチップ２のバンプ根元部６
ａから剥離したり、ガラス基板１を損傷し、たりして再
生する事はかなり困難であった。
しかるに、熱硬化型、或いは光硬化型の導電性接着剤は
第４図に示す如（高温における接着力が低下するものが
多い。第４図に示したものは熱硬化型エポキシ系の導電
性接着剤である。
第４図に示す如（高温における接着力が低下するものが
多い。第４図に示したものは熱硬化型エポキシ系の導電
性接着剤である。
この例では１００ ’Ｃ〜１５０°Ｃの高温下では室温
時の接着強度の約１／１０程度となる。この事を利用し
て例えば１３０℃程度の高温下で剥離するとガラス基板
１の表面及びＩＴＯ膜５０表面から剥離してＬＳＩチッ
プ２を取りはずす事が出来る。
時の接着強度の約１／１０程度となる。この事を利用し
て例えば１３０℃程度の高温下で剥離するとガラス基板
１の表面及びＩＴＯ膜５０表面から剥離してＬＳＩチッ
プ２を取りはずす事が出来る。
この様な方法でＬＳＩチップ２を取りはずすとガラス基
板１、ＬＳＩチップ２に何の損傷も与えず取りはずす事
ができ、新しいＬＳＩチップを再度導電性接着剤にてフ
ェイスダウンボンディングする事ができる。
板１、ＬＳＩチップ２に何の損傷も与えず取りはずす事
ができ、新しいＬＳＩチップを再度導電性接着剤にてフ
ェイスダウンボンディングする事ができる。
この際バンプ３表面の粗さ、或いは材質をよく検討し、
常にガラス基板１及びＩＴＯ膜５よりもバンプへの導電
性接着剤の接着力が強（なる様な配慮をしておけば量産
時にも安定したＬＳＩチップ２の交換が可能となる。
常にガラス基板１及びＩＴＯ膜５よりもバンプへの導電
性接着剤の接着力が強（なる様な配慮をしておけば量産
時にも安定したＬＳＩチップ２の交換が可能となる。
尚、本実施例では液晶パネルを構成するガラス基板を用
いて説明したが、他の回路基板を用いた場合でも本発明
の方法は有効である。
いて説明したが、他の回路基板を用いた場合でも本発明
の方法は有効である。
導電性接着剤を用いＬＳＩチップを基板にフェイスダウ
ンボンディングした実装構造において、基板及びＬＳＩ
チップに損傷を与えないでＬＳＩチップの交換が可能と
なるため、回路モジュールの歩留りが向上し、単一基板
に多数のＬＳＩチップをボンディングしても低コストで
可能となり機器の小型化が可能となる。
ンボンディングした実装構造において、基板及びＬＳＩ
チップに損傷を与えないでＬＳＩチップの交換が可能と
なるため、回路モジュールの歩留りが向上し、単一基板
に多数のＬＳＩチップをボンディングしても低コストで
可能となり機器の小型化が可能となる。
又、液晶パネル等の表示パネルを構成する基板にも多数
個のＬＳＩチップを直接ボンディングする事が低コスト
で可能となり表示パネルブロックが小型化される等の多
大の効果を有する。
個のＬＳＩチップを直接ボンディングする事が低コスト
で可能となり表示パネルブロックが小型化される等の多
大の効果を有する。
第１図は本発明の実施例を示す平面図、第２図はその要
部断面図、第３図は接続部の拡大断面図、第４図はエポ
キシ系導電性接着剤の温度−接°着強度の関係を示すグ
ラフである。 １・・・・・・液晶パネルのガラス基板、２・・・・・
・半導体装置、 ６・・・・・・半導体装置に設けられた突起電極、４・
・・・・・導電性接着剤。 ／τｉ＼５ 第２図 第３図 第４図 温度（°Ｃ）
部断面図、第３図は接続部の拡大断面図、第４図はエポ
キシ系導電性接着剤の温度−接°着強度の関係を示すグ
ラフである。 １・・・・・・液晶パネルのガラス基板、２・・・・・
・半導体装置、 ６・・・・・・半導体装置に設けられた突起電極、４・
・・・・・導電性接着剤。 ／τｉ＼５ 第２図 第３図 第４図 温度（°Ｃ）
Claims (1)
- 熱硬化型又は光硬化型の導電性接着剤にて半導体装置が
基板にフェイスダウンボンディングされている半導体装
置実装構造において、前記導電性接着剤の高温下におけ
る接着力の低下を利用して不良箇所の半導体装置を高温
のもとに取りはずした後、良品半導体装置を接続する事
を特徴とする半導体装置の交換方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62034987A JPS63201627A (ja) | 1987-02-18 | 1987-02-18 | 半導体装置の交換方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62034987A JPS63201627A (ja) | 1987-02-18 | 1987-02-18 | 半導体装置の交換方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63201627A true JPS63201627A (ja) | 1988-08-19 |
Family
ID=12429492
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62034987A Pending JPS63201627A (ja) | 1987-02-18 | 1987-02-18 | 半導体装置の交換方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63201627A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2019198318A1 (ja) * | 2018-04-11 | 2019-10-17 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 撮像装置、電子機器、および撮像装置の製造方法 |
-
1987
- 1987-02-18 JP JP62034987A patent/JPS63201627A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2019198318A1 (ja) * | 2018-04-11 | 2019-10-17 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 撮像装置、電子機器、および撮像装置の製造方法 |
| US11877045B2 (en) | 2018-04-11 | 2024-01-16 | Sony Semiconductor Solutions Corporation | Image-capturing apparatus with a plurality of camera modules and a support member in which at least one camera module is fixed to the support member using an adhesive, and electronic apparatus |
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