JPS6320014B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPS6320014B2 JPS6320014B2 JP54092625A JP9262579A JPS6320014B2 JP S6320014 B2 JPS6320014 B2 JP S6320014B2 JP 54092625 A JP54092625 A JP 54092625A JP 9262579 A JP9262579 A JP 9262579A JP S6320014 B2 JPS6320014 B2 JP S6320014B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- fine movement
- movement mechanism
- wafer
- moving
- parallel
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 claims description 46
- 230000003068 static effect Effects 0.000 claims description 8
- 230000002706 hydrostatic effect Effects 0.000 claims description 3
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 27
- 238000000034 method Methods 0.000 description 5
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 238000004804 winding Methods 0.000 description 3
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 229910000831 Steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 230000008602 contraction Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000005484 gravity Effects 0.000 description 1
- 238000005461 lubrication Methods 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 239000010959 steel Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Machine Tool Units (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はTr,IC等の半導体装置製造工程にお
いて、比較的小面積のマスクパタンを大口径ウエ
ハ上にステツプアンドレピート方式によつて露光
転写するために必要とされるウエハの高速移動な
らびにマスク・ウエハ相互位置の高精度位置合わ
せを行なうアライメントステージに関するもので
ある。
いて、比較的小面積のマスクパタンを大口径ウエ
ハ上にステツプアンドレピート方式によつて露光
転写するために必要とされるウエハの高速移動な
らびにマスク・ウエハ相互位置の高精度位置合わ
せを行なうアライメントステージに関するもので
ある。
現在の半導体装置製造工程においてはウエハよ
りも大面積のマスクによつて多数の同一パタンを
一括して露光転写する方法が用いられているが、
転写すべきパタンの微細化とウエハの大口径化と
によつて、製造工程途中でのウエハ変形がもたら
す転写パタンの局所的な位置ずれが問題となりつ
つあり、これに対処するためのステツプアンドレ
ピート方式による露光転写が研究され始めた。こ
の方式ではウエハを高速・高精度にステツプ移動
させるX・Yステージとマスクパタンをウエハの
局部変形に応じて位置合わせする微動アライメン
ト機構が必要である。X・Yステージは露光装置
以外にも多く用いられる機構であるが、その多く
は鋼球又はローラなどの摩擦を減少した接触式案
内による1軸ステージの上にこれと直交する他の
1軸ステージを重ねたもので、各軸の駆動にはボ
ールねじなどの機械的駆動機構が用いられてい
る。このため、高速移動時には移動に伴なうステ
ージの上下変動や首振りなどが相加され、高精度
化が達せられず、加うるに機械的駆動による高速
化の限界、駆動時の振動、潤滑油によるウエハや
マスクの汚染、ステイツクスリツプ現象による停
止精度の低下などをまぬがれることが困難であつ
た。また、接触式案内の欠点を除くものとして知
られる空気などによる静圧軸受などの非接触式案
内でも1軸ステージを積重ねた方式では上側ステ
ージの移動による重心変動の影響が精度低下をも
たらすので下側ステージは接触式案内を用いるし
かなかつた。更にこれらのステージは、その上部
に載置すべきウエハとそれに対向して別に保持さ
れるべきマスクの位置合わせについて考慮されて
おらず、ステツプアンドレピート露光用アライメ
ントステージとして満足すべきものは未だ発表さ
れていなかつた。
りも大面積のマスクによつて多数の同一パタンを
一括して露光転写する方法が用いられているが、
転写すべきパタンの微細化とウエハの大口径化と
によつて、製造工程途中でのウエハ変形がもたら
す転写パタンの局所的な位置ずれが問題となりつ
つあり、これに対処するためのステツプアンドレ
ピート方式による露光転写が研究され始めた。こ
の方式ではウエハを高速・高精度にステツプ移動
させるX・Yステージとマスクパタンをウエハの
局部変形に応じて位置合わせする微動アライメン
ト機構が必要である。X・Yステージは露光装置
以外にも多く用いられる機構であるが、その多く
は鋼球又はローラなどの摩擦を減少した接触式案
内による1軸ステージの上にこれと直交する他の
1軸ステージを重ねたもので、各軸の駆動にはボ
ールねじなどの機械的駆動機構が用いられてい
る。このため、高速移動時には移動に伴なうステ
ージの上下変動や首振りなどが相加され、高精度
化が達せられず、加うるに機械的駆動による高速
化の限界、駆動時の振動、潤滑油によるウエハや
マスクの汚染、ステイツクスリツプ現象による停
止精度の低下などをまぬがれることが困難であつ
た。また、接触式案内の欠点を除くものとして知
られる空気などによる静圧軸受などの非接触式案
内でも1軸ステージを積重ねた方式では上側ステ
ージの移動による重心変動の影響が精度低下をも
たらすので下側ステージは接触式案内を用いるし
かなかつた。更にこれらのステージは、その上部
に載置すべきウエハとそれに対向して別に保持さ
れるべきマスクの位置合わせについて考慮されて
おらず、ステツプアンドレピート露光用アライメ
ントステージとして満足すべきものは未だ発表さ
れていなかつた。
本発明はこれらの問題点を解決するために、ウ
エハを載置する移動台をX、Y、Z3方向の静圧
気体軸受により夫々独立に案内するとともに駆動
源およびその案内をも非接触としたものであり、
更にアライメントの目的に用いる各軸方向の微動
機構を配置し、ステツプアンドレピート露光に適
したアライメントステージを提供するものであつ
て、以下図面について詳細に説明する。
エハを載置する移動台をX、Y、Z3方向の静圧
気体軸受により夫々独立に案内するとともに駆動
源およびその案内をも非接触としたものであり、
更にアライメントの目的に用いる各軸方向の微動
機構を配置し、ステツプアンドレピート露光に適
したアライメントステージを提供するものであつ
て、以下図面について詳細に説明する。
第1図は本発明アライメントステージの一実施
例の概要を示す一部切欠正面図で、1は上面を精
度良く平面に仕上げられた定盤、2はウエハ3を
載置した移動台で、その下面に配置された図示し
ない小穴から吹き出す圧力を制御された空気など
による静圧気体軸受によつて、定盤1に非接触で
保持されている。
例の概要を示す一部切欠正面図で、1は上面を精
度良く平面に仕上げられた定盤、2はウエハ3を
載置した移動台で、その下面に配置された図示し
ない小穴から吹き出す圧力を制御された空気など
による静圧気体軸受によつて、定盤1に非接触で
保持されている。
4は一方向(図では左右方向)に移動台2を移
動させる移動体で、互に平行な対向する2平面か
らなる案内部(図では断面で示される)を有し、
移動台2との間隙は移動台2の図示しない小穴か
ら吹き出す気体により定盤1と移動台2との間隙
と同様に保持されている。5は他の一方向の移動
体で、図において紙面に、垂直方向に移動台2を
移動させる。また移動体5の案内部(図示されな
い)と移動台2の間隙も静圧気体軸受を構成して
いる。6は移動体5を案内するガイドで、移動体
5との間隙は円筒静圧気体軸受を構成している。
7は移動台5の駆動用リニアモータの移動ヨーク
で、コイル板により構成される。8は同じくリニ
アモータの固定ヨークで、磁気回路により構成さ
れる。そして各案内部を井桁状に交差させ、その
井桁状中央部に前記移動台2を案内部に近接して
保持し、コイル板(移動ヨーク)7のガイド6を
上記円筒静圧気体軸受と共通にしたリニアモータ
により非接触に駆動せしめる送り機構によつて移
動体4及び5は定盤1上を直交する2方向に移動
する。
動させる移動体で、互に平行な対向する2平面か
らなる案内部(図では断面で示される)を有し、
移動台2との間隙は移動台2の図示しない小穴か
ら吹き出す気体により定盤1と移動台2との間隙
と同様に保持されている。5は他の一方向の移動
体で、図において紙面に、垂直方向に移動台2を
移動させる。また移動体5の案内部(図示されな
い)と移動台2の間隙も静圧気体軸受を構成して
いる。6は移動体5を案内するガイドで、移動体
5との間隙は円筒静圧気体軸受を構成している。
7は移動台5の駆動用リニアモータの移動ヨーク
で、コイル板により構成される。8は同じくリニ
アモータの固定ヨークで、磁気回路により構成さ
れる。そして各案内部を井桁状に交差させ、その
井桁状中央部に前記移動台2を案内部に近接して
保持し、コイル板(移動ヨーク)7のガイド6を
上記円筒静圧気体軸受と共通にしたリニアモータ
により非接触に駆動せしめる送り機構によつて移
動体4及び5は定盤1上を直交する2方向に移動
する。
このような構成であるため、移動台2の上下方
向は定盤1のみによつて規定され、移動体4又は
5に上下方向の変位が生じても影響されることは
ない。9はマスク、10はマスクホルダであり、
マスクホルダ10は図示しない支持機構で定盤1
との相対位置が変らないように支持され、また、
その内部に設けられた後述するX・Y微動機構、
Z微動機構、θ微動機構によりマスク9の位置な
らびに方向を微調整することができるものであ
る。マスク9の下面とウエハ3の上面は数μm乃
至十数μmのあらかじめ設定された距離に保持さ
れることが必要であり、移動台2の上下変動の少
ない本機構は有効である。第2図は第1図におい
て概要を説明したウエハ移動機構の更に詳細な一
部切欠斜視図である。移動台2と移動体4および
5との夫々の間隙は静圧気体軸受によつて支えら
れ摩擦は全く無いので、移動台2の移動は直交す
る各方向について全く独立であり相互干渉はな
い。本図の実施例におけるリニヤモータは、移動
ヨーク(コイル板)7として平板状に導線を矩形
に巻き回したコイル、固定ヨーク8として夫々2
板の対向した平板上の磁石8aおよび8bを用い
ている。移動ヨーク7のコイルの両端は夫々磁石
8aと8bの磁界の内に入つておりコイル電流を
制御することにより任意の駆動を行ない得る。電
流の制御は、L形ミラー11を図示しないレーザ
インタフエロメータにより位置計測し、この計測
値と所要の位置との誤差から演算によつて求める
ことができ、レーザインタフエロメータの高精度
と、近年の高速演算回路(特にマイクロコンピユ
ータなどによる回路)の高精度から十分精度の高
い制御が可能である。
向は定盤1のみによつて規定され、移動体4又は
5に上下方向の変位が生じても影響されることは
ない。9はマスク、10はマスクホルダであり、
マスクホルダ10は図示しない支持機構で定盤1
との相対位置が変らないように支持され、また、
その内部に設けられた後述するX・Y微動機構、
Z微動機構、θ微動機構によりマスク9の位置な
らびに方向を微調整することができるものであ
る。マスク9の下面とウエハ3の上面は数μm乃
至十数μmのあらかじめ設定された距離に保持さ
れることが必要であり、移動台2の上下変動の少
ない本機構は有効である。第2図は第1図におい
て概要を説明したウエハ移動機構の更に詳細な一
部切欠斜視図である。移動台2と移動体4および
5との夫々の間隙は静圧気体軸受によつて支えら
れ摩擦は全く無いので、移動台2の移動は直交す
る各方向について全く独立であり相互干渉はな
い。本図の実施例におけるリニヤモータは、移動
ヨーク(コイル板)7として平板状に導線を矩形
に巻き回したコイル、固定ヨーク8として夫々2
板の対向した平板上の磁石8aおよび8bを用い
ている。移動ヨーク7のコイルの両端は夫々磁石
8aと8bの磁界の内に入つておりコイル電流を
制御することにより任意の駆動を行ない得る。電
流の制御は、L形ミラー11を図示しないレーザ
インタフエロメータにより位置計測し、この計測
値と所要の位置との誤差から演算によつて求める
ことができ、レーザインタフエロメータの高精度
と、近年の高速演算回路(特にマイクロコンピユ
ータなどによる回路)の高精度から十分精度の高
い制御が可能である。
第3図はリニアモータとしてリニアパルスモー
タを用いたときの実施例を示すものであるが、リ
ニアパルスモータは公知の技術であるので説明を
省略する。この場合には位置精度は低下するが制
御が容易となる効果がある。位置精度は本発明に
よるウエハ移動機構には機械的摩擦が全くないの
で、リニアパルスモータを使用したときの位置精
度はリニアパルスモータの誤差のみとなるもので
ある。
タを用いたときの実施例を示すものであるが、リ
ニアパルスモータは公知の技術であるので説明を
省略する。この場合には位置精度は低下するが制
御が容易となる効果がある。位置精度は本発明に
よるウエハ移動機構には機械的摩擦が全くないの
で、リニアパルスモータを使用したときの位置精
度はリニアパルスモータの誤差のみとなるもので
ある。
第4図は第1図で説明を省略したX・Y微動機
構、Z微動機構、θ微動機構の実施例の概要を示
す分解斜視図、第5図は同じくその断面図、第6
図は同じくX・Y微動機構、θ微動機構の動作を
説明するための第5図におけるA−A断面図であ
る。これらの図において、12は永久磁石13
(第5図参照)を含む磁気回路、14は導線を巻
き回したコイルボビン、15はコイルボビン14
を支える環状振動板、16はコイルボビンと同様
に環状振動板の内周で支えられる剛体で作られた
中空の円筒、17はマスク9を例えば真空吸着で
保持するマスク保持部、18は縦方向の伸縮が少
なく、横方向には自由に撓み得る細い金属のワイ
ヤ、19はワイヤ18を支え、コイルボビン14
の下部に固着された剛性の高い支持板、20,2
1,22は例えば円筒形の電歪素子で電圧を印加
することにより円筒の軸方向に微少量伸縮できる
ものである。電歪素子20,21,22の各一端
は円筒16の下部に固着され、他の各一端は剛体
球23,24,25を介してマスク保持部17接
し、電歪素子20,21,22に対応するバネ2
6,27,28の弾力によつて押しつけられてい
る。このような構造となつているため、図示しな
い電源装置から精度良く制御された電流がコイル
ボビン14の導線に印加されると動電力によつて
コイルボビンがZ方向に微少量動き、環状振動板
15の弾性力と釣合つた位置で停止する。これに
よつてマスク9のZ微動機能が達せられることは
明らかである。このときX・Y方向には環状振動
板15の剛性により動くことがない。つぎに電歪
素子20に図示しない別な電源から電圧が印加さ
れるとマスク9はX方向に微動が与えられる。ま
た電歪素子21,22に相互に等しい電圧が印加
されるとマスク9はY方向に微動が与えられ、電
歪素子21,22に大きさが相等しく極性の逆な
電圧が印加されるとマスク9にはθ微動が与えら
れる。なお、θ微動に伴ないX方向の動きも生ず
るが、θの位置合わせをX・Yの位置合わせに先
立つて行なうように動作させることによつて全体
の動作に支障を与えることはない。これらの微動
機構は高々2〜3μmのストロークで十分であり、
通常良く知られている機械的な微動機構“例えば
ネジ送り”によることも出来る。また、これらの
微動機構は先に述べた移動台2の上部に載置し
て、ウエハ3に微動を与えても位置合わせの目的
が達せられることは明らかである。
構、Z微動機構、θ微動機構の実施例の概要を示
す分解斜視図、第5図は同じくその断面図、第6
図は同じくX・Y微動機構、θ微動機構の動作を
説明するための第5図におけるA−A断面図であ
る。これらの図において、12は永久磁石13
(第5図参照)を含む磁気回路、14は導線を巻
き回したコイルボビン、15はコイルボビン14
を支える環状振動板、16はコイルボビンと同様
に環状振動板の内周で支えられる剛体で作られた
中空の円筒、17はマスク9を例えば真空吸着で
保持するマスク保持部、18は縦方向の伸縮が少
なく、横方向には自由に撓み得る細い金属のワイ
ヤ、19はワイヤ18を支え、コイルボビン14
の下部に固着された剛性の高い支持板、20,2
1,22は例えば円筒形の電歪素子で電圧を印加
することにより円筒の軸方向に微少量伸縮できる
ものである。電歪素子20,21,22の各一端
は円筒16の下部に固着され、他の各一端は剛体
球23,24,25を介してマスク保持部17接
し、電歪素子20,21,22に対応するバネ2
6,27,28の弾力によつて押しつけられてい
る。このような構造となつているため、図示しな
い電源装置から精度良く制御された電流がコイル
ボビン14の導線に印加されると動電力によつて
コイルボビンがZ方向に微少量動き、環状振動板
15の弾性力と釣合つた位置で停止する。これに
よつてマスク9のZ微動機能が達せられることは
明らかである。このときX・Y方向には環状振動
板15の剛性により動くことがない。つぎに電歪
素子20に図示しない別な電源から電圧が印加さ
れるとマスク9はX方向に微動が与えられる。ま
た電歪素子21,22に相互に等しい電圧が印加
されるとマスク9はY方向に微動が与えられ、電
歪素子21,22に大きさが相等しく極性の逆な
電圧が印加されるとマスク9にはθ微動が与えら
れる。なお、θ微動に伴ないX方向の動きも生ず
るが、θの位置合わせをX・Yの位置合わせに先
立つて行なうように動作させることによつて全体
の動作に支障を与えることはない。これらの微動
機構は高々2〜3μmのストロークで十分であり、
通常良く知られている機械的な微動機構“例えば
ネジ送り”によることも出来る。また、これらの
微動機構は先に述べた移動台2の上部に載置し
て、ウエハ3に微動を与えても位置合わせの目的
が達せられることは明らかである。
つぎに第7図はZ微動機構の他の実施例の概要
を示す分解斜視図、第8図は同じくその断面図
で、コイルボビン29を図に示すように3組の
別々な巻線30,31,32で構成し、永久磁石
33を含む磁気回路34の内に設置したものであ
る。また35は環状振動板である。ここで巻線3
0,31,32は夫々同一の電流を印加すれば第
5図において説明したコイルボビン14と磁気回
路12の動作と全く同様にZ微動が得られる。ま
た巻線30,31,32の各々に別々な電流を印
加すればコイルボビン29はZ軸に対して微少傾
斜が与えられ、マスク9にも微少傾斜を与えるこ
とができる。この動作はマスク9に対向するウエ
ハ3が局部的な変形などによつて、その上面に微
少傾斜が生じている場合に、マスク9をウエハ3
の表面と平行に設置するのに有効である。
を示す分解斜視図、第8図は同じくその断面図
で、コイルボビン29を図に示すように3組の
別々な巻線30,31,32で構成し、永久磁石
33を含む磁気回路34の内に設置したものであ
る。また35は環状振動板である。ここで巻線3
0,31,32は夫々同一の電流を印加すれば第
5図において説明したコイルボビン14と磁気回
路12の動作と全く同様にZ微動が得られる。ま
た巻線30,31,32の各々に別々な電流を印
加すればコイルボビン29はZ軸に対して微少傾
斜が与えられ、マスク9にも微少傾斜を与えるこ
とができる。この動作はマスク9に対向するウエ
ハ3が局部的な変形などによつて、その上面に微
少傾斜が生じている場合に、マスク9をウエハ3
の表面と平行に設置するのに有効である。
以上説明したX・Y微動、θ微動、Z微動およ
びZ方向の傾斜角微動は、位置合わせ検出顕微鏡
が非接触ギヤツプ検出器によつてマスクとそれに
対向するウエハの部分的な表面の空間的位置誤差
検出信号によつて最適に調整されるものであり、
これらの検出器は既に公知であるので説明は省略
する。
びZ方向の傾斜角微動は、位置合わせ検出顕微鏡
が非接触ギヤツプ検出器によつてマスクとそれに
対向するウエハの部分的な表面の空間的位置誤差
検出信号によつて最適に調整されるものであり、
これらの検出器は既に公知であるので説明は省略
する。
以上説明したように、本発明によれば、ウエハ
を高速、高精度に移動させることが可能であり、
しかもマスクをウエハの対向する部分に高精度に
空間的位置合わせを行なうことが可能となり、例
えウエハに部分的な変形があつても、ウエハの各
部分部分については高精度に位置合わせが可能で
ある。このため大口径のウエハにも微細なパター
ンの露光転写を行なうことができる。しかもウエ
ハ移動時間、位置合わせ時間の短かい優れたステ
ツプアンドレピート露光装置を実現できるもので
ある。
を高速、高精度に移動させることが可能であり、
しかもマスクをウエハの対向する部分に高精度に
空間的位置合わせを行なうことが可能となり、例
えウエハに部分的な変形があつても、ウエハの各
部分部分については高精度に位置合わせが可能で
ある。このため大口径のウエハにも微細なパター
ンの露光転写を行なうことができる。しかもウエ
ハ移動時間、位置合わせ時間の短かい優れたステ
ツプアンドレピート露光装置を実現できるもので
ある。
第1図は本発明アライメントステージの一実施
例の概要を示す一部切欠正面図、第2図は第1図
のウエハ移動機構の詳細な一部切欠斜視図、第3
図は第2図のリニアモータを別な形式とした一部
切欠斜視図、第4図は第1図のマスクホルダに組
込まれる微動機構を示す分解斜視図、第5図は第
4図の機構断面図、第6図は第5図のA−A断面
図、第7図は第4図のZ微動機構の他の実施例を
示す分解斜視図、第8図は第7図の機構断面図で
ある。 1……定盤、2……移動台、3……ウエハ、
4,5……移動体、6……ガイド、7……リニア
モータの移動ヨーク、8……リニアモータの固定
ヨーク、9……マスク、10……マスクホルダ、
11……L形ミラー、12……磁気回路、13…
…永久磁石、14……コイルボビン、15……環
状振動板、16……中空円筒、17……マスク保
持部、18……ワイヤ、19……支持板、20,
21,22……電歪素子、23,24,25……
剛体球、26,27,28……バネ、29……コ
イルボビン、30,31,32……巻線、33…
…永久磁石、34……磁気回路、35……環状振
動板。
例の概要を示す一部切欠正面図、第2図は第1図
のウエハ移動機構の詳細な一部切欠斜視図、第3
図は第2図のリニアモータを別な形式とした一部
切欠斜視図、第4図は第1図のマスクホルダに組
込まれる微動機構を示す分解斜視図、第5図は第
4図の機構断面図、第6図は第5図のA−A断面
図、第7図は第4図のZ微動機構の他の実施例を
示す分解斜視図、第8図は第7図の機構断面図で
ある。 1……定盤、2……移動台、3……ウエハ、
4,5……移動体、6……ガイド、7……リニア
モータの移動ヨーク、8……リニアモータの固定
ヨーク、9……マスク、10……マスクホルダ、
11……L形ミラー、12……磁気回路、13…
…永久磁石、14……コイルボビン、15……環
状振動板、16……中空円筒、17……マスク保
持部、18……ワイヤ、19……支持板、20,
21,22……電歪素子、23,24,25……
剛体球、26,27,28……バネ、29……コ
イルボビン、30,31,32……巻線、33…
…永久磁石、34……磁気回路、35……環状振
動板。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 互に平行な対向する2平面からなる案内部を
有し、1対の平行な円筒ガイドからなる静圧気体
軸受に案内された移動体を、移動ヨークのガイド
を上記円筒静圧気体軸受と共通にしたリニヤモー
タにより非接触に駆動する送り機構と、該送り機
構に直交する他の同一構造の送り機構を、各案内
部を井桁状に交差させ、その井桁状中央部に、こ
れとは別に加工精度の良い定盤上を矩形平面形の
静圧気体軸受によつて浮上しているウエハを搭載
する移動台を載置し、該移動台の側面に設けられ
た矩形平面形の静圧気体軸受によつて、案内部に
近接して保持し、上記送り機構の移動に伴つて定
盤上を直交する2方向に移動するウエハ移動機構
と、該ウエハ移動機構の上部に対向近接して置か
れ、ウエハ移動機構の2つの移動方向と夫々同じ
方向に微少距離移動するX・Y微動機構と、これ
に直交するZ微動機構と、X・Y微動方向の平面
内で微少角回転するθ微動機構を有するマスクホ
ルダとから構成されることを特徴とするステツプ
アンドレピート露光用アライメントステージ。 2 X・Y微動機構、Z微動機構、θ微動機構の
全部又は1部をウエハ移動機構の移動台側にもう
け、マスクホルダ側の微動機構の全部又は1部を
とり除いた特許請求の範囲第1項記載のステツプ
アンドレピート露光用アライメントステージ。 3 X・Y微動機構として、その一方向には1個
の電歪素子を、他の一方向には平行する2個の電
歪素子を配置し、該平行する2個の電歪素子に互
に異なる電圧を印加することにより、θ微動を可
能ならしめθ微動機構をとり除いた特許請求の範
囲第1項または第2項記載のステツプアンドレピ
ート露光用アライメントステージ。 4 Z微動機構として、Z微動方向に垂直な平面
に外周を固定した環状振動板を配置し、該環状振
動板の内周には3個の分離された板状駆動コイル
をもうけたボビンを取付け、別に固定された環状
磁気回路と該3個の駆動コイルに流れる電流の動
電力によつてボビンをZ方向に微動させるととも
に、その傾斜角をも微小変させることを可能とし
た特許請求の範囲第1項または第2項記載のステ
ツプアンドレピート露光用アライメントステー
ジ。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP9262579A JPS5617341A (en) | 1979-07-23 | 1979-07-23 | Alignment stage for step and repeat exposure |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP9262579A JPS5617341A (en) | 1979-07-23 | 1979-07-23 | Alignment stage for step and repeat exposure |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS5617341A JPS5617341A (en) | 1981-02-19 |
JPS6320014B2 true JPS6320014B2 (ja) | 1988-04-26 |
Family
ID=14059617
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP9262579A Granted JPS5617341A (en) | 1979-07-23 | 1979-07-23 | Alignment stage for step and repeat exposure |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS5617341A (ja) |
Families Citing this family (19)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5950538A (ja) * | 1982-09-17 | 1984-03-23 | Hitachi Ltd | ウエハ搬送装置 |
US4588288A (en) * | 1983-07-01 | 1986-05-13 | Canon Kabushiki Kaisha | Static pressure bearing and transport device utilizing the same |
JPS60218650A (ja) * | 1984-04-16 | 1985-11-01 | Canon Inc | パタ−ン露光方法 |
JPS60223119A (ja) * | 1984-04-20 | 1985-11-07 | Hitachi Ltd | 2軸方向非接触駆動形精密移動台 |
JPS615545U (ja) * | 1984-06-14 | 1986-01-14 | 宏臣 小笠原 | 直進移動テ−ブル |
JPS6130345A (ja) * | 1984-07-20 | 1986-02-12 | Omron Tateisi Electronics Co | 静圧空気浮上ステ−ジ |
JPS6131174A (ja) * | 1984-07-24 | 1986-02-13 | 菊地 眞 | ハイパサ−ミア用加温装置 |
JPS61125749A (ja) * | 1984-11-21 | 1986-06-13 | Disco Abrasive Sys Ltd | 複合テ−ブル |
JPS6276644A (ja) * | 1985-09-30 | 1987-04-08 | Toshiba Corp | 露光装置の縦型移動テーブル装置 |
JPS62156425U (ja) * | 1986-03-27 | 1987-10-05 | ||
JP2714502B2 (ja) | 1991-09-18 | 1998-02-16 | キヤノン株式会社 | 移動ステージ装置 |
JP2899250B2 (ja) * | 1996-07-29 | 1999-06-02 | キヤノン株式会社 | 半導体製造装置 |
JP2002252166A (ja) * | 2001-02-27 | 2002-09-06 | Canon Inc | ステージ装置、露光装置およびデバイス製造方法ならびに移動案内方法 |
JP2002365026A (ja) * | 2001-06-07 | 2002-12-18 | Sigma Technos Kk | 基板検査装置 |
US8102505B2 (en) * | 2007-03-20 | 2012-01-24 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus comprising a vibration isolation support device |
JP5047040B2 (ja) * | 2008-04-14 | 2012-10-10 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | プロキシミティ露光装置、プロキシミティ露光装置の基板移動方法、及び表示用パネル基板の製造方法 |
JP2009258195A (ja) * | 2008-04-14 | 2009-11-05 | Hitachi High-Technologies Corp | プロキシミティ露光装置、プロキシミティ露光装置の基板移動方法、及び表示用パネル基板の製造方法 |
JP5406507B2 (ja) * | 2008-11-06 | 2014-02-05 | オイレス工業株式会社 | 平面移動ステージ装置 |
DE102010061167B3 (de) * | 2010-12-10 | 2012-05-31 | Leica Microsystems Cms Gmbh | Mikroskoptisch |
-
1979
- 1979-07-23 JP JP9262579A patent/JPS5617341A/ja active Granted
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS5617341A (en) | 1981-02-19 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JPS6320014B2 (ja) | ||
US6353271B1 (en) | Extreme-UV scanning wafer and reticle stages | |
US5864389A (en) | Stage apparatus and exposure apparatus and device producing method using the same | |
US8212435B2 (en) | High efficiency voice coil motor | |
KR100283784B1 (ko) | 기준 표면을 갖는 웨이퍼 스테이지 | |
US6724466B2 (en) | Stage assembly including a damping assembly | |
US6888620B2 (en) | System and method for holding a device with minimal deformation | |
JPH083756B2 (ja) | 位置決め装置 | |
US6603531B1 (en) | Stage assembly including a reaction assembly that is connected by actuators | |
US6486941B1 (en) | Guideless stage | |
US20030173833A1 (en) | Wafer stage with magnetic bearings | |
JPH06201012A (ja) | 移送機構と、移送機構を備えた位置合わせ装置と、位置合わせ装置を備えたリソグラフィック装置 | |
US6794660B2 (en) | Long stroke mover for a stage assembly | |
US7282819B2 (en) | Stage apparatus, exposure apparatus, and device manufacturing method | |
US20060061751A1 (en) | Stage assembly including a stage having increased vertical stroke | |
US6593997B1 (en) | Stage assembly including a reaction assembly | |
US20040080730A1 (en) | System and method for clamping a device holder with reduced deformation | |
US6882126B2 (en) | Holder mover for a stage assembly | |
US20040004703A1 (en) | Method and apparatus for reducing rotary stiffness in a support mechanism | |
US20020137358A1 (en) | Multiple point support assembly for a stage | |
JPH0557550A (ja) | 精密1段6自由度ステージ | |
US20030098963A1 (en) | Fluid connector for a stage assembly | |
JP2780837B2 (ja) | 可動ステージ装置 | |
JP2001102279A (ja) | ステージ装置および露光装置 | |
US6515381B1 (en) | Cantilever stage |