JPS63198363A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
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- JPS63198363A JPS63198363A JP3202187A JP3202187A JPS63198363A JP S63198363 A JPS63198363 A JP S63198363A JP 3202187 A JP3202187 A JP 3202187A JP 3202187 A JP3202187 A JP 3202187A JP S63198363 A JPS63198363 A JP S63198363A
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- recessed part
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 20
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 13
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- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 19
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 abstract description 18
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Landscapes
- Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、熱抵抗の低減と反りを防止した半導体装置
に関するものである。
に関するものである。
従来のこの種の半導体装置の概略構成を第２図（ａ）、
（ｂ）に、また、第２図の改良形を第３図（ａ ）、
（ｂ ）に模式的に示す。
（ｂ）に、また、第２図の改良形を第３図（ａ ）、
（ｂ ）に模式的に示す。
第２図（ａ）、（ｂ）、第３図（ａ）、（ｂ）において
、１は主面上に公知の態様でトランジスタ素子構成を形
成した砒化ガリウム（Ｇ ａＡ ｓ）半導体基板（以下
ＧａＡｓ基板という） 、２，３．ｄはソース。
、１は主面上に公知の態様でトランジスタ素子構成を形
成した砒化ガリウム（Ｇ ａＡ ｓ）半導体基板（以下
ＧａＡｓ基板という） 、２，３．ｄはソース。
ドレイン、ゲート電極、５は金層で、メッキ等により形
成され、ヒートシンクを形成している。
成され、ヒートシンクを形成している。
次に動作について説明する。
第２図の従来例の場合には、よく知られているように、
Ｇ ａＡ ｓ基板１とその主面上に形成された素子構成
および各電極２，３，４の基本的構成によってＦＥＴ
（電界効果トランジスタ）として機能する。
Ｇ ａＡ ｓ基板１とその主面上に形成された素子構成
および各電極２，３，４の基本的構成によってＦＥＴ
（電界効果トランジスタ）として機能する。
また、第３図の従来例においては、熱抵抗の大きい砒化
ガリウムの層を薄くシ、金層５によりヒートシンクを形
成して厚みをかせぎ、熱抵抗の低減をはかっている。
ガリウムの層を薄くシ、金層５によりヒートシンクを形
成して厚みをかせぎ、熱抵抗の低減をはかっている。
従来の半導体装置は、以上のように構成されているので
、第２図の場合、砒化ガリウムはシリコンに比べ熱伝導
率が１７３程度であるため、熱抵抗が高く、高信頼度の
高出力素子を実現するのが難しい。また、第３図の場合
、熱抵抗は低減されているがチップ厚が薄く組立作業性
が悪く、また、砒化ガリウムと金の熱膨張係数の違いか
らチップが第４図に示すように反るなどの問題点があっ
た。
、第２図の場合、砒化ガリウムはシリコンに比べ熱伝導
率が１７３程度であるため、熱抵抗が高く、高信頼度の
高出力素子を実現するのが難しい。また、第３図の場合
、熱抵抗は低減されているがチップ厚が薄く組立作業性
が悪く、また、砒化ガリウムと金の熱膨張係数の違いか
らチップが第４図に示すように反るなどの問題点があっ
た。
この発明は、上記のような問題点を解消するためになさ
れたもので、熱抵抗を小さくすることができるとともに
、チップ厚が比較的厚く、反りが発生せず、組立作業性
の良い半導体装置を得ることを目的とする。
れたもので、熱抵抗を小さくすることができるとともに
、チップ厚が比較的厚く、反りが発生せず、組立作業性
の良い半導体装置を得ることを目的とする。
乙の発明に係る半導体装置は、半導体基板の下面にバス
タブ状の凹部を形成し、この凹部に金層を充填したもの
である。
タブ状の凹部を形成し、この凹部に金層を充填したもの
である。
この発明においては、バスタブ状の凹部に金層を充填し
たことから、ｊ＠低抵抗低減され、フレーム状に残って
いるわく状となった砒化ガリウムが半導体基板の反りを
防止する。
たことから、ｊ＠低抵抗低減され、フレーム状に残って
いるわく状となった砒化ガリウムが半導体基板の反りを
防止する。
〔実施例〕
以下、この発明の一実施例を第１図（ａ）〜（Ｃ）につ
いて説明する。
いて説明する。
第１図（ａ）〜（Ｃ）はこの発明の一実施例である半導
体装置の概略構成を模式的に示した上面図。
体装置の概略構成を模式的に示した上面図。
側面図、Ａ−Ａ断面図である。
これらの図において、第２図、第３図と同一符号は同一
または相当部分を示し、１ａは前、１ｉｌｌ！ＧａＡｓ
基板１の裏面にエツチングにより形成したバスタブ状の
四部で、この凹部１ａにメッキ等により金層５が充填さ
れ、ヒートシンクが形成される。
または相当部分を示し、１ａは前、１ｉｌｌ！ＧａＡｓ
基板１の裏面にエツチングにより形成したバスタブ状の
四部で、この凹部１ａにメッキ等により金層５が充填さ
れ、ヒートシンクが形成される。
この実施例の場合においても、よ（知られているように
ＧａＡｓ基板１とその主面上に形成された素子構成およ
び各電極２，３，４の基本的構成によって、ＦＥＴとし
て機能する。そして、裏面にエツチングによりバスタブ
状の凹部１ａを設け、ＦＥＴ直下のＧａＡｓ基板１内の
熱拡散経路を短くし、バスタブ状の凹部１ａにメッキ等
により充填された金層５を熱拡散経路とすることにより
熱抵抗が低減でき、また、砒化ガリウムがフレーム状に
残っているため、熱膨張係数の違いによるＧａＡｓ基板
１の反りを小さくすることができる。
ＧａＡｓ基板１とその主面上に形成された素子構成およ
び各電極２，３，４の基本的構成によって、ＦＥＴとし
て機能する。そして、裏面にエツチングによりバスタブ
状の凹部１ａを設け、ＦＥＴ直下のＧａＡｓ基板１内の
熱拡散経路を短くし、バスタブ状の凹部１ａにメッキ等
により充填された金層５を熱拡散経路とすることにより
熱抵抗が低減でき、また、砒化ガリウムがフレーム状に
残っているため、熱膨張係数の違いによるＧａＡｓ基板
１の反りを小さくすることができる。
なお、上記実施例ではＧａＡｓ基板７として説明したが
、これは他の化合物半導体基板の場合についても同様の
効果が得られる。
、これは他の化合物半導体基板の場合についても同様の
効果が得られる。
以上説明したように、この発明は、半導体基板の下面に
バスタブ状の凹部を形成し、この凹部に金層を充填した
構成としたので、熱抵抗の小さい反りの少ない半導体装
置が得られる効果がある。
バスタブ状の凹部を形成し、この凹部に金層を充填した
構成としたので、熱抵抗の小さい反りの少ない半導体装
置が得られる効果がある。
第１図（ａ）〜（ｅ）はこの発明の一実施例である半導
体装置の概略構成を模式的に示した上面図。 側面図、Ａ−Ａ断面図、第２図（ａ）、（ｂ）、第３図
（ａ）、（ｂ）は従来の半導体装置の概略構成を模式的
に示した図で、各（ａ）図は上面図、各（ｂ）図は側面
図、第４図は従来の半導体装置の反り状態を示す側面図
である。 図において、１はＧａＡｓ基板、１ａはバスタブ状の凹
部、２はソース電極、３はドレイン電極、４はゲート電
極、５は金層である。 なお、各図中の同一符号は同一または相当部分を示す。 代理人 大 岩 増 雄 （外２名）第１図
体装置の概略構成を模式的に示した上面図。 側面図、Ａ−Ａ断面図、第２図（ａ）、（ｂ）、第３図
（ａ）、（ｂ）は従来の半導体装置の概略構成を模式的
に示した図で、各（ａ）図は上面図、各（ｂ）図は側面
図、第４図は従来の半導体装置の反り状態を示す側面図
である。 図において、１はＧａＡｓ基板、１ａはバスタブ状の凹
部、２はソース電極、３はドレイン電極、４はゲート電
極、５は金層である。 なお、各図中の同一符号は同一または相当部分を示す。 代理人 大 岩 増 雄 （外２名）第１図
Claims (1)
- 半導体基板の主面上にトランジスタ素子構成を備えた半
導体装置において、前記半導体基板の下面部にバスタブ
状の凹部を形成し、この凹部に金層を充填したことを特
徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3202187A JPS63198363A (ja) | 1987-02-13 | 1987-02-13 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3202187A JPS63198363A (ja) | 1987-02-13 | 1987-02-13 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63198363A true JPS63198363A (ja) | 1988-08-17 |
Family
ID=12347208
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3202187A Pending JPS63198363A (ja) | 1987-02-13 | 1987-02-13 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63198363A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5236854A (en) * | 1989-12-11 | 1993-08-17 | Yukio Higaki | Compound semiconductor device and method for fabrication thereof |
| US5698897A (en) * | 1995-01-27 | 1997-12-16 | Nec Corporation | Semiconductor device having a plated heat sink |
-
1987
- 1987-02-13 JP JP3202187A patent/JPS63198363A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5236854A (en) * | 1989-12-11 | 1993-08-17 | Yukio Higaki | Compound semiconductor device and method for fabrication thereof |
| US5698897A (en) * | 1995-01-27 | 1997-12-16 | Nec Corporation | Semiconductor device having a plated heat sink |
| US5726494A (en) * | 1995-01-27 | 1998-03-10 | Nec Corporation | Semiconductor device having a plated heat sink |
| US5821154A (en) * | 1995-01-27 | 1998-10-13 | Nec Corporation | Semiconductor device |
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