JPS6319807A - 半導体基板の接合方法 - Google Patents
半導体基板の接合方法Info
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- JPS6319807A JPS6319807A JP16370786A JP16370786A JPS6319807A JP S6319807 A JPS6319807 A JP S6319807A JP 16370786 A JP16370786 A JP 16370786A JP 16370786 A JP16370786 A JP 16370786A JP S6319807 A JPS6319807 A JP S6319807A
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- Japan
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- substrates
- substrate
- junction
- chuck
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- Pending
Links
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Landscapes
- Recrystallisation Techniques (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の目的〕
（産業上の利用分野）
本発明は２枚の半導体基板の接合方法に関する。
（従来の技術）
表面が十分に鏡面でかつ平滑に形成された２枚の半導体
基板の鏡面同士゛を異物の介在しないクリーンな雰囲気
中で接触させるとこの接合体は熱処理をしなくてもかな
りの接合強度が得られる。更にこの接合体を８００〜１
０００℃で熱処理する事によりシリコン単体に匹敵する
ほど充分強固に接合し、一体化された半導体基板が得ら
れる。この直接接合技術を応用すると従来のエピタキシ
ャルウェーハや拡散ウェーハと電気的、機械的にも同等
の優れた接合部を有する半導体基板が簡単に得られる。
基板の鏡面同士゛を異物の介在しないクリーンな雰囲気
中で接触させるとこの接合体は熱処理をしなくてもかな
りの接合強度が得られる。更にこの接合体を８００〜１
０００℃で熱処理する事によりシリコン単体に匹敵する
ほど充分強固に接合し、一体化された半導体基板が得ら
れる。この直接接合技術を応用すると従来のエピタキシ
ャルウェーハや拡散ウェーハと電気的、機械的にも同等
の優れた接合部を有する半導体基板が簡単に得られる。
この直接接合技術を用いて一体化した接合体つ工−ハを
形成する場合、ウェーハ全面ｌこわたって接合されかつ
気＠（以トポイドと呼ぶ）を界面に含まない事が必要で
ある。
形成する場合、ウェーハ全面ｌこわたって接合されかつ
気＠（以トポイドと呼ぶ）を界面に含まない事が必要で
ある。
（発明が解決しようとする問題点）
本発明はシリコン直接接合技術ｌこおいて、ボイドを発
生させない接合方法を提供する寥を目的とする。
生させない接合方法を提供する寥を目的とする。
（問題点を解決するための手段）
本発明は接看すべき基板の両方を凸に反らせる事によっ
てボイドの発生を防止する事を骨子とし、異物の介在し
ない清浄な雰囲気下で２枚の鏡面研磨された半導体基板
を真空吸引し半導体基板の接全面を凸型に反らす機構を
備えた基台と、半導体基板を載せるための弾性体からな
るチャックとによって、真空吸引により接合面を凸型に
反らせる載物台からなり、各々に装着された２枚の基板
同士の凸型部を接触させ、真空を解除することにより２
枚の半導体基板を全面にわたって密着しボイドレス接合
する半導体基板の接合方法である。
てボイドの発生を防止する事を骨子とし、異物の介在し
ない清浄な雰囲気下で２枚の鏡面研磨された半導体基板
を真空吸引し半導体基板の接全面を凸型に反らす機構を
備えた基台と、半導体基板を載せるための弾性体からな
るチャックとによって、真空吸引により接合面を凸型に
反らせる載物台からなり、各々に装着された２枚の基板
同士の凸型部を接触させ、真空を解除することにより２
枚の半導体基板を全面にわたって密着しボイドレス接合
する半導体基板の接合方法である。
（作 用）
本発明の方法によれば、基板を凸型に反らせて二枚の基
板の接合部にボイドを残す事なく接合し、強固に一体化
された接合体を得ることができる。
板の接合部にボイドを残す事なく接合し、強固に一体化
された接合体を得ることができる。
特に大口径半導体基板の接合には有効的な手段と考えら
れる。
れる。
（実施例）
本発明に係る治具は、半導体基板の接合面の中央部を凸
型に反らせて保持するものである。
型に反らせて保持するものである。
第１図（ａ） 、 （ｂ）は金属基台で第１図（ａ）は
基台の平面図で、第１図（ｂ）は第１図（ａ）のＡ−Ａ
’の断面図である。第１図（ｂ）の断面図によりて説明
すると、半導体基板が真空吸引によって凸型に反るよう
に曲面成型ｑ３され、外周部１こ段差ＯＪを設けその段
差部に複数個の排気孔（５）を有する金属基台ｑ１であ
る。
基台の平面図で、第１図（ｂ）は第１図（ａ）のＡ−Ａ
’の断面図である。第１図（ｂ）の断面図によりて説明
すると、半導体基板が真空吸引によって凸型に反るよう
に曲面成型ｑ３され、外周部１こ段差ＯＪを設けその段
差部に複数個の排気孔（５）を有する金属基台ｑ１であ
る。
αυは排気管である。この金属基台ｌ？：、装着される
チャックを説明すると、第２図（ａ）の外周部ζこ溝Ｃ
１ｌを形成されかつその溝（こ沿１て複数個の排気孔）
２＋１が形成された弾性体からなるチャック５である。
チャックを説明すると、第２図（ａ）の外周部ζこ溝Ｃ
１ｌを形成されかつその溝（こ沿１て複数個の排気孔）
２＋１が形成された弾性体からなるチャック５である。
第２図Φ）は第２図（ａ）の断面図である。
前記金属基台Ｑｔｌにチャック（ハ）を狭溝した図が第
３図である。清浄化を終了した半導体基板■をチャック
上に載せ、チャックの排気孔（支）および基台の排気孔
（５）を介して排気管０より真空吸引することにより、
基板（１）の外周部が引張られてチャックと共に半導体
基板を基台の表面形状α３通りに接合面中央部が凸型と
なる状態で保持した後に１８００回転し、基板（１）の
接合面が下向きになるように１呆持する。次に相接する
他方の基板（４０）を前記と同型の金、萬基台に装着し
たチャック上に載せ真空吸引Ｉこよ−て接合面を凸型に
反らして保持し、２枚の基板の凸型面同士を軽く接触（
第４図）させた後に下側のチャックに吸着された基板（
４０）の真空を解除し次に上側の基板■を同様に真空を
解除する（第５図）。真空を解除すると同時に基板の反
りは回復し、元の平面状態に戻り２枚の半導体基板の焼
面ば全面にわた。て密着し、ボイドレス接合する。
３図である。清浄化を終了した半導体基板■をチャック
上に載せ、チャックの排気孔（支）および基台の排気孔
（５）を介して排気管０より真空吸引することにより、
基板（１）の外周部が引張られてチャックと共に半導体
基板を基台の表面形状α３通りに接合面中央部が凸型と
なる状態で保持した後に１８００回転し、基板（１）の
接合面が下向きになるように１呆持する。次に相接する
他方の基板（４０）を前記と同型の金、萬基台に装着し
たチャック上に載せ真空吸引Ｉこよ−て接合面を凸型に
反らして保持し、２枚の基板の凸型面同士を軽く接触（
第４図）させた後に下側のチャックに吸着された基板（
４０）の真空を解除し次に上側の基板■を同様に真空を
解除する（第５図）。真空を解除すると同時に基板の反
りは回復し、元の平面状態に戻り２枚の半導体基板の焼
面ば全面にわた。て密着し、ボイドレス接合する。
本発明によれば、ボイドの発生を有効に防止した半導体
基板の接合方法を得ることができる。
基板の接合方法を得ることができる。
第１図は金属基台の平面図及び断面図、第２図は金属基
台に装着されるラバーチャックの平面図及び断面図、第
３図は基台にチャックを装着した図、第４図は２枚の半
導体基板を真空吸引した状態で凸型部を接触させた図、
第５図は２枚の半導体基板の真空を解除し、基板の全面
が接合した図である。 ５・・排気孔、１０・・・金属基台、１１・・・排気管
、１２・・・曲面形成部、１３・・・段差、２０・・排
気孔、２１・・・溝、２５・・・ラバーチャック、３０
．４０・・・半導体基板。 第 １ 図 第 ３ 図 第４図 第 ５ 図
台に装着されるラバーチャックの平面図及び断面図、第
３図は基台にチャックを装着した図、第４図は２枚の半
導体基板を真空吸引した状態で凸型部を接触させた図、
第５図は２枚の半導体基板の真空を解除し、基板の全面
が接合した図である。 ５・・排気孔、１０・・・金属基台、１１・・・排気管
、１２・・・曲面形成部、１３・・・段差、２０・・排
気孔、２１・・・溝、２５・・・ラバーチャック、３０
．４０・・・半導体基板。 第 １ 図 第 ３ 図 第４図 第 ５ 図
Claims (1)
- 表面が十分に鏡面でかつ平滑に形成された２枚の半導体
基板の鏡面同士を異物の介在しない清浄な雰囲気下で接
合させる半導体基板の接合方法において、２枚の基板を
真空吸引によって凸型に反らせてその凸型部同士を接触
させ真空を解除することで基板同士を密着させ、全面接
合させることを特徴とする半導体基板の接合方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16370786A JPS6319807A (ja) | 1986-07-14 | 1986-07-14 | 半導体基板の接合方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16370786A JPS6319807A (ja) | 1986-07-14 | 1986-07-14 | 半導体基板の接合方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6319807A true JPS6319807A (ja) | 1988-01-27 |
Family
ID=15779101
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16370786A Pending JPS6319807A (ja) | 1986-07-14 | 1986-07-14 | 半導体基板の接合方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6319807A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008224431A (ja) * | 2007-03-13 | 2008-09-25 | Konica Minolta Opto Inc | マイクロチップの製造方法、及びマイクロチップ |
| JP2008232885A (ja) * | 2007-03-22 | 2008-10-02 | Konica Minolta Opto Inc | マイクロチップの製造方法 |
-
1986
- 1986-07-14 JP JP16370786A patent/JPS6319807A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008224431A (ja) * | 2007-03-13 | 2008-09-25 | Konica Minolta Opto Inc | マイクロチップの製造方法、及びマイクロチップ |
| JP2008232885A (ja) * | 2007-03-22 | 2008-10-02 | Konica Minolta Opto Inc | マイクロチップの製造方法 |
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