JPS6319592B2 - - Google Patents
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- JPS6319592B2 JPS6319592B2 JP54143868A JP14386879A JPS6319592B2 JP S6319592 B2 JPS6319592 B2 JP S6319592B2 JP 54143868 A JP54143868 A JP 54143868A JP 14386879 A JP14386879 A JP 14386879A JP S6319592 B2 JPS6319592 B2 JP S6319592B2
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Landscapes
- ing And Chemical Polishing (AREA)
- Solid-Phase Diffusion Into Metallic Material Surfaces (AREA)
- Cleaning And De-Greasing Of Metallic Materials By Chemical Methods (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はプラズマ表面処理法に関し、さらに詳
しくは、有機物が付着した処理対象物のプラズマ
表面処理法に関する。
しくは、有機物が付着した処理対象物のプラズマ
表面処理法に関する。
防錆油等の有機物が付着したプラズマ処理対象
物をそのまゝプラズマ窒化等のプラズマ処理に付
すと、有機物、その分解物及び重合物が飛散して
付着し、処理対象物及び容器内が汚染され満足で
きるプラズマ処理を行なうことができない。
物をそのまゝプラズマ窒化等のプラズマ処理に付
すと、有機物、その分解物及び重合物が飛散して
付着し、処理対象物及び容器内が汚染され満足で
きるプラズマ処理を行なうことができない。
このため、従来は、処理対象物をトリクレン
（トリクロルエチレン）等の溶剤を用いて洗浄し
た後、プラズマ処理を行つているが、この方法
は、洗浄処理が煩雑である上、かかる洗浄処理に
よつても、焼結材のように内部にまで細孔を有
し、防錆油等の有機物が内部にまで浸透し、吸着
された処理対象物の場合には、有機物の完全除去
は困難であつた。
（トリクロルエチレン）等の溶剤を用いて洗浄し
た後、プラズマ処理を行つているが、この方法
は、洗浄処理が煩雑である上、かかる洗浄処理に
よつても、焼結材のように内部にまで細孔を有
し、防錆油等の有機物が内部にまで浸透し、吸着
された処理対象物の場合には、有機物の完全除去
は困難であつた。
本発明は、従来法のかかる欠点を除去し、溶剤
を用いた洗浄によることなく有機物を効果的に除
去し、多くの処理対象物、例えば焼結材のプラズ
マ処理を行なうことができる方法を提供すること
である。
を用いた洗浄によることなく有機物を効果的に除
去し、多くの処理対象物、例えば焼結材のプラズ
マ処理を行なうことができる方法を提供すること
である。
本発明の方法は、有機物が付着したプラズマ処
理対象物のプラズマ表面処理法であつて、酸素プ
ラズマを用いて該有機物を分解し、分解ガスを排
気した後、次いで還元処理を行なつた後または同
時に所定のプラズマ処理を行なうことを特徴とす
るプラズマ表面処理法である。
理対象物のプラズマ表面処理法であつて、酸素プ
ラズマを用いて該有機物を分解し、分解ガスを排
気した後、次いで還元処理を行なつた後または同
時に所定のプラズマ処理を行なうことを特徴とす
るプラズマ表面処理法である。
本発明方法に於て用いる酸素プラズマは、従来
公知の方法、例えば、マイクロ波による無電極放
電、直流放電、交流放電、高周波放電による方法
によつて発生させることができるが、製造装置に
要求される量産性の面からマイクロ波による無電
極放電による方法によるのが好ましい。例えば、
マイクロ波無電極放電による場合には、周波数
2450MHz出力10W〜10KWで酸素圧0.01〜
0.7Torrで行なうことができる。有機物を分解除
去すべき処理対象物を、かくして発生した酸素プ
ラズマ中に置き、通常50〜700℃で３分〜３時間
放置する。分解された有機物はガスとなつてポン
プにより排気される。有機物が分解されて除去さ
れた処理対象物は、例えば、窒素プラズマ、水
素、窒素混合プラズマ、等による処理に付され、
目的とするプラズマ表面処理を行なうことができ
る。本発明方法に於ては、有機物を酸素プラズマ
を用いて分解するため、処理対象物によつてはそ
の表面が酸化される。このため、所定のプラズマ
処理に先立つて、還元処理を行なう場合、および
次いで行なうプラズマ処理と同時に還元処理を行
なう場合があるが、その目的に応じて好ましい還
元処理を行なう必要がある。
公知の方法、例えば、マイクロ波による無電極放
電、直流放電、交流放電、高周波放電による方法
によつて発生させることができるが、製造装置に
要求される量産性の面からマイクロ波による無電
極放電による方法によるのが好ましい。例えば、
マイクロ波無電極放電による場合には、周波数
2450MHz出力10W〜10KWで酸素圧0.01〜
0.7Torrで行なうことができる。有機物を分解除
去すべき処理対象物を、かくして発生した酸素プ
ラズマ中に置き、通常50〜700℃で３分〜３時間
放置する。分解された有機物はガスとなつてポン
プにより排気される。有機物が分解されて除去さ
れた処理対象物は、例えば、窒素プラズマ、水
素、窒素混合プラズマ、等による処理に付され、
目的とするプラズマ表面処理を行なうことができ
る。本発明方法に於ては、有機物を酸素プラズマ
を用いて分解するため、処理対象物によつてはそ
の表面が酸化される。このため、所定のプラズマ
処理に先立つて、還元処理を行なう場合、および
次いで行なうプラズマ処理と同時に還元処理を行
なう場合があるが、その目的に応じて好ましい還
元処理を行なう必要がある。
なお、本発明方法は、防錆油等の付着した焼結
材に適用して有効であるほか、プレス、切削加工
工程を経た部品をプレス油、切削油が付着したま
ま洗浄工程なしで処理できる。
材に適用して有効であるほか、プレス、切削加工
工程を経た部品をプレス油、切削油が付着したま
ま洗浄工程なしで処理できる。
以下、図面（第１図）に基づいて本発明方法の
一実施例につき説明する。
一実施例につき説明する。
実施例
試料として15mm×15mm×２mmの合金片を用意
し、これを石英製円筒１６の壁面に保持した状態
で密閉容器５内に収納した。次いで排気装置８に
内蔵された拡散ポンプ８ａにより１×10-4Torr
程度まで排気し、次いで拡散ポンプ８ａのバルブ
を閉じ、バルブ１８を開いて酸素ガスを密閉容器
５内に0.1Torr程度の圧力で入れた。この酸素ガ
スは常に20c.c.／minの流量で排気装置のロータリ
ーポンプ８ｂにより液体窒素で冷却されたコール
ドトラツプ８ｃを介して置換されるようにバルブ
９で調節される。このような状態で、酸素ガスは
マイクロ波発生源１からの周波数2450MHz、出力
850Wのマイクロ波電力により放電してプラズマ
２２が発生する。このマイクロ波放電プラズマ２
２により酸素イオン、ラジカルなどの活性種が生
成し、試料１７中の有機付着物と反応する。この
ようなプラズマ反応を行なうと、有機付着物が分
解するため密閉容器５内の圧力が一時上昇する
が、有機付着物の分解が終ると設定圧力に戻る。
この酸素プラズマ処理を30分間行なつた後放電を
停止し、酸素ガスの供給を停止し、密閉容器５内
を排気装置８に内蔵された拡散ポンプ８ａにより
１×10-4Torr程度まで排気し、次いで拡散ポン
プ８ａのバルブを閉じ、１０，１３を開いて窒素
ガスと水素ガスを密閉容器５内に1.5Torr程度の
圧力で入れた。窒素ガスと水素ガスの混合比は窒
化処理の目的により異なるが、この実験では酸素
プラズマ処理後の試料を還元させる必要があるた
め窒素ガスと水素ガスの混合は１：４とした。以
下酸素プラズマ処理と同様にマイクロ波放電プラ
ズマ処理を約２時間続けた後放電を停止し、窒素
ガスを密閉容器５内に充満させながら試料を取出
した。その結果、試料表面は灰色を呈しており、
金属顕微鏡による断面写真によつて約100〜
200μmにわたつて非常に硬い窒化層が形成されて
いることが判明した。
し、これを石英製円筒１６の壁面に保持した状態
で密閉容器５内に収納した。次いで排気装置８に
内蔵された拡散ポンプ８ａにより１×10-4Torr
程度まで排気し、次いで拡散ポンプ８ａのバルブ
を閉じ、バルブ１８を開いて酸素ガスを密閉容器
５内に0.1Torr程度の圧力で入れた。この酸素ガ
スは常に20c.c.／minの流量で排気装置のロータリ
ーポンプ８ｂにより液体窒素で冷却されたコール
ドトラツプ８ｃを介して置換されるようにバルブ
９で調節される。このような状態で、酸素ガスは
マイクロ波発生源１からの周波数2450MHz、出力
850Wのマイクロ波電力により放電してプラズマ
２２が発生する。このマイクロ波放電プラズマ２
２により酸素イオン、ラジカルなどの活性種が生
成し、試料１７中の有機付着物と反応する。この
ようなプラズマ反応を行なうと、有機付着物が分
解するため密閉容器５内の圧力が一時上昇する
が、有機付着物の分解が終ると設定圧力に戻る。
この酸素プラズマ処理を30分間行なつた後放電を
停止し、酸素ガスの供給を停止し、密閉容器５内
を排気装置８に内蔵された拡散ポンプ８ａにより
１×10-4Torr程度まで排気し、次いで拡散ポン
プ８ａのバルブを閉じ、１０，１３を開いて窒素
ガスと水素ガスを密閉容器５内に1.5Torr程度の
圧力で入れた。窒素ガスと水素ガスの混合比は窒
化処理の目的により異なるが、この実験では酸素
プラズマ処理後の試料を還元させる必要があるた
め窒素ガスと水素ガスの混合は１：４とした。以
下酸素プラズマ処理と同様にマイクロ波放電プラ
ズマ処理を約２時間続けた後放電を停止し、窒素
ガスを密閉容器５内に充満させながら試料を取出
した。その結果、試料表面は灰色を呈しており、
金属顕微鏡による断面写真によつて約100〜
200μmにわたつて非常に硬い窒化層が形成されて
いることが判明した。
第１図は本発明のプラズマ表面処理法の１実施
例であるマイクロ波放電による処理装置を用いる
方法の概略を示す。 １…マイクロ波発生源、２…導波管、３…プラ
ンジヤー、４…スリースタブチユーナ、５…密閉
容器、６…排気口、７…ガス導入口、８…排気装
置、９，１０，１３，１８…バルブ、１１，１
４，１９…流量計、１２…窒素ガスボンベ、１５
…水素ガスボンベ、１６…石英製円筒、１７…試
料（処理対象物）、２０…銅パイプ製アンテナ、
２１…石英製筒体、２２…プラズマ、２３…酸素
ガスボンベ。
例であるマイクロ波放電による処理装置を用いる
方法の概略を示す。 １…マイクロ波発生源、２…導波管、３…プラ
ンジヤー、４…スリースタブチユーナ、５…密閉
容器、６…排気口、７…ガス導入口、８…排気装
置、９，１０，１３，１８…バルブ、１１，１
４，１９…流量計、１２…窒素ガスボンベ、１５
…水素ガスボンベ、１６…石英製円筒、１７…試
料（処理対象物）、２０…銅パイプ製アンテナ、
２１…石英製筒体、２２…プラズマ、２３…酸素
ガスボンベ。
Claims (1)
- １ 有機物が付着したプラズマ処理対象物のプラ
ズマ表面処理方法であつて、酸素プラズマを用い
て該有機物を分解し、分解ガスを排気した後、次
いで還元処理を行なつた後または同時に所定のプ
ラズマ処理を行なうことを特徴とするプラズマ表
面処理方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14386879A JPS5669382A (en) | 1979-11-08 | 1979-11-08 | Surface treatment by plasma |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14386879A JPS5669382A (en) | 1979-11-08 | 1979-11-08 | Surface treatment by plasma |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5669382A JPS5669382A (en) | 1981-06-10 |
| JPS6319592B2 true JPS6319592B2 (ja) | 1988-04-23 |
Family
ID=15348854
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14386879A Granted JPS5669382A (en) | 1979-11-08 | 1979-11-08 | Surface treatment by plasma |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5669382A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0322090U (ja) * | 1989-07-14 | 1991-03-06 |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5950179A (ja) * | 1982-09-16 | 1984-03-23 | Ulvac Corp | 真空槽のクリ−ニング方法 |
| JPH0814022B2 (ja) * | 1987-02-24 | 1996-02-14 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 不要物の除去方法 |
| DE10320472A1 (de) * | 2003-05-08 | 2004-12-02 | Kolektor D.O.O. | Plasmabehandlung zur Reinigung von Kupfer oder Nickel |
| JP2006284887A (ja) * | 2005-03-31 | 2006-10-19 | International Display Technology Kk | 低抵抗ｄｌｃ配向膜を備えた液晶セルとその製造方法 |
| CN106944419A (zh) * | 2017-05-12 | 2017-07-14 | 中国工程物理研究院核物理与化学研究所 | 一种去除表面氚污染的等离子体去污系统 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS55138094A (en) * | 1979-04-16 | 1980-10-28 | Nec Corp | Forming method for film on substrate coated with metallic film |
-
1979
- 1979-11-08 JP JP14386879A patent/JPS5669382A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS55138094A (en) * | 1979-04-16 | 1980-10-28 | Nec Corp | Forming method for film on substrate coated with metallic film |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0322090U (ja) * | 1989-07-14 | 1991-03-06 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5669382A (en) | 1981-06-10 |
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