JPS63194369A - 半導体圧力センサの製造方法 - Google Patents
半導体圧力センサの製造方法Info
- Publication number
- JPS63194369A JPS63194369A JP2790487A JP2790487A JPS63194369A JP S63194369 A JPS63194369 A JP S63194369A JP 2790487 A JP2790487 A JP 2790487A JP 2790487 A JP2790487 A JP 2790487A JP S63194369 A JPS63194369 A JP S63194369A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafer
- section
- mask
- sections
- etching
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
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- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 abstract description 4
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- 238000001312 dry etching Methods 0.000 abstract description 3
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Landscapes
- Pressure Sensors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、ひずみゲージが形成される薄いダイヤプラム
部を中央に有するセンサチップの複数個を１枚の半導体
ウェハから分割する半導体圧力センサの製造方法に関す
る。
部を中央に有するセンサチップの複数個を１枚の半導体
ウェハから分割する半導体圧力センサの製造方法に関す
る。
半導体チップの中央にダイヤフラム部を有し、そのダイ
ヤフラム部の一方に測定圧力を導いてダイヤフラムを変
形させ、ダイヤフラム部に形成されたひずみゲージの抵
抗変化から圧力を検知する半導体圧力センサのチップは
、数ｌ程度角の大きさであるので、圧力センサ量産のた
めにはｌ・枚の半導体ウェハから複数個のチップを分割
して製造する。従って、例えば第３図に示すように予め
ひずみゲージあるいは集積されるセンサ付帯回路をｙＬ
数個形成したウェハ１のひずみゲージ形成面と反対側の
面、全面にアルミニウム膜２を被覆し、フォトプロセス
を用いてひずみゲージの存在する領域の反対側に開口部
３を有するマスクを形成したのち、ドライエツチング法
により開口部３をエツチングすることによって、第４図
に示したような多数の凹部４を１枚のシリコンウェハｌ
に得る工程が実施される （発明が解決しようとする問題点〕 しかし、このような方法でウェハｌに凹部４を形成する
と、Ｍマスク２の開口部がウェハ外周にかかる部分にも
形成され、第４図に示すような凹部のかど部５が多数生
ずるため、ウェハ周辺に鋸状の段差が生じ、ウェハがひ
っかかりやすくあるいは割れやすくなって後工程で不具
合が生ずる問題があった。
ヤフラム部の一方に測定圧力を導いてダイヤフラムを変
形させ、ダイヤフラム部に形成されたひずみゲージの抵
抗変化から圧力を検知する半導体圧力センサのチップは
、数ｌ程度角の大きさであるので、圧力センサ量産のた
めにはｌ・枚の半導体ウェハから複数個のチップを分割
して製造する。従って、例えば第３図に示すように予め
ひずみゲージあるいは集積されるセンサ付帯回路をｙＬ
数個形成したウェハ１のひずみゲージ形成面と反対側の
面、全面にアルミニウム膜２を被覆し、フォトプロセス
を用いてひずみゲージの存在する領域の反対側に開口部
３を有するマスクを形成したのち、ドライエツチング法
により開口部３をエツチングすることによって、第４図
に示したような多数の凹部４を１枚のシリコンウェハｌ
に得る工程が実施される （発明が解決しようとする問題点〕 しかし、このような方法でウェハｌに凹部４を形成する
と、Ｍマスク２の開口部がウェハ外周にかかる部分にも
形成され、第４図に示すような凹部のかど部５が多数生
ずるため、ウェハ周辺に鋸状の段差が生じ、ウェハがひ
っかかりやすくあるいは割れやすくなって後工程で不具
合が生ずる問題があった。
本発明の目的は、上記の問題を解決して凹形状加工によ
りダイヤフラム部を形成する工程を経たウェハの外周に
鋸状の段差が生ぜず、滑らかであって後工程の支障にな
ることのない半導体圧力センサの製造方法を提供するこ
とにある。
りダイヤフラム部を形成する工程を経たウェハの外周に
鋸状の段差が生ぜず、滑らかであって後工程の支障にな
ることのない半導体圧力センサの製造方法を提供するこ
とにある。
上記の目的を達成するために、本発明の方法は、ダイヤ
フラム部形成のために半導体ウェハの一面を覆うマスク
の複数の開口部を通してのエツチングにより凹形状加工
をする際に、開口部がすべて閉じた輪郭を持つものとす
る。
フラム部形成のために半導体ウェハの一面を覆うマスク
の複数の開口部を通してのエツチングにより凹形状加工
をする際に、開口部がすべて閉じた輪郭を持つものとす
る。
開口部がすべて閉じた輪郭をもつため、マスクの周辺部
にあってウェハの外周にかかるような開口部が存在しな
いので、ウェハ外周がエツチングされることがな（、従
って鋸状の段差が生ずることがない。
にあってウェハの外周にかかるような開口部が存在しな
いので、ウェハ外周がエツチングされることがな（、従
って鋸状の段差が生ずることがない。
第１図は本発明の一実施例のエツチング後のウェハを示
し、シリコンウェハｌに形成された凹部４はすべて完全
な円形である。これは、ウェハ１にＭ膜を蒸着後、外周
部に開口部の生じないようなフォトマスクを用いてパタ
ーニングし、ドライエツチングあるいはウェットエツチ
ングを行うことにより凹部４を形成したからである。従
ってウェハ１の外周の円弧部１１およびオリエンテーシ
ョンフラント部１２のいずれも滑らかで段差がない。
し、シリコンウェハｌに形成された凹部４はすべて完全
な円形である。これは、ウェハ１にＭ膜を蒸着後、外周
部に開口部の生じないようなフォトマスクを用いてパタ
ーニングし、ドライエツチングあるいはウェットエツチ
ングを行うことにより凹部４を形成したからである。従
ってウェハ１の外周の円弧部１１およびオリエンテーシ
ョンフラント部１２のいずれも滑らかで段差がない。
また、従来の同様の連続したパターンを有するフォトマ
スクを用いて第２図に示すようなＭマスク２の開口部３
を形成したのち、ウェハ外周にがかる開口部をレジスト
膜５を用いてシールしてもよい。
スクを用いて第２図に示すようなＭマスク２の開口部３
を形成したのち、ウェハ外周にがかる開口部をレジスト
膜５を用いてシールしてもよい。
本発明によれば、半導体圧力センサのダイヤフラム部形
成のための凹形状加工の際に、ウェハ外周に凹部を形成
しないようにすることにより、ウェハ周辺の段差がなく
なり、ウェハの強度が増すため、ウェハよりのセンサチ
ップ分割工程までの後工程でひっかかりがなくなって作
業性が良くなり、応力がかかっても割れ龍くなるなど、
半導体圧力・センサ製造に対して得られる効果は極めて
大きい。
成のための凹形状加工の際に、ウェハ外周に凹部を形成
しないようにすることにより、ウェハ周辺の段差がなく
なり、ウェハの強度が増すため、ウェハよりのセンサチ
ップ分割工程までの後工程でひっかかりがなくなって作
業性が良くなり、応力がかかっても割れ龍くなるなど、
半導体圧力・センサ製造に対して得られる効果は極めて
大きい。
第１図は本発明の一実施例におけるエツチング後のウェ
ハの平面図、第２図は別の実施例におけるエツチング工
程でのウェハの平面図、第３図は従来の製造法における
エツチング工程でのウェハの平面図、第４図は第３図の
ウェハのエツチング後の平面図である。 １：シリコンウェハ、２＋Ｍマスク、３：開口部、４：
凹部、５ニレジスト膜。 第１図 第２図
ハの平面図、第２図は別の実施例におけるエツチング工
程でのウェハの平面図、第３図は従来の製造法における
エツチング工程でのウェハの平面図、第４図は第３図の
ウェハのエツチング後の平面図である。 １：シリコンウェハ、２＋Ｍマスク、３：開口部、４：
凹部、５ニレジスト膜。 第１図 第２図
Claims (1)
- １）複数のセンサチップを１枚の半導体ウェハの一分割
によって作成する半導体圧力センサの製造方法において
、ダイヤフラム部形成のために半導体ウェハの一面を覆
うマスクの複数の開口部を通してのエッチングにより凹
形状加工する際に、開口部がすべて閉じた輪郭を持つこ
とを特徴とする半導体圧力センサの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2790487A JPS63194369A (ja) | 1987-02-09 | 1987-02-09 | 半導体圧力センサの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2790487A JPS63194369A (ja) | 1987-02-09 | 1987-02-09 | 半導体圧力センサの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63194369A true JPS63194369A (ja) | 1988-08-11 |
Family
ID=12233875
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2790487A Pending JPS63194369A (ja) | 1987-02-09 | 1987-02-09 | 半導体圧力センサの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63194369A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02290524A (ja) * | 1989-01-30 | 1990-11-30 | Dresser Ind Inc | 半導体ウエーハ及びその形成法とトランスジューサ及びその製法 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5617076A (en) * | 1979-07-20 | 1981-02-18 | Nec Corp | Manufacture of semiconductor device |
-
1987
- 1987-02-09 JP JP2790487A patent/JPS63194369A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5617076A (en) * | 1979-07-20 | 1981-02-18 | Nec Corp | Manufacture of semiconductor device |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02290524A (ja) * | 1989-01-30 | 1990-11-30 | Dresser Ind Inc | 半導体ウエーハ及びその形成法とトランスジューサ及びその製法 |
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