JPH0496280A - 半導体加速度センサの製造方法 - Google Patents
半導体加速度センサの製造方法Info
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- JPH0496280A JPH0496280A JP20730890A JP20730890A JPH0496280A JP H0496280 A JPH0496280 A JP H0496280A JP 20730890 A JP20730890 A JP 20730890A JP 20730890 A JP20730890 A JP 20730890A JP H0496280 A JPH0496280 A JP H0496280A
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- JP
- Japan
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- diaphragm
- semiconductor wafer
- acceleration sensor
- semiconductor
- semiconductor acceleration
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- Pending
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 15
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 title claims abstract description 13
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 10
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 8
- 239000010931 gold Substances 0.000 abstract description 8
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 abstract description 8
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Landscapes
- Pressure Sensors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、半導体加速度センサの製造方法に関し、特に
半導体ウェハへのダイヤフラム部の形成方法に関するも
のである。
半導体ウェハへのダイヤフラム部の形成方法に関するも
のである。
第２図は、半導体加速度センサの従来の製造方法の工程
を示す模式的断面図であり、以下、第２図に基づき従来
の製造方法を説明する。
を示す模式的断面図であり、以下、第２図に基づき従来
の製造方法を説明する。
まず、歪ケージの形成が終了した半導体ウェハ１を準備
する（第２図（ａ））。半導体ウェハ１の表面（第２図
下面）には、既に歪ケージ（図示せず）が形成されてい
る。歪ケージが形成されていない半導体ウェハ１の裏面
（第２図上面）に、マスク用の金層２を蒸着により形成
する（第２図（１）））。
する（第２図（ａ））。半導体ウェハ１の表面（第２図
下面）には、既に歪ケージ（図示せず）が形成されてい
る。歪ケージが形成されていない半導体ウェハ１の裏面
（第２図上面）に、マスク用の金層２を蒸着により形成
する（第２図（１）））。
次に、歪ケージのパターンに合せて後にダイヤフラム部
３を形成する領域の金層２を部分的に除去する（第２図
（Ｃ））。金層２をマスクとして酸等により、半導体ウ
ェハ１を部分的に適当な厚さまでエツチング除去して、
ダイヤフラム部３を形成する（第２図（ｄ））。最後に
、半導体ウェハ１を個々のチップ４，４・・・に切り離
す（第２図（ｅ））。
３を形成する領域の金層２を部分的に除去する（第２図
（Ｃ））。金層２をマスクとして酸等により、半導体ウ
ェハ１を部分的に適当な厚さまでエツチング除去して、
ダイヤフラム部３を形成する（第２図（ｄ））。最後に
、半導体ウェハ１を個々のチップ４，４・・・に切り離
す（第２図（ｅ））。
以上のような従来の半導体加速度センサの製造方法では
、次のような問題点があった。ダイヤフラム部３形成の
ためのエツチング用のマスクとして金層２を用いるので
、高コストであるという問題点があり、またダイヤフラ
ム部３を形成するためのエツチングに長時間を要するの
で、生産性が低いという問題点もある。
、次のような問題点があった。ダイヤフラム部３形成の
ためのエツチング用のマスクとして金層２を用いるので
、高コストであるという問題点があり、またダイヤフラ
ム部３を形成するためのエツチングに長時間を要するの
で、生産性が低いという問題点もある。
本発明はかかる事情に鑑みてなされたものてあ゛す、金
層を形成することが不要であり、しかもダイヤフラム部
の形成を短時間にて行なえる半導体加速度センサの製造
方法を提供することを目的とする。
層を形成することが不要であり、しかもダイヤフラム部
の形成を短時間にて行なえる半導体加速度センサの製造
方法を提供することを目的とする。
本発明に係る半導体加速度センサの製造方法は、機械的
な加工によって半導体ウェハにダイヤフラム部を形成す
るようにしたことと特徴とする。
な加工によって半導体ウェハにダイヤフラム部を形成す
るようにしたことと特徴とする。
本発明の半導体加速度センサの製造方法にあっては、半
導体ウェハに対して機械的加工を施して切込み溝を形成
し、この切込み溝を形成した部分をダイヤフラム部とす
る。
導体ウェハに対して機械的加工を施して切込み溝を形成
し、この切込み溝を形成した部分をダイヤフラム部とす
る。
以下、本発明をその実施例を示す図面に基づいて具体的
に説明する。
に説明する。
第１図は、本発明に係る半導体加速度センサの製造方法
の工程を示す模式的断面図である。まず、歪ケージの形
成が終了した半導体ウェハ１を準備する（第１図（ａ）
）。半導体ウェハ１の表面（第１図下面）には、既に歪
ケージ（図示せず）が形成されている。歪ケージが形成
されていない半導体ウェハ１の裏面（第１図上面）から
、歪ケージのパターンに合せて後にダイヤフラム部３を
形成する領域の半導体ウェハ１に、回転歯等の研削歯５
を用いて機械的に適当な厚さの溝６を半導体ウェハ１の
裏面側から形成する（第１図（ｂ））。すべての所定領
域に溝６を形成した後、機械的ダメージを取り除くため
に化学的エツチングを施して、ダイヤフラム部３を形成
する（第１図（Ｃ））。最後に、ダイヤフラム部３が形
成された半導体ウェハ１を個々のチップ４，４・・・に
切り離す（第１図（ｄ））。
の工程を示す模式的断面図である。まず、歪ケージの形
成が終了した半導体ウェハ１を準備する（第１図（ａ）
）。半導体ウェハ１の表面（第１図下面）には、既に歪
ケージ（図示せず）が形成されている。歪ケージが形成
されていない半導体ウェハ１の裏面（第１図上面）から
、歪ケージのパターンに合せて後にダイヤフラム部３を
形成する領域の半導体ウェハ１に、回転歯等の研削歯５
を用いて機械的に適当な厚さの溝６を半導体ウェハ１の
裏面側から形成する（第１図（ｂ））。すべての所定領
域に溝６を形成した後、機械的ダメージを取り除くため
に化学的エツチングを施して、ダイヤフラム部３を形成
する（第１図（Ｃ））。最後に、ダイヤフラム部３が形
成された半導体ウェハ１を個々のチップ４，４・・・に
切り離す（第１図（ｄ））。
以上のように本発明では、半導体ウェハに機械的加工を
施してダイヤフラム部を形成し、チップ状に切り離すこ
とにしたので、従来例のようにマスク用の金層を設ける
必要がなくて製造コストを低減でき、また工程が簡便と
なって短時間にて半導体加速度センサを製造できて生産
性の大幅な向上を図ることが可能である等、本発明は優
れた効果を奏する。
施してダイヤフラム部を形成し、チップ状に切り離すこ
とにしたので、従来例のようにマスク用の金層を設ける
必要がなくて製造コストを低減でき、また工程が簡便と
なって短時間にて半導体加速度センサを製造できて生産
性の大幅な向上を図ることが可能である等、本発明は優
れた効果を奏する。
第１図は本発明に係る半導体加速度センサの製造方法の
工程を示す模式的断面図、第２図は半導体加速度センサ
の従来の製造方法の工程を示す模式的断面図である。 １・・・半導体ウェハ ３・・・ダイヤフラム部４・・
・チップ ５・・・研削歯 なお、図中、同一符号は同一、又は相当部分を示す。
工程を示す模式的断面図、第２図は半導体加速度センサ
の従来の製造方法の工程を示す模式的断面図である。 １・・・半導体ウェハ ３・・・ダイヤフラム部４・・
・チップ ５・・・研削歯 なお、図中、同一符号は同一、又は相当部分を示す。
Claims (1)
- （１）ダイヤフラム部を備えた半導体加速度センサを製
造する方法において、 半導体ウェハに機械的加工を施して、前記 ダイヤフラム部を形成する工程を有することを特徴とす
る半導体加速度センサの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20730890A JPH0496280A (ja) | 1990-08-04 | 1990-08-04 | 半導体加速度センサの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20730890A JPH0496280A (ja) | 1990-08-04 | 1990-08-04 | 半導体加速度センサの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0496280A true JPH0496280A (ja) | 1992-03-27 |
Family
ID=16537622
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20730890A Pending JPH0496280A (ja) | 1990-08-04 | 1990-08-04 | 半導体加速度センサの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0496280A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH09232593A (ja) * | 1996-02-22 | 1997-09-05 | S I I R D Center:Kk | 半導体装置 |
-
1990
- 1990-08-04 JP JP20730890A patent/JPH0496280A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH09232593A (ja) * | 1996-02-22 | 1997-09-05 | S I I R D Center:Kk | 半導体装置 |
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