JPS63192202A - 薄膜抵抗体 - Google Patents
薄膜抵抗体Info
- Publication number
- JPS63192202A JPS63192202A JP62023209A JP2320987A JPS63192202A JP S63192202 A JPS63192202 A JP S63192202A JP 62023209 A JP62023209 A JP 62023209A JP 2320987 A JP2320987 A JP 2320987A JP S63192202 A JPS63192202 A JP S63192202A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- thin film
- film resistor
- resistance
- alumina
- al2o3
- Prior art date
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- Pending
Links
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- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 23
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Landscapes
- Electronic Switches (AREA)
- Non-Adjustable Resistors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
「産業上の利用分野」
本発明は、例えばＩＣ、ハイブリッドＩＣ等の薄膜抵抗
器や、サーマルヘッドの発熱抵抗体などに用いられる薄
膜抵抗体に間する。
器や、サーマルヘッドの発熱抵抗体などに用いられる薄
膜抵抗体に間する。
「従来技術」
近年、薄膜抵抗体の進歩は目覚ましいものがあり、高い
比抵抗をもつ抵抗体としてＴａ−Ａ１２０１ｍ膜抵抗体
が開発され、実用化されている。 Ｔａ−Ａｌ２Ｏ３薄
膜抵抗体は、ターゲットとしてタンタルとアルミナを用
い、これＩＦスパッタリングすることによって形成され
ている。この場合、ＴａとＡｌ２Ｏ３の含有比率を変え
ることにより、０．４〜ｌｏｍΩ−ｃｍの範囲の比抵抗
を得ることができる。
比抵抗をもつ抵抗体としてＴａ−Ａ１２０１ｍ膜抵抗体
が開発され、実用化されている。 Ｔａ−Ａｌ２Ｏ３薄
膜抵抗体は、ターゲットとしてタンタルとアルミナを用
い、これＩＦスパッタリングすることによって形成され
ている。この場合、ＴａとＡｌ２Ｏ３の含有比率を変え
ることにより、０．４〜ｌｏｍΩ−ｃｍの範囲の比抵抗
を得ることができる。
「発明の解決しようとする問題点」
しかしなから、上記薄膜抵抗体は、その抵抗温度係数Ｔ
ＣＲか−５００〜−２０００ｐｐｍと大きく、また、例
えば２ｘ１０−’Ｔｏｒｒ以下の真空中においで７００
℃、１５分間の赤外線加熱によるアニールをおこなった
凌の抵抗値変化率か−１５〜−３０％と大きく、耐熱性
が未だ充分でなかった。このため、薄膜集積回路や各種
抵抗器、サーマルヘッド等の設計、製造において良好な
性能・信頼性・歩留りが得られないという問題点があっ
た。
ＣＲか−５００〜−２０００ｐｐｍと大きく、また、例
えば２ｘ１０−’Ｔｏｒｒ以下の真空中においで７００
℃、１５分間の赤外線加熱によるアニールをおこなった
凌の抵抗値変化率か−１５〜−３０％と大きく、耐熱性
が未だ充分でなかった。このため、薄膜集積回路や各種
抵抗器、サーマルヘッド等の設計、製造において良好な
性能・信頼性・歩留りが得られないという問題点があっ
た。
「問題点を解決するための手段Ｊ
本発明の薄膜抵抗体は、タンタルとタングステンとアル
ミナとを含有する合金薄膜からなることを特徴とする。
ミナとを含有する合金薄膜からなることを特徴とする。
この薄膜抵抗体は、例えばアルミナ（Ａ１２０３）基板
上にタンタル（Ｔａ）とタングステン（Ｗ）のチップメ
タル装置いたものをターゲットとし、これを例えばアル
ゴンガス雰囲気中にでＲＦスパッタリングすることによ
って形成することかできる。この場合、ターゲットの全
体の面積に対するアルミナ、タンタル、タングステンの
それぞれの面積を変えることにより、アルミナ−タンタ
ル−タングステンの各成分含有Ｍを変えることができ、
比抵抗が０．４〜ＩＯｍΩ〜ｃｍの薄膜抵抗体を得るこ
とができる。
上にタンタル（Ｔａ）とタングステン（Ｗ）のチップメ
タル装置いたものをターゲットとし、これを例えばアル
ゴンガス雰囲気中にでＲＦスパッタリングすることによ
って形成することかできる。この場合、ターゲットの全
体の面積に対するアルミナ、タンタル、タングステンの
それぞれの面積を変えることにより、アルミナ−タンタ
ル−タングステンの各成分含有Ｍを変えることができ、
比抵抗が０．４〜ＩＯｍΩ〜ｃｍの薄膜抵抗体を得るこ
とができる。
本発明の薄膜抵抗体は、抵抗温度係数ＴＣＲが小さく、
また、熱処理を施しても抵抗値の変化が小さく耐熱性に
優れでいる。
また、熱処理を施しても抵抗値の変化が小さく耐熱性に
優れでいる。
「発明の実施例」
（実施例１）
第１図に示すようなアルミナ板１の上にタンタル及びタ
ングステンのメタルチ・ｙブ２を雪いた複合ターゲット
３を形成し、４．５ ｘ １Ｏ−３Ｔｏｒｒのアルゴン
雰囲気中にで基板温度２００℃、スパッタ電力５００ｗ
の条件にでＲＦスパッタリングをおこない厚さ約１６０
０人の薄膜抵抗体を形成した。なお、メタルチップ２に
あけるタンタルとタングステンとの面積比は約８３・１
７に固定し、アルミナ板１とメタルチップ２との面積比
を変化させてメタル含有量の異なる各種組成の薄膜抵抗
体を形成した。
ングステンのメタルチ・ｙブ２を雪いた複合ターゲット
３を形成し、４．５ ｘ １Ｏ−３Ｔｏｒｒのアルゴン
雰囲気中にで基板温度２００℃、スパッタ電力５００ｗ
の条件にでＲＦスパッタリングをおこない厚さ約１６０
０人の薄膜抵抗体を形成した。なお、メタルチップ２に
あけるタンタルとタングステンとの面積比は約８３・１
７に固定し、アルミナ板１とメタルチップ２との面積比
を変化させてメタル含有量の異なる各種組成の薄膜抵抗
体を形成した。
なお、比較のため、アルミナ板上にタンタルのメタルチ
ップを言いた複合ターゲットを形成し、これを上記と同
様にして旺スパッタリングして薄膜抵抗体を形成した。
ップを言いた複合ターゲットを形成し、これを上記と同
様にして旺スパッタリングして薄膜抵抗体を形成した。
この場合も、アルミナ板とメタルチップとの面積比を変
化させてメタル含有量の異なる各種組成の薄膜抵抗体を
形成した。
化させてメタル含有量の異なる各種組成の薄膜抵抗体を
形成した。
第２図には、このようにして形成したＴａ−Ｗ−４１２
０３系薄膜抵抗体およびＴａ−Ａｌ２Ｏ３系薄膜抵抗体
のそれぞれの比抵抗が示されでいる。図において、横軸
は複合ターゲットにあけるアルミナ板に対するメタルの
面積比率（χ）を表わし、縦軸は比抵抗（ｍΩ−ｃｍ）
！表わす。図中、曲線ＡはＴａ−ＡＩｚ０３の結果、曲
線ＢはＴａ−Ｗ−Ａ１２０３の結果を表わしている。第
２図から、Ｔａ−Ｗ−Ａ１２０３系の薄膜抵抗体は、Ｔ
ａ−Ａｌ２Ｏ３系の薄膜抵抗体とほぼ同じ範囲の比抵抗
を取り得ることかわかる。
０３系薄膜抵抗体およびＴａ−Ａｌ２Ｏ３系薄膜抵抗体
のそれぞれの比抵抗が示されでいる。図において、横軸
は複合ターゲットにあけるアルミナ板に対するメタルの
面積比率（χ）を表わし、縦軸は比抵抗（ｍΩ−ｃｍ）
！表わす。図中、曲線ＡはＴａ−ＡＩｚ０３の結果、曲
線ＢはＴａ−Ｗ−Ａ１２０３の結果を表わしている。第
２図から、Ｔａ−Ｗ−Ａ１２０３系の薄膜抵抗体は、Ｔ
ａ−Ａｌ２Ｏ３系の薄膜抵抗体とほぼ同じ範囲の比抵抗
を取り得ることかわかる。
第３図には、上記で得られたＴａＪ−ＡＩＪ３系薄膜抵
抗体およびＴａ−Ａｌ２Ｏ：ｉ系薄膜抵抗体の耐熱性評
価の結果が示されでいる。すなわち、各薄膜抵抗体そ２
×１０−呵ｏｒｒの真室中で７００°Ｃにて１５分間熱
処理し、熱処理前の抵抗値Ｒ８に対する熱処理後の抵抗
＠Ｒの変化率へＲ／ＲＯ（＝（Ｒ−ＲＯ）／ＲＯ）％求
めた。図にあいで、縦軸は上記抵抗値Ｒの変化率、横軸
はアルミナ板に対するメタルの面積比率（Ｘ） ！表わ
す。また、曲線ＣはＴａ−Ａｌ２Ｏ３の結果、曲線りは
Ｔａ−Ｗ−Ａ１２Ｑ３の結果を表わしている。第３図か
らＴａ−Ｗ−Ａ１２Ｄ３系薄膜抵抗体は、Ｔａ−Ａｌ２
Ｏ３系薄膜抵抗体よりも耐熱性に優れていることがわか
る。
抗体およびＴａ−Ａｌ２Ｏ：ｉ系薄膜抵抗体の耐熱性評
価の結果が示されでいる。すなわち、各薄膜抵抗体そ２
×１０−呵ｏｒｒの真室中で７００°Ｃにて１５分間熱
処理し、熱処理前の抵抗値Ｒ８に対する熱処理後の抵抗
＠Ｒの変化率へＲ／ＲＯ（＝（Ｒ−ＲＯ）／ＲＯ）％求
めた。図にあいで、縦軸は上記抵抗値Ｒの変化率、横軸
はアルミナ板に対するメタルの面積比率（Ｘ） ！表わ
す。また、曲線ＣはＴａ−Ａｌ２Ｏ３の結果、曲線りは
Ｔａ−Ｗ−Ａ１２Ｑ３の結果を表わしている。第３図か
らＴａ−Ｗ−Ａ１２Ｄ３系薄膜抵抗体は、Ｔａ−Ａｌ２
Ｏ３系薄膜抵抗体よりも耐熱性に優れていることがわか
る。
第４図には、上記で得られたＴａ−Ｗ−Ａ１２０ｓ系薄
膜抵抗体およびＴａ−Ａｌ２Ｏ３系薄膜抵抗体の抵抗温
度係ｆｆｆ（ＴＣＲ）か示されている。図においで、縦
軸は抵抗温度係Ｆｉ（ＴＣＰ） 、横軸はアルミナ板に
対するメタルの面積比率（ｙ′、）を表わす。また、曲
線ＥはＴａ−Ａｌ２Ｏ３の結果、曲線ＦはＴａ−Ｗ−Ａ
１２０３の結果を表わしでいる。第４図がらＴａ−Ｗ−
Ａｌ２Ｏ３系薄膜抵抗体は、Ｔａ−Ａｌ２Ｏ３系薄膜抵
抗体に比べ、広い抵抗値の範囲で抵抗温度係数（ＴＣＰ
）が小ざいことがわかる。
膜抵抗体およびＴａ−Ａｌ２Ｏ３系薄膜抵抗体の抵抗温
度係ｆｆｆ（ＴＣＲ）か示されている。図においで、縦
軸は抵抗温度係Ｆｉ（ＴＣＰ） 、横軸はアルミナ板に
対するメタルの面積比率（ｙ′、）を表わす。また、曲
線ＥはＴａ−Ａｌ２Ｏ３の結果、曲線ＦはＴａ−Ｗ−Ａ
１２０３の結果を表わしでいる。第４図がらＴａ−Ｗ−
Ａｌ２Ｏ３系薄膜抵抗体は、Ｔａ−Ａｌ２Ｏ３系薄膜抵
抗体に比べ、広い抵抗値の範囲で抵抗温度係数（ＴＣＰ
）が小ざいことがわかる。
「発明の９カ果」
以上説明したように、本発明によればタンタルとクンゲ
ステンとアルミナとを含有する合金薄膜からなるので、
高い比抵抗を有し、抵抗温度係数が小ざく、耐熱安定牲
に優れた薄膜抵抗体を得ることができる。
ステンとアルミナとを含有する合金薄膜からなるので、
高い比抵抗を有し、抵抗温度係数が小ざく、耐熱安定牲
に優れた薄膜抵抗体を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明の薄膜抵抗体の製造で用いるスパッタリ
ング用ターゲットの平面図、第２図は本発明の薄膜抵抗
体および従来の薄膜抵抗体の比抵抗を測定した結果を示
す図表、舅３図は本発明の薄膜抵抗体および従来の薄膜
抵抗体の耐熱性試験の結果を示す図表、第４図は本発明
の薄膜抵抗体および従来の薄膜抵抗体の抵抗温度係数（
ＴＣＦＩ）をを測定した結果を示す図表である。 図中、１はアルミナ板、２はメタルチップ、３は複合タ
ーゲットである。 特許出願人 アルプス電気株式会社 代理人 弁理士 三浦邦夫 同 弁理士 松井 茂 琢穏倶尽鎗（ｐｐｍ／に） 批杭礒奈んや（’／。）
ング用ターゲットの平面図、第２図は本発明の薄膜抵抗
体および従来の薄膜抵抗体の比抵抗を測定した結果を示
す図表、舅３図は本発明の薄膜抵抗体および従来の薄膜
抵抗体の耐熱性試験の結果を示す図表、第４図は本発明
の薄膜抵抗体および従来の薄膜抵抗体の抵抗温度係数（
ＴＣＦＩ）をを測定した結果を示す図表である。 図中、１はアルミナ板、２はメタルチップ、３は複合タ
ーゲットである。 特許出願人 アルプス電気株式会社 代理人 弁理士 三浦邦夫 同 弁理士 松井 茂 琢穏倶尽鎗（ｐｐｍ／に） 批杭礒奈んや（’／。）
Claims (1)
- タンタルとタングステンとアルミナとを含有する合金薄
膜からなることを特徴とする薄膜抵抗体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62023209A JPS63192202A (ja) | 1987-02-03 | 1987-02-03 | 薄膜抵抗体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62023209A JPS63192202A (ja) | 1987-02-03 | 1987-02-03 | 薄膜抵抗体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63192202A true JPS63192202A (ja) | 1988-08-09 |
Family
ID=12104275
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62023209A Pending JPS63192202A (ja) | 1987-02-03 | 1987-02-03 | 薄膜抵抗体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63192202A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008308211A (ja) * | 2007-06-15 | 2008-12-25 | Fuji Mach Co Ltd | 上包み包装機の物品保持移送装置 |
| JP2008308226A (ja) * | 2007-06-18 | 2008-12-25 | Fuji Mach Co Ltd | 上包み包装機の物品保持移送装置 |
-
1987
- 1987-02-03 JP JP62023209A patent/JPS63192202A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008308211A (ja) * | 2007-06-15 | 2008-12-25 | Fuji Mach Co Ltd | 上包み包装機の物品保持移送装置 |
| JP2008308226A (ja) * | 2007-06-18 | 2008-12-25 | Fuji Mach Co Ltd | 上包み包装機の物品保持移送装置 |
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