JPS6358901A - 抵抗体材料 - Google Patents
抵抗体材料Info
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- JPS6358901A JPS6358901A JP61203442A JP20344286A JPS6358901A JP S6358901 A JPS6358901 A JP S6358901A JP 61203442 A JP61203442 A JP 61203442A JP 20344286 A JP20344286 A JP 20344286A JP S6358901 A JPS6358901 A JP S6358901A
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- resistor
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- resistor material
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Landscapes
- Non-Adjustable Resistors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は各種電子機器９部品等に用いられる抵抗体材料
に関し、特に、熱的安定特性に優れ。
に関し、特に、熱的安定特性に優れ。
比抵抗の高い抵抗体材料に関するものである。
（従来の技術とその問題点）
従来から薄膜の抵抗体材料としてはｓ Ｎ ｉＣｒ＋Ｔ
ａｚＮ、Ｔａ０ｘＮｙ等が知られているが、これらの比
抵抗は１５０〜１０００μΩ・ｃｍと比較的低いもので
あるため、構造的に安定した薄膜を得る上ではその膜厚
を２００Ａ以上に設定せざるを得す、これによってその
抵抗体膜のシート抵抗が５００Ω／口以下となるもので
あった。従って。
ａｚＮ、Ｔａ０ｘＮｙ等が知られているが、これらの比
抵抗は１５０〜１０００μΩ・ｃｍと比較的低いもので
あるため、構造的に安定した薄膜を得る上ではその膜厚
を２００Ａ以上に設定せざるを得す、これによってその
抵抗体膜のシート抵抗が５００Ω／口以下となるもので
あった。従って。
ハイブリッドＩＣ等において高抵抗を得るためには１例
えば、ミアンダ形状の如く抵抗体を配置することも行な
われていたが、この様な形状を採用すると、そのパター
ンが微細化し２歩留りの点で問題を生起せしめ、また、
抵抗体パターンが基板上で大面積を占めることよりコス
ト的にも不利なものであった。
えば、ミアンダ形状の如く抵抗体を配置することも行な
われていたが、この様な形状を採用すると、そのパター
ンが微細化し２歩留りの点で問題を生起せしめ、また、
抵抗体パターンが基板上で大面積を占めることよりコス
ト的にも不利なものであった。
（問題点を解決するための手段）
本発明は９以上の点に鑑みなされたもので。
高融点金属シリサイドの窒化物よりなる抵抗体材料を要
旨とすることで、熱的安定特性に優れ。
旨とすることで、熱的安定特性に優れ。
しかも比抵抗の高い優れた抵抗体材料を提供するもので
ある。
ある。
本発明における抵抗体材料は、特に、高融点金属シリサ
イドの窒化率を適宜変えることによって、１０−’〜１
０！Ω’ｃｍといった如く、高い比抵抗を得るばかりで
なく、任意にその比抵抗を変化制御せしめることが可能
となりこの点からも有用性の高い抵抗体材料が提供でき
るものである。
イドの窒化率を適宜変えることによって、１０−’〜１
０！Ω’ｃｍといった如く、高い比抵抗を得るばかりで
なく、任意にその比抵抗を変化制御せしめることが可能
となりこの点からも有用性の高い抵抗体材料が提供でき
るものである。
高融点金属シリサイドの具体例としては、ＴａｒＴｉ、
Ｃｒ、 Ｗ、 Ｍｏ＊ Ｚｒ、 Ｈｆｐ Ｖ、 Ｎｂ
＊ Ｒｅ＋ Ｆｅ。
Ｃｒ、 Ｗ、 Ｍｏ＊ Ｚｒ、 Ｈｆｐ Ｖ、 Ｎｂ
＊ Ｒｅ＋ Ｆｅ。
Ｃｏ、Ｎｉ等のシリサイドが挙げられ、中でもＣｒのシ
リサイドは比抵抗が比較的高いことより好ましく用いら
れる。これらの高融点金属シリサイドは、スパッタリン
グ法、イオンブレーティング、反応性蒸着等の方法によ
って基板上にその窒化物として形成されるものである。
リサイドは比抵抗が比較的高いことより好ましく用いら
れる。これらの高融点金属シリサイドは、スパッタリン
グ法、イオンブレーティング、反応性蒸着等の方法によ
って基板上にその窒化物として形成されるものである。
（実施例）
以下１本発明を実施例に基づき詳細に説明する。
実施例１
コーニング７０５９ガラス基板をスパッタ装置内で５０
０℃に加熱し、 Ｔｉ５ｉｚターゲツトを用いて、アル
ゴンと窒素の混合ガス雰囲気中でＲＦ電力２００Ｗにて
５分間スパッタを行ないガラス基板上に抵抗体を形成す
る。この時、全ガス圧を１．５Ｘ１０−”Ｔｏｒｒと一
定にし、窒素分圧を変えた。
０℃に加熱し、 Ｔｉ５ｉｚターゲツトを用いて、アル
ゴンと窒素の混合ガス雰囲気中でＲＦ電力２００Ｗにて
５分間スパッタを行ないガラス基板上に抵抗体を形成す
る。この時、全ガス圧を１．５Ｘ１０−”Ｔｏｒｒと一
定にし、窒素分圧を変えた。
得られ全抵抗体の各窒素分圧時のシート抵抗Ａを第１図
に、また抵抗温度係数Ａ′を第２図に示す。
に、また抵抗温度係数Ａ′を第２図に示す。
実施例２
各窒素分圧時のシート抵抗Ｂを第１図に、−！た抵抗温
度係数Ｂ′を第２図に示す。
度係数Ｂ′を第２図に示す。
実施例３
コーニング７０５９ガラス基板をスパッタ装置内で４５
０℃に加熱しｍｃｉｓｉｉターゲットを用いて、アルゴ
ンと窒素の混合ガス雰囲気中でＲＦ電力２００Ｗにて５
分間スバ、りを行ないガラス基板上に抵抗体を形成する
。この時、全ガス圧を１．５Ｘ１０”” Ｔｏｒｒと一
定にし、窒素分圧を変えた。得られた抵抗体の各窒素分
圧時のシート抵抗Ｃを第１図に、また抵抗温度係数Ｃ′
を第２図に示す。
０℃に加熱しｍｃｉｓｉｉターゲットを用いて、アルゴ
ンと窒素の混合ガス雰囲気中でＲＦ電力２００Ｗにて５
分間スバ、りを行ないガラス基板上に抵抗体を形成する
。この時、全ガス圧を１．５Ｘ１０”” Ｔｏｒｒと一
定にし、窒素分圧を変えた。得られた抵抗体の各窒素分
圧時のシート抵抗Ｃを第１図に、また抵抗温度係数Ｃ′
を第２図に示す。
！１ｊ」
コーニング７０５９ガラス基板上に、Ｔｉ５ｉｔターゲ
ツトを用いて、全ガス圧１．５ｘ １０−”Ｔｏｒｒ、
窒素分圧０．１４ｘ１０−″Ｔｏｒｒ、ＲＦ電力２００
Ｗにて、基板加熱温度を４００℃、３００’Ｃ，２００
℃に変えて夫々５分間スパッタを行ない抵抗体を形成し
た。
ツトを用いて、全ガス圧１．５ｘ １０−”Ｔｏｒｒ、
窒素分圧０．１４ｘ１０−″Ｔｏｒｒ、ＲＦ電力２００
Ｗにて、基板加熱温度を４００℃、３００’Ｃ，２００
℃に変えて夫々５分間スパッタを行ない抵抗体を形成し
た。
以上実施例１〜３の結果より、第１図において、窒素分
圧を変えることによってＴｉ５ｉｚ−Ｎｘ 系テＰｉ
１０〜１０’Ｑ／口（’）範囲テ、また。Ｃｒ５ｉｔＮ
ｔ系では１０２〜１０７Ω／口の範囲でそのシート抵抗
値を任意に広範囲にわたって可変制御できろことが判る
。また、実施例１と実施例２とより窒素分圧とシート抵
抗の関係の傾きは２例えば全ガス圧といったスパッタ時
の条件によって適宜変えられることが判る。従って、処
理装置によって適当な条件を設定すれば、所望の比抵抗
を有する抵抗体材料が任意に得られるものである。
圧を変えることによってＴｉ５ｉｚ−Ｎｘ 系テＰｉ
１０〜１０’Ｑ／口（’）範囲テ、また。Ｃｒ５ｉｔＮ
ｔ系では１０２〜１０７Ω／口の範囲でそのシート抵抗
値を任意に広範囲にわたって可変制御できろことが判る
。また、実施例１と実施例２とより窒素分圧とシート抵
抗の関係の傾きは２例えば全ガス圧といったスパッタ時
の条件によって適宜変えられることが判る。従って、処
理装置によって適当な条件を設定すれば、所望の比抵抗
を有する抵抗体材料が任意に得られるものである。
上記実施例１〜３において、０℃〜５０’Ｃ間の抵抗値
変化率をもって室温でのその抵抗温度係数（ＴＣＲ）と
したところ、第２図に示す様にＴ ｉＳ ｊｔ＋ Ｃｒ
Ｓ ｉｔともに窒化されていない場合には正のＴＣＲを
有しているが、・窒化が進行するに従ってＴＣＲは正か
ら負へ転するものとなる。
変化率をもって室温でのその抵抗温度係数（ＴＣＲ）と
したところ、第２図に示す様にＴ ｉＳ ｊｔ＋ Ｃｒ
Ｓ ｉｔともに窒化されていない場合には正のＴＣＲを
有しているが、・窒化が進行するに従ってＴＣＲは正か
ら負へ転するものとなる。
従って、窒素濃度を選択することによって、そのＴＣＲ
を零とすることができるため、抵抗体材料として温度変
化に対し極めて優れた女性特性を示すこととなる。
を零とすることができるため、抵抗体材料として温度変
化に対し極めて優れた女性特性を示すこととなる。
次に実施例１．３．４で得られた抵抗体の耐熱経時安定
性テストを行なった。結果は下表のとおりである。尚、
この際の条件としては、各抵抗体上に５ｉＯｚを保護膜
として設け、空気中２００℃にて２００時間の設定を行
なった。
性テストを行なった。結果は下表のとおりである。尚、
この際の条件としては、各抵抗体上に５ｉＯｚを保護膜
として設け、空気中２００℃にて２００時間の設定を行
なった。
この表力１らも判る様に、Ｔｉ５ｉｚ−Ｎｔ系の抵抗体
は窒素濃度に依らず抵抗値変化率は±０．１％以下であ
り、極めて高い耐熱経時安定性を示している。また実施
例４の結果によれば２通常Ｔｉ５ｉｚ膜は、耐熱経時安
定性を得るために結晶化きせることより、４５０℃〜５
００℃にて形成するものであるが、 Ｔｉ５ｉｔＮｚ系
の抵抗体の形成温度を２００ ”Ｃまで下げても、抵抗
値変化率は±０．１％以下となるもので、その形成温度
５００℃の場合と同じ様に極めて高い耐熱経時安定性を
示している。即ち、Ｔｉ５ｉｚを窒化することによって
低い温度での抵抗体形成が可能となるものである。
は窒素濃度に依らず抵抗値変化率は±０．１％以下であ
り、極めて高い耐熱経時安定性を示している。また実施
例４の結果によれば２通常Ｔｉ５ｉｚ膜は、耐熱経時安
定性を得るために結晶化きせることより、４５０℃〜５
００℃にて形成するものであるが、 Ｔｉ５ｉｔＮｚ系
の抵抗体の形成温度を２００ ”Ｃまで下げても、抵抗
値変化率は±０．１％以下となるもので、その形成温度
５００℃の場合と同じ様に極めて高い耐熱経時安定性を
示している。即ち、Ｔｉ５ｉｚを窒化することによって
低い温度での抵抗体形成が可能となるものである。
（発明の効果）
以上、詳細に述べた如く１本発明の抵抗体材５料によれ
ば、極めて高い比抵抗が得られ、また。
ば、極めて高い比抵抗が得られ、また。
Ｆ２：・
ｑ優れた熱的安定特性を示し得るもので、各種用途に利
用でき実利ある効果を奏するものである。
用でき実利ある効果を奏するものである。
第１図は窒素分圧とシート抵抗との関係を示すグラフで
あり、第２図は窒素分圧と抵抗温度係数（ＴＣＲ）との
関係を示すグラフである。
あり、第２図は窒素分圧と抵抗温度係数（ＴＣＲ）との
関係を示すグラフである。
Claims (1)
- 高融点金属シリサイドの窒化物よりなる抵抗体材料。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61203442A JPS6358901A (ja) | 1986-08-29 | 1986-08-29 | 抵抗体材料 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61203442A JPS6358901A (ja) | 1986-08-29 | 1986-08-29 | 抵抗体材料 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6358901A true JPS6358901A (ja) | 1988-03-14 |
Family
ID=16474175
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61203442A Pending JPS6358901A (ja) | 1986-08-29 | 1986-08-29 | 抵抗体材料 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6358901A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8881943B2 (en) | 2010-03-17 | 2014-11-11 | Evermate Co., Ltd. | Tissue paper supply case |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60261101A (ja) * | 1984-06-08 | 1985-12-24 | 日本電信電話株式会社 | 膜抵抗素子及びその製造方法 |
-
1986
- 1986-08-29 JP JP61203442A patent/JPS6358901A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60261101A (ja) * | 1984-06-08 | 1985-12-24 | 日本電信電話株式会社 | 膜抵抗素子及びその製造方法 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8881943B2 (en) | 2010-03-17 | 2014-11-11 | Evermate Co., Ltd. | Tissue paper supply case |
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