JPS63261804A - 金属薄膜の抵抗温度係数調整方法 - Google Patents
金属薄膜の抵抗温度係数調整方法Info
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- JPS63261804A JPS63261804A JP62096577A JP9657787A JPS63261804A JP S63261804 A JPS63261804 A JP S63261804A JP 62096577 A JP62096577 A JP 62096577A JP 9657787 A JP9657787 A JP 9657787A JP S63261804 A JPS63261804 A JP S63261804A
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- Japan
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- resistance
- thin film
- metal thin
- adjusting resistance
- Prior art date
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- Pending
Links
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Landscapes
- Apparatuses And Processes For Manufacturing Resistors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、一般の民生、産業機器に利用される高精度、
高安定の金属抵抗薄膜の抵抗温度係数の調整方法に関す
るものである。
高安定の金属抵抗薄膜の抵抗温度係数の調整方法に関す
るものである。
従来の技術
一般に金属薄膜抵抗材料として、ＮｉＣｒ系合金が主と
して用いられているが、真空蒸着やスパッタリング等に
より製作する薄膜の抵抗温度係数の調整のために、Ｎｉ
Ｃｒ合金中に種々の材料を添加島しかし、種々の抵抗値
の薄膜について抵抗温度係数の小さいものを連続的に形
成する場合、材料の種類が増えることや、温度等の条件
を細かく変動させる必要が生じ、より簡便な抵抗温度係
数の調整方法が望まれている。
して用いられているが、真空蒸着やスパッタリング等に
より製作する薄膜の抵抗温度係数の調整のために、Ｎｉ
Ｃｒ合金中に種々の材料を添加島しかし、種々の抵抗値
の薄膜について抵抗温度係数の小さいものを連続的に形
成する場合、材料の種類が増えることや、温度等の条件
を細かく変動させる必要が生じ、より簡便な抵抗温度係
数の調整方法が望まれている。
本発明はこのような現状に鑑み、簡単に抵抗温度係数を
調整できるようにしたものである。
調整できるようにしたものである。
問題点を解決するための手段
本発明は上記問題点を解決するため、真空蒸着やスパッ
タリング法により、金属薄膜を形成した上層に、Ｓｉ３
Ｎ４膜を形成し、両者の着膜比率で抵抗温度係数を調整
するようにしたものである。
タリング法により、金属薄膜を形成した上層に、Ｓｉ３
Ｎ４膜を形成し、両者の着膜比率で抵抗温度係数を調整
するようにしたものである。
作用
本発明は上記した方法により、ＮｉＣｒ合金とＳｉ、Ｎ
４の着膜量の調整により、抵抗温度係数の小さい高精度
縁の金属抵抗薄膜を形成することができる。
４の着膜量の調整により、抵抗温度係数の小さい高精度
縁の金属抵抗薄膜を形成することができる。
実施例
図は本発明を用いてスパッタリング法により、アルミナ
基板上に形成した金属薄膜の抵抗温度係数とＳｉ３Ｎ４
のスパッタ量（投入電力Ｘ時間（分））との関係を示し
た図である○試料の製作条件として、ＮｉＣｒ （比率
６ｏ：ｓｏｗｔ％）をアルミナ基体上にＤＣスパッタ法
により、３０ ＫＷ分着膜した後に、Ｓｉ３Ｎ４をＲＦ
スパッタ法により着膜した。抵抗値は各試料とも２００
〜３００Ω／口程度で大気中で３００℃、５時間の熱処
理を行なった後、抵抗温度係数の測定を行なった。Ｓｉ
、Ｎ４の着膜量を変えることにより定量的に抵抗温度係
数が変化する結果となった。
基板上に形成した金属薄膜の抵抗温度係数とＳｉ３Ｎ４
のスパッタ量（投入電力Ｘ時間（分））との関係を示し
た図である○試料の製作条件として、ＮｉＣｒ （比率
６ｏ：ｓｏｗｔ％）をアルミナ基体上にＤＣスパッタ法
により、３０ ＫＷ分着膜した後に、Ｓｉ３Ｎ４をＲＦ
スパッタ法により着膜した。抵抗値は各試料とも２００
〜３００Ω／口程度で大気中で３００℃、５時間の熱処
理を行なった後、抵抗温度係数の測定を行なった。Ｓｉ
、Ｎ４の着膜量を変えることにより定量的に抵抗温度係
数が変化する結果となった。
発明の効果
以上のように本発明によれば、ＮｉＣｒ合金とＳｉ３Ｎ
４との二種類の材料の組み合せで抵抗温度係数の調整が
容易に実現でき、精密級の金属抵抗薄膜の製作に有用で
ある。
４との二種類の材料の組み合せで抵抗温度係数の調整が
容易に実現でき、精密級の金属抵抗薄膜の製作に有用で
ある。
図は、スパンタリング法によりＮｉＣｒ膜の上層にＳｉ
３ Ｎ４膜を形成したときの試料の抵抗温度係数とＳ１
５ Ｎ４ のスパッタ量（投入電力Ｘ時間（分））との
関係を示した特性図である。
３ Ｎ４膜を形成したときの試料の抵抗温度係数とＳ１
５ Ｎ４ のスパッタ量（投入電力Ｘ時間（分））との
関係を示した特性図である。
Claims (1)
- 抵抗用金属薄膜において、Ｓｉ＿３Ｎ＿４をオーバー
コートすることにより金属薄膜の抵抗温度係数を調整す
ることを特徴とする金属薄膜の抵抗温度係数調整方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62096577A JPS63261804A (ja) | 1987-04-20 | 1987-04-20 | 金属薄膜の抵抗温度係数調整方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62096577A JPS63261804A (ja) | 1987-04-20 | 1987-04-20 | 金属薄膜の抵抗温度係数調整方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63261804A true JPS63261804A (ja) | 1988-10-28 |
Family
ID=14168829
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62096577A Pending JPS63261804A (ja) | 1987-04-20 | 1987-04-20 | 金属薄膜の抵抗温度係数調整方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63261804A (ja) |
-
1987
- 1987-04-20 JP JP62096577A patent/JPS63261804A/ja active Pending
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