JPH044722B2 - - Google Patents
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- JPH044722B2 JPH044722B2 JP61007559A JP755986A JPH044722B2 JP H044722 B2 JPH044722 B2 JP H044722B2 JP 61007559 A JP61007559 A JP 61007559A JP 755986 A JP755986 A JP 755986A JP H044722 B2 JPH044722 B2 JP H044722B2
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Landscapes
- Non-Adjustable Resistors (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、例えば薄膜抵抗器等に用いられる
高抵抗材料に関する。
高抵抗材料に関する。
薄膜抵抗器の抵抗材料として従来からニツケ
ル・クロム膜が用いられているけれども、これの
比抵抗は、セラミツク基板上で約200μΩ・cm程
度が限度である。
ル・クロム膜が用いられているけれども、これの
比抵抗は、セラミツク基板上で約200μΩ・cm程
度が限度である。
しかしながら、電子部品の小型化、高集積化の
要求から、抵抗材料においては、比抵抗がより高
く、耐熱性も大きく、更に抵抗温度係数も小さい
ものが要望されており、この発明はこれに応えん
とするものである。
要求から、抵抗材料においては、比抵抗がより高
く、耐熱性も大きく、更に抵抗温度係数も小さい
ものが要望されており、この発明はこれに応えん
とするものである。
この発明の高抵抗材料は、クロム中のアルミニ
ウム含有量が５〜30重量％の組成域の合金に、ホ
ウ素を５〜30重量％添加して成ることを特徴とす
る。
ウム含有量が５〜30重量％の組成域の合金に、ホ
ウ素を５〜30重量％添加して成ることを特徴とす
る。
この発明の高抵抗材料においては、上記のよう
な組成域において、従来のニツケル・クロム合金
よりも明らかに大きな比抵抗が得られる。しかも
耐熱性が大きく、更に抵抗温度係数も小さい。そ
れゆえ、上記のような高抵抗材料によれば、電子
部品の小型化、高集積化の要求に応えることが可
能となる。
な組成域において、従来のニツケル・クロム合金
よりも明らかに大きな比抵抗が得られる。しかも
耐熱性が大きく、更に抵抗温度係数も小さい。そ
れゆえ、上記のような高抵抗材料によれば、電子
部品の小型化、高集積化の要求に応えることが可
能となる。
電子ビーム加熱式の蒸発源を用いた真空蒸着に
よつて、96％アルミナ基板上に、クロム（Cr）・
アルミニウム（Al）・ホウ素(B)の三元合金膜を、
アルミニウム含有量およびホウ素添加量を変えて
形成した。
よつて、96％アルミナ基板上に、クロム（Cr）・
アルミニウム（Al）・ホウ素(B)の三元合金膜を、
アルミニウム含有量およびホウ素添加量を変えて
形成した。
第１図ないし第３図に、それぞれ、クロム中の
アルミニウム含有量が０〜60重量％の合金へのホ
ウ素添加量に対する比抵抗ρ、熱処理での抵抗値
変化率ΔRおよび熱処理後の抵抗温度係数TCRを
示す。この場合、熱処理は500℃の窒素中で１時
間施した。
アルミニウム含有量が０〜60重量％の合金へのホ
ウ素添加量に対する比抵抗ρ、熱処理での抵抗値
変化率ΔRおよび熱処理後の抵抗温度係数TCRを
示す。この場合、熱処理は500℃の窒素中で１時
間施した。
ここで、抵抗材料として要求される主要特性の
基準を説明すると次のとおりである。
基準を説明すると次のとおりである。
比抵抗ρ：0.5ｍΩ・cm以上
これは、一般に薄膜抵抗材料として用いられて
いるクロム等の比抵抗よりも明らかに大きな値
（2.5倍以上）として決めたものである。
いるクロム等の比抵抗よりも明らかに大きな値
（2.5倍以上）として決めたものである。
安定化熱処理での抵抗値変化率ΔR：±50％
以内 これは耐熱性を示すものであり、この抵抗値変
化率は、その値が常に一定であれば製造技術的な
問題はないが、絶対値が大き過ぎる場合にはその
ばらつきも大きくなることから、一応の基準とし
てこの範囲を定めたものである。
以内 これは耐熱性を示すものであり、この抵抗値変
化率は、その値が常に一定であれば製造技術的な
問題はないが、絶対値が大き過ぎる場合にはその
ばらつきも大きくなることから、一応の基準とし
てこの範囲を定めたものである。
熱処理後の抵抗温度係数TCR：±300ppm/
℃以内 精密抵抗器ではより厳しい値を要求される場合
もあるが、一般に用いられる抵抗器の特性として
妥当な範囲を定めたものである。
℃以内 精密抵抗器ではより厳しい値を要求される場合
もあるが、一般に用いられる抵抗器の特性として
妥当な範囲を定めたものである。
上記基準を念頭において第１図ないし第３図を
見ると、第１図に示すように、比抵抗ρは、アル
ミニウム含有量が５重量％以上の場合、ホウ素添
加量が５重量％以上の領域でホウ素添加量の増加
と共に増大し、従来のニツケル・クロム合金の比
抵抗の2.5倍は言うに及ばず、10倍以上の値を得
ることも可能である。
見ると、第１図に示すように、比抵抗ρは、アル
ミニウム含有量が５重量％以上の場合、ホウ素添
加量が５重量％以上の領域でホウ素添加量の増加
と共に増大し、従来のニツケル・クロム合金の比
抵抗の2.5倍は言うに及ばず、10倍以上の値を得
ることも可能である。
また、第２図に示すように、熱処理での抵抗値
変化率ΔRは、アルミニウム含有量が30重量％以
下でかつホウ素添加量が５〜30重量％の範囲で、
±50％程度以内に入つており、特に、アルミニウ
ム含有量を20重量％程度以下にし、ホウ素添加量
を10〜20重量％程度にすれば、ΔRを０％に近づ
けることも可能である。
変化率ΔRは、アルミニウム含有量が30重量％以
下でかつホウ素添加量が５〜30重量％の範囲で、
±50％程度以内に入つており、特に、アルミニウ
ム含有量を20重量％程度以下にし、ホウ素添加量
を10〜20重量％程度にすれば、ΔRを０％に近づ
けることも可能である。
更に、第３図に示すように、熱処理後の抵抗温
度係数TCRは、アルミニウム含有量が30重量％
以下でかつホウ素添加量が５〜30重量％の範囲
で、±300ppm/℃程度内の実用的な値を持つてい
る。アルミニウム含有量が60重量％の場合は、図
示のホウ素添加量域でTCRが＋500ppm/℃を越
えるため、第３図中にカーブは記入していない。
度係数TCRは、アルミニウム含有量が30重量％
以下でかつホウ素添加量が５〜30重量％の範囲
で、±300ppm/℃程度内の実用的な値を持つてい
る。アルミニウム含有量が60重量％の場合は、図
示のホウ素添加量域でTCRが＋500ppm/℃を越
えるため、第３図中にカーブは記入していない。
なお、アルミニウムを含有しないクロムにホウ
素を添加した場合でも、本発明のホウ素添加量域
では耐熱性が大きく、抵抗温度係数が小さく、か
つニツケル・クロム膜より2.5倍以上の比抵抗が
得られる。しかし、アルミニウムを含有する場合
に比べると、第１図に示したようにホウ素の添加
量を10重量％程度より大きくしても比抵抗は殆ど
増大しないため得られる比抵抗に限界があり、従
つて本発明による三元合金の優位性は明らかであ
る。
素を添加した場合でも、本発明のホウ素添加量域
では耐熱性が大きく、抵抗温度係数が小さく、か
つニツケル・クロム膜より2.5倍以上の比抵抗が
得られる。しかし、アルミニウムを含有する場合
に比べると、第１図に示したようにホウ素の添加
量を10重量％程度より大きくしても比抵抗は殆ど
増大しないため得られる比抵抗に限界があり、従
つて本発明による三元合金の優位性は明らかであ
る。
上記のような高抵抗材料（三元合金材料）の用
途は種々考えれる。例えば、当該高抵抗材料を薄
膜として基板等の上に形成することによつて、薄
膜抵抗器、薄膜発熱素子等の薄膜素子として用い
ることができる。
途は種々考えれる。例えば、当該高抵抗材料を薄
膜として基板等の上に形成することによつて、薄
膜抵抗器、薄膜発熱素子等の薄膜素子として用い
ることができる。
以上のようにこの発明によれば、比抵抗が高
く、耐熱性も大きく、更に抵抗温度係数も小さい
高抵抗材料が得られる。それゆえ、電子部品の小
型化、高集積化の要求に応えることが可能とな
る。
く、耐熱性も大きく、更に抵抗温度係数も小さい
高抵抗材料が得られる。それゆえ、電子部品の小
型化、高集積化の要求に応えることが可能とな
る。
第１図は、クロム中のアルミニウム含有量が０
〜60重量％の合金へのホウ素の添加量に対する比
抵抗ρを示す図である。第２図は、クロム中のア
ルミニウム含有量が０〜60重量％の合金へのホウ
素の添加量に対する、熱処理での抵抗値変化率
ΔRを示す図である。第３図は、クロム中のアル
ミニウム含有量が０〜60重量％の合金へのホウ素
の添加量に対する、熱処理後の抵抗温度係数
TCRを示す図である。
〜60重量％の合金へのホウ素の添加量に対する比
抵抗ρを示す図である。第２図は、クロム中のア
ルミニウム含有量が０〜60重量％の合金へのホウ
素の添加量に対する、熱処理での抵抗値変化率
ΔRを示す図である。第３図は、クロム中のアル
ミニウム含有量が０〜60重量％の合金へのホウ素
の添加量に対する、熱処理後の抵抗温度係数
TCRを示す図である。
Claims (1)
- １ クロム中のアルミニウム含有量が５〜30重量
％の組成域の合金に、ホウ素を５〜30重量％添加
して成ることを特徴とする高抵抗材料。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61007559A JPS62165302A (ja) | 1986-01-16 | 1986-01-16 | 高抵抗材料 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61007559A JPS62165302A (ja) | 1986-01-16 | 1986-01-16 | 高抵抗材料 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62165302A JPS62165302A (ja) | 1987-07-21 |
| JPH044722B2 true JPH044722B2 (ja) | 1992-01-29 |
Family
ID=11669162
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61007559A Granted JPS62165302A (ja) | 1986-01-16 | 1986-01-16 | 高抵抗材料 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62165302A (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0287501A (ja) * | 1988-09-24 | 1990-03-28 | Susumu Kogyo Kk | 電気抵抗材料 |
| JP2782288B2 (ja) * | 1991-06-19 | 1998-07-30 | 進工業株式会社 | 電気抵抗材料 |
-
1986
- 1986-01-16 JP JP61007559A patent/JPS62165302A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS62165302A (ja) | 1987-07-21 |
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Legal Events
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