JPS631920A - 磁気抵抗効果素子の取付装置 - Google Patents
磁気抵抗効果素子の取付装置Info
- Publication number
- JPS631920A JPS631920A JP61145253A JP14525386A JPS631920A JP S631920 A JPS631920 A JP S631920A JP 61145253 A JP61145253 A JP 61145253A JP 14525386 A JP14525386 A JP 14525386A JP S631920 A JPS631920 A JP S631920A
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- JP
- Japan
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- holder
- flat
- mounting
- magnetic field
- magneto
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- Transmission And Conversion Of Sensor Element Output (AREA)
- Measuring Magnetic Variables (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、強磁性体磁気抵抗効果素子（以下ＭＦ＜素子
と称する）を用いて設計される高分解能センサーにおけ
るＭＲ素子取付装置に関するものである。
と称する）を用いて設計される高分解能センサーにおけ
るＭＲ素子取付装置に関するものである。
従来の技術
近年、ＭＲ素了を用いた高分解能センサーは、磁気式エ
ンコーダを主として、（ボータの回転制御、位置決め制
御に多（使われてきている。
ンコーダを主として、（ボータの回転制御、位置決め制
御に多（使われてきている。
以下図面を参照しなから、」−述し、た従来のＭ Ｒ素
子を用いた高分解能セン田−（以−トセン゛リ−−と称
する）（７）ＭＲ素子取り付け４１４造の一例について
説明する。
子を用いた高分解能セン田−（以−トセン゛リ−−と称
する）（７）ＭＲ素子取り付け４１４造の一例について
説明する。
第４図、第５図は従来のセンリーのＭ Ｒ素子数イゴ装
置を示すものである。
置を示すものである。
第４図、第５図において、］はＭ Ｒ素子、２は；１、
ルダー、３ａ、３ｂはネジ止め用長穴、４ａ、４４＋は
ボルダ−固定ネジ、５はポア１り〜取りイ］けアングル
、６ａ、６ｂはボルタ−固定用ネジ穴で、７は円筒回転
型磁界発生部で、Ｍ Ｒ本−１’ １と一定空隙ｇを介
して対向している。
ルダー、３ａ、３ｂはネジ止め用長穴、４ａ、４４＋は
ボルダ−固定ネジ、５はポア１り〜取りイ］けアングル
、６ａ、６ｂはボルタ−固定用ネジ穴で、７は円筒回転
型磁界発生部で、Ｍ Ｒ本−１’ １と一定空隙ｇを介
して対向している。
以上の構成において、ＭＲ素了（は接着剤等て長穴３ａ
、３ｂを持つボルダ−１２に装着されており、長穴３ａ
、３ｂを通して、ポルター取りイζｔ ＋ｊチアンル５
のネジ穴６ａ、６ｂに固定ネジ４ａ。
、３ｂを持つボルダ−１２に装着されており、長穴３ａ
、３ｂを通して、ポルター取りイζｔ ＋ｊチアンル５
のネジ穴６ａ、６ｂに固定ネジ４ａ。
４ｂを螺合させてボルダ−２を固定Ａろことにより、Ｍ
Ｒ素子１は磁Ｗ発生部７占−・定空隙ｇを持って対向配
置される。
Ｒ素子１は磁Ｗ発生部７占−・定空隙ｇを持って対向配
置される。
、−の際、長穴３ａ、３ｂに沿って、ＭＲ素子１の取り
付けられたボルダ−２を第５図に示すへ方向に移動させ
ることによって、−定空隙ｇの大きさを変化させること
ができる。
付けられたボルダ−２を第５図に示すへ方向に移動させ
ることによって、−定空隙ｇの大きさを変化させること
ができる。
以上のように取り付けられたＭＲ素子１についてその動
作を説明する。
作を説明する。
第６図、第７図は、ＭＲ素子１によって発生する電圧出
力を表す。
力を表す。
Ｍ Ｒ素子１に対向して装備される磁界発生部７は、固
定出力となるため、磁電変換によって得られる出力は、
ＭＲ素子１の特性と空隙ｇによって決定、＼れろ。従来
例ではこの空隙は、長穴３ａ、３ｂによってへ方向の調
整がされ、得られる出力はｇが大きい場合、第６図（ａ
）のＶ ｐ −ｐとなり、ｇが小さくなると第６図（ｂ
）のＶ’ｐ−ｐと大きくなる。
定出力となるため、磁電変換によって得られる出力は、
ＭＲ素子１の特性と空隙ｇによって決定、＼れろ。従来
例ではこの空隙は、長穴３ａ、３ｂによってへ方向の調
整がされ、得られる出力はｇが大きい場合、第６図（ａ
）のＶ ｐ −ｐとなり、ｇが小さくなると第６図（ｂ
）のＶ’ｐ−ｐと大きくなる。
一般的には、次式て表すことができる。
Ｖｐ−ｐ ＝−Ｖ’ ｐ−ｐ
発明が解決しようとする問題点
しかし、上記のような構成では、出力値Ｖ ｐ −ｐを
調整するだけであれば、ホルダーとして十分であるが、
長穴３ａ、３ｂと、ネジ４ａ、４ｂの間には、必ず微少
隙間が生じ、また、イ、シを固定する際にも、その締め
付けのアンバランス等により、第５図破線に示す如くθ
の傾きを生ずる場合がある。
調整するだけであれば、ホルダーとして十分であるが、
長穴３ａ、３ｂと、ネジ４ａ、４ｂの間には、必ず微少
隙間が生じ、また、イ、シを固定する際にも、その締め
付けのアンバランス等により、第５図破線に示す如くθ
の傾きを生ずる場合がある。
ＭＲ素子１がθ傾きを持った場合、その出力は、第７図
（ａ）に示す波形となり、片側に傾きをもった歪波形と
なる。磁界発生部７より発生する磁界が、均等であると
仮定した場合、ホルダー２の傾きはＭＲ素子１に不均等
な磁県を与える事になる。
（ａ）に示す波形となり、片側に傾きをもった歪波形と
なる。磁界発生部７より発生する磁界が、均等であると
仮定した場合、ホルダー２の傾きはＭＲ素子１に不均等
な磁県を与える事になる。
本発明は上記問題点に鑑み、空隙ｇによる出力調整がで
きるばかりでなく、傾きθによる波形の歪も補正できる
ＭＲ素子の取付装置を提供するものである。
きるばかりでなく、傾きθによる波形の歪も補正できる
ＭＲ素子の取付装置を提供するものである。
問題点を解決するための手段
上記問題点を解決するために本発明あＭＲ素子取付装置
は、ＭＲ素子を装着した垂直ホルダーと、・車・直ホル
ダーを円弧上に回動可能に保持する平面ホルダーからな
っており、平面ホルダーに形成された円弧部を有する切
り欠き段部に、垂直ホルダーに形成した円弧部を有する
嵌合部を嵌合させることにより、空隙と傾きの両方を調
整できるという構成を備えたものである。
は、ＭＲ素子を装着した垂直ホルダーと、・車・直ホル
ダーを円弧上に回動可能に保持する平面ホルダーからな
っており、平面ホルダーに形成された円弧部を有する切
り欠き段部に、垂直ホルダーに形成した円弧部を有する
嵌合部を嵌合させることにより、空隙と傾きの両方を調
整できるという構成を備えたものである。
作用
本発明は、上記した構成によって、ＭＲ素子に対して均
等な磁界を与えることができるようになるため、Ｍ Ｒ
ｆｌ子から発生する出力をより正弦波に近づけることが
可能となり、第７図（ａ）から第７図（ｂ）への波形品
位補正を可能とする。
等な磁界を与えることができるようになるため、Ｍ Ｒ
ｆｌ子から発生する出力をより正弦波に近づけることが
可能となり、第７図（ａ）から第７図（ｂ）への波形品
位補正を可能とする。
実施例
以下、本発明の一実施例のＭＲ素子取り付は構造につい
て図面を参照しながら説明する。
て図面を参照しながら説明する。
第１図から第３図に於いて、８は平面ホルダーで、その
両側にネジ止め用長穴９ａ、９ｂを有し、か ５ 一 つ中央部に、部分円弧１３ａが形成された切り欠き段部
１３を有している。１０は垂直ボルダ−で、ＭＲ素子１
はＭＲ素子ガイド１１に沿って装着されている。この垂
直ホルダー１０は、頭部に前記平面ホルダー８の切り欠
き段部１３に嵌合し、がつ矢印Ｂに動作できる寸法の外
周部分円弧１４ａを有する嵌合部１４七、矢印Ｂ方向の
動作をさせやす（するためのドライバー溝１２を有して
いる。
両側にネジ止め用長穴９ａ、９ｂを有し、か ５ 一 つ中央部に、部分円弧１３ａが形成された切り欠き段部
１３を有している。１０は垂直ボルダ−で、ＭＲ素子１
はＭＲ素子ガイド１１に沿って装着されている。この垂
直ホルダー１０は、頭部に前記平面ホルダー８の切り欠
き段部１３に嵌合し、がつ矢印Ｂに動作できる寸法の外
周部分円弧１４ａを有する嵌合部１４七、矢印Ｂ方向の
動作をさせやす（するためのドライバー溝１２を有して
いる。
以上のように構成されたＭＲ素子取り付は構造について
その動作を説明する。
その動作を説明する。
第１図は、本発明の取付装置全体を示すものであり、平
面ホルダー８は長穴９ａ、９ｂを通してアングル５に構
成されたネジ部６ａ、６ｂにネジ４ａ、４ｂを用いて取
り付ける。第２図に於いて、平面ホルダー８は、磁界発
生部７との空隙ｇ′を長穴９ａ、９ｂでＡ方向に調整し
ながらネジ４ａ。
面ホルダー８は長穴９ａ、９ｂを通してアングル５に構
成されたネジ部６ａ、６ｂにネジ４ａ、４ｂを用いて取
り付ける。第２図に於いて、平面ホルダー８は、磁界発
生部７との空隙ｇ′を長穴９ａ、９ｂでＡ方向に調整し
ながらネジ４ａ。
４ｂで固定される。
この固定状態では、従来例第５図に示すような、ＭＲ素
子の傾きθが生じている。傾きθの調整は、平面ホルダ
ー８の切り欠き段部１３の円弧部１３ａ−〇 − とｒＩ（直ホルダー１０の嵌合部１４の円弧部１４ａの
一４’−＼りによって、Ｂ方向・＼角度調整することに
よ？〕なされる。角度調整作業を簡単かつ正確に行・う
ために、ｉｌｕ ｉｉ’ｆｆホルダー１０の嵌合部上面
にトライｌく一溝１２をＪツけている。
子の傾きθが生じている。傾きθの調整は、平面ホルダ
ー８の切り欠き段部１３の円弧部１３ａ−〇 − とｒＩ（直ホルダー１０の嵌合部１４の円弧部１４ａの
一４’−＼りによって、Ｂ方向・＼角度調整することに
よ？〕なされる。角度調整作業を簡単かつ正確に行・う
ために、ｉｌｕ ｉｉ’ｆｆホルダー１０の嵌合部上面
にトライｌく一溝１２をＪツけている。
第３図は、平面ボルダ−８に対し、垂直ホルダー１０が
嵌合した時の構造であり、垂直ホルダー］Ｏは平面ボル
ダ−８の切り欠き段部１３に受けられている。
嵌合した時の構造であり、垂直ホルダー］Ｏは平面ボル
ダ−８の切り欠き段部１３に受けられている。
本例では、垂直ホルダー１０の角度調整後、平面ホルダ
ー８に垂直ホルダー１０を接着固定する。
ー８に垂直ホルダー１０を接着固定する。
以」二のように本実施例によれば、Ａ方向に移動できる
平面ホルダー８で磁界発生部７との空隙調整をすること
ができ、平面ホルダー８に嵌合された垂直ホルタ−１０
によって、微少な角度調整を施すことかできるため、Ｍ
Ｒ素子〕を正弦波出力を発生させるための最適位置に置
くことが簡単にてきる。
平面ホルダー８で磁界発生部７との空隙調整をすること
ができ、平面ホルダー８に嵌合された垂直ホルタ−１０
によって、微少な角度調整を施すことかできるため、Ｍ
Ｒ素子〕を正弦波出力を発生させるための最適位置に置
くことが簡単にてきる。
発明の効果
９十の説明から明らかなように本発明は、ＭＲ素子の角
度調整を可能とした、平面ホルタ−１垂直ホルダーを設
けることにより、ｌバラツキの無い高品位の正弦波波形
をＭＲ素素工らｆｉＩろことかてきるようになるため、
特にアリ−し１グ信弓を使用した制御系に対し、制御１
１゜、精度にずくれた、磁気センサーを提供することが
できる。
度調整を可能とした、平面ホルタ−１垂直ホルダーを設
けることにより、ｌバラツキの無い高品位の正弦波波形
をＭＲ素素工らｆｉＩろことかてきるようになるため、
特にアリ−し１グ信弓を使用した制御系に対し、制御１
１゜、精度にずくれた、磁気センサーを提供することが
できる。
第１図は本発明のＭＲ素子取付装置の分解斜視図、第２
図は第１図に示す取付構造の上面図、第３図は正面図、
第４−図、第５図はＵＹ： ’ＪＥのＭＲ素子取り付は
構造を示す分解斜視図及び上面図、第６図、第７図はＭ
Ｒ素工の位置調整による出力波形の変化を示す説明図
である。 ■・・・・・・ＭＲ素子、７・・・・・・磁界発生部、
８・・・・・・平面ホルダー、】０・・・・・・垂直ホ
ルタ−１１２・・・・・・ドライバー溝、１３・・・・
・・切り欠き段部、１４・・・・・・嵌合部。 代理人の氏名 弁理士 中尾敏男 ばか１名第１図 １−−−−ＭＲ素チ 第２図 第４図 ４°Ｖ ａ４ａ ａ 第５図 第６図 （ａ） （ｂ） 第７図
図は第１図に示す取付構造の上面図、第３図は正面図、
第４−図、第５図はＵＹ： ’ＪＥのＭＲ素子取り付は
構造を示す分解斜視図及び上面図、第６図、第７図はＭ
Ｒ素工の位置調整による出力波形の変化を示す説明図
である。 ■・・・・・・ＭＲ素子、７・・・・・・磁界発生部、
８・・・・・・平面ホルダー、】０・・・・・・垂直ホ
ルタ−１１２・・・・・・ドライバー溝、１３・・・・
・・切り欠き段部、１４・・・・・・嵌合部。 代理人の氏名 弁理士 中尾敏男 ばか１名第１図 １−−−−ＭＲ素チ 第２図 第４図 ４°Ｖ ａ４ａ ａ 第５図 第６図 （ａ） （ｂ） 第７図
Claims (1)
- 回転型磁界発生部と一定空隙で対向し、磁電変換によっ
て出力発生する強磁性体磁気抵抗効果素子を、部分円弧
部を有する嵌合部と角度調整用ドライバー溝を持つ垂直
ホルダーに装着し、この垂直ホルダーの嵌合部を、前記
嵌合部の円弧部に外接する円弧部を有する平面ホルダー
の切り欠き段部に嵌合固定してなる磁気抵抗効果素子の
取付装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61145253A JP2600138B2 (ja) | 1986-06-20 | 1986-06-20 | 磁気抵抗効果素子の取付装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61145253A JP2600138B2 (ja) | 1986-06-20 | 1986-06-20 | 磁気抵抗効果素子の取付装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS631920A true JPS631920A (ja) | 1988-01-06 |
| JP2600138B2 JP2600138B2 (ja) | 1997-04-16 |
Family
ID=15380856
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61145253A Expired - Fee Related JP2600138B2 (ja) | 1986-06-20 | 1986-06-20 | 磁気抵抗効果素子の取付装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2600138B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0469766U (ja) * | 1990-10-25 | 1992-06-19 | ||
| US5278497A (en) * | 1991-06-18 | 1994-01-11 | Mitsubishi Denki K.K. | Magnetic sensor having a magnet-sensitive plane of an MR element arranged perpendicular to both a substrate plane and a magnet |
| JP2023119454A (ja) * | 2022-02-16 | 2023-08-28 | 下西技研工業株式会社 | ソレノイド |
-
1986
- 1986-06-20 JP JP61145253A patent/JP2600138B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0469766U (ja) * | 1990-10-25 | 1992-06-19 | ||
| US5278497A (en) * | 1991-06-18 | 1994-01-11 | Mitsubishi Denki K.K. | Magnetic sensor having a magnet-sensitive plane of an MR element arranged perpendicular to both a substrate plane and a magnet |
| JP2023119454A (ja) * | 2022-02-16 | 2023-08-28 | 下西技研工業株式会社 | ソレノイド |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2600138B2 (ja) | 1997-04-16 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |