JPS63183700A - Eepromアクセス方法 - Google Patents
Eepromアクセス方法Info
- Publication number
- JPS63183700A JPS63183700A JP62015703A JP1570387A JPS63183700A JP S63183700 A JPS63183700 A JP S63183700A JP 62015703 A JP62015703 A JP 62015703A JP 1570387 A JP1570387 A JP 1570387A JP S63183700 A JPS63183700 A JP S63183700A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- counter
- data
- write
- eeprom
- service life
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 11
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Read Only Memory (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、情報処理装置、情報伝送装置等におけるK
FiPROMアクセス方法に関するものである。
FiPROMアクセス方法に関するものである。
第8図は、従来の1lfl!!FROMアクセス方法を
示す図であり、KKFROMすべてがデータエリア(2
1で、データl、データ2−−−−データmと各アドレ
スにそれぞれ内容の異るデータが書き込まれる。
示す図であり、KKFROMすべてがデータエリア(2
1で、データl、データ2−−−−データmと各アドレ
スにそれぞれ内容の異るデータが書き込まれる。
次に動作について説明する〇
データの書き込み要求があれば、該当するアドレスに何
度でも、データを書き込んでいく。
度でも、データを書き込んでいく。
従来のIKFROMアクセス方法は、以上のように構成
されているので、書き込み要求があれば同一アドレスに
何度でも暦き込む。
されているので、書き込み要求があれば同一アドレスに
何度でも暦き込む。
EKPROIi!は例えば日立ICメモリデータブック
(861年8月発行)P545によると、同一アドレス
に書き込むことのできる回数が比較的短かく、消去/書
込み回数1万回となっている。このように−りのアドレ
スでこの回数をこえると、KIPROM全体の身命とな
ってし筐う問題点があり、また、m1ll:FROMの
身命を管理することば困難であった。
(861年8月発行)P545によると、同一アドレス
に書き込むことのできる回数が比較的短かく、消去/書
込み回数1万回となっている。このように−りのアドレ
スでこの回数をこえると、KIPROM全体の身命とな
ってし筐う問題点があり、また、m1ll:FROMの
身命を管理することば困難であった。
この発明は、上記のような問題点を解消するためになさ
れたもので、EEPROMの身命をのばすことのできる
FXEI!iFROMアクセス方法である。
れたもので、EEPROMの身命をのばすことのできる
FXEI!iFROMアクセス方法である。
この発明に係るE]l!iPROMアクセス方法はデー
タを潜き込むアドレスと、そのアドレスへの書き込み回
数と全管理する各データエリアに対応したカウンタを備
えたものである。
タを潜き込むアドレスと、そのアドレスへの書き込み回
数と全管理する各データエリアに対応したカウンタを備
えたものである。
この発明によるIICKFROM方法はKEFROM内
部のカウンタにより管理され、一つのカウンタで書き込
み回数が規定値をこえると、他の規定(+m kこえな
いカウンタで暦き込みを行いすべてのカウンタが規定値
に達すると寿命予告信号を発生する。
部のカウンタにより管理され、一つのカウンタで書き込
み回数が規定値をこえると、他の規定(+m kこえな
いカウンタで暦き込みを行いすべてのカウンタが規定値
に達すると寿命予告信号を発生する。
以下、この発明の一実施fIjについて説明する。
第1図においてIl+汀、データをどのエリアへ脅寺込
むべきか、父、そのエリアに何度貞き込んだか全管理す
るためのカウンタである。(2)ハ実際にデータを書き
込むべきデータエリアである。
むべきか、父、そのエリアに何度貞き込んだか全管理す
るためのカウンタである。(2)ハ実際にデータを書き
込むべきデータエリアである。
データエリアlからデータエリアnまでの内部に格納さ
れるデータは、従来の方式でのデータ1からデータmに
対応するものである。
れるデータは、従来の方式でのデータ1からデータmに
対応するものである。
第2図はこの動作の70−チャートである。
次に動作について説明する。
イニシャアル処理として、第1図111のカウンタlか
らカウンタnまでに0をセットする。
らカウンタnまでに0をセットする。
書争込み要求があれば、データエリアlにデータを書き
込み、カウンタ1の内容を+1する。
込み、カウンタ1の内容を+1する。
この動作により、データヵクンタlが規定回数までカウ
ントアップされた場合法の層き込み要求からは、カウン
タ2’&f用し、データエリア2にデータを書き込みカ
ウンタ2の内容ケ+1する。この動作をj狛犬続けて、
カウンタnが規定回数カウントされた時、このTDZP
RO)Aは寿命とみなして、外部へ出力し身命があるこ
とを知らせる。
ントアップされた場合法の層き込み要求からは、カウン
タ2’&f用し、データエリア2にデータを書き込みカ
ウンタ2の内容ケ+1する。この動作をj狛犬続けて、
カウンタnが規定回数カウントされた時、このTDZP
RO)Aは寿命とみなして、外部へ出力し身命があるこ
とを知らせる。
また、カフ/り1−nの内任意のカウンタを+1し、こ
のカウンタのアドレスに対応したデータエリアに書き込
みこのカウンタが規定回数に達したら、このカウンタ以
外のカウンタを使用ししすべてのカウンタが規定回数に
達したら寿命とみなして寿命予告の信号を発生するよう
にしてもよい、 〔発明の効果〕 以上のように、この発明によれば、データの沓き込み回
数ケカウンタにより管理し、潜き込むべきデータエリア
ケ次々と変えることによりFillCFROMの容量が
、従来の方式のn倍あれば身命をn倍のばすことができ
、管た、身命の外部出力が==I能となる。
のカウンタのアドレスに対応したデータエリアに書き込
みこのカウンタが規定回数に達したら、このカウンタ以
外のカウンタを使用ししすべてのカウンタが規定回数に
達したら寿命とみなして寿命予告の信号を発生するよう
にしてもよい、 〔発明の効果〕 以上のように、この発明によれば、データの沓き込み回
数ケカウンタにより管理し、潜き込むべきデータエリア
ケ次々と変えることによりFillCFROMの容量が
、従来の方式のn倍あれば身命をn倍のばすことができ
、管た、身命の外部出力が==I能となる。
:91図は、この発明の一実施ダjVCよるF!PPR
OMの内部データ構造、第2図はこの発明の一実施例・
/)フローチャート、第8図は従来のEKPROMアク
セス方法における、1iKPROMの内部データ構造で
ある。 6図において、+IItri特定データエリアへのデー
タの書き込み回数?示すカウンタ、f’21flデータ
が書き込まれるエリアである。 なお、図中、同一符号は、同一、又は副当部分子示す。
OMの内部データ構造、第2図はこの発明の一実施例・
/)フローチャート、第8図は従来のEKPROMアク
セス方法における、1iKPROMの内部データ構造で
ある。 6図において、+IItri特定データエリアへのデー
タの書き込み回数?示すカウンタ、f’21flデータ
が書き込まれるエリアである。 なお、図中、同一符号は、同一、又は副当部分子示す。
Claims (1)
- EEPROMをアクセスする場合において、データを
書き込むアドレスと、そのアドレスへの書き込み回数と
を管理する各データエリアに対応したカウンタを備え、
このカウンタで各アドレスの書き込み回数をカウントし
、このカウント値が所定値に達すると、規定値に達した
カウンタは書き込みを停止し、上記の全てのカウンタが
上記規定値に達すると、寿命予告信号を発生するように
したことを特徴とするEEPROMアクセス方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP62015703A JPS63183700A (ja) | 1987-01-26 | 1987-01-26 | Eepromアクセス方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP62015703A JPS63183700A (ja) | 1987-01-26 | 1987-01-26 | Eepromアクセス方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS63183700A true JPS63183700A (ja) | 1988-07-29 |
Family
ID=11896129
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP62015703A Pending JPS63183700A (ja) | 1987-01-26 | 1987-01-26 | Eepromアクセス方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS63183700A (ja) |
Cited By (36)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5268870A (en) * | 1988-06-08 | 1993-12-07 | Eliyahou Harari | Flash EEPROM system and intelligent programming and erasing methods therefor |
US5500742A (en) * | 1992-06-12 | 1996-03-19 | Ricoh Company, Ltd. | Control unit of flash memory and facsimile machine using such control unit |
US5544356A (en) * | 1990-12-31 | 1996-08-06 | Intel Corporation | Block-erasable non-volatile semiconductor memory which tracks and stores the total number of write/erase cycles for each block |
US5544119A (en) * | 1992-10-30 | 1996-08-06 | Intel Corporation | Method for assuring that an erase process for a memory array has been properly completed |
US5602987A (en) * | 1989-04-13 | 1997-02-11 | Sandisk Corporation | Flash EEprom system |
US5630093A (en) * | 1990-12-31 | 1997-05-13 | Intel Corporation | Disk emulation for a non-volatile semiconductor memory utilizing a mapping table |
US5765175A (en) * | 1994-08-26 | 1998-06-09 | Intel Corporation | System and method for removing deleted entries in file systems based on write-once or erase-slowly media |
US5838614A (en) * | 1995-07-31 | 1998-11-17 | Lexar Microsystems, Inc. | Identification and verification of a sector within a block of mass storage flash memory |
US5907856A (en) * | 1995-07-31 | 1999-05-25 | Lexar Media, Inc. | Moving sectors within a block of information in a flash memory mass storage architecture |
US5928370A (en) * | 1997-02-05 | 1999-07-27 | Lexar Media, Inc. | Method and apparatus for verifying erasure of memory blocks within a non-volatile memory structure |
US5930815A (en) * | 1995-07-31 | 1999-07-27 | Lexar Media, Inc. | Moving sequential sectors within a block of information in a flash memory mass storage architecture |
US5963480A (en) * | 1988-06-08 | 1999-10-05 | Harari; Eliyahou | Highly compact EPROM and flash EEPROM devices |
US6034897A (en) * | 1999-04-01 | 2000-03-07 | Lexar Media, Inc. | Space management for managing high capacity nonvolatile memory |
US6076137A (en) * | 1997-12-11 | 2000-06-13 | Lexar Media, Inc. | Method and apparatus for storing location identification information within non-volatile memory devices |
US6081447A (en) * | 1991-09-13 | 2000-06-27 | Western Digital Corporation | Wear leveling techniques for flash EEPROM systems |
US6115785A (en) * | 1995-07-31 | 2000-09-05 | Lexar Media, Inc. | Direct logical block addressing flash memory mass storage architecture |
US6122195A (en) * | 1997-03-31 | 2000-09-19 | Lexar Media, Inc. | Method and apparatus for decreasing block write operation times performed on nonvolatile memory |
US6125435A (en) * | 1995-09-13 | 2000-09-26 | Lexar Media, Inc. | Alignment of cluster address to block addresses within a semiconductor non-volatile mass storage memory |
US6141249A (en) * | 1999-04-01 | 2000-10-31 | Lexar Media, Inc. | Organization of blocks within a nonvolatile memory unit to effectively decrease sector write operation time |
US6172906B1 (en) | 1995-07-31 | 2001-01-09 | Lexar Media, Inc. | Increasing the memory performance of flash memory devices by writing sectors simultaneously to multiple flash memory devices |
US6262918B1 (en) | 1999-04-01 | 2001-07-17 | Lexar Media, Inc. | Space management for managing high capacity nonvolatile memory |
US6374337B1 (en) | 1998-11-17 | 2002-04-16 | Lexar Media, Inc. | Data pipelining method and apparatus for memory control circuit |
US6411546B1 (en) | 1997-03-31 | 2002-06-25 | Lexar Media, Inc. | Nonvolatile memory using flexible erasing methods and method and system for using same |
US6462992B2 (en) | 1989-04-13 | 2002-10-08 | Sandisk Corporation | Flash EEprom system |
US6567307B1 (en) | 2000-07-21 | 2003-05-20 | Lexar Media, Inc. | Block management for mass storage |
US6681240B1 (en) * | 1999-05-19 | 2004-01-20 | International Business Machines Corporation | Apparatus and method for specifying maximum interactive performance in a logical partition of a computer system independently from the maximum interactive performance in other partitions |
US6728851B1 (en) | 1995-07-31 | 2004-04-27 | Lexar Media, Inc. | Increasing the memory performance of flash memory devices by writing sectors simultaneously to multiple flash memory devices |
US6757800B1 (en) | 1995-07-31 | 2004-06-29 | Lexar Media, Inc. | Increasing the memory performance of flash memory devices by writing sectors simultaneously to multiple flash memory devices |
US6801979B1 (en) | 1995-07-31 | 2004-10-05 | Lexar Media, Inc. | Method and apparatus for memory control circuit |
US6813678B1 (en) | 1998-01-22 | 2004-11-02 | Lexar Media, Inc. | Flash memory system |
US6898662B2 (en) | 2001-09-28 | 2005-05-24 | Lexar Media, Inc. | Memory system sectors |
JP2006167437A (ja) * | 2004-11-19 | 2006-06-29 | Pentax Corp | 電子内視鏡及び内視鏡装置 |
US7120729B2 (en) | 2002-10-28 | 2006-10-10 | Sandisk Corporation | Automated wear leveling in non-volatile storage systems |
US8694722B2 (en) | 2001-09-28 | 2014-04-08 | Micron Technology, Inc. | Memory systems |
US9032134B2 (en) | 2001-09-28 | 2015-05-12 | Micron Technology, Inc. | Methods of operating a memory system that include outputting a data pattern from a sector allocation table to a host if a logical sector is indicated as being erased |
US9576154B2 (en) | 2004-04-30 | 2017-02-21 | Micron Technology, Inc. | Methods of operating storage systems including using a key to determine whether a password can be changed |
-
1987
- 1987-01-26 JP JP62015703A patent/JPS63183700A/ja active Pending
Cited By (64)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5268870A (en) * | 1988-06-08 | 1993-12-07 | Eliyahou Harari | Flash EEPROM system and intelligent programming and erasing methods therefor |
US5712819A (en) * | 1988-06-08 | 1998-01-27 | Harari; Eliyahou | Flash EEPROM system with storage of sector characteristic information within the sector |
US5862081A (en) * | 1988-06-08 | 1999-01-19 | Harari; Eliyahou | Multi-state flash EEPROM system with defect management including an error correction scheme |
US5642312A (en) * | 1988-06-08 | 1997-06-24 | Harari; Eliyahou | Flash EEPROM system cell array with more than two storage states per memory cell |
US5835415A (en) * | 1988-06-08 | 1998-11-10 | Harari; Eliyahou | Flash EEPROM memory systems and methods of using them |
US5544118A (en) * | 1988-06-08 | 1996-08-06 | Harari; Eliyahou | Flash EEPROM system cell array with defect management including an error correction scheme |
US5568439A (en) * | 1988-06-08 | 1996-10-22 | Harari; Eliyahou | Flash EEPROM system which maintains individual memory block cycle counts |
US5583812A (en) * | 1988-06-08 | 1996-12-10 | Harari; Eliyahou | Flash EEPROM system cell array with more than two storage states per memory cell |
US5434825A (en) * | 1988-06-08 | 1995-07-18 | Harari; Eliyahou | Flash EEPROM system cell array with more than two storage states per memory cell |
US5909390A (en) * | 1988-06-08 | 1999-06-01 | Harari; Eliyahou | Techniques of programming and erasing an array of multi-state flash EEPROM cells including comparing the states of the cells to desired values |
US5963480A (en) * | 1988-06-08 | 1999-10-05 | Harari; Eliyahou | Highly compact EPROM and flash EEPROM devices |
US5602987A (en) * | 1989-04-13 | 1997-02-11 | Sandisk Corporation | Flash EEprom system |
US7460399B1 (en) | 1989-04-13 | 2008-12-02 | Sandisk Corporation | Flash EEprom system |
US5719808A (en) * | 1989-04-13 | 1998-02-17 | Sandisk Corporation | Flash EEPROM system |
US5999446A (en) * | 1989-04-13 | 1999-12-07 | Sandisk Corporation | Multi-state flash EEprom system with selective multi-sector erase |
US5936971A (en) * | 1989-04-13 | 1999-08-10 | Sandisk Corporation | Multi-state flash EEprom system with cache memory |
US6462992B2 (en) | 1989-04-13 | 2002-10-08 | Sandisk Corporation | Flash EEprom system |
US6373747B1 (en) | 1989-04-13 | 2002-04-16 | Sandisk Corporation | Flash EEprom system |
US5592669A (en) * | 1990-12-31 | 1997-01-07 | Intel Corporation | File structure for a non-volatile block-erasable semiconductor flash memory |
US5630093A (en) * | 1990-12-31 | 1997-05-13 | Intel Corporation | Disk emulation for a non-volatile semiconductor memory utilizing a mapping table |
US5544356A (en) * | 1990-12-31 | 1996-08-06 | Intel Corporation | Block-erasable non-volatile semiconductor memory which tracks and stores the total number of write/erase cycles for each block |
US7353325B2 (en) | 1991-09-13 | 2008-04-01 | Sandisk Corporation | Wear leveling techniques for flash EEPROM systems |
US6850443B2 (en) | 1991-09-13 | 2005-02-01 | Sandisk Corporation | Wear leveling techniques for flash EEPROM systems |
US6230233B1 (en) | 1991-09-13 | 2001-05-08 | Sandisk Corporation | Wear leveling techniques for flash EEPROM systems |
US6594183B1 (en) | 1991-09-13 | 2003-07-15 | Sandisk Corporation | Wear leveling techniques for flash EEPROM systems |
US6081447A (en) * | 1991-09-13 | 2000-06-27 | Western Digital Corporation | Wear leveling techniques for flash EEPROM systems |
US5500742A (en) * | 1992-06-12 | 1996-03-19 | Ricoh Company, Ltd. | Control unit of flash memory and facsimile machine using such control unit |
US5544119A (en) * | 1992-10-30 | 1996-08-06 | Intel Corporation | Method for assuring that an erase process for a memory array has been properly completed |
US5765175A (en) * | 1994-08-26 | 1998-06-09 | Intel Corporation | System and method for removing deleted entries in file systems based on write-once or erase-slowly media |
US6728851B1 (en) | 1995-07-31 | 2004-04-27 | Lexar Media, Inc. | Increasing the memory performance of flash memory devices by writing sectors simultaneously to multiple flash memory devices |
US6115785A (en) * | 1995-07-31 | 2000-09-05 | Lexar Media, Inc. | Direct logical block addressing flash memory mass storage architecture |
US6128695A (en) * | 1995-07-31 | 2000-10-03 | Lexar Media, Inc. | Identification and verification of a sector within a block of mass storage flash memory |
US5838614A (en) * | 1995-07-31 | 1998-11-17 | Lexar Microsystems, Inc. | Identification and verification of a sector within a block of mass storage flash memory |
US5907856A (en) * | 1995-07-31 | 1999-05-25 | Lexar Media, Inc. | Moving sectors within a block of information in a flash memory mass storage architecture |
US6145051A (en) * | 1995-07-31 | 2000-11-07 | Lexar Media, Inc. | Moving sectors within a block of information in a flash memory mass storage architecture |
US6172906B1 (en) | 1995-07-31 | 2001-01-09 | Lexar Media, Inc. | Increasing the memory performance of flash memory devices by writing sectors simultaneously to multiple flash memory devices |
US6223308B1 (en) | 1995-07-31 | 2001-04-24 | Lexar Media, Inc. | Identification and verification of a sector within a block of mass STO rage flash memory |
US6757800B1 (en) | 1995-07-31 | 2004-06-29 | Lexar Media, Inc. | Increasing the memory performance of flash memory devices by writing sectors simultaneously to multiple flash memory devices |
US5930815A (en) * | 1995-07-31 | 1999-07-27 | Lexar Media, Inc. | Moving sequential sectors within a block of information in a flash memory mass storage architecture |
US6912618B2 (en) | 1995-07-31 | 2005-06-28 | Lexar Media, Inc. | Direct logical block addressing flash memory mass storage architecture |
US6801979B1 (en) | 1995-07-31 | 2004-10-05 | Lexar Media, Inc. | Method and apparatus for memory control circuit |
US6393513B2 (en) | 1995-07-31 | 2002-05-21 | Lexar Media, Inc. | Identification and verification of a sector within a block of mass storage flash memory |
US6125435A (en) * | 1995-09-13 | 2000-09-26 | Lexar Media, Inc. | Alignment of cluster address to block addresses within a semiconductor non-volatile mass storage memory |
US5928370A (en) * | 1997-02-05 | 1999-07-27 | Lexar Media, Inc. | Method and apparatus for verifying erasure of memory blocks within a non-volatile memory structure |
US6411546B1 (en) | 1997-03-31 | 2002-06-25 | Lexar Media, Inc. | Nonvolatile memory using flexible erasing methods and method and system for using same |
US6587382B1 (en) | 1997-03-31 | 2003-07-01 | Lexar Media, Inc. | Nonvolatile memory using flexible erasing methods and method and system for using same |
US6122195A (en) * | 1997-03-31 | 2000-09-19 | Lexar Media, Inc. | Method and apparatus for decreasing block write operation times performed on nonvolatile memory |
US6076137A (en) * | 1997-12-11 | 2000-06-13 | Lexar Media, Inc. | Method and apparatus for storing location identification information within non-volatile memory devices |
US6327639B1 (en) | 1997-12-11 | 2001-12-04 | Lexar Media, Inc. | Method and apparatus for storing location identification information within non-volatile memory devices |
US6813678B1 (en) | 1998-01-22 | 2004-11-02 | Lexar Media, Inc. | Flash memory system |
US6374337B1 (en) | 1998-11-17 | 2002-04-16 | Lexar Media, Inc. | Data pipelining method and apparatus for memory control circuit |
US6262918B1 (en) | 1999-04-01 | 2001-07-17 | Lexar Media, Inc. | Space management for managing high capacity nonvolatile memory |
US6034897A (en) * | 1999-04-01 | 2000-03-07 | Lexar Media, Inc. | Space management for managing high capacity nonvolatile memory |
US6141249A (en) * | 1999-04-01 | 2000-10-31 | Lexar Media, Inc. | Organization of blocks within a nonvolatile memory unit to effectively decrease sector write operation time |
US6134151A (en) * | 1999-04-01 | 2000-10-17 | Lexar Media, Inc. | Space management for managing high capacity nonvolatile memory |
US6681240B1 (en) * | 1999-05-19 | 2004-01-20 | International Business Machines Corporation | Apparatus and method for specifying maximum interactive performance in a logical partition of a computer system independently from the maximum interactive performance in other partitions |
US6567307B1 (en) | 2000-07-21 | 2003-05-20 | Lexar Media, Inc. | Block management for mass storage |
US6898662B2 (en) | 2001-09-28 | 2005-05-24 | Lexar Media, Inc. | Memory system sectors |
US8694722B2 (en) | 2001-09-28 | 2014-04-08 | Micron Technology, Inc. | Memory systems |
US9032134B2 (en) | 2001-09-28 | 2015-05-12 | Micron Technology, Inc. | Methods of operating a memory system that include outputting a data pattern from a sector allocation table to a host if a logical sector is indicated as being erased |
US7120729B2 (en) | 2002-10-28 | 2006-10-10 | Sandisk Corporation | Automated wear leveling in non-volatile storage systems |
US9576154B2 (en) | 2004-04-30 | 2017-02-21 | Micron Technology, Inc. | Methods of operating storage systems including using a key to determine whether a password can be changed |
US10049207B2 (en) | 2004-04-30 | 2018-08-14 | Micron Technology, Inc. | Methods of operating storage systems including encrypting a key salt |
JP2006167437A (ja) * | 2004-11-19 | 2006-06-29 | Pentax Corp | 電子内視鏡及び内視鏡装置 |
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