JPS63182637A

JPS63182637A - ストロボ制御装置

Info

Publication number: JPS63182637A
Application number: JP1465287A
Authority: JP
Inventors: Yuji Imai; 右二今井
Original assignee: Olympus Optical Co Ltd
Current assignee: Olympus Corp
Priority date: 1987-01-23
Filing date: 1987-01-23
Publication date: 1988-07-27

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】［産業上の利用分野］本発明はカメラのストロボ制御装置、更に詳しくは、ス
トロボのメインコンデンサの容量値等がバラライでも、
ストロボ発光光量が変動しないストロボ制御装置に関す
る。

［従来の技術］第１３図に従来のストロボ制御装置の電気回路図を示す
。第１３図において、ストロボ発光装置１０Ａにカメラ
のシーケンスを制御するためのＩＣ１００が接続されて
いる。

ストロボ発光装置１０Ａは、周知のように、電池等から
なる電源１１と、この電源１１の電圧を昇圧する昇圧回
路１２と、この昇圧された直流高圧により充電されるメ
インコンデンサ１３と、このメインコンデンサ１３が規
定電圧まで充電されたとき点灯するネオン管１４と、こ
のネオン管１４と直列に接続された抵抗１５．１６によ
り充電完了時を検知してオンし充電停止を指示するトラ
ンジスタ１７と、充電停止後にメインコンデンサ１３の
電荷がネオン管１４を通ってリークするのを防止する逆
流阻止用ダイオード１８と、メインコンデンサ１３の充
電電荷を放電して閃光発光するクセノン管１９と、この
クセノン管１９の閃光発光をトリガするトリガ回路２０
とを有して構成されている。昇圧回路１２はトランジス
タ２１〜２４゜昇圧トランス２５．整流ダイオード２６
および抵抗２７〜３３からなり、トリガ回路２０はサイ
リスタ３４．トリガトランス３５．コンデンサ３６゜３
７および抵抗３８．３９からなる。

ＩＣ１００は、ストロボの充電・発光の制御はもとより
、他のシーケンス、例えば、シャッター。

巻上げ等の制御をも行なうもので、カメラのシーケンス
制御回路１０１と、上記ストロボ発光装置１０Ａのメイ
ンコンデンサ１３の充電を制御するための、オアゲート
１０２およびナントゲート１０３からなるＲ／Ｓフリッ
プフロップ回路１０４とを含んで構成されている。

上記従来装置の動作を第１４図に示すタイミングチャー
トによって説明する。

シーケンス制御回路１０１は、カメラのシーケンス上メ
インコンデンサ１３を充電する必要がある時に、端子１
０６より負のスタートパルスＣ，５ＴＡｌ？Ｔ　　（Ｃ
ｈ　ａ　ｒ　ｇ　ｅ　　Ｓ　ＴＡＲＴ）をＲ／Ｓフリッ
プフロップ回路１０４のセット入力端子丁に出力する。

例えば、全自動式カメラにおいては、ストロボ撮影を終
了して巻上げ終了後にストロボを充電する必要があり、
このときパルスＣ，５ＴＡＲＴを出力する。このパルス
によりＲ／Ｓフリップフロップ回路１０４はセットされ
、その出力端子夏より“Ｌ“レベルの信号ＣＨＡＲＧＥ
が発せられると、昇圧回路１２のトランジスタ２１がオ
ンして昇圧回路１２が起動され、メインコンデンサ１３
への充電が開始され、メインコンデンサ１３の両端電圧
Ｖｃが上昇する。そして、ネオン管１４の放電開始電圧
ｖＮＥに達すると、該ネオン管１４が点灯し、この放電
電流によってトランジスタ１７がオンするので、このト
ランジスタ１７のコレクタ、即ち、Ｒ／Ｓフリップフロ
ップ回路１０４のリセット入力端子πが通常はプルアッ
プ抵抗１０５により“Ｈ”　レベルとなっている状態か
ら“Ｌ″　レベルとなり、Ｒ／Ｓフリップフロップ回路
１０４がリセットされる。つまり、ストロボ発光装置１
０ＡからＲ／Ｓフリップフロップ回路１０４に信号Ｃ，
５ＴＯＰが入力され、この結果、信号Ｃ１（ＡＲＧＥは
“Ｈ”レベルとなり、昇圧回路１２はその機能を停止し
、メインコンデンサ１３への充電を停止する。

このあと、シーケンス制御回路１０１の端子１０７から
“Ｈ２レベルの信号がトリガ回路２０のサイリスタ３４
のゲ・−トに印加されると、トリガ回路２０が作動し、
トリガトランス３５で昇圧された高圧トリガパルスがク
セノン管１９に印加され、該クセノン管１９の内部ガス
のインピーダンスが低下して、メインコンデンサ１３に
蓄積されていた電荷が該クセノン管１９を通じて放電し
発光する。

［発明が解決しようとする問題点］ところが、上記従来例においては、（１）メインコンデンサ１３の容量値のバラツキΔＣが
±１０％程度ある。

（２）ネオン管１４の点灯開始電圧のバラツキΔＶＮＥ
が±３％程度ある。

（３）クセノン管１９の管内ガス圧およびガス組成のバ
ラツキがある。

（４）クセノン管１９より発光した光束を決められた照
射角内に入れるための反射傘の出来ばえにバラツキがあ
る。

等の要因によって、ストロボ発光光量にバラツキが発生
することが不可避であった。そして、上記４点のバラツ
キ要因のうち（１）と（２）の要因は、メインコンデン
サ１３の充電エネルギーに直接影響を与える。周知のよ
うにメインコンデンサ１３の充電エネルギーＥｃはＥ　Ｃ””’　２　ＣＶ　ＮＥとなるが、ここでΔＣ＝±１０％、ΔＶＮＥ””±３％
を考慮すると、充電エネルギーＥｃのバラツキΔＥｃは
、はぼ±１６％となる。このバラツキをストロボＧＮｏ
、　　（ガイドナンバー）のバラツキに換算すると、ＧＮｏ、ｃｃｖ’Ｔ”：につき、ストロボＧ　Ｎｏ、のバラツキΔＧ　Ｎｏ、は
±８％程度となり、さらに上記要因（３）と（４）とが
加算されるので、実際にはさらに大きなバラツキになる
。

ところで、ストロボＧ　Ｎｏ、が小さくなる方向にバラ
ツキが発生した場合には、ストロボ撮影時の光量不足に
よる露出アンダーが問題となり、また、ストロボＧ　Ｎ
ｏ、が大きくなる方向にバラツキが発生した場合には、
メインコンデンサ１３の充電エネルギーが過剰になるこ
とによる電池寿命の低下、あるいは充電時間の延長等が
問題となる。近年、大容量のリチウム電池を使用した全
自動カメラが増えつつあるが、このカメラの特徴は、ス
トロボの充電時間が短いことと、電池寿命が長い事であ
る。しかしながら、上述のように、ストロボのＧ　Ｎｏ
、が大きくなる方向にバラツキが生じた場合、充電エネ
ルギーＥｃの増加量子ΔＥｃは最大１６％に達するわけ
で、それたけ充電時間が長くなってしまう。また、電池
の消費エネルギーの大部分がストロボで消費されるエネ
ルギーである点に鑑みても、電池寿命に対する影響が無
視できない。

従って、メインコンデンサ１３に対する充電エネルギー
のバラツキΔＥｃは設計上大きな制約となっている。

これらの問題点を解決するためには、メインコンデンサ
１３を選んでその容量値のバラツキを小さくするとか、
あるいはネオン管１４を選んで点灯電圧■ＮＥのバラツ
キを小さくすることが必要になるが、コストアップに継
かり実際上困難である。

そこで本発明の目的は、上述のように従来のストロボ発
光装置が有していた発光量のバラツキを除去したストロ
ボ制御装置を提供するにある。

［問題点を解決するための手段］本発明に係るストロボ制御装置は、その概念を示す第１
図において、電源電圧を昇圧する昇圧回路１と、この昇
圧回路１の動作状態を制御する充電制御手段２と、上記
昇圧回路１の出力で充電されるメインコンデンサ３と、
このメインコンデンサ３の充電電荷の放電により発光す
るストロボ発光学膜４と、上記メインコンデンサ３の充
電電圧レベルが所定電圧レベルに達したことを検出し上
記充電制御手段２を介して上記昇圧回路１を非動作状態
にする比較手段５と、上記ストロボ発光手段４の発光光
量の規定値に対するバラツキ量に対応した値、或いは上
記メインコンデンサ３の充電電荷の規定値に対するバラ
ツキ量に対応した値をを記憶するディジタルメモリ６と
、このディジタルメモリ６の記憶値に基づき上記比較手
段５における所定電圧レベルを決定する判定レベル算定
手段７とを具備している。

［作　用］カメラの完成状態あるいは半完成状態にて、ディジタル
メモリ６に上記値を記憶させ、メインコンデンサ３の充
電時に、この充電電圧を、」−２ディジタルメモリ６の
記憶値で補正した所定電圧と比較し、充電電圧を制御す
ることにより、メインコンデンサ３の容量値のバラツキ
等があってもストロボ発光光量が変動せず常に一定光量
を得る。

［実　施　例］以下、図面を参照して本発明を具体的に説明する。

第２図は、本発明の第１実施例であって、前記第１３図
に示した従来例における構成部材と全く同一の構成部材
については、同一符号を付すに止め、その説明が重複す
るのを避けて、これを省略する。

第２図において、一点鎖線で囲んで示す枠４０内の回路
がカメラ内に設けられる回路で、ストロボ発光装置１０
．電気的書き込み可能なメモリＥＥＰＲＯＭ４１．ＣＰ
Ｕ４２およびコンパレータ２６等を含んでいる。枠４０
外のディテクター４５、ストロボガイドナンバーメータ
（以下、ストロボＧ　Ｎｏ、メータと略記する）４６お
よび調整用ＣＰＵ４７等は、本発明に係るストロボ制御
装置の補正値を算出する過程で必要とする調整器具であ
る。そして、カメラの完成状態において、ストロボ充電
・発光を行ない、その時の発光光量より、メインコンデ
ンサ１３の充電電圧を補正する補正値をディジタルで算
出し、ＥＥＰＲＯＭ４１に記憶する。

これらの調整器具は、完成状態にあるカメラの前方所定
の位置に正対してディテクター４５が配置され、該ディ
テクター４５の出力は、ストロボＧ　Ｎｏ、　メータ４
６に供給され、上記クセノン管１９からの光束による光
電荷を照光時間帯に亘って積分し、Ａ／Ｄ変換して４桁
のディジタル信号にしたのち調整用ＣＰＵ４７に印加す
る。このストロボＧ　Ｎｏ、　メータ４６は、ストロボ
が発光すると、上述のように自動的に光量を積分し、次
にストロボが発光するまでの時間、Ｇ　Ｎｏ、の出力値
をラッチする機能をもつ。調整用ＣＰＵ４７では、スト
ロボＧ　Ｎｏ、　メータ４６からの情報に基づいて、ス
トロボ発光光量を補正するための、即ち、参照電圧ｖＲ
ＥＰに対して補正を加えるためのディジタル情報を、カ
メラ内のＣＰＵ４２に出力する機能を有し、端子Ａ　か
らＣＰＵ４２の端子ＤＢに信号ＴＥＳＴＩを、端子Ａ　
から端子Ｄ７に信号ＴＥ５Ｔ２を、端子Ａｔから端子Ｄ
１に信号ＤＡＴＡを、そして、端子Ａ２から端子Ｄ２に
クロックパルスＣＬＫをそれぞれ供給する。そして信号
ＤＡＴＡおよびクロックパルスＣＬＫはＥＥＰＲＯＭ４
１の端子Ｍ　および端子Ｍ２にも供給され、ＣＰＨ１２
の端子Ｄ　ａ　、　Ｄ　４およびＤ５はそれぞれＥＥＰ
ＲＯＭ４１の端子Ｍ３．Ｍ４お、よびＭ５と接続されて
、読み出し、あるいは書き込み用コマンドを伝送する。

カメラのシーケンス制御をつかさどるＣＰＵ４２は、Ｄ
／Ａコンバータを内蔵している。コンパレータ４３の反
転入力端子には、ストロボ発光装置１０のメインコンデ
ンサー３の充電電圧Ｖｃを抵抗１５と１６とで分圧した
電圧ＶｃＡが印加され、非反転入力端子には参照電圧”
ＲＥＦがＣＰＵ４２のＤ／Ａ出力ポートである端子Ｄ９
より印加されている。そして、このコンパレータ４３の
出力は、通常は“Ｈ”だが、ＶＣＡ　＞ＶＲＥＩ’の状
態で“Ｌ”レベルに変化する信号Ｃ，５ＴＯＰがＣＰＵ
４２の端子Ｄ１ｏに印加される。さらに、ＣＰＵ４２の
端子Ｄ８より“ピアクチイブの信号ＣＩＩＡＲＧＥが出
力され、昇圧回路１２のトランジスタ２１をオンするこ
とによりメインコンデンサ１３を充電開始し、また端子
Ｄ１□より“Ｈ”アクティブの信号ＴＲＧが出力され、
ストロボ発光装置ｌＯのサイリスタ３４をトリガし、ク
セノン管１９を発光させる。

このように構成された本実施例の動作を第３図のフロー
チャートを用いて説明する。フローは調整用ＣＰＵ４７
におけるく調整シーケンス〉のフローとカメラ内ＣＰＵ
４２におけるくテストシーケンス〉およびく補正〉のフ
ローとからなる。

まず、く調整シーケンス〉のフローにおいて、調整用Ｃ
ＰＵ４７に接続されているスタートスイッチ４８がオン
され、調整用ＣＰＵ４７は、その出力端子Ａ６から出力
される信号ＴＥＳＴ１のレベルを“Ｈ”−“Ｌ″に変化
させると、カメラ内のＣＰＵ４２は、信号ＴＥＳＴＩの
立下がりを検知して〈テストシーケンス〉のルーチンが
スタートする。調整用ＣＰＵ４７のフローは、このあと
くタイマー５８＞で５秒間の休止状態に入る。ここに、
くテストシーケンス〉とは、ストロボの充電、発光を各
１回づつ行なうシーケンスである。

まず、ＣＰＵ４２のＤ／Ａ出力ポートである端子Ｄ　よ
り、参照電圧ＶＲＥＩ”の平均的なレベルが出力される
。このカメラの場合、設３１−的にはメインコンデンサ
３の充電電圧Ｖｃが２００Ｖのとき、規定のガイドナン
バー１０が出るようになっており、ストロボ発光装置１
０の抵抗１５．１６で構成される分圧比を１／１００と
すれば、平均的な参照電圧ＶＲＥＰのレベルは、２．０
０　Ｖになる。

次に、出力端子Ｄ８から出力される信号ＣＨＡＲＧＥの
レベルを”Ｈ”→“Ｌ″に変化させ、ストロボ発光装置
１０内の昇圧回路１２を起動させてメインコンデンサー
３の充電を開始する。メインコンデンサー３の充電電圧
Ｖｃが２００■に達すると、コンパレータ４３の出力端
子、即ち、ＣＰＵ４２の入力端子Ｄ１ｏの信号Ｃ，５Ｔ
ＯＰのレベルが“Ｌ″−“Ｌ”となり、ＣＰＵ４２はこ
れを検知して出力　１５一端子Ｄ８の信号ＣｌｌＡｌ？ＧＥのレベルを“Ｌ”−“
Ｈ”に変化させるので、メインコンデンサ１３の充電が
停止する。と同時に出力端子Ｄ９からの参照電圧Ｖｌ？
ＨＰをオフするので、コンパレータ４３の出力信号Ｃ，
５ＴＯＰは“Ｌ“レベルにラッチされる。ついで、ＣＰ
Ｕ４２の出力端子Ｄ１、の信号ＴＲＧを４ｍ５ｅｃの間
だけ“Ｈ゛レベルしてストロボを発光させ、このくテス
トシーケンス〉のルーチンを終了しリターンする。

上記〈テストシーケンス〉の動作が行なわれている間、
調整用ＣＰＵ４７のく調整シーケンス〉のフローでは、
前記したように、５秒間のタイマーが作動しており、上
記くテストシーケンス〉が終了したのち、くタイマー５
８＞が終了する。このくタイマー５８＞の終了後に、調
整用ＣＰＵ４７は、ストロボＧ　Ｎｏ、　　メータ４６
にラッチされ、ＢＣＤコートでディジタル表示されたス
トロボＧＮｏ、値を読み込み、く補正演算〉を行なう。

この演算により補正ｆｎＤが下記の第１表のように決定
される。

第　　１　表上記補正ｆｆ１Ｄは、例えばストロボＧ　Ｎｏ、値が１
０．９６以上のときＤ＝−４となる。このＤの値は、メ
インコンデンサ１３の充電電圧を補正するための補正値
で、Ｄ＝１は参照電圧■ＲＥＦにして０．０５　Ｖであ
り、充電電圧の補正値に換算すると、０．０５　Ｖｘ　
１００Ｖ＝５Ｖに対応する。〈補正演算〉が終了すると
、調整用ＣＰＵ４７は出力端子Ａ７の（ｉＴＥｓＴ２の
レベルをＨ”→“Ｌ”に変化させる。すると、カメラ内
のＣＰＵ４２は、−１７＝この信号を受けて〈補正〉のフローに移行する。

ＣＰＵ４２はく補正〉のフローに入ると、ＤＡＴＡおよ
びＣＬＫの入出力ポートである端子Ｄ１゜Ｄ２を入力ポ
ートに設定し、シリアル通信の準備を行なう。調整用Ｃ
ＰＵ４７は上記信号ＴＥＳＴ２のレベルを“Ｌ”にした
あと、シリアル信号をＤＡＴＡ、ＣＬＫのラインを使用
してカメラ内のＣＰ’Ｕ４２に転送する。このシリアル
信号は、８ビツトの信号で、各補正値に対するシリアル
信号は前記第１表に示すとおり、先頭の１ビツトが補正
ｆｆ１Ｄの符号を、それに続く７ビツトが補正ｆｆ１Ｄ
を表わす。カメラ内のＣＰＵ４２は、調整用ＣＰＵ４７
から送られる後記するクロックパルスＣＬＫの立ち上が
りに同期してＤＡＴＡの先頭（ＭＳＢ）より順次取り込
み、この取り込んだＤＡＴＡをカメラ内のＣＰＵ４２の
メモリ領域のＡ番地７ビツト目より０ビツト目までに格
納して記憶する。

次にＥＥＰＲＯＭ４１に記憶された一連のデータを読み
出し、補正ｆｉＤに相当する部分たけに記調整用ＣＰＵ
４７から送られた値に更新したのち、再度ＥＥＰＲＯＭ
４１に書き込み（この理由については後述する。）〈補
正〉のフローを終了してリターンする。このあと、調整
用ＣＰＵ４７は信号ＴＥＳＴＩおよびＴＥＳＴ２を“Ｈ
”レベルに戻してく調整シーケンス〉の動作を終了する
。

第４図は、調整用ＣＰＵ４７より補正ｉＤに関する情報
をカメラ内のＣＰＵ４２に転送する際の信号波形を示し
、先づ、信号ＴＥＳＴ２を“Ｈ”→″Ｌ”にした後、Ｄ
ＡＴＡラインに補正ｆｉＤに関する８ビツトの情報ＤＡ
ＴＡが（第１表参照）先頭（ＭＳＢ）より順次ビットシ
リアルで送出され、同時にＣＬＫラインにクロックパル
スＣＬＫが送出される。ＣＰＵ４２では、クロックパル
スの立ち上がりに同期してＤＡＴＡを取り込み、前記し
た如（、ＣＰＵ４２内のメモリ領域Ａ番地の７ビツト目
よりθビット目まで順次ストアーされる。

第５図は、ＥＥＰＲＯＭ４１の内部構成を示し、このＥ
ＥＰＲＯＭ４１を読み出すときのタイミングチャートを
第６図に、書き込むときのタイミングチヤードを第７図
にそれぞれ示す。

第５図において、このＥＥＰＲＯＭ５１とＲＡＭ５２と
は同一容量（８ビツト×１６ワード）を持ち、ＲＡＭ５
２はＥＥＰＲＯＭ５１のデータを人出力する際に、一時
的にデータを保持する役目をする。ＥＥＰＲＯＭ４１の
モードデコーダ５０に接続された端子Ｍ　　−Ｍ　　の
うち、端子Ｍ３はこのＥＥＰＲＯＭ４１を動作可能にす
るための信号端子で、この端子Ｍ３の信号ＭＣＥＮが“
Ｌ”のときにＣＰＵ４２とのデータの入出力が可能にな
り、またＲＡＭ５２のデータをＥＥＦＲＯＭ５１に書き
込むことも可能になる。端子Ｍ４はデータの入出力を指
定する信号端子で、この端子Ｍ４の信号Ｒ／Ｗが“Ｈ”
のときにデータ読み出しモードとなり、“Ｌ”のときに
データ書き込みモードとなる。端子Ｍ５はＲＡＭ５２の
データをＥＥ、ＰＲＯＭ５１に書き込むタイミングを指
定する信号端子で、端子Ｍ　の信号ＭＣＥＮ、端子Ｍ４
の信号Ｒ／Ｗがともに“Ｌ″のときに端子Ｍ５の信号５
ＴＯＲＥを“Ｌ″にすると、ＲＡＭ５２の全一　２〇　
− データがＥＥＦＲＯＭ５１に書き込まれる。

さらに、このＥＥＰＲＯＭ４１の構成と動作について、
第６図、第７図に示すタイミングチャートによって説明
する。第６図はＥＥＰＲＯＭ５１よりデータを読み出す
際のタイミングチャートである。まず、端子Ｍ４の信号
Ｒ／Ｗが“Ｌ“の状態で、端子Ｍ３の信号ＭＣＥＮを“
Ｌ″にし、次いで、信号Ｒ／Ｗを“Ｈ”にすると、ＥＥ
ＦＲＯＭ５１にストアされた補正値の全データがＲＡＭ
５２に転送される。また、このとき、８ビツトのＳ／Ｐ
　（シリアル／パラレル）シフトレジスタ５３はパラレ
ルイン・シリアルアウトのモードとなり、ＲＡＭ５２の
０番地のデータ（８ビツト）を取り込む。次いで、端子
Ｍ２のクロック信号ＣＬＫが“Ｌ”から“Ｈ”になる毎
に、シフトレジスタ５３は入力データをシフトし、これ
をバッファ５４を通じデータ信号ＤＡＴＡとして端子Ｍ
１からＣＰＵ４２に出力する。すると、ＣＰＵ４２はｃ
ｐＵ４２内のＲＡＭのＢＯ番地に７ビツト目から０ビツ
ト目まで順次、上記データ信号ＤＡＴＡの“Ｈ”、　“
Ｌ”を補正値りとして書き込む。この補正値りを８ビツ
ト×１ワードとすると、８回目のクロック信号ＣＬＫの
“Ｌ″からＨ″で補正値りのデータ信号ＤＡＴＡを送出
し終えるが、次に、クロック信号ＣＬＫが“Ｌ”から“
Ｈ＃になると、８進カウンタ５６がオーバーフローして
１６進カウンタ５７をカウントし始めるので、アドレス
デコーダ５８によりＲＡＭ５２の番地１のデータをシフ
トレジスタ５３が取り込む。以後、クロック信号ＣＬＫ
が“Ｌ”から“Ｈ“になる毎に引き続きＲＡＭ５２のデ
ータ信号ＤＡＴＡが端子Ｍｌに出力されるが、このデー
タは補正値りとは無関係であるが、ＣＰＵ４２はこれら
のデータをＲＡＭの８１〜ＢＦ番地に書き込んでおく。

これは、補正値りのデータをＥＥＰＲＯＭ５１に書き込
む際にＥＥＦＲＯＭ５１の他のデータを変化させないた
めのものである。

第７図はＥＥＰＲＯＭ５１にデータを書き込む際の各信
号のタイミングチャートである。まず、端子Ｍ４の信号
Ｒ／Ｗが“Ｌ”の状態で、端子Ｍ３の信号ＭＣＥＮを“
Ｌ”にすると、シフトレジスタ５３がシリアルイン・パ
ラレルアウトのモードとなる。そして、ＣＰＵ４２はＲ
ＡＭのＡ番地にある補正値りのデータの７ビツト目を端
子Ｍ１に向けて出力すると、このＥＥＰＲＯＭ４１は端
子Ｍ２のクロック信号ＣＬＫが“Ｌ”からＨ″′になっ
たときに、バッファ５５を通じてシフトレジスタ５３に
上記ＣＰＵ４２から送出された補正値りのデータの“Ｈ
”又はＬ”を取り込む。以後、順次、クロック信号ＣＬ
Ｋの“Ｈ”から“Ｌ″のタイミングでＣＰＵ４２は補正
値りのデータを出力し、クロック信号ＣＬＫの“Ｈ”か
らＬ′のタイミングで、ＥＥＰＲＯＭ４１は補正値りの
データを取り込む。８回のクロック信号ＣＬＫのＨ″か
らＬ″の立下りで、シフトレジスタ５３の８ビツトのデ
ータが補正値りとしてＲＡＭ５２に記憶される。以後、
ＣＰＵ４２は、ＲＡＭのＢｌ−ＢＰ番地に書き込まれた
データを出力し、それらはＥＥＰＲＯＭ４１のＲＡＭ５
２−２３　＝の番地１〜Ｆに記憶される。ＣＰＵ４２は全データを送
出し終えると、端子Ｍ５の信号５ＴＯＲＥを“Ｌ”にし
、このとき、ＥＥＰＲＯＭ４１のＲＡＭ５２の全データ
がＥＥＰＲＯＭ５１に書き込まれる。また、前述したよ
うに、ＥＥＰＲＯＭ５１の番地１〜Ｆのデータは一旦Ｃ
ＰＵ４２に読み込まれ、再度、同一データが書き込まれ
ることにより保持される。

第８図は、メインコンデンサ１３を充電する際のフロー
チャートで、充電は、撮影後の巻き」二げ終了後等に行
なわれるが、撮影・巻き上げ等のフローは本発明と直接
関係かないので、充電のフローだけを第８図に基づいて
説明する。先づ、ＥＥＰＲＯＭ４１より補正値りを読み
出し、参照電圧Ｖ□、を下式により演算する。

ＶＲＥＦ−２，０＋　０．０５　ｘＤそして、演算された参照電圧■ＲＥＦをＣＰＵ４２のＤ
／Ａ変換ポートの端子Ｄ９より出力する。次に、出力端
子Ｄ８より信号ＣｌｌＡｌ？ＧＥのレベルを“Ｈ”−“
Ｌ”に変化させてメインコンデンサ１３の充電をスター
トさせる。そして、メインコンデンサ１３の充電電圧Ｖ
ｃが１００　ｘ　ＶＲ１２，、、になると、入力端子Ｄ
１ｏのコンパレータ４３の出力信号Ｃ，５ＴＯＰのレベ
ルが“Ｌ“となり、これをＣＰＵ４２が検知して出力端
子Ｄ８の信号Ｃ１（ＡＲＧＥのレベルをＬ”→″Ｈ″に
して充電をストップさせる。

そして、Ｄ／Ａ変換ポートの端子Ｄ９に出力される参照
電圧ｖＲＥ）’をオフにして充電のフローを終了する。

ところで、上記第１実施例においては、種々の変形が可
能で、例えば第２図ではＣＰＵ４２として、Ｄ／Ａコン
バータ内蔵のＣＰＵを使用していたが、Ａ／Ｄコンバー
タ内蔵のＣＰＵてあってもよい。この変形例を示す第９
図においては、メインコンデンサ１３の充電電圧を抵抗
１５と１６とで分圧した電圧Ｖ。Ａを直接Ａ／Ｄコンバ
ータ内蔵のＣＰＵ６０のＡ／Ｄ変換ポートの端子Ｄ１２
に入力し、ＣＰＵ６０内ニテ、上記■ＣＡと”ＲＩＥＰ
との比較を行なっている。

また、ＥＥＰＲＯＭ４１のかわりにＰＲＯＭを使用して
もよい。たたし、ＥＥＰＲＯＭを使用した場合は補正値
りを何回でも書き換えることができるが、ＦＲＯＭを使
用した場合、補正値りの書き込みは一度しかできない。

さらにまた、不揮発性でないディジタルメモリを使用す
ることも可能だが、この場合、電源交換時に補正値が消
えてしまうので、電源バックアップ回路が必要になる。

」−２第１実施例においては、カメラの完成状態、ある
いは半完成状態においては、ストロボ発光を行ない、ス
トロボ発光装置からの照射時間内の発光光量の総和を求
めていたが、これにとられれることなく、メインコンデ
ンサ１３の充電時間を求め、この充電時間より充電エネ
ルギーのバラツキを補正するための補正値りを算出し、
この値をディジタルメモリに記憶させてもよい。

第１０図は、このような原理に基づいて構成される本発
明の第２実施例で、一点鎖線で示す枠７０内の回路は全
てカメラ本体内に格納され、第１実施例にて必要とした
ディテクター４５〜調整用ＣＰＵ４７等カメラ本体外に
配置された調整手段を必要としない。

一般に、コンデンサの充電エネルギーと充電時間との間
には、第１１図に例示するような相関関係がある。実際
には、両者の関係は、図に示すようなきれいな直線関係
ではないが、説明の便宜上直線関係で近似している。そ
こで、この実施例では、メインコンデンサ１３の容量値
のバラツキ、あるいは分圧用の抵抗１５．１６で発生す
る分圧誤差等で発生する充電エネルギーＥのバラツキの
範囲が８．１２５Ｊ−１１，８７５Ｊであり、これに対
応する充電時間Ｔのバラツキが、３．２５〜４．７５秒
であることが予め分かっているとし、このバラツキの範
囲を充電時間を基にして３つのゾーンに分割する。即ち
、充電時間が３．２５〜３．７５秒の間では、その充電
エネルギーＥが、そのバラツキの中心値８．７５　Ｊで
あるとし、これが平均的充電エネルギーであるＩＯＪに
なるよう補正するための補正値Ｄ＝　１．２５　Ｊをデ
ィジタルメモリであるＥＥＰＲＯＭ４１に記憶する。ま
た、充電時間が４．２５〜４．７５秒の間では、その充
電エネルギーの中心値１１．２５　Ｊであるとし、補正
値Ｄ−−１，２５Ｊを、さらに、充電時間が３．７５〜
４．２５秒の間では、補正しないので、補正データとし
てＤ−０をそれぞりＥＥＰＲＯＭ４１に記憶する。

ところで、この実施例の場合、一般に、カメラ用の電池
では電源能力のバラツキによる充電時間のバラツキがあ
るので、これを防止するためカメラ内蔵用の電源電池１
１をはずし、直流の電源７１を、昇圧回路１２の電池用
接続接点７２と７３の間に接続する。次に、カメラの外
部に露出している、ＣＰＵ７４の端子Ｄ１３に接続した
接点７５とアース接点７６とを導電片７７により導通さ
せることにより、ＣＰＵ７４の端子Ｄ１３の信号ＴＥＳ
Ｔが“Ｌ″アクテイブなり、ＣＰＵ７４は、そのテスト
シーケンスを開始する。

第１２図は、上記第１０図に示す第２実施例におけるフ
ローチャートである。第１２図（Ａ）は、くテストシー
ケンス〉のフローで、同フロー中では、テスト充電を２
回行なっているが、この理由は次のとりである。通常、
カメラの組立工程にて、発光テストあるいは充電テスト
が行なわれるが、この調整工程においては、メインコン
デンサ１３にどの程度の電圧か充電されたか不明なので
、−廉売光させてこの充電電荷を放電してから充電しな
いと正しい充電時間を得られない。ところが、メインコ
ンデンサ１３の残留電荷による充電電圧が、クセノン管
１９の最低発光電圧以下であるときは発光できない。そ
こで、−回１」の後記するくテスト充電〉で、メインコ
ンデンサ１３の充電電圧を最低発光電圧より確実に高く
し、次に発光して充電電荷を放電してから、２回目のく
テスト充電〉にて正しい充電時間を求める。

そこで、くテスト充電〉を第１２図（Ｂ）のフローチャ
ートに基づいて説明する。先づ、平均的なり　　レベル
としてＶＲＥＦ−２，ＯＶをＣＰＵ７４ＥＰの端子Ｄ９より出力する。次にパラメータＮをＮ＝１に
セットしてから、出力端子Ｄ８から出力される信号ＣＨ
ＡＲＧＥのレベルを“Ｈ”−“Ｌ”にして充電をスター
トする。そして、コンパレータ４３の出力、即ち、ＣＰ
Ｕ７４の端子Ｄ１ｏの信号Ｃ，５ＴＯＰが、“Ｌ″レベ
ルなるまでメインコンデンサ１３の充電を行なうわけで
あるが、この条件判断のループを一回まわる毎にＮに１
を加算していく。これは、ループを回った回数、即ちＮ
より充電時間を求めるためである。メインコンデンサ１
３の充電電圧が上昇してｖｃＡ＞ＶＲＥＦになると、コ
ンパレータ４３の出力電圧が“Ｌ″レベルなり、ＣＰＵ
７４は、これを検知して端子Ｄ８から出力されている信
号ＣＨＡＲＧＥを“Ｈ”レベルにして充電をストップさ
せる。そして、端子Ｄ９より出力される参照電圧ｖＲＥ
Ｐをオフしてくテスト充電〉のフローを終了してくテス
トシーケンス〉にリターンする。〈テストシーケンス〉
に戻ると、次に〈発光〉を行なう。く発光〉のフローは
、第１４図（Ｃ）に示すように、４ｍ５ｅｃの間たけ端
子Ｄ１１の信号ＴＲＧを”Ｈ”　レベルにしてストロボ
発光する動作で、終了後くテストシーケンス〉のフロー
にリターンする。

そして、２回目のくテスト充電〉の後、パラン−タＮの
値より補正値りを演算するく補正値決定〉のフローへ移
行する。このフローは、第１２図（Ｄ）に示す通りであ
る。パラメータＮには、前記第１２図（Ｂ）にて説明す
るように、２回１」の〈テスト充電〉において、コンパ
レータ４３の出力信号Ｃ，５ＴＯＰのレベルが（Ｃ、５
ＴＯＰ−“Ｌ″）の条件判断が成立するまでの間、ルー
プを廻った回数が記憶されている。そして、ループを１
回まわる時間は、ＣＰＵ７４の命令サイクルによって決
定されるものでこの時間をｎμＳｅＣとする。そこで、
（３，７５／ｎ）　Ｘ　１０　　を求め、Ｎ≧Ｎ１１の
ときは、補正値りはＤ−−１とし、Ｎ＜Ｎ、、のときは
Ｄ−＋１とし、Ｎ　≦Ｎ＜Ｎ１１のときはＤ＝０として
第１２図（Ａ）のくテストシーケンス〉にリターンする
。以下、第３図のく補正〉のフローにて説明した＜ＥＥ
ＰＲＯＭ読み出し〉および＜ＥＥＰＲＯＭ書き込み〉の
フローを行なって〈テストシーケンス〉を終了する。

実際の充電フローにおいては、第１実施例とはぼ同様で
あるが、まずＥＥＦＲＯＭ４１より補正値りを読み出し
、このＤ値より参照電圧ＶＲＥＥＦを求めると、Ｄ＝−１（７）、！：き　ＶＲＥＩ？−１，７８ＶＤ−
０のとき　ＶＲＥＦ−２，００ＶＤ＝＋１　のとき　ＶＲＥＦ　−２，２９Ｖとなり、前
記第１実施例とほぼ同じ結果が得られる。

なお、上記実施例のストロボ制御装置は、ストロボ発光
手段をフル発光させるものであるが、本発明はフラッシ
ュマチックのストロボ制御装置についても適用でき、メ
インコンデンサの充電エネルギーのバラツキを抑え電源
電池の寿命の低下を防止することができる。

［発明の効果］以」二連へたように、この発明によれば、メインコンデ
ンサの容量値のバラツキ、電圧判定回路の電圧判定誤差
、あるいはストロボ発光装置の出来栄えのバラツキがあ
っても、ストロボのは発光光量を一定にすることができ
る。従って、ストロボ−３２＝撮影時に露出のレベルを一定にすることかできる。

また、充電エネルギーが過剰になることによる充電時間
の延長および電池寿命の低下を防止することができる等
の顕著な効果が得られる。

【図面の簡単な説明】

第１図は、本発明のストロボ制御装置の概念を示すブロ
ック図、第２図は、本発明装置の第１実施例を示す電気回路図、第３図は、上記第２図に示した第１実施例装置のプログ
ラム動作を表わしたフローチャート、第４図は、上記第
２図における調整用ＣＰＵからカメラ内ＣＰＵへのデー
タ転送のタイミングチャート、第５図は、上記第２図におけるＥＥＦＲＯＭの内部構成
を示すブロック図、第６図と第７図は、第５図に示すＥＥＰＲＯＭにおける
読み出しモードと書き込みモードをそれぞれ示すタイミ
ングチャート、第８図は、第２図におけるメインコンデンサを充電する
際の動作を示すフローチャート、第９図は、上記第２図
における第１実施例装置の変形例を示す電気回路図、第１０図は、本発明装置の第２実施例を示す電気回路図
、第１１図は、上記第１０図におけるメインコンデンサの
充電時間と充電エネルギーとの相関を示す線図、第１２図（Ａ）〜（Ｄ）は、上記第１０図に示した第２
実施例装置の動作を表わしたフローチャート、第１３図
は、従来のストロボ制御装置の一例の電気回路図、第１４図は、第１３図の従来装置における動作を示すタ
イミングチャートである。１．１２・・・・・・昇圧回路２・・・・・・・・・・・・・・・充電制御手段３．１
３・・・・・・メインコンデンサ４・・・・・・・・・
・・・・・・ストロボ発光手段５・・・・・・・・・・
・・・・・比較手段６・・・・・・・・・・・・・ディ
ジタルメモリー　３４　＝７・・・・・・・・・・・・・・・判定レベル算定手段
１０・・・・・・・・・・・・ストロボ発光装置（スト
ロボ発光手段）

Claims

【特許請求の範囲】

（１）電源電圧を昇圧する昇圧回路と、この昇圧回路の動作状態を制御する充電制御手段と、上記昇圧回路の出力で充電されるメインコンデンサと、このメインコンデンサの充電電荷の放電により発光する
ストロボ発光手段と、上記メインコンデンサの充電電圧レベルが所定電圧レベ
ルに達したことを検出し上記充電制御手段を介して上記
昇圧回路を非動作状態にする比較手段と、上記ストロボ発光手段の発光光量の規定値に対するバラ
ツキ量に対応した値を記憶するディジタルメモリと、このディジタルメモリの記憶値に基づき上記比較手段に
おける所定電圧レベルを決定する判定レベル算定手段と
、を具備したことを特徴とするストロボ制御装置。
（２）電源電圧を昇圧する昇圧回路と、この昇圧回路の動作状態を制御する充電制御手段と、上記昇圧回路の出力で充電されるメインコンデンサと、このメインコンデンサの充電電荷の放電により発光する
ストロボ発光手段と、上記メインコンデンサの充電電圧レベルが所定電圧レベ
ルに達したことを検出し上記充電制御手段を介して上記
昇圧回路を非動作状態にする比較手段と、上記メインコンデンサの充電電荷の規定値に対するバラ
ツキ量に対応した値を記憶するディジタルメモリと、このディジタルメモリの記憶値に基づき上記比較手段に
おける所定電圧レベルを決定する判定レベル算定手段と
、を具備したことを特徴とするストロボ制御装置。