JPS63182609A - 光集積回路装置 - Google Patents

光集積回路装置

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Publication number
JPS63182609A
JPS63182609A JP1468187A JP1468187A JPS63182609A JP S63182609 A JPS63182609 A JP S63182609A JP 1468187 A JP1468187 A JP 1468187A JP 1468187 A JP1468187 A JP 1468187A JP S63182609 A JPS63182609 A JP S63182609A
Authority
JP
Japan
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integrated circuit
circuit device
electrodes
optical
optical integrated
Prior art date
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Pending
Application number
JP1468187A
Other languages
English (en)
Inventor
Takashi Sugino
隆 杉野
Akio Yoshikawa
昭男 吉川
Masanori Hirose
広瀬　正則
Atsuya Yamamoto
敦也 山本
Kazuhisa Miyanaga
和恒 宮永
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
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Publication date
Application filed by Matsushita Electric Industrial Co Ltd filed Critical Matsushita Electric Industrial Co Ltd
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Publication of JPS63182609A publication Critical patent/JPS63182609A/ja
Pending legal-status Critical Current

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Classifications

    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
    • G02B6/10—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type
    • G02B6/12—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type of the integrated circuit kind
    • G02B6/122—Basic optical elements, e.g. light-guiding paths
    • G02B6/124—Geodesic lenses or integrated gratings
    • G02B6/1245—Geodesic lenses

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Optical Integrated Circuits (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は光通信、民生機器における光学系をモノソシッ
ク集積するために用いられる光集積回路装置に関するも
のである。
従来の技術 光学系を構成する際、レンズやプリズムなどの光学部品
は不可欠である。従来モノソシソク光集積回路の構成の
ため、レンズやプリズムなどを光導波路内に形成する研
究がなされてきた。
第２図および第３図に、これまで行なわれてきた代表的
なモノソシックレンズの構成を示す。
第２図、第３図において１０は基板、１１は光導波路、
１２はレンズ、１２はプリズム、１３は伝搬光である。
これらのレンズやプリズムは光導波路部より屈折率の高
い物質で構成される。
発明が解決しようとする問題点 上記のように構成されたレンズやプリズムは２次元光導
波路内でその機能をはだし、伝搬光を焦ったシ、伝搬方
向をかえる。しかし、この構造に３ページ おいては、光がレンズやプリズムに入射すると、焦点位
置や伝搬方向は固定され、変化させることはできない。
光ディスクのピックアップ等に対する光集積回路を考え
る時には、光の焦点位置をディスクとの位置関係で決め
ることが必要となるため、焦点位置を制御できることが
望まれる。
本発明は上記欠点に鑑み、焦点位置や光の伝搬方向を制
御できる光集積回路を提供するものである。
問題点を解決するための手段 上記問題点を解決するために、本発明は、光導波路上に
レンズ状またはプリズム状の電極を２つ以上数べて形成
して構成されている。
作　　用 この構成によって、電極にバイアスすることによシ、バ
イアスされた電極直下の屈折率を変動させることができ
、バイアスされた電極の組合せに応じて、伝搬光の焦点
位置や伝搬方向が決まることになる。
実施例 第１図は本発明の実施例における光集積回路装置の構造
を示すものである。第１図において１はｎ−ＧａＡｇ基
板、２はｎ　−Ａｌ、Ｇａ１−、Ａｓ　クラッド層、３
はｎ−ＧａＡｓ導波路、４はレンズ状のショットキー電
極、５はｎ型オーミック電極である。
本発明の光集積回路は以下に示すように作製される。ｎ
−ＧａＡｓ基板１（１００）面上に”　”０．２Ｇａｃ
）、８Ａｓ層２を１．　ｓ　μｍ、　ｎ−ＧａＡｓ層３
を１μｍエピタキシャル成長によシ形成する。次に、Ｇ
ａＡｓ基板側にＡｕＧｅＮｉによジオ−ミック電極５を
形成する。
最後にｎ−ＧａＡｓ層３上にＴｉ　−Ｐｔ−Ａｕによシ
レンズ状のショットキー電極４を形成して完成する。
以上のように構成された光集積回路の電極６と７．８．
９間にバイアスし、ショットキー電極４直下の光導波路
３に空乏層が形成されるようにすると、空乏層部分の屈
折率が増大し、入射光は焦点をむすぶ。入射光の焦点の
位置は、電極７．８゜９のバイアス状態をかえることに
よシ数鵡変えることができた。又、本発明の回路では、
ショットキー電極のバイアスを空乏層幅が零になるよう
に５ページ 選ぶことによシ、レンズ効果をもたない光導波路として
も使える利点をもっている。
なお、本実施例では、半導体光導波路にショットキーに
よシレンズ状電極を形成したが、電極の形状はレンズの
みに限る必要はなく、屈折率変化によって機能するすべ
ての光学部品を形成することができる。又、ショットキ
ー電極でなく、ｐ−ｎ接合を形成することもできる。光
導波路もＬｉＮｂＯ３等の誘電体基板上に形成すること
もできる。
発明の効果 以上のように本発明は光導波路上にレンズ形状あるいは
プリズム形状の電極を２つ以上数べて形成し、バイアス
をかける電極を選ぶことによシ、左の焦点位置をかえる
ことができ、その実用的効果は大なるものがある。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明の一実施例における光集積回路の斜視図
、第２図、第３図は従来の光集積回路の斜視図である。 １・・・・・・ｎ−ＧａＡｓ基板、２・・・・・・ｎ−
ＡｌＧａＡｓｌＧａＡｓクラ ラ６ベージ・・・・・ｎ−ＧａＡｓ導波路、４・・・・
・・電極。

Claims (5)

    【特許請求の範囲】
  1. （１）基板表面に光導波路があり、前記光導波路表面に
    レンズ形状又はプリズム形状の電極を２つ以上近接させ
    て有することを特徴とする光集積回路装置。
  2. （２）電極が、絶縁体−金属構造を有することを特徴と
    する特許請求の範囲第１項記載の光集積回路装置。
  3. （３）光導波路が誘電体または半導体であることを特徴
    とする特許請求の範囲第１項または第２項記載の光集積
    回路装置。
  4. （４）電極と光導波路間にショットキー接合を有するこ
    とを特徴とする特許請求の範囲第１項、第２項または第
    ３項記載の光集積回路装置。
  5. （５）電極と光導波路間にｐｎ接合を有することを特徴
    とする特許請求の範囲第１項または第３項記載の光集積
    回路装置。
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