JPS6317847A - 光学活性6−アルコキシナフタレン−2−カルボン酸エステル化合物および液晶 - Google Patents
光学活性6−アルコキシナフタレン−2−カルボン酸エステル化合物および液晶Info
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- JPS6317847A JPS6317847A JP16238286A JP16238286A JPS6317847A JP S6317847 A JPS6317847 A JP S6317847A JP 16238286 A JP16238286 A JP 16238286A JP 16238286 A JP16238286 A JP 16238286A JP S6317847 A JPS6317847 A JP S6317847A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は新規な6−アルコキシナフタレン−2−カルボ
ン酸エステル化合物に関する。
ン酸エステル化合物に関する。
かかる6−アルコキシナフタレン−2−カルボン酸エス
テル化合物は、液晶性化合物として有用である。 液晶
には、ネマチック液晶、スメクチック液晶、コレステリ
ック液晶があるが、本発明の化合物はその内スメクチッ
ク液晶、特に強誘電性を有し、表示素子材料として有用
なカイラルスメクチックC液晶である。 また、かかる
カイラルスメクチック液晶は、光プリンターヘッド、光
フ−リエ変換素子、ライトバルブ等の光エレクトロニク
ス紫子にも使用可能である。
テル化合物は、液晶性化合物として有用である。 液晶
には、ネマチック液晶、スメクチック液晶、コレステリ
ック液晶があるが、本発明の化合物はその内スメクチッ
ク液晶、特に強誘電性を有し、表示素子材料として有用
なカイラルスメクチックC液晶である。 また、かかる
カイラルスメクチック液晶は、光プリンターヘッド、光
フ−リエ変換素子、ライトバルブ等の光エレクトロニク
ス紫子にも使用可能である。
カイラルスメクチックCi夜晶は、ピッチ長さのかなり
長いらせん構造を有するが、そのらせん構造のピッチ長
きよりも短いセルギャップのセル中では、残留自発分極
を示し、外部電場に対して極めて早い速度(1〜100
マイクロ秒)で応答し、かつメモリー注も示す(N、A
、C1arkらApp 1.Phys、Let t、、
36,899(1980)参照)。
長いらせん構造を有するが、そのらせん構造のピッチ長
きよりも短いセルギャップのセル中では、残留自発分極
を示し、外部電場に対して極めて早い速度(1〜100
マイクロ秒)で応答し、かつメモリー注も示す(N、A
、C1arkらApp 1.Phys、Let t、、
36,899(1980)参照)。
カイラルスメクチックC液晶の高速の光スイツチング現
象を利用すれば、従来のねじれネマチック型液晶表示素
子に比べて、みかに高速応答性の液晶表示素子の製作が
可能になり、大画面の液晶表示装置の実用化を図ること
ができる。
象を利用すれば、従来のねじれネマチック型液晶表示素
子に比べて、みかに高速応答性の液晶表示素子の製作が
可能になり、大画面の液晶表示装置の実用化を図ること
ができる。
このようなカイラルスメクチ・ンク(jW晶としては、
p−デシルオキシベンジリデン−p゛−アミノ−2−メ
チルブチルシンナメート(以下DOBAMBCと略称す
る)が知られている(R,B。
p−デシルオキシベンジリデン−p゛−アミノ−2−メ
チルブチルシンナメート(以下DOBAMBCと略称す
る)が知られている(R,B。
M e y e rら J、Ge Phys ! q
ue 4旦、L−69(1975)参照)。
ue 4旦、L−69(1975)参照)。
6−アルコキシナフタレン−2−カルボン酸ニーステル
骨格を持つネマチック液晶はいくつか報告されているが
、スメクチック液晶の例;よ少なく、特にスメクチック
C液晶と同定きねでいるのば6−n−アルコキシナフタ
レン−2−カルボン酸−4”−n−アルニキシフェニル
エステルが殆ど准−の例である(D、Coates
arid G、W。
骨格を持つネマチック液晶はいくつか報告されているが
、スメクチック液晶の例;よ少なく、特にスメクチック
C液晶と同定きねでいるのば6−n−アルコキシナフタ
レン−2−カルボン酸−4”−n−アルニキシフェニル
エステルが殆ど准−の例である(D、Coates
arid G、W。
Gray、 Mo1. Cryst、 Li
q、 Cryst、Vol、41.p197 (1
978)参照)。
q、 Cryst、Vol、41.p197 (1
978)参照)。
しかしながら、DOBAMBCはシッフ塩基構造を持つ
ために、水分に対して不安定であり、また桂皮酸のエチ
レン構造が光に対して不安定であるという重大な欠点を
有する。 すなわち、耐候性が悪いため液晶として広範
に使用することができない。
ために、水分に対して不安定であり、また桂皮酸のエチ
レン構造が光に対して不安定であるという重大な欠点を
有する。 すなわち、耐候性が悪いため液晶として広範
に使用することができない。
〔問題点を解決するための手段および作用〕本発明者ら
は、耐候性に優れた新規なカイラルスメクチックC液晶
性を示す化合物を提供することを目的として、鋭意検討
した結果、−S式(I)(式中、Rユは炭素数6〜18
のアルキル基を示し、R2は光学活性アルキル基、Xは
炭素原子または窒素原子を示す) で表わきれる、光学活性6−アルコキシナフタレン−2
−カルボン酸エステル化合物を見い出し、ざらにかかる
化合物が、室温付近の温度範囲において目的とするカイ
ラルスメクチックC液晶となることを見い出し、本発明
に到達した。 また、かかる化合物は他の液晶性化合物
との相互溶解性がよいため、液晶組成物の一成分として
用いれば、液晶組成物のカイラルスメクチックC相の液
晶温度範囲の拡張に効果的である。一般式(1)におけ
るR1は炭素数6〜18のアルキル基である。
は、耐候性に優れた新規なカイラルスメクチックC液晶
性を示す化合物を提供することを目的として、鋭意検討
した結果、−S式(I)(式中、Rユは炭素数6〜18
のアルキル基を示し、R2は光学活性アルキル基、Xは
炭素原子または窒素原子を示す) で表わきれる、光学活性6−アルコキシナフタレン−2
−カルボン酸エステル化合物を見い出し、ざらにかかる
化合物が、室温付近の温度範囲において目的とするカイ
ラルスメクチックC液晶となることを見い出し、本発明
に到達した。 また、かかる化合物は他の液晶性化合物
との相互溶解性がよいため、液晶組成物の一成分として
用いれば、液晶組成物のカイラルスメクチックC相の液
晶温度範囲の拡張に効果的である。一般式(1)におけ
るR1は炭素数6〜18のアルキル基である。
また、一般式(I)におけるR2は光学活性アルキル基
であり、好ましく使用できるものとして光学活性2−メ
チルブチル基、2−メチルペンチル基、2−メチルヘキ
シル基、2−メチルヘプチル基、2−メチルオクチル基
、1−メチルプロピル基、1−メチルブチル基、1−メ
チルペンチル基、1−メチルヘキシル基、1−メチルヘ
プチル基、3−メチルペンチル基、3−メチルヘキシル
基、3−メチルへブチル基、5−メチルヘプチル基など
を例示することができ、光学活性2−メチルブチル基の
使用が特に好ましい。
であり、好ましく使用できるものとして光学活性2−メ
チルブチル基、2−メチルペンチル基、2−メチルヘキ
シル基、2−メチルヘプチル基、2−メチルオクチル基
、1−メチルプロピル基、1−メチルブチル基、1−メ
チルペンチル基、1−メチルヘキシル基、1−メチルヘ
プチル基、3−メチルペンチル基、3−メチルヘキシル
基、3−メチルへブチル基、5−メチルヘプチル基など
を例示することができ、光学活性2−メチルブチル基の
使用が特に好ましい。
本発明の一般式(I)の光学活性6−アルコキシナフタ
レン−2−カルボン酸エステル化合物は、構造成分とし
てアゾメチン基、アゾ基、アゾキシ基、エチニル基など
水分や光に対して不安定な官能基を持たず、安定なエス
テル基およびエーテル基のみから成り立っているので、
非常に優れた耐候性を有すると共に、室温付近の温度範
囲でカイラルスメクチックC液晶となるので、実用性が
高い。
レン−2−カルボン酸エステル化合物は、構造成分とし
てアゾメチン基、アゾ基、アゾキシ基、エチニル基など
水分や光に対して不安定な官能基を持たず、安定なエス
テル基およびエーテル基のみから成り立っているので、
非常に優れた耐候性を有すると共に、室温付近の温度範
囲でカイラルスメクチックC液晶となるので、実用性が
高い。
一般式(I)の光学活性6−アルコキシナフタシン−2
−カルボン酸エステル化合物は、以下に述べる反応式に
従って合成することがで伊る。
−カルボン酸エステル化合物は、以下に述べる反応式に
従って合成することがで伊る。
−一−−−→ (r)
式(11)の化合物を過剰量の塩化チオニルと数時間加
熱還流した後、未反応の塩化チオニルを減圧留去で除去
して、対応する酸塩化物(Ill)を得る。 次に、酸
塩化物(IIりをベンゼン、トルエンなどの芳香族炭化
水素溶媒に溶かし、とリジン、トリエチルアミンなどの
有機塩基化合物の存在下で6−ヒトロキシピリジンー3
−カルボン酸または4−ヒドロキシ安息香酸光学活性ア
ルキルエステル(TV)と室温又は加熱条件下で数時間
反応させて、一般式(1)の化合物を合成する。 1斗
られな粗製の化合物(I)はカラムクロマトグラフィー
、再結晶など常法に従って精製する。
熱還流した後、未反応の塩化チオニルを減圧留去で除去
して、対応する酸塩化物(Ill)を得る。 次に、酸
塩化物(IIりをベンゼン、トルエンなどの芳香族炭化
水素溶媒に溶かし、とリジン、トリエチルアミンなどの
有機塩基化合物の存在下で6−ヒトロキシピリジンー3
−カルボン酸または4−ヒドロキシ安息香酸光学活性ア
ルキルエステル(TV)と室温又は加熱条件下で数時間
反応させて、一般式(1)の化合物を合成する。 1斗
られな粗製の化合物(I)はカラムクロマトグラフィー
、再結晶など常法に従って精製する。
式(II)の化合物はβ−ナフトールカリウム塩(V)
と二酸化炭素を反応させて得らnる6−ヒトロキシナフ
タレンー2−カルボンfl(Vr)(特開昭57−95
939号公報参照)を、常法に従ってエタノールと水酸
化カリウム水溶液中で炭票数6〜18のフルキルハライ
ド、好ましくはアルキルブロマイドと反応きせることに
よって容易に合成することができる。
と二酸化炭素を反応させて得らnる6−ヒトロキシナフ
タレンー2−カルボンfl(Vr)(特開昭57−95
939号公報参照)を、常法に従ってエタノールと水酸
化カリウム水溶液中で炭票数6〜18のフルキルハライ
ド、好ましくはアルキルブロマイドと反応きせることに
よって容易に合成することができる。
あるいは、別法として2−ブロム−6−ヒドロキシナフ
タレン(■)のヒドロキシ基をアルカリ条件下でジメチ
ル硫酸によってメチル化して2−ブロム−6−メトキシ
ナフタレン(■)を得、ニトロベンゼン溶媒中無水塩化
アルミニウム触媒の存在下で塩化アセチルと反応きせて
2−アセチル−6−メトキシナフタレン(IX)とした
後、ジオキサン溶媒中での次亜臭素酸ナトリウムによる
酸化によって6−メドキシナフタレンー2−カルボン酸
(X)とする方法も実施可能である。 化合物(X)は
酢酸溶媒中で臭化水素酸と反応きせることによフて、6
−ヒトロキシナフタレンー2−カルボンEa (VI)
に変換することができるCG。
タレン(■)のヒドロキシ基をアルカリ条件下でジメチ
ル硫酸によってメチル化して2−ブロム−6−メトキシ
ナフタレン(■)を得、ニトロベンゼン溶媒中無水塩化
アルミニウム触媒の存在下で塩化アセチルと反応きせて
2−アセチル−6−メトキシナフタレン(IX)とした
後、ジオキサン溶媒中での次亜臭素酸ナトリウムによる
酸化によって6−メドキシナフタレンー2−カルボン酸
(X)とする方法も実施可能である。 化合物(X)は
酢酸溶媒中で臭化水素酸と反応きせることによフて、6
−ヒトロキシナフタレンー2−カルボンEa (VI)
に変換することができるCG。
W、Gray and Brynmor Jones
。
。
J、 Chem、 Soc、 p678 (
1954ン参照)。 また、化合物(■)のグリニヤー
ル反応によって直接化合物(X)を合成することもでセ
る(Fr ies an−d K、Schime Is
chmidt、Ber、p2835 (1925)参照
)。
1954ン参照)。 また、化合物(■)のグリニヤー
ル反応によって直接化合物(X)を合成することもでセ
る(Fr ies an−d K、Schime Is
chmidt、Ber、p2835 (1925)参照
)。
式(IV)の化合物は、6−ヒトロキシビリジンー3−
カルボン酸または4−ヒドロキシ安息香酸を硫酸触媒の
存在下、所定の光学活性フルコールでエステル化する方
法あるいはヒドロキシ基をベンジルエーテルとして保護
した後、酸塩化物に変換して所定の光学活性アルコール
と反応させ、保護基であるベンジルエーテルを水素化分
解する方法などによって容易に合成することかできる。
カルボン酸または4−ヒドロキシ安息香酸を硫酸触媒の
存在下、所定の光学活性フルコールでエステル化する方
法あるいはヒドロキシ基をベンジルエーテルとして保護
した後、酸塩化物に変換して所定の光学活性アルコール
と反応させ、保護基であるベンジルエーテルを水素化分
解する方法などによって容易に合成することかできる。
〔実施例〕
以下、実施例に゛より本発明を更に詳細に説明するが、
本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。
本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。
実施例1
6−(6−−n−テトラデシロキシナフチル−2−一カ
ルポニルオキシ)ピリジン−3−カルボン1(S)−2
−メチルブチルエステル(一般式(I)においてR1=
C14Hl、R2= (S)−2−メチルブチル、X
=N) 6−ヒトロキシビリジンー3−カルボン酸20゜Og
(0,144モル)、(S)−2−メチルブチルアルコ
ール37.95g (0,431モル)、濃硫酸8.9
mlおよびトルエン70m1の混合、々を、副生水を共
沸除去しながら100時間加熱還流た。冷却後クロロホ
ルム200m1を加えて生成エステルを抽出し、クロロ
ホルム層を5%炭酸ナトリウム水溶液で2回洗浄した後
水洗して、無水硫酸ナトリウムで乾燥した。溶媒を減圧
留去して得られた粗生成物を、シリカゲルカラムクロマ
トグラフィーおよびn−ヘキサン/酢酸エチル混合溶媒
からの再結晶によって精製し、6−ヒトロキシビリジン
ー3−カルボン酸 (S)−2−メチルブチルエステル
14.148 (収率47%)を得た。この化合物の融
点は103〜4℃であった。
ルポニルオキシ)ピリジン−3−カルボン1(S)−2
−メチルブチルエステル(一般式(I)においてR1=
C14Hl、R2= (S)−2−メチルブチル、X
=N) 6−ヒトロキシビリジンー3−カルボン酸20゜Og
(0,144モル)、(S)−2−メチルブチルアルコ
ール37.95g (0,431モル)、濃硫酸8.9
mlおよびトルエン70m1の混合、々を、副生水を共
沸除去しながら100時間加熱還流た。冷却後クロロホ
ルム200m1を加えて生成エステルを抽出し、クロロ
ホルム層を5%炭酸ナトリウム水溶液で2回洗浄した後
水洗して、無水硫酸ナトリウムで乾燥した。溶媒を減圧
留去して得られた粗生成物を、シリカゲルカラムクロマ
トグラフィーおよびn−ヘキサン/酢酸エチル混合溶媒
からの再結晶によって精製し、6−ヒトロキシビリジン
ー3−カルボン酸 (S)−2−メチルブチルエステル
14.148 (収率47%)を得た。この化合物の融
点は103〜4℃であった。
6−n−テトラデシロキシナフタレン−2−カルボン6
1.15g C3−○ミリモル)を塩化チオニル4ml
に加えて、2時間加熱還流した後、未反応の塩化チオニ
ルを減圧留去した。 得られた粗製の酸塩化物をトルエ
ン15m1に加えて溶解した後、6−ヒトロキシビリジ
ンー3−カルボン酸 (S)−2−メチルブチルエステ
ル0.84g (4,0ミリモル)、トリエチルアミン
2゜02g (20ミリモル)およびトルエン5mlの
混合物に室温で加えて、4時間加熱還流した。放冷後、
反応混合物をろ過し、ろ液を順次I N−HCl、lN
−NaOHおよび飽和食塩水で洗浄し、無水硫酸マグネ
シウムで乾燥した。 溶媒を減圧留去して得られた粗製
物をシリカゲルカラムクロマトグラフィーおよびエタノ
ール溶媒からの再結晶によって精製した。 6−(6=
−n−テトラデシロキシナフチル−2′−カルボニルオ
キシ)ピリジン−3−カルボンa(S)−2−メチルブ
チルエステルの収量は0.70gで収率40%であワた
。
1.15g C3−○ミリモル)を塩化チオニル4ml
に加えて、2時間加熱還流した後、未反応の塩化チオニ
ルを減圧留去した。 得られた粗製の酸塩化物をトルエ
ン15m1に加えて溶解した後、6−ヒトロキシビリジ
ンー3−カルボン酸 (S)−2−メチルブチルエステ
ル0.84g (4,0ミリモル)、トリエチルアミン
2゜02g (20ミリモル)およびトルエン5mlの
混合物に室温で加えて、4時間加熱還流した。放冷後、
反応混合物をろ過し、ろ液を順次I N−HCl、lN
−NaOHおよび飽和食塩水で洗浄し、無水硫酸マグネ
シウムで乾燥した。 溶媒を減圧留去して得られた粗製
物をシリカゲルカラムクロマトグラフィーおよびエタノ
ール溶媒からの再結晶によって精製した。 6−(6=
−n−テトラデシロキシナフチル−2′−カルボニルオ
キシ)ピリジン−3−カルボンa(S)−2−メチルブ
チルエステルの収量は0.70gで収率40%であワた
。
この化合物の赤外吸収スペクトルを第1図に示す。また
、’HNMRスペクトル(CDC1m、TMS内部標準
)のδ(ppm)は下記の通りであった。
、’HNMRスペクトル(CDC1m、TMS内部標準
)のδ(ppm)は下記の通りであった。
7.13〜9.11 (m、9H1ピリジン環およびナ
フタレン環) 4.21 (d、J=6Hz、2H,O−Ω上ニーC
H) 4.09 (t、J=6Hz、2H10−ΩEユCHz
) 0.7〜2.10 (m、36H) この化合物の元素分析の結果は下記の通りであり、理論
値と良く一致した。理論値(C3GH49NO1として
)C75,10% 88.58% N2.43% 分析
値 C75,0%H8,6% N 2.4%。
フタレン環) 4.21 (d、J=6Hz、2H,O−Ω上ニーC
H) 4.09 (t、J=6Hz、2H10−ΩEユCHz
) 0.7〜2.10 (m、36H) この化合物の元素分析の結果は下記の通りであり、理論
値と良く一致した。理論値(C3GH49NO1として
)C75,10% 88.58% N2.43% 分析
値 C75,0%H8,6% N 2.4%。
以上の分析データにより、この化合物を6−(6=−n
−テトラデシロキシナフチル−2−一カルポニルオキシ
)ピリジン−3−カルボン酸(S)−2−メチルブチル
エステルと同定した。
−テトラデシロキシナフチル−2−一カルポニルオキシ
)ピリジン−3−カルボン酸(S)−2−メチルブチル
エステルと同定した。
また、この化合物の融点は56.6℃であり、降温時に
下記の液晶相転移を示し、室温付近でモノトロピックな
カイラルスメクチックC相を有していた。
下記の液晶相転移を示し、室温付近でモノトロピックな
カイラルスメクチックC相を有していた。
75.3@35.6” 30.6゜■(液体)→
SA−+Sc8→C(結晶)実施例2〜3 実施例1における6−n−テトラデシロキシナフタレン
−2−カルボン酸を目的物に対応する6−n−アルコキ
シナフタレン−2−カルボン酸に変更した他は、実施例
1と全く同様にして下記の6−(6−−n−アルコキシ
ナフチル−2′−カルボニルオキシ)ピリジン−3−カ
ルボン酸(S)−2−メチルブチルエステルを合成した
。
SA−+Sc8→C(結晶)実施例2〜3 実施例1における6−n−テトラデシロキシナフタレン
−2−カルボン酸を目的物に対応する6−n−アルコキ
シナフタレン−2−カルボン酸に変更した他は、実施例
1と全く同様にして下記の6−(6−−n−アルコキシ
ナフチル−2′−カルボニルオキシ)ピリジン−3−カ
ルボン酸(S)−2−メチルブチルエステルを合成した
。
実施例26−(6−−n−ドブシロキシナフチル−2′
−カルボニルオキシ)ピリジン−3−カルボン酸 (S
)−2−メチルブチルエステル(一般式(I)において
R1=Cx:H:s、Rz=(S)−2−メチルブチル
、X=N) 実施例36−(6−−n−オクチロキシナフチル−2′
−カルボニルオキシ)ピリジン−3−カルボン11(S
)2−メチルブチルエステル(一般式(I)においてR
l= Cs Hs ?、R,=(S)−2−メチルブチ
ル、X=N) これらの化合物の同定は、赤外吸収スペクトル、”I(
NMRスペクトル(CDC13,7MS内部標準)およ
び元素分析によって行なった。
−カルボニルオキシ)ピリジン−3−カルボン酸 (S
)−2−メチルブチルエステル(一般式(I)において
R1=Cx:H:s、Rz=(S)−2−メチルブチル
、X=N) 実施例36−(6−−n−オクチロキシナフチル−2′
−カルボニルオキシ)ピリジン−3−カルボン11(S
)2−メチルブチルエステル(一般式(I)においてR
l= Cs Hs ?、R,=(S)−2−メチルブチ
ル、X=N) これらの化合物の同定は、赤外吸収スペクトル、”I(
NMRスペクトル(CDC13,7MS内部標準)およ
び元素分析によって行なった。
実施例2および3の化合物の液晶相転移の測定結果を、
実施例1の結果と共に第1表に示す。
実施例1の結果と共に第1表に示す。
実施例4
実施例1における6−n−テトラデシロキシナフタレン
−2−カルボン酸を6−n−ドブシロキシナフタレン−
2−カルボン酸に、また6−ヒトロキシビリジンー3−
カルボンH(S)2−メチルブチルエステルを4−ヒド
ロキシ安息香酸 (S)−2−メチルブチルエステルに
変更した他は、実施例1と全く同様にして4−(6′−
n−ドブシロキシナフチル−2′−カルボニルオキシ)
安息香Ea (S) 2−メチルブチルエステル(
一般式(I)においてR1=C12H2SXR2= (
S)−2−メチルブチル、X=C)を合成した。
−2−カルボン酸を6−n−ドブシロキシナフタレン−
2−カルボン酸に、また6−ヒトロキシビリジンー3−
カルボンH(S)2−メチルブチルエステルを4−ヒド
ロキシ安息香酸 (S)−2−メチルブチルエステルに
変更した他は、実施例1と全く同様にして4−(6′−
n−ドブシロキシナフチル−2′−カルボニルオキシ)
安息香Ea (S) 2−メチルブチルエステル(
一般式(I)においてR1=C12H2SXR2= (
S)−2−メチルブチル、X=C)を合成した。
この化合物の赤外吸収スペクトルを第2図に示す。 ま
た、”HNMRスペクトル(CDC13、TMS内部標
準)のδ(ppm)は下記の通りであった。
た、”HNMRスペクトル(CDC13、TMS内部標
準)のδ(ppm)は下記の通りであった。
7.13〜8.68 (m、10H1ベンゼン環および
ナフタレン環) 4.18 (dSJ=6Hz、2H,O−Ω上ニーCH
) 4.09 (tSJ=6Hz、2H,O−ΩB1CH2
) 0.7〜2.10 (m、32H) この化合物の元素分析の結果は下記の通りであり、理論
値と良く一致した。 理論値(C3sH4g05として
) C76,89% 88.48% 分析値 C76
,9% H8,5%以上の分析データにより、この化合
物を4−(6′−n−ドブシロキシナフチル−2′−カ
ルボニルオキシ)安息香酸 (S)−2−メチルブチル
エステルと量定した。
ナフタレン環) 4.18 (dSJ=6Hz、2H,O−Ω上ニーCH
) 4.09 (tSJ=6Hz、2H,O−ΩB1CH2
) 0.7〜2.10 (m、32H) この化合物の元素分析の結果は下記の通りであり、理論
値と良く一致した。 理論値(C3sH4g05として
) C76,89% 88.48% 分析値 C76
,9% H8,5%以上の分析データにより、この化合
物を4−(6′−n−ドブシロキシナフチル−2′−カ
ルボニルオキシ)安息香酸 (S)−2−メチルブチル
エステルと量定した。
この化合物の液晶相転移温度を第1表に示す。
(以下余白)
実施例5
(W、晶組成物)
実施例1の6−(6=−n−テトラデシロキシナフチル
−2′−カルボニルオキシ)ピリジン−3−カルボンm
(S)−2−メチルブチルエステル(一般式(I)にお
いてR1=C14H29、R2= (S)−2−メチル
ブチル、X=N)と下記構造式(XI)の6−(4=−
n−デシルビフェニル−4−カルボニルオキシ)ピリジ
ン−3−カルボン酸 (S)−2−メチルブチルエステ
ルを等モル量混合して液晶組成物を調製した。
−2′−カルボニルオキシ)ピリジン−3−カルボンm
(S)−2−メチルブチルエステル(一般式(I)にお
いてR1=C14H29、R2= (S)−2−メチル
ブチル、X=N)と下記構造式(XI)の6−(4=−
n−デシルビフェニル−4−カルボニルオキシ)ピリジ
ン−3−カルボン酸 (S)−2−メチルブチルエステ
ルを等モル量混合して液晶組成物を調製した。
この液晶組成物の融点は26℃であり、降温時の相転移
温度は下記の通りであって、室温付近でエナンチオトロ
ピックなカイラルスメクチックC相を有していた。
温度は下記の通りであって、室温付近でエナンチオトロ
ピックなカイラルスメクチックC相を有していた。
なお、化合物(XI)単独の降温時の相転移温度は下記
の通りである。
の通りである。
一一→C(結晶)
実施例6
(液晶組成物)
実施例3の6−(6′−n−ドブシロキシナフチル−2
′−カルボニルオキシ)ピリジン−3−カルボンfl(
S)−2−メチルブチルエステル(一般式(I)におい
てR+=Ct:Hzs、R2=(S)−2−メチルブチ
ル、X=N)と下記構造式(X II )の6−(4=
−n−ヘキサデシロキシベンゾイルオキシ)ピリジン−
3−カルボン酸(S)−2−メチルブチルエステルを等
モルNH合して液晶組成物を調製した。
′−カルボニルオキシ)ピリジン−3−カルボンfl(
S)−2−メチルブチルエステル(一般式(I)におい
てR+=Ct:Hzs、R2=(S)−2−メチルブチ
ル、X=N)と下記構造式(X II )の6−(4=
−n−ヘキサデシロキシベンゾイルオキシ)ピリジン−
3−カルボン酸(S)−2−メチルブチルエステルを等
モルNH合して液晶組成物を調製した。
この液晶組成物の融点は21℃であり、降温時の相転移
温度は下記の通りでありで、室温付近でエナンチオトロ
ピックなカイラルスメクチックC相を有していた。
温度は下記の通りでありで、室温付近でエナンチオトロ
ピックなカイラルスメクチックC相を有していた。
なお、化合物(XII)単独の融点ミよ41℃であり、
降温時の相転移温度は下記の通りである。
降温時の相転移温度は下記の通りである。
実施例7
(液晶組成物)
実施例4の4−(6−−n−ドブシロキシナフチル−2
′−カルボニルオキシ)安50、香H(S)−2−メチ
ルブチルエステル(一般式(I)においてRユ”Cl2
82%、R2= (S)−2−メチルブチル、X=C)
と実施例5の化合物(XI)を等モル量混合して液晶組
成物を調製した。
′−カルボニルオキシ)安50、香H(S)−2−メチ
ルブチルエステル(一般式(I)においてRユ”Cl2
82%、R2= (S)−2−メチルブチル、X=C)
と実施例5の化合物(XI)を等モル量混合して液晶組
成物を調製した。
この液晶組成物の融点は40℃であり、降温時の相転移
温度は下記の通りであって、実施例4の化合物単独では
カイラルスメクチックC相を持たないにもかかわらず、
混合物にすることにより室温付近でエナンチオトロピッ
クなカイラルスメクチックC相を有していた。
温度は下記の通りであって、実施例4の化合物単独では
カイラルスメクチックC相を持たないにもかかわらず、
混合物にすることにより室温付近でエナンチオトロピッ
クなカイラルスメクチックC相を有していた。
本発明によれば、新規な6−アルコキシナフタレン−2
−カルボン酸エステル化合物を提供できる。また、本発
明の化合物は水分や光に対して安定であり、蟹れた耐候
性を有すると共に室温付近の温度範囲でカイラルスメク
チックC液晶となる。
−カルボン酸エステル化合物を提供できる。また、本発
明の化合物は水分や光に対して安定であり、蟹れた耐候
性を有すると共に室温付近の温度範囲でカイラルスメク
チックC液晶となる。
第り図は実施例1の化合物である6−(6−−n−テト
ラデシロキシナフチル−2′−カルボニルオキシ)ピリ
ジン−3−カルボンH(S)−2−メチルブチルエステ
ル、第2図は実施例4の化合物である4−(6−−n−
ドブシロキシナフチル−2′−カルボニルオキシ)安息
香酸 (S)−2−メチルブチルエステルの赤外吸収ス
ペクトルのチャートである。 特許出願大東し株式会社
ラデシロキシナフチル−2′−カルボニルオキシ)ピリ
ジン−3−カルボンH(S)−2−メチルブチルエステ
ル、第2図は実施例4の化合物である4−(6−−n−
ドブシロキシナフチル−2′−カルボニルオキシ)安息
香酸 (S)−2−メチルブチルエステルの赤外吸収ス
ペクトルのチャートである。 特許出願大東し株式会社
Claims (3)
- (1)一般式( I ) ▲数式、化学式、表等があります▼( I ) (式中、R_1は炭素数6〜18のアルキル基を示し、
R_2は光学活性アルキル基、Xは炭素原子または窒素
原子を示す) で表わされる、光学活性6−アルコキシナフタレン−2
−カルボン酸エステル化合物。 - (2)一般式( I )のR_2が光学活性な2−メチル
ブチル基である特許請求の範囲第1項記載の光学活性6
−アルコキシナフタレン−2−カルボン酸エステル化合
物。 - (3)一般式( I ) ▲数式、化学式、表等があります▼( I ) (式中、R_1は炭素数6〜18のアルキル基を示し、
R_2は光学活性アルキル基、Xは炭素原子または窒素
原子を示す) で表わされる、光学活性6−アルコキシナフタレン−2
−カルボン酸エステル化合物からなる液晶。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP16238286A JPS6317847A (ja) | 1986-07-10 | 1986-07-10 | 光学活性6−アルコキシナフタレン−2−カルボン酸エステル化合物および液晶 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP16238286A JPS6317847A (ja) | 1986-07-10 | 1986-07-10 | 光学活性6−アルコキシナフタレン−2−カルボン酸エステル化合物および液晶 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6317847A true JPS6317847A (ja) | 1988-01-25 |
Family
ID=15753516
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP16238286A Pending JPS6317847A (ja) | 1986-07-10 | 1986-07-10 | 光学活性6−アルコキシナフタレン−2−カルボン酸エステル化合物および液晶 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6317847A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5061399A (en) * | 1986-04-28 | 1991-10-29 | The Secretary Of State For Defence In Her Britannic Majesty's Government Of The United Kingdom Of Great Britain And Northern Ireland | Optically active naphthalene compounds and liquid crystal materials and devices incorporating them |
US5072021A (en) * | 1986-12-26 | 1991-12-10 | Mitsui Toatsu Chemicals, Inc. | Optically active naphthalene derivatives |
EP0478387A2 (en) * | 1990-09-28 | 1992-04-01 | Sharp Kabushiki Kaisha | Ferroelectric liquid crystal composition and use thereof |
-
1986
- 1986-07-10 JP JP16238286A patent/JPS6317847A/ja active Pending
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5061399A (en) * | 1986-04-28 | 1991-10-29 | The Secretary Of State For Defence In Her Britannic Majesty's Government Of The United Kingdom Of Great Britain And Northern Ireland | Optically active naphthalene compounds and liquid crystal materials and devices incorporating them |
US5072021A (en) * | 1986-12-26 | 1991-12-10 | Mitsui Toatsu Chemicals, Inc. | Optically active naphthalene derivatives |
EP0478387A2 (en) * | 1990-09-28 | 1992-04-01 | Sharp Kabushiki Kaisha | Ferroelectric liquid crystal composition and use thereof |
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