JPS63173395A - 透明電磁波シ−ルド材 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は可視光を透過し、工Ｃ回路などに障害を持たら
す電磁波を反射する透明電磁波シールド材に関するもの
である。

〔従来の技術〕

電磁波シールド材は、ＸＣやＬＳＩ回路の保護材として
利用されてお）、種々のものが提案されて−る。

しかし、これらは通常、透明でないものが多い。透明な
ものは、例えば、魚群探知機の表示画面といったところ
で要求されるが、従来、提案されてｂるものは利用でき
ない。最近、透明な電磁波シールド材として、例えば、
透明な合成樹脂フィルム上に金を積層したフィルム状の
ものが提案されている。

しかし、このシールド材はシールド効果が不十分であシ
、シールド効果を高めるためには、金の膜厚をかなシ厚
くする必要があるが、その場途は、透過嘉が下がシ、フ
ィルムを通して反対側の物が見えにくくなるという問題
点があった。

〔発明が解決しようとする問題点〕

そこで、シールド効果が十分で、しかも透明性の良いも
の、特に可視光領域の透過寵が７ｊ％以上のものが要求
されていた。

ｃ問題点を解決するための手段〕 本発明の透明電磁波シールド材は、図７及び図２に示す
ようにフィルム／貴金属層／誘電体層あるいは、フィル
ム／誘電体層／貴金属層／誘電体層といった積層構造を
有する膜である。

貴金属層は、電磁波を反射し、通過させな−、シールド
効果を発揮する役割を荷う。ここでシールド効果（Ｓ、
Ｅ、）　（ｓｅａｌｅｄ　ｅｆｆｅｃｔ）は次式で定義
される。

Ｓ、Ｅ、（ｄＢ）　＝　、２θ×１０ｇ５ｏ　（ＥＯ／
Ｂｓ　）Ｓ、Ｅ、はａＥ　（デシベル）という単位を有
す。

ＥＯは入射電磁場であ）、Ｅｌは通過した電磁場である
。

表面に設けた誘電体層は、貴金属層の保護層としての役
割のみならず、反射防止膜としての役割を果たしている
。ここで−う反射防止とは、可視光の反射を防止する事
により、可視光の透過藁を増加させることをＡう。

この反射防止効果は、膜厚と屈折尤によって、最小反射
波長が規定され、次式によって示される。

ｎａ＝＝（ｍ十％）λ／、２ （ｎ：屈折藁、ｄ：膜厚、λ：波長、ｍ　＝　ｏ　、八
λ・・・）すなわち、ｎけ物質によって定まるので、膜
厚の調節によって、反射兎最小（透過元最大）の波長を
選択する事ができる。

誘電体層は貴金属層を検数するため、貴金属層の表面側
に図７のように形成されるが、さらに図２のようにフィ
ルム側にも下地層を形成すると、可視光透過ｘ２さらに
高める効果、及びの 貴金属層？酸化による劣化を防ぐ効果が加わる。

劣化とはすなわち、フィルムを通して侵入してくる水分
と貴金属層が接触し、酸化反応が生じる事を指す。誘電
体層を貴金属層の下地層として設けるとこの水分の侵入
を阻止することができ、該フィルムの耐久性が向上する
。

フィルムの種類としては、通常、ポリエチレンテレフタ
レート、ポリサルフオン、ボυエーテルサルフオンなど
の透明フィルムであるが、好ましくはポリエチレンテレ
フタレートが良い。

厚みは３０μｍ　−、！　００μｍが好ましい。

貴金属の種類としては、Ａｕ、　Ａｇ、　、Ｒｕ、　Ｒ
ｈ。

ｐ（１，ｏｓ、工ｒ％ｐｔ　　などが挙げられるが、好
ましくは、ＡｇおよびＡｇとＡｕの合金である。合金の
場合銀の含有出はｔｏ重量％以上が好ましい。

貴金属層の膜厚は、ｊθ〜３００λが好ましい。！Ｏλ
以下の場合シールド効果が著しく悪いため、実用性に乏
しい。３０ｏＡ以上の場合、透過栗が著しく低下し、誘
電体層の厚さを、込くら微妙に変化させても、７０％以
下のものしか得られない。

誘電体の種類としては、例えば、２−＆価金属の酸化物
、窒化物、硫化物であシ、酸化物が好ましい。これら金
属の具体例としては、工ｎ％Ｓｎ％Ｚｎ％Ｓ１、Ｔｉ又
はこれらの混合物であ〕、特に好ましくは、Ｉｎ、ｏ、
　、ｓｍｏ、及びこれらの複合酸化物（工Ｔｏ）である
。

誘電体層を貴金属層の表面側及び基板側の両方に設ける
場合、両者は同じ物質でもよく、異なっていても構わな
い。貴金属の表面側に設ける誘電体の膜厚は２０θ〜ｌ
θθθＡが望ましい。λθθλよシ薄いと可視光特にｊ
　、！　Ｏｎｍ付近での反射防止効果が小さく、高い透
過性は得られない。また、１０００λよシ厚くなると、
低反射波長が可視光領域から外れ、近赤外領域に移る。

また、基板側に設ける誘電体層の膜厚もコＯθ〜１００
θ＾が望ましい。、２０ＯＡ未満の場合、防水効果が低
減する。／１）００＾をこえると今度は低反射波長に変
化をもたらす。すなわちｊ　！　Ｏｎｍにおける透過嘉
の減少を引き起こす。

金属層及び誘電体層の形成方法としては、スパッタリン
グ法あるいは、真空蒸着法が好ましい。

スパッタリング法とは減圧槽中に窒素、アルゴン等の不
活性ガスを封入し、該不活性ガスをイオン化してターゲ
ットに照射し、ターゲットを原子または分子状態で飛散
させ、該蒸発したターゲット物質を基飯衣面に沈着させ
る方法でアリ、グロー放！スパッタリング法、マグネト
ロンスパッタリング法、イオンビームスパッタリング法
等の方式がある。

また、真空蒸着法とは高真空中で蒸着材料を加熱蒸発さ
せ、この蒸発粒子を基板上に沈着させる方法であり、加
熱方式によって、抵抗加熱法、アーク蒸発法、レーザー
加熱法、高周波加熱法、電子ビーム加熱法等がある。

本発明のシールド材は透明である事がポイントであシ、
ｊ　！　Ｏｎｍにおける透過基は７５％以上にする必要
がある。

用途としては、可視光領域で透明で、しかも、電磁波シ
ールド効果の必要な分野に適用される。

〔実施例〕

実施例１ 厚さが１００μｍで！ｊ（：）ｎｍに於ける透過基がり
０％のポリエチレンテレフタレートフィルムなる基板の
片面に、下記のスパッタリング条件で、Ａｇ層、工Ｔｏ
　（工”ＯＩｆ　：　８　ＨＱ、　＝＝り！ｗｔ％：ｊ
ｗｔ％）層の順に厚さが各々λＯθλ、乙θＯＡになる
よう、直流マグネトロンスパッタリング装置を用いて形
成した。

「ル（ツタリング条件Ｊ　　ＣＡｇ層）　　　　　　（
１７０層）雰囲気ガス：　アルゴンガス　　酸素／ｖｏ
ｌＸ含有のアルゴンガス圧力　：　ｆＸ＃）−”Ｔｏｒ
ｒ　　　どＸ／　０−”　Ｔｏｒｒパワー　　　：　　
、２０Ｗ　　　　　　　　　　　　　ｔｊＷ得られた試
料の！！Ｏｎｍに於ける透過出は２０％であった。

また、電磁波シールド効果をスペクトラムアナライザー
（タケダ理研社ＴＲ４（／７λ）を用いて測定したとこ
ろ、！ＯＯＭＨ２においてλＪｄＢであった。

実施側御 実施例／と同様な方法で、ポリエチレンテレフタレート
基板上にＡｕ層、１１０層を厚みが各々ｉｔｏλ、４ｏ
ｏｉになるよう順に形成したところ、透過’Ｊ−１１％
、シールド効果２０ｄＢであった。

実施例３ 実施例１と同様な方法で、ポリエチレンテレフタレート
基板上に、１１０層、Ａｇ層、１７０層を厚みが６０θ
λ、２ｏｏλ、４ｏｏＡになるように順に形成したとこ
ろ、透過＆Ｉ３％、シールド効果、２ｊｄＥであった。

実施例μ 実施例／と同様な方法で、ポリエチレンテレフタレート
基板上に、ｓｎｏ、層、Ａｇ層、ｓＨｏ。

層を厚みがＡｏｏλ、コＯ０λ％ｔｏＯＡになるように
順に形成したところ、透過８１３％、シールド効果ｕＪ
ａＥであった。

比較例１ ８　一 実施例／と同様な方法で、ポリエチレンテレフタレート
基板上に、Ａｇ層を厚みが、２ｏｏｉになるよう形成し
たところ、透過蹴３！Ｎ、電磁波シールド効果２３ｄＢ
であった。

比較例λ 実Ｍ　例／と同様な方法でポリエチレンテレフタレート
基板上に、Ａｕ層を厚みが／ざＯ＾になるよう形成した
ところ、透過率ｔｏ％電磁波シールド効米−〇ｄＢであ
った。

（発明の効果） 本発明により、透明性が良く、シかも耐久性の向上した
、電磁波シールド材を得ることができる。

【図面の簡単な説明】

図／及び図２は本発明の電磁波シールド材の断面を示す
説明図である。 ｌ　誘電体層 λ　貴金属層 ３　合成樹脂フィルム

Claims (5)

【特許請求の範囲】
1. （１）透明な合成樹脂フィルム上に、５０〜３００Åの
   厚さの貴金属層を有し、その表面又はその表面及び合成
   樹脂フィルム側に２００〜 １０００Åの厚さの無機誘電体層を有する積層フィルム
   であり、かつ該積層フィルムの ５５０ｎｍにおける光透過率が７５％以上であることを
   特徴とする透明電磁波シールド材。
2. （２）合成樹脂フィルムがポリエチレンテレフタレート
   フィルムである特許請求の範囲第１項記載の透明電磁波
   シールド材。
3. （３）貴金属層が銀を主体とするものである特許請求の
   範囲第１項記載の透明電磁波シールド材。
4. （４）無機誘電体層が金属酸化物よりなる特許請求の範
   囲第１項記載の透明電磁波シールド材。
5. （５）貴金属層及び無機誘電体層がスパッタリング法又
   は真空蒸着法により形成されたものである特許請求の範
   囲第１項記載の透明電磁波シールド材。