JPS6317278A - セラミツクスのメツキ法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は、無電解メッキによるセラミックスのメッキ法
に関するものである。

［従来の技術］ 従来、この種のセラミックスのメッキ法としては、乾燥
・脱脂・エツチング処理が順に施されたセラミック焼結
体の表面に、まず塩化第１１！！を主成分とした錫溶液
を用いて錫イオンを付着させ。

次いで、このようなセラミック焼結体表面の錫イオンの
上に、塩化パラジウムを主成分としたパラジウム溶液を
用いてパラジウムイオンを反応させることにより、金属
パラジウム触媒を付着して無電解メッキを行なっている
。

［発明が解決しようとする問題点］ しかしながら、上記した従来法によるメッキ方法にあっ
ては、セラミック焼結体と金属ノ（ラジウム触媒からな
るメッキ膜との間の密着強度が弱く。

このため、メッキ膜にステンレススチールなどの金属材
料をロウ付けまたは溶接等によって接合しても剥離し易
いといった問題があった。

［発明の目的］ 本発明は、上記の事情のもとになされたもので、その目
的とするところは、セラミック焼結体とメッキ膜との密
着強度を高め、かつメッキ膜に金属材料を接合しても剥
離することがないようにしたセラミックスのメッキ法を
提供することにある。

［問題点を解決するための手段］ 上記した問題点を解決するために１本発明は。

セラミック焼結体の表面に溶液を用いてエツチング処理
を施す第１工程と、この第１工程で得られたエツチング
処理後のセラミック焼結体の表面に無電解メッキ処理を
施す第２工程と、この第２工程で得られた無電解メッキ
処理後のセラミック焼結体の表面を冷間静水圧加圧装置
により加圧してメッキ膜を圧廷する第３工程とからなる
手段を備えたことを特徴としたものである。

［作　　用］ すなわち、本発明は、上記の手段とすることによって、
溶液を用いてエツチング処理が施されかつその上に無電
解メッキ処理が施されてメッキ膜が付着されたセラミッ
ク焼結体の表面を、冷間静水圧加圧装置により加圧して
前記メッキ膜を圧廷するようにしたことから、メッキ膜
はエツチング処理により生じたセラミック焼結体の表面
の粒界の穴に食い込んでクサビ効果を発揮し、これによ
って、セラミック焼結体とメッキ膜との密着強度を高め
ることができるため、メッキ膜に金属材料を接合しても
剥離することがない、また、前記セラミック焼結体の表
面のメッキ膜を圧廷するに用いられる冷間静水圧加圧装
置は、水圧で等方にメッキ膜を加圧することができるこ
とから、セラミック焼結体が複雑な形状であったり、あ
るいは肉厚が薄くても、加圧時に、セラミック焼結体に
割れ等が発生するのを確実に防止することが可能になる
。

［実　施　例］ 以下、本発明に係るセラミックスのメッキ法を図示の一
実施例を参照しながら説明する。

第１図は溶液を用いてエツチング処理を施すことにより
セラミック焼結体１の表面に粒界の穴２を形成する第１
工程を示し、第２図は前記第１工程で得られたエツチン
グ処理後のセラミック焼結体１の表面に無電解メッキ処
理を施すことによりメッキ膜３を付着させる第２工程を
示し、第３図は前記第２工程で得られた無電解メッキ処
理後のセラミック焼結体１の表面を冷間静水圧加圧装置
４内に配置して水圧Ｐにより等方に加圧して前記メッキ
膜３を圧廷してセラミック焼結体１の表面の粒界の穴２
食い込ませてなる第３工程を示し。

さらに第４図は加圧処理後のセラミック焼結体１のメッ
キ状態をそれぞれ示すもので、冷間静水圧加圧装置４に
よる加圧後のセラミック焼結体１のメッキ膜３には、図
示しない金属材料がロウ付け、または溶接等によって接
合してなるものである。

次に、本発明に係るセラミックスのメッキ法の具体例を
以下に述べる。

具体例１゜ ９２％のアルミナからなるセラミック素材の円柱を、６
０℃で乾燥後、酸性キレート系物質で脱脂し、水洗い後
、弗酸によりエツチングした。

次いで、このエツチングした円柱をＳｎ３％及びＰｂ０
．０２％を含有するコロイド溶液に４〜６分間浸漬し、
さらに水酸化ナトリウム水溶液に３〜６分間浸漬して水
洗、乾燥した。

そして、無電解ニッケル溶液を用いて前記円柱を３０℃
、３０分間の条件の下でメッキを行ない、水洗、乾燥し
た後、冷間静水圧加圧装置により圧力１５００ｋｇ／ａ
ｄで等方加圧を行なった。

このように水洗、乾燥した後の円柱に、銀ロウを用いて
ステンレススチール（ＳＵＳ４２０）の金属材料をロウ
付けして剪断接合強度を測定したところ、５０７　ｋｇ
／ａＪであった。

具体例２゜ セラミック素材として炭化珪素を用いた以外は、上述し
た具体例１と同様にしてテストピースを得て剪断接合強
度を測定したところ、６５０　ｋｇ／ｃｄであった。

比較例１゜ 冷間静水圧加圧装置による等方加圧を行なわないものは
、上述した具体例１と同様にしてアルミナ円柱のテスト
ピースを得て剪断接合強度を測定したところ、８６ｋｇ
／ａＪであった。

またこのとき、アルミナ円柱の表面からメッキ膜が剥離
してステンレススチール（ＳＵＳ４２０）の金属材料側
に銀ロウが付着した。

比較例２゜ 冷間静水圧加圧装置による等方加圧を行なわないものは
、上述した具体例２と同様にして炭化珪素のテストピー
スを得て剪断接合強度を測定したところ、７８ｋｇ／ａ
Ｊであった。

またこのとき、上述した比較例１と同様に炭化珪素円柱
の表面からメッキ膜が剥離してステンレススチール（Ｓ
ＵＳ４２０）の金属材料側に銀ロウが付着した。

なお、本発明は、上記した実施例には何等限定されない
ものであり、本発明の要旨を変えない範囲で種々変更実
施可能なことは勿論である。

［発明の効果］ 以上の説明から明らかなように、本発明によれば、セラ
ミック焼結体の表面に溶液を用いてエツチング処理を施
して粒界の穴を形成し、かつその上に無電解メッキ処理
を施してメッキ膜を付着させるとともに、このようなセ
ラミック焼結体の表面を冷間静水圧加圧装置により加圧
して前記メッキ膜を圧延してなることから、セラミック
焼結体の表面の粒界の穴にメッキ膜を食い込ませること
ができるため、セラミック焼結体とメッキ膜との間にク
サビ効果が生じて互いの密着強度を強固にすることがで
き、メッキ膜に金属材料を接合しても剥離することがな
く、しかも、冷間静水圧加圧装置により、セラミック焼
結体の表面のメッキ膜を水圧で等方に加圧することから
、セラミック焼結体が複雑な形状であったり、あるいは
肉厚が薄くても、加圧時に、セラミック焼結体に割れ等
が発生するのを確実に防止することができるというすぐ
れた効果を奏するものである。

【図面の簡単な説明】

第１＠から第４図は本発明に係るセラミックスのメッキ
法の一実施例を示すもので、第１図はセラミック焼結体
へのエツチング処理状態の第１工程を示す説明図、第２
図はセラミック焼結体への無電解メッキ処理状態の第２
工程を示す説明図、第３図はセラミック焼結体への冷間
静水圧加圧装置による加圧状態の第３工程を示す説明図
、第４図は加圧処理後のセラミック焼結体の説明図であ
（１）セラミック焼結体、　　　（２）粒界の穴。 （３）メッキ膜、　　（４）冷間静水圧加圧装置。 （Ｐ）水圧。

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. （１）セラミック焼結体の表面に溶液を用いてエッチン
   グ処理を施す第１工程と、この第１工程で得られたエッ
   チング処理後のセラミック焼結体の表面に無電解メッキ
   処理を施す第２工程と、この第２工程で得られた無電解
   メッキ処理後のセラミック焼結体の表面を冷間静水圧加
   圧装置により加圧してメッキ膜を圧延する第３工程とか
   らなることを特徴とするセラミックスのメッキ法。
2. （２）前記冷間静水圧加圧装置による加圧後のセラミッ
   ク焼結体表面のメッキ膜に、金属材料を接合してなるこ
   とを特徴とする特許請求の範囲第１項に記載のセラミッ
   クスのメッキ法。