JP2000124585A - アルミニウム−窒化アルミニウム絶縁基板の製造方法 - Google Patents
アルミニウム−窒化アルミニウム絶縁基板の製造方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 従来のアルミニウム−窒化アルミニウム絶縁
基板の製造方法においては、窒化アルミニウムとアルミ
ニウムとの間に未接欠陥が発生しやすく、また、窒化ア
ルミニウムの表面に予め酸化物を形成しなければならな
いという欠点があった。 【解決手段】 本発明のアルミニウム−窒化アルミニウ
ム絶縁基板の製造方法によれば、窒化アルミニウム基板
の両面にＡｇを含むペースト状ろう材を形成し、その上
に上記窒化アルミニウム基板を挟むようにＡｌ板材を重
ねて、真空中でろう接した後、湿式エッチング法により
所望形状のＡｌ回路及びベース板を形成し、更に、Ａｌ
部分の全面または一部にＮｉめっき層を形成する。上記
ペースト状ろう材としては、銀２０重量％以上を含むＡ
ｇ−Ａｌ系ペースト状ろう材、銀単体及び銀合金ペース
ト状ろう材、Ｔｉ、Ｍｇ、Ｓｉ、Ｚｎ、Ｓｎ、Ｃｕを１
〜１０重量％含むＡｌ−Ａｇ合金系ペースト状ろう材、
または、Ｔｉ、Ａｌ、Ｍｇ、Ｓｉ、Ｚｎ、Ｓｎ、Ｃｕを
含む銀合金系ペースト状ろう材を使用する。
基板の製造方法においては、窒化アルミニウムとアルミ
ニウムとの間に未接欠陥が発生しやすく、また、窒化ア
ルミニウムの表面に予め酸化物を形成しなければならな
いという欠点があった。 【解決手段】 本発明のアルミニウム−窒化アルミニウ
ム絶縁基板の製造方法によれば、窒化アルミニウム基板
の両面にＡｇを含むペースト状ろう材を形成し、その上
に上記窒化アルミニウム基板を挟むようにＡｌ板材を重
ねて、真空中でろう接した後、湿式エッチング法により
所望形状のＡｌ回路及びベース板を形成し、更に、Ａｌ
部分の全面または一部にＮｉめっき層を形成する。上記
ペースト状ろう材としては、銀２０重量％以上を含むＡ
ｇ−Ａｌ系ペースト状ろう材、銀単体及び銀合金ペース
ト状ろう材、Ｔｉ、Ｍｇ、Ｓｉ、Ｚｎ、Ｓｎ、Ｃｕを１
〜１０重量％含むＡｌ−Ａｇ合金系ペースト状ろう材、
または、Ｔｉ、Ａｌ、Ｍｇ、Ｓｉ、Ｚｎ、Ｓｎ、Ｃｕを
含む銀合金系ペースト状ろう材を使用する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はアルミニウム−窒化
アルミニウム絶縁基板の製造方法、特に、高圧大電力電
子部品の実装や、特に高信頼性が要求される自動車用電
子部品の実装に好適な金属／セラミックス絶縁基板の製
造方法に関するものである。
アルミニウム絶縁基板の製造方法、特に、高圧大電力電
子部品の実装や、特に高信頼性が要求される自動車用電
子部品の実装に好適な金属／セラミックス絶縁基板の製
造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来パワーモジュールのような高圧大電
力電子部品の実装に使用する基板として、セラミックス
基板の表面に銅板を接合して作製された銅張りセラミッ
クス複合基板が使用されている。この複合基板は、使用
されるセラミックスの種類及び製造方法によって、銅／
アルミナ直接接合基板、銅／窒化アルミニウム直接接合
基板、銅／アルミナろう接基板、及び銅／窒化アルミニ
ウムろう接基板に分けられる。
力電子部品の実装に使用する基板として、セラミックス
基板の表面に銅板を接合して作製された銅張りセラミッ
クス複合基板が使用されている。この複合基板は、使用
されるセラミックスの種類及び製造方法によって、銅／
アルミナ直接接合基板、銅／窒化アルミニウム直接接合
基板、銅／アルミナろう接基板、及び銅／窒化アルミニ
ウムろう接基板に分けられる。
【０００３】このうち、銅／アルミナ直接接合基板は、
特開昭５２−３７９１４号公報に開示されているよう
に、酸素を含有する銅板を使用するか、無酸素銅板を使
用して酸化性雰囲気中で加熱することによって無酸素銅
板の表面に酸化銅層を形成してから、銅板とアルミナ基
板を重ねて不活性雰囲気中で加熱し、銅板とアルミナ基
板との界面に銅とアルミニウムとの複合酸化物を生成さ
せ、銅板とアルミナ基板とを接合する方法で製造されて
いる。
特開昭５２−３７９１４号公報に開示されているよう
に、酸素を含有する銅板を使用するか、無酸素銅板を使
用して酸化性雰囲気中で加熱することによって無酸素銅
板の表面に酸化銅層を形成してから、銅板とアルミナ基
板を重ねて不活性雰囲気中で加熱し、銅板とアルミナ基
板との界面に銅とアルミニウムとの複合酸化物を生成さ
せ、銅板とアルミナ基板とを接合する方法で製造されて
いる。
【０００４】一方、銅／窒化アルミニウム直接接合基板
の場合には、予め窒化アルミニウム基板の表面に酸化物
を形成する必要がある。例えば特開平３−９３６８７号
公報に開示するように、予め空気中において、約１００
０℃の温度で窒化アルミニウム基板を処理し、表面に酸
化物を生成させてから、この酸化物を介して上述の方法
により銅板と窒化アルミニウム基板とを接合している。
の場合には、予め窒化アルミニウム基板の表面に酸化物
を形成する必要がある。例えば特開平３−９３６８７号
公報に開示するように、予め空気中において、約１００
０℃の温度で窒化アルミニウム基板を処理し、表面に酸
化物を生成させてから、この酸化物を介して上述の方法
により銅板と窒化アルミニウム基板とを接合している。
【０００５】また銅／アルミナろう接基板及び銅／窒化
アルミニウムろう接基板は、銅板とセラミックス基板を
活性金属のチタンまたはジルコニウムを含む銅系または
銀銅合金系ろう材を用いるろう接法で製造されている。
アルミニウムろう接基板は、銅板とセラミックス基板を
活性金属のチタンまたはジルコニウムを含む銅系または
銀銅合金系ろう材を用いるろう接法で製造されている。
【０００６】上述のような銅／セラミック絶縁基板は広
く使用されているにも関わらず、銅とセラミックスの熱
膨張係数の差に起因する熱応力によって、電子部品の実
装の際、及び使用中にセラミックス基板の内部にクラッ
クが形成し、基板の表裏間の短絡が発生する。絶縁基板
の重要な評価項目の１つヒートサイクル耐量、即ち、絶
縁基板を−４０℃から１２５℃まで繰り返し加熱、冷却
する際の、セラミックス基板にクラックが発生するまで
の循環回数は僅か５０回前後である。
く使用されているにも関わらず、銅とセラミックスの熱
膨張係数の差に起因する熱応力によって、電子部品の実
装の際、及び使用中にセラミックス基板の内部にクラッ
クが形成し、基板の表裏間の短絡が発生する。絶縁基板
の重要な評価項目の１つヒートサイクル耐量、即ち、絶
縁基板を−４０℃から１２５℃まで繰り返し加熱、冷却
する際の、セラミックス基板にクラックが発生するまで
の循環回数は僅か５０回前後である。
【０００７】これを改善する為に、近年、銅の代わりに
軟らかいアルミニウムを回路材料として使うアルミニウ
ム／セラミックス基板が開発されるようになった。
軟らかいアルミニウムを回路材料として使うアルミニウ
ム／セラミックス基板が開発されるようになった。
【０００８】銅と同じように、優れた電気と熱伝導性を
有するアルミニウムを絶縁基板の回路材料として使う構
想は以前からあった。例えば特開昭５９−１２１８９０
号公報にはＡｌ／アルミナ基板及びＡｌ／窒化アルミニ
ウム基板に関連する記述がある。実開平２−６８４４８
号公報と実開平３−５７９４５号公報にはそれぞれＡｌ
−Ｓｉ、Ａｌ−Ｇｅ系ろう材を使って作製したＡｌ／ア
ルミナ、Ａｌ／窒化アルミニウムろう接基板が開示され
ている。
有するアルミニウムを絶縁基板の回路材料として使う構
想は以前からあった。例えば特開昭５９−１２１８９０
号公報にはＡｌ／アルミナ基板及びＡｌ／窒化アルミニ
ウム基板に関連する記述がある。実開平２−６８４４８
号公報と実開平３−５７９４５号公報にはそれぞれＡｌ
−Ｓｉ、Ａｌ−Ｇｅ系ろう材を使って作製したＡｌ／ア
ルミナ、Ａｌ／窒化アルミニウムろう接基板が開示され
ている。
【０００９】しかしながら、Ａｌ自身が非常に酸化しや
すいため、室温においてＡｌの表面は常に酸化膜によっ
て覆われている。温度が高くなるとこの酸化膜は分解し
やすくなるが、８００℃においてもＡｌ−Ａｌ2 ０3 系
の酸素平衡分圧は１０-40 Ｐａであり、通常のろう接温
度６６０℃以下では、Ａｌ表面に酸化膜が残存する。酸
化膜残存の状態でろう接すると、Ａｌの濡れ性が悪いた
め、接合界面に未接欠陥が生じ、接合強度のバラツキは
非常に大きい。特に窒化アルミニウムセラミックスの場
合、ろう接は非常に困難である。これを改善するため
に、実開平２−６８４４８号公報と実開平３−５７９４
５号公報の発明者らは更に窒化アルミニウムセラミック
スを酸化性雰囲気中において加熱し、表面にアルミナを
形成してから上述のろう材でろう接する方法（特開平４
−１２５５４号公報）、表面にアルミナを形成し、その
上に更にＳｉＯ２層を形成してから上述のろう材でろう
接する方法（特開平３−１２５４６３号公報）を発明し
た。
すいため、室温においてＡｌの表面は常に酸化膜によっ
て覆われている。温度が高くなるとこの酸化膜は分解し
やすくなるが、８００℃においてもＡｌ−Ａｌ2 ０3 系
の酸素平衡分圧は１０-40 Ｐａであり、通常のろう接温
度６６０℃以下では、Ａｌ表面に酸化膜が残存する。酸
化膜残存の状態でろう接すると、Ａｌの濡れ性が悪いた
め、接合界面に未接欠陥が生じ、接合強度のバラツキは
非常に大きい。特に窒化アルミニウムセラミックスの場
合、ろう接は非常に困難である。これを改善するため
に、実開平２−６８４４８号公報と実開平３−５７９４
５号公報の発明者らは更に窒化アルミニウムセラミック
スを酸化性雰囲気中において加熱し、表面にアルミナを
形成してから上述のろう材でろう接する方法（特開平４
−１２５５４号公報）、表面にアルミナを形成し、その
上に更にＳｉＯ２層を形成してから上述のろう材でろう
接する方法（特開平３−１２５４６３号公報）を発明し
た。
【００１０】本発明者らは以前からＡｌ表面の酸化膜の
影響に着目し、Ａｌ表面の酸化膜を除去してから、Ａｌ
と窒化アルミニウム等のセラミックスを接合する溶湯接
合法（特許第２６４２５７４号、特開平７−２７６０３
５号公報）を発明した。即ち、不活性雰囲気において、
Ａｌ溶湯にセラミックスを挿入し、Ａｌ溶湯でセラミッ
クスを濡らしてから、セラミックスの表面に溶湯を所定
の形状に凝固させ、Ａｌとセラミックスを接合させる方
法である。この方法で窒化アルミニウムとＡｌとの高強
度接合を実現させ、ヒートサイクル耐量３０００回以上
のＡｌ／窒化アルミニウム基板の作製に成功した。
影響に着目し、Ａｌ表面の酸化膜を除去してから、Ａｌ
と窒化アルミニウム等のセラミックスを接合する溶湯接
合法（特許第２６４２５７４号、特開平７−２７６０３
５号公報）を発明した。即ち、不活性雰囲気において、
Ａｌ溶湯にセラミックスを挿入し、Ａｌ溶湯でセラミッ
クスを濡らしてから、セラミックスの表面に溶湯を所定
の形状に凝固させ、Ａｌとセラミックスを接合させる方
法である。この方法で窒化アルミニウムとＡｌとの高強
度接合を実現させ、ヒートサイクル耐量３０００回以上
のＡｌ／窒化アルミニウム基板の作製に成功した。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うな従来の接合方法においては、Ａｌ−Ｓｉ合金ろう
材、Ａｌ−Ｇｅ合金ろう材を使ってＡｌ／窒化アルミニ
ウムをろう接するときに、窒化アルミニウムの表面に予
め酸化膜を形成しなければならない。また溶湯接合法で
Ａｌと窒化アルミニウムを接合する場合、溶湯を所定の
形状に凝固させる為のダイスが必要である。即ち、次の
ような欠点があった。
うな従来の接合方法においては、Ａｌ−Ｓｉ合金ろう
材、Ａｌ−Ｇｅ合金ろう材を使ってＡｌ／窒化アルミニ
ウムをろう接するときに、窒化アルミニウムの表面に予
め酸化膜を形成しなければならない。また溶湯接合法で
Ａｌと窒化アルミニウムを接合する場合、溶湯を所定の
形状に凝固させる為のダイスが必要である。即ち、次の
ような欠点があった。
【００１２】１．酸化処理によって窒化アルミニウム自
身の強度は低くなり、Ａｌ／窒化アルミニウム基板の強
度は低くなる。半導体の実装工程及び使用中において、
窒化アルミニウム基板の割れが生じ、半導体装置の絶縁
不良の発生率は高くなる。
身の強度は低くなり、Ａｌ／窒化アルミニウム基板の強
度は低くなる。半導体の実装工程及び使用中において、
窒化アルミニウム基板の割れが生じ、半導体装置の絶縁
不良の発生率は高くなる。
【００１３】２．窒化アルミニウムの表面に酸化膜を形
成しても、Ａｌ表面及び上記ろう材の表面の酸化膜に起
因する未接欠陥の発生を完全には防止できない。
成しても、Ａｌ表面及び上記ろう材の表面の酸化膜に起
因する未接欠陥の発生を完全には防止できない。
【００１４】３．市販されている窒化アルミニウム基板
の表面は平らではなく、表面に凹凸があり、反りがあ
る。従って、溶湯接合法で接合する時に基板は反った状
態で接合され、その上に形成されたＡｌ板の厚みは不均
一になり、その後のエッチング工程でエッチング不良が
発生する。
の表面は平らではなく、表面に凹凸があり、反りがあ
る。従って、溶湯接合法で接合する時に基板は反った状
態で接合され、その上に形成されたＡｌ板の厚みは不均
一になり、その後のエッチング工程でエッチング不良が
発生する。
【００１５】４．Ａｌ−Ｓｉ、Ａｌ−Ｇｅ系ろう材でろ
う接する場合、窒化アルミニウムの表面に酸化膜を形成
する工程が必要である。また、溶湯接合法で接合する場
合、窒化アルミニウム基板のサイズ、厚み及びその上に
接合するＡｌの厚みに合うダイスが必要である。何れの
場合にも余分のコストがかかる。
う接する場合、窒化アルミニウムの表面に酸化膜を形成
する工程が必要である。また、溶湯接合法で接合する場
合、窒化アルミニウム基板のサイズ、厚み及びその上に
接合するＡｌの厚みに合うダイスが必要である。何れの
場合にも余分のコストがかかる。
【００１６】５．Ａｌ合金ろう材は一般に箔状或いはＡ
ｌにクラッドした状態で使用されている。特にＡｌ−Ｓ
ｉ系の箔状ろう材或いはクラッド材は既にＪＩＳ標準化
し、ＡｌとＡｌ、或いはＡｌとセラミックスとのろう接
に広く使用されている。特に、特開昭６０−７１５７９
号公報、或いは上述のＡｌとセラミックスとのろう接に
関する発明にこのようなろう材を使用している。しかし
ながら、上記のように、市販されている窒化アルミニウ
ム基板の表面には凹凸があり、ろう接の時にろう材と窒
化アルミニウムを重ねると、その間に隙間ができ、この
隙間の存在により、加熱時ろう材表面の酸化が更に進
み、未接不良は発生する。
ｌにクラッドした状態で使用されている。特にＡｌ−Ｓ
ｉ系の箔状ろう材或いはクラッド材は既にＪＩＳ標準化
し、ＡｌとＡｌ、或いはＡｌとセラミックスとのろう接
に広く使用されている。特に、特開昭６０−７１５７９
号公報、或いは上述のＡｌとセラミックスとのろう接に
関する発明にこのようなろう材を使用している。しかし
ながら、上記のように、市販されている窒化アルミニウ
ム基板の表面には凹凸があり、ろう接の時にろう材と窒
化アルミニウムを重ねると、その間に隙間ができ、この
隙間の存在により、加熱時ろう材表面の酸化が更に進
み、未接不良は発生する。
【００１７】上記のように、ろう接法は窒化アルミニウ
ムと銅との接合に一般的に応用されているにもかかわら
ず、この方法を窒化アルミニウムとＡｌとの接合に応用
した場合、未接欠陥が発生しやすい、また窒化アルミニ
ウムの表面に予め酸化膜を形成しなければならないよう
な問題点がある。
ムと銅との接合に一般的に応用されているにもかかわら
ず、この方法を窒化アルミニウムとＡｌとの接合に応用
した場合、未接欠陥が発生しやすい、また窒化アルミニ
ウムの表面に予め酸化膜を形成しなければならないよう
な問題点がある。
【００１８】一方、本発明者らが開発した溶湯接合法の
知見に基づいて、ろう材表面の酸化膜を除去し、或いは
改質すれば、Ａｌと窒化アルミニウムとの接合状態が改
善される可能性がある。本発明はろう接の方法またはろ
う材を改良し、Ａｌと窒化アルミニウムとの直接ろう接
の実現を計るために鋭意研究したところ、ろう材に貴金
属の銀を添加し、またペースト状のろう材を窒化アルミ
ニウムの表面に直接塗布することによって、Ａｌと窒化
アルミニウムとのろう接状態が大幅に改善できることを
見いだし、本発明を完成することができたものである。
知見に基づいて、ろう材表面の酸化膜を除去し、或いは
改質すれば、Ａｌと窒化アルミニウムとの接合状態が改
善される可能性がある。本発明はろう接の方法またはろ
う材を改良し、Ａｌと窒化アルミニウムとの直接ろう接
の実現を計るために鋭意研究したところ、ろう材に貴金
属の銀を添加し、またペースト状のろう材を窒化アルミ
ニウムの表面に直接塗布することによって、Ａｌと窒化
アルミニウムとのろう接状態が大幅に改善できることを
見いだし、本発明を完成することができたものである。
【００１９】
【課題を解決するための手段】本発明のアルミニウム−
窒化アルミニウム絶縁基板の製造方法は、窒化アルミニ
ウム基板の両面にＡｇを含むペースト状ろう材を形成
し、このようにした窒化アルミニウム基板を挟むように
これにＡｌ板材を重ねて、真空中でろう接した後、湿式
エッチング法により所望形状のＡｌ回路及びベース板を
形成し、更に、Ａｌ板材の全面または一部にＮｉめっき
層を形成することを特徴とする。
窒化アルミニウム絶縁基板の製造方法は、窒化アルミニ
ウム基板の両面にＡｇを含むペースト状ろう材を形成
し、このようにした窒化アルミニウム基板を挟むように
これにＡｌ板材を重ねて、真空中でろう接した後、湿式
エッチング法により所望形状のＡｌ回路及びベース板を
形成し、更に、Ａｌ板材の全面または一部にＮｉめっき
層を形成することを特徴とする。
【００２０】上記ペースト状ろう材としては、銀２０重
量％以上を含むＡｇ−Ａｌ合金系ペースト状ろう材、銀
単体及び銀合金ペースト状ろう材、Ｔｉ、Ｍｇ、Ｓｉ、
Ｚｎ、Ｓｎ、Ｃｕを１〜１０重量％含むＡｌ−Ａｇ合金
系ペースト状ろう材、または、Ｔｉ、Ａｌ、Ｍｇ、Ｓ
ｉ、Ｚｎ、Ｓｎ、Ｃｕを含む銀合金系ペースト状ろう材
を使用する。
量％以上を含むＡｇ−Ａｌ合金系ペースト状ろう材、銀
単体及び銀合金ペースト状ろう材、Ｔｉ、Ｍｇ、Ｓｉ、
Ｚｎ、Ｓｎ、Ｃｕを１〜１０重量％含むＡｌ−Ａｇ合金
系ペースト状ろう材、または、Ｔｉ、Ａｌ、Ｍｇ、Ｓ
ｉ、Ｚｎ、Ｓｎ、Ｃｕを含む銀合金系ペースト状ろう材
を使用する。
【００２１】
【発明の実施の形態】以下本発明の実施例を説明する。
【００２２】本発明においては、Ａｌ及びＡｇ粉末に一
定量の有機物バインダー及び溶剤を入れて均一に混ぜた
後、三本ロールを通し、印刷用のペースト状のろう材を
作製し、このろう材を窒化アルミニウム基板の表面上
に、所定の形状及び厚みに直接印刷した後、所定の温度
に加熱し、乾燥する。同じ手順で窒化アルミニウム基板
の裏面にもろう材を形成し、このようにしてろう材が形
成された窒化アルミニウム基板にこれを挟む形でＡｌ板
を重ね、その上に重りを乗せて真空中で一定の温度に加
熱し、ろう材中のバインダー、溶剤を除去した後、更に
ろう材の溶融温度以上、Ａｌの融点以下の温度に加熱
し、ろう接を行う。
定量の有機物バインダー及び溶剤を入れて均一に混ぜた
後、三本ロールを通し、印刷用のペースト状のろう材を
作製し、このろう材を窒化アルミニウム基板の表面上
に、所定の形状及び厚みに直接印刷した後、所定の温度
に加熱し、乾燥する。同じ手順で窒化アルミニウム基板
の裏面にもろう材を形成し、このようにしてろう材が形
成された窒化アルミニウム基板にこれを挟む形でＡｌ板
を重ね、その上に重りを乗せて真空中で一定の温度に加
熱し、ろう材中のバインダー、溶剤を除去した後、更に
ろう材の溶融温度以上、Ａｌの融点以下の温度に加熱
し、ろう接を行う。
【００２３】次いで、窒化アルミニウム基板の表面にろ
う接されたＡｌ板上に所定形状のエッチングレジストを
形成し、塩化鉄溶液で不要部分を除去し、所定形状のＡ
ｌ回路を形成し、Ａｌの表面の所定部分に耐酸、耐アル
カリ熱乾燥型めっきレジストを所定の形状に印刷し、ジ
ンケート処理を施した後、Ｎｉめっき層を形成する。
う接されたＡｌ板上に所定形状のエッチングレジストを
形成し、塩化鉄溶液で不要部分を除去し、所定形状のＡ
ｌ回路を形成し、Ａｌの表面の所定部分に耐酸、耐アル
カリ熱乾燥型めっきレジストを所定の形状に印刷し、ジ
ンケート処理を施した後、Ｎｉめっき層を形成する。
【００２４】この場合、窒化アルミニウム基板上にだけ
ろう材を印刷したため、ろう接するときにろう材とＡｌ
板との間に隙間ができる可能性がある。しかし隙間があ
ってもろう材と窒化アルミニウムとの濡れ性と比べて、
ろう材とアルミニウムとの濡れ性は非常に良いため、上
記隙間は実用上特に問題がない。
ろう材を印刷したため、ろう接するときにろう材とＡｌ
板との間に隙間ができる可能性がある。しかし隙間があ
ってもろう材と窒化アルミニウムとの濡れ性と比べて、
ろう材とアルミニウムとの濡れ性は非常に良いため、上
記隙間は実用上特に問題がない。
【００２５】なお、上記のように印刷法で密着状態を改
善しても、酸化膜が存在した状態では、Ａｌと窒化アル
ミニウムとの接合強度は非常に低いが、本発明ではろう
材に銀を入れたので、接合強度を向上できる。然しなが
ら、銀の添加量が２０重量％より少ない場合その効果は
低い。従って、銀の添加量は２０重量％以上にするのが
好ましい。
善しても、酸化膜が存在した状態では、Ａｌと窒化アル
ミニウムとの接合強度は非常に低いが、本発明ではろう
材に銀を入れたので、接合強度を向上できる。然しなが
ら、銀の添加量が２０重量％より少ない場合その効果は
低い。従って、銀の添加量は２０重量％以上にするのが
好ましい。
【００２６】銀を添加する場合、Ａｌ−Ａｇ合金粉末を
作ってからペースト状のろう材を作る方法と、Ａｌ粉と
Ａｇ粉を機械的に混ぜてペースト状ろう材とする方法が
ある。前者の場合、銀の分散性がよく、虫食い欠陥が発
生しにくい利点が考えられるが、合金粉末を作るのに余
分のコストがかかるようになる。
作ってからペースト状のろう材を作る方法と、Ａｌ粉と
Ａｇ粉を機械的に混ぜてペースト状ろう材とする方法が
ある。前者の場合、銀の分散性がよく、虫食い欠陥が発
生しにくい利点が考えられるが、合金粉末を作るのに余
分のコストがかかるようになる。
【００２７】銀の添加による強度向上の原因は解明され
ていないが、銀は貴金属であり酸化しにくいため、銀の
添加により、Ａｌろう材表面の酸化状態が改善されるた
めであると考えられる。
ていないが、銀は貴金属であり酸化しにくいため、銀の
添加により、Ａｌろう材表面の酸化状態が改善されるた
めであると考えられる。
【００２８】また、Ａｌ板の溶解を防ぐ為には、ろう材
の溶融温度を低くすることが好ましい。また、ろう接強
度を更に改善するために、窒化アルミニウムと反応しや
すいような活性金属を添加することが好ましい。このた
め、Ａｌ−Ａｇ合金ろう材に更に１〜１０重量％のＣ
ｕ、Ｓｉ、Ｓｎ、Ｚｎ、Ｍｇ、Ｔｉを一種以上添加す
る。またその添加方法としてはＡｌ合金粉末を作ってか
らペースト状ろう材を作るのが理想的であるが、それぞ
れの粉末を機械的に混ぜて、ペースト状ろう材にしても
良い。
の溶融温度を低くすることが好ましい。また、ろう接強
度を更に改善するために、窒化アルミニウムと反応しや
すいような活性金属を添加することが好ましい。このた
め、Ａｌ−Ａｇ合金ろう材に更に１〜１０重量％のＣ
ｕ、Ｓｉ、Ｓｎ、Ｚｎ、Ｍｇ、Ｔｉを一種以上添加す
る。またその添加方法としてはＡｌ合金粉末を作ってか
らペースト状ろう材を作るのが理想的であるが、それぞ
れの粉末を機械的に混ぜて、ペースト状ろう材にしても
良い。
【００２９】更に、ペースト状ろう材の中にＡｌを入れ
なくても、ろう接の時に上記Ａｌ板が溶けて、Ａｌとの
合金元素のろう材が自動的にできるため、Ｔｉ，Ｍｇ、
Ｓｉ、Ｚｎ、Ｓｎ、Ｃｕを含む銀合金系ろう材及び銀系
ろう材を使用しても良い。
なくても、ろう接の時に上記Ａｌ板が溶けて、Ａｌとの
合金元素のろう材が自動的にできるため、Ｔｉ，Ｍｇ、
Ｓｉ、Ｚｎ、Ｓｎ、Ｃｕを含む銀合金系ろう材及び銀系
ろう材を使用しても良い。
【００３０】ろう材ペースト中のバインダー及び溶剤を
除去するための脱脂工程はろう接と同時に実施しても良
いが、バインダー及び溶剤を効率良く除去するために
は、Ａｌ板を重ねない状態でまず脱脂作業を実施し、そ
の後Ａｌ板を重ねてろう接するのが好ましい。
除去するための脱脂工程はろう接と同時に実施しても良
いが、バインダー及び溶剤を効率良く除去するために
は、Ａｌ板を重ねない状態でまず脱脂作業を実施し、そ
の後Ａｌ板を重ねてろう接するのが好ましい。
【００３１】次に本発明の窒化アルミニウムとＡｌとの
接合基板の製造方法をより具体的に説明する。
接合基板の製造方法をより具体的に説明する。
【００３２】（実施例１）
【００３３】市販されているＡｌ粉、Ａｇ粉とアクリル
系溶液を用い、Ａｌ粉、Ａｇ粉、ビヒクルの重量比を８
０：２０：１５になるよう配合し、自動乳鉢で混合した
後、３本ロールを３回以上通し、２０重量％のＡｇを含
むＡ１−Ａｇのペースト状ろう材を作製した。このろう
材を市販されている窒化アルミニウム基板（イワキガラ
ス株式会社製、厚み０．６３５ｍｍ）の表面に厚さ２０
μｍになるように、所定の形状に印刷し、大気中におい
て８０℃で３０分加熱し、ろう材を乾燥した。同じ手順
で窒化アルミニウム基板の裏面にも所定形状のろう材を
形成した。更に、このろう材が印刷された窒化アルミニ
ウム基板を挟む形で市販されたＡｌ板（ＪＩＳ１０５
０、厚み０．５ｍｍ）を重ね、１０-5ｔｏｒｒの真空中
において５００℃で３時間加熱し脱脂処理した後、６２
０℃で１時間加熱しろう接を行った。
系溶液を用い、Ａｌ粉、Ａｇ粉、ビヒクルの重量比を８
０：２０：１５になるよう配合し、自動乳鉢で混合した
後、３本ロールを３回以上通し、２０重量％のＡｇを含
むＡ１−Ａｇのペースト状ろう材を作製した。このろう
材を市販されている窒化アルミニウム基板（イワキガラ
ス株式会社製、厚み０．６３５ｍｍ）の表面に厚さ２０
μｍになるように、所定の形状に印刷し、大気中におい
て８０℃で３０分加熱し、ろう材を乾燥した。同じ手順
で窒化アルミニウム基板の裏面にも所定形状のろう材を
形成した。更に、このろう材が印刷された窒化アルミニ
ウム基板を挟む形で市販されたＡｌ板（ＪＩＳ１０５
０、厚み０．５ｍｍ）を重ね、１０-5ｔｏｒｒの真空中
において５００℃で３時間加熱し脱脂処理した後、６２
０℃で１時間加熱しろう接を行った。
【００３４】次いで、窒化アルミニウム基板の表面にろ
う接されたＡｌ板上に所定形状のエッチングレジストを
形成し、塩化鉄溶液で不要部分を除去し、所定形状のＡ
ｌ回路を形成した。Ａｌの表面の所定部分に耐酸、耐ア
ルカリ熱乾燥型めっきレジストを所定の形状に印刷し、
ジンケート処理を施した後、厚さ３．５μｍの無電解Ｎ
ｉめっき層を形成した。更に有機溶剤を使って、メッキ
レジストを溶かし、最終製品の部分めっきＡｌ−窒化ア
ルミニウム絶縁基板を作製した。
う接されたＡｌ板上に所定形状のエッチングレジストを
形成し、塩化鉄溶液で不要部分を除去し、所定形状のＡ
ｌ回路を形成した。Ａｌの表面の所定部分に耐酸、耐ア
ルカリ熱乾燥型めっきレジストを所定の形状に印刷し、
ジンケート処理を施した後、厚さ３．５μｍの無電解Ｎ
ｉめっき層を形成した。更に有機溶剤を使って、メッキ
レジストを溶かし、最終製品の部分めっきＡｌ−窒化ア
ルミニウム絶縁基板を作製した。
【００３５】Ａｌ−窒化アルミニウム絶縁基板を超音波
探傷法で検査し、未接欠陥の無いことを確認した。更
に、Ａｌと窒化アルミニウム基板の界面にカッターを押
し入れてＡｌの一部を剥がし、ピール強度測定用のサン
プルを作製し、ピール強度を測定した。ピール強度は
３．５ｋｇ／ｃｍであった。
探傷法で検査し、未接欠陥の無いことを確認した。更
に、Ａｌと窒化アルミニウム基板の界面にカッターを押
し入れてＡｌの一部を剥がし、ピール強度測定用のサン
プルを作製し、ピール強度を測定した。ピール強度は
３．５ｋｇ／ｃｍであった。
【００３６】（実施例２）
【００３７】実施例１と同じようにＡｌ−窒化アルミニ
ウム基板を作製し、超音波検査とピール強度測定を行っ
た。但し、ろう材の組成は３０重量％のＡｇを含むＡｌ
−Ａｇとし、ろう接温度は６００℃とした。作製したＡ
ｌ−窒化アルミニウム基板のピール強度は４．７ｋｇ／
ｃｍであった。
ウム基板を作製し、超音波検査とピール強度測定を行っ
た。但し、ろう材の組成は３０重量％のＡｇを含むＡｌ
−Ａｇとし、ろう接温度は６００℃とした。作製したＡ
ｌ−窒化アルミニウム基板のピール強度は４．７ｋｇ／
ｃｍであった。
【００３８】（実施例３）
【００３９】実施例１と同じようにＡｌ−窒化アルミニ
ウム基板を作製し、超音波検査とピール強度測定を行っ
た。但し、ろう材の組成は５６重量％のＡｇを含む共晶
組成のＡｌ−Ａｇとし、ろう接温度は５８０℃とした。
作製したＡｌ−窒化アルミニウム基板のピール強度は
３．８ｋｇ／ｃｍであった。
ウム基板を作製し、超音波検査とピール強度測定を行っ
た。但し、ろう材の組成は５６重量％のＡｇを含む共晶
組成のＡｌ−Ａｇとし、ろう接温度は５８０℃とした。
作製したＡｌ−窒化アルミニウム基板のピール強度は
３．８ｋｇ／ｃｍであった。
【００４０】（実施例４）
【００４１】実施例３と同じようにＡｌ−窒化アルミニ
ウム基板を作製し、超音波検査とピール強度測定を行っ
た。但し、ろう材はＡｇろう材とした。作製したＡｌ−
窒化アルミニウム基板のピール強度は４．１ｋｇ／ｃｍ
であった。
ウム基板を作製し、超音波検査とピール強度測定を行っ
た。但し、ろう材はＡｇろう材とした。作製したＡｌ−
窒化アルミニウム基板のピール強度は４．１ｋｇ／ｃｍ
であった。
【００４２】（実施例５）
【００４３】実施例４と実質的に同じようにＡｌ−窒化
アルミニウム基板を作製し、超音波検査とピール強度測
定を行った。但し、ろう材としては、更にＳｉ粉を添加
し、２０重量％のＡｇと１０重量％のＳｉを含むＡｌ−
Ａｇ−Ｓｉのろう材を作製した。作製したＡｌ−窒化ア
ルミニウム基板のピール強度は５．９ｋｇ／ｃｍであっ
た。
アルミニウム基板を作製し、超音波検査とピール強度測
定を行った。但し、ろう材としては、更にＳｉ粉を添加
し、２０重量％のＡｇと１０重量％のＳｉを含むＡｌ−
Ａｇ−Ｓｉのろう材を作製した。作製したＡｌ−窒化ア
ルミニウム基板のピール強度は５．９ｋｇ／ｃｍであっ
た。
【００４４】（実施例６）
【００４５】実施例５と同じようにＡｌ−窒化アルミニ
ウム基板を作製し、超音波検査とピール強度測定を行っ
た。但し、ろう材としては、Ｓｉ粉の代わりにＣｕ粉を
添加し、２０重量％のＡｇと２０重量％のＣｕを含むＡ
ｌ−Ａｇ−Ｃｕのろう材を作製し、６００℃でろう接を
行った。作製したＡｌ−窒化アルミニウム基板のピール
強度は３．６ｋｇ／ｃｍであった。
ウム基板を作製し、超音波検査とピール強度測定を行っ
た。但し、ろう材としては、Ｓｉ粉の代わりにＣｕ粉を
添加し、２０重量％のＡｇと２０重量％のＣｕを含むＡ
ｌ−Ａｇ−Ｃｕのろう材を作製し、６００℃でろう接を
行った。作製したＡｌ−窒化アルミニウム基板のピール
強度は３．６ｋｇ／ｃｍであった。
【００４６】（実施例７）
【００４７】実施例６と同じようにＡｌ−窒化アルミニ
ウム基板を作製し、超音波検査とピール強度測定を行っ
た。但し、ろう材としては、Ｓｉ粉の代わりにＣｕ粉を
添加し、４０重量％のＡｇと１０重量％のＳｉを含むＡ
ｌ−Ａｇ−Ｃｕのろう材を作製し、５６０℃でろう接を
行った。作製したＡｌ−窒化アルミニウム基板のピール
強度は８．０Ｋｇ／ｃｍであった。
ウム基板を作製し、超音波検査とピール強度測定を行っ
た。但し、ろう材としては、Ｓｉ粉の代わりにＣｕ粉を
添加し、４０重量％のＡｇと１０重量％のＳｉを含むＡ
ｌ−Ａｇ−Ｃｕのろう材を作製し、５６０℃でろう接を
行った。作製したＡｌ−窒化アルミニウム基板のピール
強度は８．０Ｋｇ／ｃｍであった。
【００４８】（実施例８）
【００４９】実施例７と同じようにＡｌ−窒化アルミニ
ウム基板を作製し、超音波検査とピール強度測定を行っ
た。但し、ろう材としては、Ｓｉ粉の代わりにＣｕ粉を
添加し、６０重量％のＡｇと１０重量％のＳｉを含むＡ
ｌ−Ａｇ−Ｃｕのろう材を作製し、５６０℃でろう接を
行った。作製したＡｌ−窒化アルミニウム基板のピール
強度は１０Ｋｇ／ｃｍであった。
ウム基板を作製し、超音波検査とピール強度測定を行っ
た。但し、ろう材としては、Ｓｉ粉の代わりにＣｕ粉を
添加し、６０重量％のＡｇと１０重量％のＳｉを含むＡ
ｌ−Ａｇ−Ｃｕのろう材を作製し、５６０℃でろう接を
行った。作製したＡｌ−窒化アルミニウム基板のピール
強度は１０Ｋｇ／ｃｍであった。
【００５０】（比較例１）
【００５１】厚さ２０μｍの箔状の１０重量％のＳｉを
含むＡｌ−Ｓｉろう材を使って、１０-5ｔｏｒｒの真空
中において６２０℃で１時間加熱しＡｌ板と窒化アルミ
ニウム基板とのろう接を行った。その後実施例１と同じ
ようにＡｌ−窒化アルミニウム絶縁基板を作製し、超音
波検査とピール強度測定を行った。この絶縁基板には１
９％の未接部が有り、ピール強度は１．５ｋｇ／ｃｍで
あった。
含むＡｌ−Ｓｉろう材を使って、１０-5ｔｏｒｒの真空
中において６２０℃で１時間加熱しＡｌ板と窒化アルミ
ニウム基板とのろう接を行った。その後実施例１と同じ
ようにＡｌ−窒化アルミニウム絶縁基板を作製し、超音
波検査とピール強度測定を行った。この絶縁基板には１
９％の未接部が有り、ピール強度は１．５ｋｇ／ｃｍで
あった。
【００５２】（比較例２）
【００５３】実施例１と同じようにＡｌ−窒化アルミニ
ウム絶縁基板を作製し、超音波検査とピール強度測定を
行った。但し、使用したろう材はＡｇを含まず、１０重
量％のＳｉを含むＡｌ−Ｓｉペースト状ろう材であり、
作製した絶縁基板のピール強度は１．２ｋｇ／ｃｍであ
った。
ウム絶縁基板を作製し、超音波検査とピール強度測定を
行った。但し、使用したろう材はＡｇを含まず、１０重
量％のＳｉを含むＡｌ−Ｓｉペースト状ろう材であり、
作製した絶縁基板のピール強度は１．２ｋｇ／ｃｍであ
った。
【００５４】（比較例３）
【００５５】実施例１と同じようにＡｌ−窒化アルミニ
ウム絶縁基板を作製し、超音波検査とピール強度測定を
行った。但し、使用したろう材はＡｇを含まず、３３重
量％のＣｕを含むＡｌ−Ｃｕ共晶合金ペースト状ろう材
とした。作製した絶縁基板のピール強度は１ｋｇ／ｃｍ
未満であった。
ウム絶縁基板を作製し、超音波検査とピール強度測定を
行った。但し、使用したろう材はＡｇを含まず、３３重
量％のＣｕを含むＡｌ−Ｃｕ共晶合金ペースト状ろう材
とした。作製した絶縁基板のピール強度は１ｋｇ／ｃｍ
未満であった。
【００５６】（比較例４）
【００５７】実施例１と同じようにＡｌ−窒化アルミニ
ウム絶縁基板を作製し、超音波検査とピール強度測定を
行った。但し、使用したろう材はＡｇを含まず、６０重
量％のＳｎを含むＡｌ−Ｓｎペースト状ろう材とし、ろ
う接温度は６００℃であった。作製した絶縁基板のピー
ル強度は１ｋｇ／ｃｍ未満であった。
ウム絶縁基板を作製し、超音波検査とピール強度測定を
行った。但し、使用したろう材はＡｇを含まず、６０重
量％のＳｎを含むＡｌ−Ｓｎペースト状ろう材とし、ろ
う接温度は６００℃であった。作製した絶縁基板のピー
ル強度は１ｋｇ／ｃｍ未満であった。
【００５８】（比較例５）
【００５９】実施例１と同じようにＡｌ−窒化アルミニ
ウム絶縁基板を作製し、超音波検査とピール強度測定を
行った。但し、使用したろう材はＡｇを含まず、１０重
量％のＺｎを含むＡｌ−Ｚｎペースト状ろう材とし、ろ
う接温度は６３０℃であった。作製した絶縁基板のＡｌ
板にピンホール欠陥があり、ピール強度は１ｋｇ／ｃｍ
未満であった。
ウム絶縁基板を作製し、超音波検査とピール強度測定を
行った。但し、使用したろう材はＡｇを含まず、１０重
量％のＺｎを含むＡｌ−Ｚｎペースト状ろう材とし、ろ
う接温度は６３０℃であった。作製した絶縁基板のＡｌ
板にピンホール欠陥があり、ピール強度は１ｋｇ／ｃｍ
未満であった。
【００６０】（比較例６）
【００６１】実施例１と同じようにＡｌ−窒化アルミニ
ウム絶縁基板を作製し、超音波検査とピール強度測定を
行った。但し、使用したろう材はＡｇを１０重量％しか
含まないＡｌ−Ａｇペースト状ろう材とし、ろう接温度
は６４０℃であった。作製した絶縁基板のピール強度は
１．５ｋｇ／ｃｍであった。
ウム絶縁基板を作製し、超音波検査とピール強度測定を
行った。但し、使用したろう材はＡｇを１０重量％しか
含まないＡｌ−Ａｇペースト状ろう材とし、ろう接温度
は６４０℃であった。作製した絶縁基板のピール強度は
１．５ｋｇ／ｃｍであった。
【００６２】以上の結果を表１に示す。
【００６３】
【表１】
【００６４】図１は、上記Ａｌ−窒化アルミニウム絶縁
基板の断面図を示し、１は窒化アルミニウム基板、２は
ろう材、３はアルミニウム回路、４はアルミニウムベー
ス板である。
基板の断面図を示し、１は窒化アルミニウム基板、２は
ろう材、３はアルミニウム回路、４はアルミニウムベー
ス板である。
【００６５】
【発明の効果】上記のように本発明によれば、窒化アル
ミニウム基板の表面処理工程を省略でき、未接欠陥のな
いＡｌ−窒化アルミニウム絶縁基板を低コストで製造で
きるようになる大きな利益がある。
ミニウム基板の表面処理工程を省略でき、未接欠陥のな
いＡｌ−窒化アルミニウム絶縁基板を低コストで製造で
きるようになる大きな利益がある。
【図１】本発明において製造するＡｌ−窒化アルミニウ
ム基板の断面図である。
ム基板の断面図である。
１ 窒化アルミニウム基板 ２ ろう材 ３ アルミニウム回路 ４ アルミニウムベース板
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０５Ｋ 1/09 Ｈ０５Ｋ 3/06 Ａ 3/06 3/38 Ｃ 3/38 Ｈ０１Ｌ 23/14 Ｍ
Claims (5)
- 【請求項１】 窒化アルミニウム基板の両面にＡｇを含
むペースト状ろう材を形成し、このようにした窒化アル
ミニウム基板を挟むようにこれにＡｌ板材を重ねて、真
空中でろう接した後、湿式エッチング法により所望形状
のＡｌ回路及びベース板を形成し、更に、Ａｌ板材の全
面または一部にＮｉめっき層を形成することを特徴とす
るアルミニウム−窒化アルミニウム絶縁基板の製造方
法。 - 【請求項２】 ２０重量％以上の銀を含むＡｇ−Ａｌ合
金系ペースト状ろう材を使用することを特徴とする請求
項１記載のアルミニウム−窒化アルミニウム絶縁基板の
製造方法。 - 【請求項３】 銀合金系ペースト状ろう材を使用するこ
とを特徴とする請求項１記載のアルミニウム−窒化アル
ミニウム絶縁基板の製造方法。 - 【請求項４】 Ｔｉ、Ｍｇ、Ｓｉ、Ｚｎ、Ｓｎ、Ｃｕを
１〜１０重量％含むＡｌ−Ａｇ合金系ペースト状ろう材
を使用することを特徴とする請求項２記載のアルミニウ
ム−窒化アルミニウム絶縁基板の製造方法。 - 【請求項５】 Ｔｉ、Ａｌ、Ｍｇ、Ｓｉ、Ｚｎ、Ｓｎ、
Ｃｕを含む銀合金系ペースト状ろう材を使用することを
特徴とする請求項３記載のアルミニウム−窒化アルミニ
ウム絶縁基板の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30952198A JP4018264B2 (ja) | 1998-10-16 | 1998-10-16 | アルミニウム−窒化アルミニウム絶縁基板の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30952198A JP4018264B2 (ja) | 1998-10-16 | 1998-10-16 | アルミニウム−窒化アルミニウム絶縁基板の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000124585A true JP2000124585A (ja) | 2000-04-28 |
| JP4018264B2 JP4018264B2 (ja) | 2007-12-05 |
Family
ID=17994016
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP30952198A Expired - Fee Related JP4018264B2 (ja) | 1998-10-16 | 1998-10-16 | アルミニウム−窒化アルミニウム絶縁基板の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP4018264B2 (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003060129A (ja) * | 2001-08-09 | 2003-02-28 | Denki Kagaku Kogyo Kk | 回路基板及び回路基板の部分メッキ方法 |
| EP1298970A2 (en) * | 2001-09-28 | 2003-04-02 | Dowa Mining Co., Ltd. | Method for producing metal/ceramic bonding circuit board |
| JP2003112980A (ja) * | 2001-09-28 | 2003-04-18 | Dowa Mining Co Ltd | 金属−セラミックス接合体 |
| EP1482771A3 (en) * | 2003-05-30 | 2006-10-25 | Dowa Mining Co., Ltd. | Metal/ceramic circuit board and method for producing same |
| JP2010050415A (ja) * | 2008-08-25 | 2010-03-04 | Mitsubishi Materials Corp | パワーモジュール用基板及びその製造方法 |
| JP2010234401A (ja) * | 2009-03-31 | 2010-10-21 | Dowa Metaltech Kk | ろう材、ろう材の接合方法及びろう材接合基板 |
| JP2011091417A (ja) * | 2004-04-05 | 2011-05-06 | Mitsubishi Materials Corp | Ａｌ／ＡｌＮ接合体、パワーモジュール用基板及びパワーモジュール並びにＡｌ／ＡｌＮ接合体の製造方法 |
-
1998
- 1998-10-16 JP JP30952198A patent/JP4018264B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003060129A (ja) * | 2001-08-09 | 2003-02-28 | Denki Kagaku Kogyo Kk | 回路基板及び回路基板の部分メッキ方法 |
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| US6918529B2 (en) | 2001-09-28 | 2005-07-19 | Dowa Mining Co., Ltd. | Method for producing metal/ceramic bonding circuit board |
| EP1482771A3 (en) * | 2003-05-30 | 2006-10-25 | Dowa Mining Co., Ltd. | Metal/ceramic circuit board and method for producing same |
| JP2011091417A (ja) * | 2004-04-05 | 2011-05-06 | Mitsubishi Materials Corp | Ａｌ／ＡｌＮ接合体、パワーモジュール用基板及びパワーモジュール並びにＡｌ／ＡｌＮ接合体の製造方法 |
| JP2010050415A (ja) * | 2008-08-25 | 2010-03-04 | Mitsubishi Materials Corp | パワーモジュール用基板及びその製造方法 |
| JP2010234401A (ja) * | 2009-03-31 | 2010-10-21 | Dowa Metaltech Kk | ろう材、ろう材の接合方法及びろう材接合基板 |
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