JPH0897554A - セラミックス配線基板の製造法 - Google Patents
セラミックス配線基板の製造法Info
- Publication number
- JPH0897554A JPH0897554A JP25458694A JP25458694A JPH0897554A JP H0897554 A JPH0897554 A JP H0897554A JP 25458694 A JP25458694 A JP 25458694A JP 25458694 A JP25458694 A JP 25458694A JP H0897554 A JPH0897554 A JP H0897554A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- metal
- brazing material
- substrate
- wiring board
- ceramic substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)
- Ceramic Products (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 寸法偏差の多い基板を用いたことによる基板
と金属板との絶縁不良や接合欠陥を低減することによっ
て、微細なパターンを有する金属配線板を再現性よく、
かつ安価にセラミックス基板上に形成できると共に、未
接合の発生を抑制できるセラミックス配線基板の製造方
法の提供。 【構成】 ２枚の銅板１のうち、一方の銅板には所望の
配線パターン形状の接合用ペースト２を、配線パターン
を形成しない他方の銅板には接合用ペースト３を塗布
し、一方の銅板を反転させて、各接合用ペースト面が窒
化アルミニウム基板４を挟むように配置し、熱処理によ
り接合体とし、接合体の上記一方の銅板上に配線パター
ンに応じたレジスト５を印刷し、エッチング処理して銅
板の不要部分を溶解除去し、所望の配線パターンを有す
る銅配線板を形成する。
と金属板との絶縁不良や接合欠陥を低減することによっ
て、微細なパターンを有する金属配線板を再現性よく、
かつ安価にセラミックス基板上に形成できると共に、未
接合の発生を抑制できるセラミックス配線基板の製造方
法の提供。 【構成】 ２枚の銅板１のうち、一方の銅板には所望の
配線パターン形状の接合用ペースト２を、配線パターン
を形成しない他方の銅板には接合用ペースト３を塗布
し、一方の銅板を反転させて、各接合用ペースト面が窒
化アルミニウム基板４を挟むように配置し、熱処理によ
り接合体とし、接合体の上記一方の銅板上に配線パター
ンに応じたレジスト５を印刷し、エッチング処理して銅
板の不要部分を溶解除去し、所望の配線パターンを有す
る銅配線板を形成する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、金属板とセラミックス
基板とをろう材を介して接合したセラミックス配線基板
の製造方法に関する。
基板とをろう材を介して接合したセラミックス配線基板
の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】セラミックス基板は、高電気絶縁性、高
熱伝導性、低熱膨張性等の特徴を有することから、電子
部品特に高出力、高電力型の半導体素子の搭載用基板と
して実用化されている。セラミックス基板を電子部品の
搭載用基板として利用する場合には、電気回路の形成等
を目的として、金属と接合することが不可欠とされてい
る。配線基板を製造する際のセラミックス基板と金属配
線板との接合方法としては、所要形状の銅配線板とセラ
ミックス基板とを直接接合させるいわゆるダイレクト・
ボンド・カッパー（ＤＢＣ）法や、活性金属を用いる接
合方法等が知られている。
熱伝導性、低熱膨張性等の特徴を有することから、電子
部品特に高出力、高電力型の半導体素子の搭載用基板と
して実用化されている。セラミックス基板を電子部品の
搭載用基板として利用する場合には、電気回路の形成等
を目的として、金属と接合することが不可欠とされてい
る。配線基板を製造する際のセラミックス基板と金属配
線板との接合方法としては、所要形状の銅配線板とセラ
ミックス基板とを直接接合させるいわゆるダイレクト・
ボンド・カッパー（ＤＢＣ）法や、活性金属を用いる接
合方法等が知られている。
【０００３】ＤＢＣ法は、所要形状の銅回路板をセラミ
ックス基板上に直接接合できることから、製造工程の短
縮を図れる等の利点を有するものの、接合面全体の接合
品質を安定に保つことが難しく、未接合部分が残りやす
いという欠点があった。また微細な配線パターンを形成
することは困難であった。
ックス基板上に直接接合できることから、製造工程の短
縮を図れる等の利点を有するものの、接合面全体の接合
品質を安定に保つことが難しく、未接合部分が残りやす
いという欠点があった。また微細な配線パターンを形成
することは困難であった。
【０００４】そこで、セラミックス基板上に板状の銅板
等を活性金属法により均一に接合し、この接合後に銅板
にエッチング処理を施して、微細な配線パターンを形成
することが行われており、セラミックス基板上に接合媒
体である活性金属を含むろう材を塗布後に金属板を接合
させる方法が一般的である（特公平５−８６６６２号
「パワー半導体モジュール基板」、特公平５−３７９５
２号「窒化物セラミックスと金属との接合法」）。
等を活性金属法により均一に接合し、この接合後に銅板
にエッチング処理を施して、微細な配線パターンを形成
することが行われており、セラミックス基板上に接合媒
体である活性金属を含むろう材を塗布後に金属板を接合
させる方法が一般的である（特公平５−８６６６２号
「パワー半導体モジュール基板」、特公平５−３７９５
２号「窒化物セラミックスと金属との接合法」）。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述の
セラミックス基板に活性金属を含むろう材を塗布後接合
する方法には以下のような欠点があった。 １．セラミックス基板の寸法偏差が大きいものは塗布し
たろう材の位置とレジスト印刷位置がずれるため、電気
絶縁不良となるものがある。 ２．１の理由により自動化が進みにくい。 ３．セラミックス基板平面の平滑度にバラツキがあるた
め、塗布後の表面に凹凸が生じ金属板との未接合欠陥を
生じるものが多い。
セラミックス基板に活性金属を含むろう材を塗布後接合
する方法には以下のような欠点があった。 １．セラミックス基板の寸法偏差が大きいものは塗布し
たろう材の位置とレジスト印刷位置がずれるため、電気
絶縁不良となるものがある。 ２．１の理由により自動化が進みにくい。 ３．セラミックス基板平面の平滑度にバラツキがあるた
め、塗布後の表面に凹凸が生じ金属板との未接合欠陥を
生じるものが多い。
【０００６】すなわち、活性金属法による場合には、ろ
う材中に添加した活性金属成分とセラミックス基板との
反応を利用してセラミックス基板と銅板を強固に接合し
ており、接合の界面には活性金属成分とセラミックス基
板との反応物、例えばＴｉＮのような界面生成物が生成
する。これは一般的に導電性を有するため、セラミック
ス基板上には残せず、特殊なエッチング液を用いて界面
生成物を除去している。したがって界面に残存した界面
生成物の除去に手数を要し、コストアップの要因となっ
ている。
う材中に添加した活性金属成分とセラミックス基板との
反応を利用してセラミックス基板と銅板を強固に接合し
ており、接合の界面には活性金属成分とセラミックス基
板との反応物、例えばＴｉＮのような界面生成物が生成
する。これは一般的に導電性を有するため、セラミック
ス基板上には残せず、特殊なエッチング液を用いて界面
生成物を除去している。したがって界面に残存した界面
生成物の除去に手数を要し、コストアップの要因となっ
ている。
【０００７】この界面生成物は例えばセラミックス基板
の寸法が縦、横、厚み方向に偏差が多い場合、特に縦方
向、横方向で顕著であるが、配線パターン形状に塗布さ
れるろう材に微小の位置ずれが発生し、金属板上へのレ
ジスト印刷、エッチング後の配線パターンとのずれが増
大するため、ずれ部分の界面生成物による導電性不良の
発生を促し、生じた界面生成物の特殊エッチング処理工
程が増えるのである。また工程の自動化を進める場合、
寸法誤差のため位置ずれが生じ位置合わせに手間取るこ
ととなる。また厚み方向での微小の凹凸がある場合、凹
部に比べ凸部のろう材が薄くなりろう材不足による未接
合が発生しやすい。
の寸法が縦、横、厚み方向に偏差が多い場合、特に縦方
向、横方向で顕著であるが、配線パターン形状に塗布さ
れるろう材に微小の位置ずれが発生し、金属板上へのレ
ジスト印刷、エッチング後の配線パターンとのずれが増
大するため、ずれ部分の界面生成物による導電性不良の
発生を促し、生じた界面生成物の特殊エッチング処理工
程が増えるのである。また工程の自動化を進める場合、
寸法誤差のため位置ずれが生じ位置合わせに手間取るこ
ととなる。また厚み方向での微小の凹凸がある場合、凹
部に比べ凸部のろう材が薄くなりろう材不足による未接
合が発生しやすい。
【０００８】このようなことから、セラミックス基板に
ろう材を塗布してパターン形成する場合、セラミックス
基板寸法の偏差に起因してセラミックス基板上に残存す
る界面生成物の除去に要する工数を極力減少させること
により、また、ろう材を均等な厚さに塗布することによ
り、セラミックス基板上に微細なパターンの金属配線板
を正確に、かつ安価に形成することが求められている。
ろう材を塗布してパターン形成する場合、セラミックス
基板寸法の偏差に起因してセラミックス基板上に残存す
る界面生成物の除去に要する工数を極力減少させること
により、また、ろう材を均等な厚さに塗布することによ
り、セラミックス基板上に微細なパターンの金属配線板
を正確に、かつ安価に形成することが求められている。
【０００９】したがって本発明の目的は、寸法偏差の多
い基板を用いたことによる金属配線板と基板との接合欠
陥に基づく不良品の発生を低減することによって、微細
なパターンを有する金属配線板を再現よく、かつ安価に
セラミックス基板上に形成できると共に、未接合の発生
を抑制できるセラミックス配線基板の製造方法を提供す
ることにある。
い基板を用いたことによる金属配線板と基板との接合欠
陥に基づく不良品の発生を低減することによって、微細
なパターンを有する金属配線板を再現よく、かつ安価に
セラミックス基板上に形成できると共に、未接合の発生
を抑制できるセラミックス配線基板の製造方法を提供す
ることにある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明者は上記目的を達
成すべく研究の結果、セラミックス基板の寸法偏差が大
きい場合、特定の組成範囲のろう材を用いることによっ
て、ろう材とレジストの印刷ずれ部分が少なくなり、接
合後に発生する未接合不良品も少なくなることを見いだ
し本発明に到達した。
成すべく研究の結果、セラミックス基板の寸法偏差が大
きい場合、特定の組成範囲のろう材を用いることによっ
て、ろう材とレジストの印刷ずれ部分が少なくなり、接
合後に発生する未接合不良品も少なくなることを見いだ
し本発明に到達した。
【００１１】すなわち本発明は、第１に、セラミックス
基板の少なくとも片側に金属板を接合して回路基板を製
造する方法において、接合ろう材としてＴｉ、Ｚｒおよ
びＨｆからなる群から選ばれた活性金属の一種を２〜１
０wt% 、Ａｇを８０〜９５wt% およびＣｕを５〜２０wt
% 混合して得たろう材を用いて接合することを特徴とす
るセラミックス配線基板の製造法を、第２に、セラミッ
クス基板と金属板を接合して回路基板を製造する方法に
おいて、接合ろう材としてＴｉ、ＺｒおよびＨｆからな
る群から選ばれた活性金属の一種を２〜１０wt% 、Ａｇ
を８０〜９５wt% およびＣｕを５〜２０wt% 混合して得
たろう材をセラミックス基板または金属板の表面に上記
接合用ろう材が所望の配線パターン形状をなすように塗
布した後、金属板をセラミックス基板上に接合し、Ａｇ
−Ｃｕ共晶温度の７８０℃以上で接合することを特徴と
するセラミックス配線基板の製造法を、第３に、セラミ
ックス基板と金属板を接合して回路基板を製造する方法
において、接合ろう材としてＴｉ、ＺｒおよびＨｆから
なる群から選ばれた活性金属の一種を２〜１０wt%、Ａ
ｇを８０〜９５wt% およびＣｕを５〜２０wt% 混合して
得たろう材をセラミックス基板または金属板の表面に上
記接合用ろう材が所望の配線パターン形状をなすように
塗布した後、金属板をセラミックス基板上に接合し、Ａ
ｇ−Ｃｕ共晶温度の７８０℃以上で接合した接合体の金
属板表面にレジスト印刷後エッチング処理して、所望の
配線パターンを有する金属配線板を形成することを特徴
とするセラミックス配線基板の製造法を提供するもので
ある。
基板の少なくとも片側に金属板を接合して回路基板を製
造する方法において、接合ろう材としてＴｉ、Ｚｒおよ
びＨｆからなる群から選ばれた活性金属の一種を２〜１
０wt% 、Ａｇを８０〜９５wt% およびＣｕを５〜２０wt
% 混合して得たろう材を用いて接合することを特徴とす
るセラミックス配線基板の製造法を、第２に、セラミッ
クス基板と金属板を接合して回路基板を製造する方法に
おいて、接合ろう材としてＴｉ、ＺｒおよびＨｆからな
る群から選ばれた活性金属の一種を２〜１０wt% 、Ａｇ
を８０〜９５wt% およびＣｕを５〜２０wt% 混合して得
たろう材をセラミックス基板または金属板の表面に上記
接合用ろう材が所望の配線パターン形状をなすように塗
布した後、金属板をセラミックス基板上に接合し、Ａｇ
−Ｃｕ共晶温度の７８０℃以上で接合することを特徴と
するセラミックス配線基板の製造法を、第３に、セラミ
ックス基板と金属板を接合して回路基板を製造する方法
において、接合ろう材としてＴｉ、ＺｒおよびＨｆから
なる群から選ばれた活性金属の一種を２〜１０wt%、Ａ
ｇを８０〜９５wt% およびＣｕを５〜２０wt% 混合して
得たろう材をセラミックス基板または金属板の表面に上
記接合用ろう材が所望の配線パターン形状をなすように
塗布した後、金属板をセラミックス基板上に接合し、Ａ
ｇ−Ｃｕ共晶温度の７８０℃以上で接合した接合体の金
属板表面にレジスト印刷後エッチング処理して、所望の
配線パターンを有する金属配線板を形成することを特徴
とするセラミックス配線基板の製造法を提供するもので
ある。
【００１２】
【作用】本発明において使用するろう材は、Ｚｒ、Ｔｉ
およびＨｆからなる群から選ばれた活性金属の一種を
２．０wt% 〜１０wt% の範囲で、好ましくは２．０wt%
〜８wt% で含むろう材である。これは２wt% 以下では生
成される窒化チタン層が少ないため、セラミックス基板
である窒化アルミニウム基板との接合強度が十分でな
く、逆に１０wt% 以上になると生成される窒化チタン量
が増大するため窒化アルミニウム基板との接触強度は増
すが、残留応力の緩和が困難となってクラックが発生し
やすくなることによる。
およびＨｆからなる群から選ばれた活性金属の一種を
２．０wt% 〜１０wt% の範囲で、好ましくは２．０wt%
〜８wt% で含むろう材である。これは２wt% 以下では生
成される窒化チタン層が少ないため、セラミックス基板
である窒化アルミニウム基板との接合強度が十分でな
く、逆に１０wt% 以上になると生成される窒化チタン量
が増大するため窒化アルミニウム基板との接触強度は増
すが、残留応力の緩和が困難となってクラックが発生し
やすくなることによる。
【００１３】本発明においてろう材のベースとなる銀と
銅との混合物は各粉末を混合することによって得られる
が、従来のＡｇろう材（Ａｇ７２％、Ｃｕ２８％の共晶
組成）の組成ではなく、Ａｇとして８０〜９０wt% 、Ｃ
ｕが５〜２０wt% の範囲とすることが好ましい。
銅との混合物は各粉末を混合することによって得られる
が、従来のＡｇろう材（Ａｇ７２％、Ｃｕ２８％の共晶
組成）の組成ではなく、Ａｇとして８０〜９０wt% 、Ｃ
ｕが５〜２０wt% の範囲とすることが好ましい。
【００１４】その理由はこれらの範囲に特定することに
よって従来のＡｇ−Ｃｕ共晶合金（融点７８０℃）で接
合したものに比較してより接合強度の強いセラミックス
−金属基板が得られるからである。
よって従来のＡｇ−Ｃｕ共晶合金（融点７８０℃）で接
合したものに比較してより接合強度の強いセラミックス
−金属基板が得られるからである。
【００１５】また接合温度についても、Ａｇ（７２wt%
）−Ｃｕ（２８wt% ）の共晶合金は７８０℃前後で融
解するが、活性金属の添加により７４０℃位の温度でも
接合ができ、本発明者等の実験では一部に未接の部分も
見られた。そこで本発明のろう材は好ましい温度範囲が
７８０℃超から９００℃となるようにした。この場合９
００℃以上にしても接合状態に変化はなく、むしろコス
トアップの要因となる。
）−Ｃｕ（２８wt% ）の共晶合金は７８０℃前後で融
解するが、活性金属の添加により７４０℃位の温度でも
接合ができ、本発明者等の実験では一部に未接の部分も
見られた。そこで本発明のろう材は好ましい温度範囲が
７８０℃超から９００℃となるようにした。この場合９
００℃以上にしても接合状態に変化はなく、むしろコス
トアップの要因となる。
【００１６】本発明において使用できるセラミックス基
板としてはＡｌ2 Ｏ3 基板、窒化アルミニウム基板、窒
化ケイ素基板、炭化ケイ素基板等の酸化物あるいは非酸
化物セラミックス基板の各種セラミックス基板を用いる
ことができる。
板としてはＡｌ2 Ｏ3 基板、窒化アルミニウム基板、窒
化ケイ素基板、炭化ケイ素基板等の酸化物あるいは非酸
化物セラミックス基板の各種セラミックス基板を用いる
ことができる。
【００１７】また金属板としては、用途に応じて各種の
金属材料から適宜選択すれば良く、例えばＣｕ、Ｃｕ合
金、Ｎｉ、Ｎｉ合金あるいはＮｉ４２％のニッケル−鉄
合金の一種である４２アロイ等が例示される。
金属材料から適宜選択すれば良く、例えばＣｕ、Ｃｕ合
金、Ｎｉ、Ｎｉ合金あるいはＮｉ４２％のニッケル−鉄
合金の一種である４２アロイ等が例示される。
【００１８】本発明のろう材としては、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈ
ｆ等の活性金属（２〜１０wt% ）を、Ｃｕ（５〜２０wt
% ）、Ａｇ（８０〜９５wt% ）を含む合金と共に９００
℃未満の温度に加熱して溶融混合したろう材や、あるい
は上記Ｃｕ、Ａｇ組成の粉末に活性金属粉末を混合した
ものを、適当な樹脂結合剤および分散媒によってペース
ト化した接合用ペーストを用いてもよい。
ｆ等の活性金属（２〜１０wt% ）を、Ｃｕ（５〜２０wt
% ）、Ａｇ（８０〜９５wt% ）を含む合金と共に９００
℃未満の温度に加熱して溶融混合したろう材や、あるい
は上記Ｃｕ、Ａｇ組成の粉末に活性金属粉末を混合した
ものを、適当な樹脂結合剤および分散媒によってペース
ト化した接合用ペーストを用いてもよい。
【００１９】本発明実施例においては上記接合用ペース
トを用い、第一の例ではセラミックス基板に回路パター
ン状にスクリーン印刷によりペーストを塗布した上に金
属板をのせて接合する方法をとり、第二の例では逆に金
属板上に回路パターン状にスクリーン印刷を行ってこの
金属板をセラミックス基板上にのせて接合する方法によ
って接合したが、得られた接合板の強度はほぼ同等であ
った。
トを用い、第一の例ではセラミックス基板に回路パター
ン状にスクリーン印刷によりペーストを塗布した上に金
属板をのせて接合する方法をとり、第二の例では逆に金
属板上に回路パターン状にスクリーン印刷を行ってこの
金属板をセラミックス基板上にのせて接合する方法によ
って接合したが、得られた接合板の強度はほぼ同等であ
った。
【００２０】なお、積層配置された金属板とセラミック
ス基板は用いた活性金属ろう材に応じた条件（雰囲気、
温度、時間等）により熱処理を施されて接合される。接
合は、Ａｇ−Ｃｕ共晶温度の７８０℃以上で、好ましく
は８００〜９００℃の温度で、５〜３０分間程度熱処理
することにより行われる。
ス基板は用いた活性金属ろう材に応じた条件（雰囲気、
温度、時間等）により熱処理を施されて接合される。接
合は、Ａｇ−Ｃｕ共晶温度の７８０℃以上で、好ましく
は８００〜９００℃の温度で、５〜３０分間程度熱処理
することにより行われる。
【００２１】次いで、得られた接合体に位置合わせを行
い、前記一方の金属板に配線パターンに応じたレジスト
を形成し、このレジストを形成した状態で、エッチング
液に接合体を浸漬するか、あるいはエッチング液でシャ
ワリングし、金属板の不要部分を溶解除去して所望の配
線パターンを有する金属配線基板を形成する。
い、前記一方の金属板に配線パターンに応じたレジスト
を形成し、このレジストを形成した状態で、エッチング
液に接合体を浸漬するか、あるいはエッチング液でシャ
ワリングし、金属板の不要部分を溶解除去して所望の配
線パターンを有する金属配線基板を形成する。
【００２２】本発明の製造方法においては、特定範囲の
量の活性金属を含むろう材を用いることにより、接合時
のずれ部分を少なくし、さらに自動化が容易になる。ま
た、接合後の金属板面に発生する未接合欠陥による不良
も少なくなった。
量の活性金属を含むろう材を用いることにより、接合時
のずれ部分を少なくし、さらに自動化が容易になる。ま
た、接合後の金属板面に発生する未接合欠陥による不良
も少なくなった。
【００２３】
【実施例１】図１（ａ）〜（ｅ）は本実施例に用いられ
たセラミックス配線基板の製造方法を順に示す斜視図で
あって、これらを参照して以下説明する。
たセラミックス配線基板の製造方法を順に示す斜視図で
あって、これらを参照して以下説明する。
【００２４】（１）縦２５×横５０×厚さ０．３mmの銅
板２枚のうち、図１（ａ）に示すように、一方に銅板１
の表面に活性金属としてＴｉを２．６wt% 、Ａｇを９
０．４wt% 、Ｃｕを７wt% 含む接合用ペーストを用いて
所望の配線パターン形状の接合用ペースト２を、例えば
スクリーン印刷法等を用いて塗布する。
板２枚のうち、図１（ａ）に示すように、一方に銅板１
の表面に活性金属としてＴｉを２．６wt% 、Ａｇを９
０．４wt% 、Ｃｕを７wt% 含む接合用ペーストを用いて
所望の配線パターン形状の接合用ペースト２を、例えば
スクリーン印刷法等を用いて塗布する。
【００２５】（２）次に、同図（ｂ）に示すように、同
じ寸法の他方の銅板の表面に接合用ペースト３を塗布
し、これら銅板の一方を反転させ、同図（ｃ）に見られ
るように、前記接合用ペースト２および３が、標準寸法
縦２５×横５０×厚み０．６３５mmの窒化アルミニウム
基板４を挟みこむように接合配置した後、１０-4Torrの
真空中、８５０℃で３０分間熱処理し、銅板１と窒化ア
ルミニウム基板４とを接合した。
じ寸法の他方の銅板の表面に接合用ペースト３を塗布
し、これら銅板の一方を反転させ、同図（ｃ）に見られ
るように、前記接合用ペースト２および３が、標準寸法
縦２５×横５０×厚み０．６３５mmの窒化アルミニウム
基板４を挟みこむように接合配置した後、１０-4Torrの
真空中、８５０℃で３０分間熱処理し、銅板１と窒化ア
ルミニウム基板４とを接合した。
【００２６】次いで、この接合体に精密な位置合わせを
行った後、同図（ｄ）に示すように、前記一方に銅板１
上にレジスト５を配線パターンに応じて印刷した後、塩
化第二銅液によるエッチング処理により銅板の不要部分
を溶解除去して、所望の配線パターン６を有する銅配線
板を形成し、同図（ｅ）に示すように、目的とする配線
基板を得た。
行った後、同図（ｄ）に示すように、前記一方に銅板１
上にレジスト５を配線パターンに応じて印刷した後、塩
化第二銅液によるエッチング処理により銅板の不要部分
を溶解除去して、所望の配線パターン６を有する銅配線
板を形成し、同図（ｅ）に示すように、目的とする配線
基板を得た。
【００２７】同様にして得られた配線基板について、配
線パターンを異にする各５０個ずつを選び、それぞれ電
気絶縁性および未接合発生の有無を調べたところ、皆無
であった。
線パターンを異にする各５０個ずつを選び、それぞれ電
気絶縁性および未接合発生の有無を調べたところ、皆無
であった。
【００２８】
【実施例２】実施例１に示すペースト状ろう材に代え、
Ｔｉ４．０wt% 、Ａｇ８９wt% 、Ｃｕ７wt% の合金ろう
材を、標準寸法縦２５×横５０×厚み０．６３５mmの窒
化アルミニウム基板両面におき、その上下にこれら合金
ろう材より少し大きめな銅材（縦２５×横５０×厚み
０．３mm）を載置したものを、１０-4Torrの真空中、８
３０℃で３０分間熱処理して銅板と窒化アルミニウム基
板４とを接合した。
Ｔｉ４．０wt% 、Ａｇ８９wt% 、Ｃｕ７wt% の合金ろう
材を、標準寸法縦２５×横５０×厚み０．６３５mmの窒
化アルミニウム基板両面におき、その上下にこれら合金
ろう材より少し大きめな銅材（縦２５×横５０×厚み
０．３mm）を載置したものを、１０-4Torrの真空中、８
３０℃で３０分間熱処理して銅板と窒化アルミニウム基
板４とを接合した。
【００２９】得られた接合体に精密な位置合わせを行っ
た後、実施例１に示すと同様なレジスト処理、エッチン
グ処理を施して所望のパターンを有する銅配線板を得
た。
た後、実施例１に示すと同様なレジスト処理、エッチン
グ処理を施して所望のパターンを有する銅配線板を得
た。
【００３０】
【比較例１】ペースト状ろう材として公知のＴｉ２．０
wt% 、Ａｇ７５wt% ，Ｃｕ２３wt%からなるろう材を用
い、接合温度を共晶温度以下の７６０℃で３０分間熱処
理を行った以外は、実施例１と同様の方法で接合したと
ころ、電気絶縁性および未接合発生がそれぞれ１５％以
上の割合で確認された。
wt% 、Ａｇ７５wt% ，Ｃｕ２３wt%からなるろう材を用
い、接合温度を共晶温度以下の７６０℃で３０分間熱処
理を行った以外は、実施例１と同様の方法で接合したと
ころ、電気絶縁性および未接合発生がそれぞれ１５％以
上の割合で確認された。
【００３１】
【発明の効果】以上説明したように、本発明のセラミッ
クス配線基板の製造方法によれば、寸法精度の良い金属
板に接合用ペーストを塗布して金属板とセラミックス基
板とを接合するので、寸法偏差の多いセラミックス基板
を用いたことによる不良品の発生を低減することができ
る。よって、セラミックス基板上に微細なパターンの金
属配線板を正確に、かつ安価に形成することが可能とな
ると共に、金属板とろう材との位置ずれによる不良品を
極力抑制させ、自動化による操業が可能となる。
クス配線基板の製造方法によれば、寸法精度の良い金属
板に接合用ペーストを塗布して金属板とセラミックス基
板とを接合するので、寸法偏差の多いセラミックス基板
を用いたことによる不良品の発生を低減することができ
る。よって、セラミックス基板上に微細なパターンの金
属配線板を正確に、かつ安価に形成することが可能とな
ると共に、金属板とろう材との位置ずれによる不良品を
極力抑制させ、自動化による操業が可能となる。
【図１】本発明の実施例によるセラミックス配線基板の
製造工程を順に示す斜視図である。
製造工程を順に示す斜視図である。
１ 銅板 ２ 配線パターン形状の接合用ペースト ３ 接合用ペースト ４ 窒化アルミニウム基板 ５ レジスト ６ 配線パターン
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 小野 隆司 東京都千代田区丸の内一丁目８番２号 同 和鉱業株式会社内
Claims (3)
- 【請求項１】 セラミックス基板の少なくとも片側に金
属板を接合して回路基板を製造する方法において、接合
ろう材としてＴｉ、ＺｒおよびＨｆからなる群から選ば
れた活性金属の一種を２〜１０wt% 、Ａｇを８０〜９５
wt% およびＣｕを５〜２０wt% 混合して得たろう材を用
いて接合することを特徴とするセラミックス配線基板の
製造法。 - 【請求項２】 セラミックス基板と金属板を接合して回
路基板を製造する方法において、接合ろう材としてＴ
ｉ、ＺｒおよびＨｆからなる群から選ばれた活性金属の
一種を２〜１０wt% 、Ａｇを８０〜９５wt% およびＣｕ
を５〜２０wt%混合して得たろう材をセラミックス基板
または金属板の表面に上記接合用ろう材が所望の配線パ
ターン形状をなすように塗布した後、金属板をセラミッ
クス基板上に接合し、Ａｇ−Ｃｕ共晶温度の７８０℃以
上で接合することを特徴とするセラミックス配線基板の
製造法。 - 【請求項３】 セラミックス基板と金属板を接合して回
路基板を製造する方法において、接合ろう材としてＴ
ｉ、ＺｒおよびＨｆからなる群から選ばれた活性金属の
一種を２〜１０wt% 、Ａｇを８０〜９５wt% およびＣｕ
を５〜２０wt%混合して得たろう材をセラミックス基板
または金属板の表面に上記接合用ろう材が所望の配線パ
ターン形状をなすように塗布した後、金属板をセラミッ
クス基板上に接合し、Ａｇ−Ｃｕ共晶温度の７８０℃以
上で接合した接合体の金属板表面にレジスト印刷後エッ
チング処理して、所望の配線パターンを有する金属配線
板を形成することを特徴とするセラミックス配線基板の
製造法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25458694A JPH0897554A (ja) | 1994-09-22 | 1994-09-22 | セラミックス配線基板の製造法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25458694A JPH0897554A (ja) | 1994-09-22 | 1994-09-22 | セラミックス配線基板の製造法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0897554A true JPH0897554A (ja) | 1996-04-12 |
Family
ID=17267101
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25458694A Pending JPH0897554A (ja) | 1994-09-22 | 1994-09-22 | セラミックス配線基板の製造法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0897554A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0839598A2 (en) * | 1996-10-30 | 1998-05-06 | Dowa Mining Co., Ltd. | Processes for producing metal-ceramics composite substrates and brazing materials for use in such processes |
| EP0868961A1 (en) * | 1997-03-12 | 1998-10-07 | Dowa Mining Co., Ltd. | Metal-ceramic composite substrates, producing methods thereof and brazing materials for use in such method |
| US7069645B2 (en) | 2001-03-29 | 2006-07-04 | Ngk Insulators, Ltd. | Method for producing a circuit board |
| WO2013008651A1 (ja) * | 2011-07-14 | 2013-01-17 | 京セラ株式会社 | 回路基板および電子装置 |
-
1994
- 1994-09-22 JP JP25458694A patent/JPH0897554A/ja active Pending
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0839598A2 (en) * | 1996-10-30 | 1998-05-06 | Dowa Mining Co., Ltd. | Processes for producing metal-ceramics composite substrates and brazing materials for use in such processes |
| EP0839598A3 (en) * | 1996-10-30 | 1998-09-09 | Dowa Mining Co., Ltd. | Processes for producing metal-ceramics composite substrates and brazing materials for use in such processes |
| EP0868961A1 (en) * | 1997-03-12 | 1998-10-07 | Dowa Mining Co., Ltd. | Metal-ceramic composite substrates, producing methods thereof and brazing materials for use in such method |
| US6221511B1 (en) | 1997-03-12 | 2001-04-24 | Dowa Mining Co. Ltd. | Metal-ceramic composite substrates, producing methods thereof and brazing materials for use in such method |
| US6354484B1 (en) * | 1997-03-12 | 2002-03-12 | Dowa Mining Co., Ltd. | Process for producing a metal-ceramic composite substrate |
| US6399019B1 (en) | 1997-03-12 | 2002-06-04 | Dowa Mining Co., Ltd. | Brazing material for use in joining a metal plate to a ceramic substrate |
| EP1295671A1 (en) * | 1997-03-12 | 2003-03-26 | Dowa Mining Co., Ltd. | Metal-ceramic composite substrates, producing methods thereof and brazing materials for use in such method |
| US7069645B2 (en) | 2001-03-29 | 2006-07-04 | Ngk Insulators, Ltd. | Method for producing a circuit board |
| WO2013008651A1 (ja) * | 2011-07-14 | 2013-01-17 | 京セラ株式会社 | 回路基板および電子装置 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH07202063A (ja) | セラミックス回路基板 | |
| JPH10125821A (ja) | 高信頼性半導体用基板 | |
| KR100374379B1 (ko) | 기판 | |
| JP2000068414A (ja) | リードレスパッケージの製造方法 | |
| JPH0897554A (ja) | セラミックス配線基板の製造法 | |
| JPH05198917A (ja) | セラミックス配線基板の製造方法 | |
| JP4018264B2 (ja) | アルミニウム−窒化アルミニウム絶縁基板の製造方法 | |
| JPH09234826A (ja) | 金属−セラミックス複合基板及びその製造法 | |
| JP3933287B2 (ja) | ヒートシンク付き回路基板 | |
| JPH0846326A (ja) | セラミックス配線基板の製造方法 | |
| JPH07142858A (ja) | セラミックス配線基板の製造方法 | |
| JPH0714015B2 (ja) | 銅回路を有する窒化アルミニウム基板の製法 | |
| JP2986531B2 (ja) | 銅を接合した窒化アルミニウム基板の製造法 | |
| JP3712378B2 (ja) | 端子付き回路基板及びその製造方法 | |
| JP3708143B2 (ja) | セラミックス配線基板の製造方法 | |
| JP3837688B2 (ja) | アルミニウム−窒化アルミニウム絶縁回路基板 | |
| JP3729637B2 (ja) | 電子部品 | |
| JPH04108673A (ja) | ろう材ペースト及びそれを用いた接合体 | |
| JP2000086367A (ja) | 接合体及びそれを用いた回路基板 | |
| JPH0466688B2 (ja) | ||
| JP3260222B2 (ja) | 回路基板の製造方法 | |
| JP2000031609A (ja) | 回路基板 | |
| KR101905574B1 (ko) | 반도체 소자 접합구조 및 접합방법 | |
| JPH046179A (ja) | セラミックス基板と銅板との接合体 | |
| JPH0621610A (ja) | 銅回路を有するセラミック基板の製造法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
Effective date: 20040206 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422 |
|
| RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20040318 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20040413 |