JPH04108673A - ろう材ペースト及びそれを用いた接合体 - Google Patents
ろう材ペースト及びそれを用いた接合体Info
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- JPH04108673A JPH04108673A JP22472790A JP22472790A JPH04108673A JP H04108673 A JPH04108673 A JP H04108673A JP 22472790 A JP22472790 A JP 22472790A JP 22472790 A JP22472790 A JP 22472790A JP H04108673 A JPH04108673 A JP H04108673A
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- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 102
- 239000002184 metal Substances 0.000 title claims abstract description 102
- 238000005219 brazing Methods 0.000 title claims abstract description 52
- 239000000945 filler Substances 0.000 title claims abstract description 26
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims abstract description 46
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 41
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims abstract description 24
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 20
- 230000009257 reactivity Effects 0.000 abstract description 6
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 abstract description 4
- 239000000155 melt Substances 0.000 abstract description 4
- 238000002156 mixing Methods 0.000 abstract description 3
- 239000004020 conductor Substances 0.000 abstract 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 20
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 18
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 15
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 15
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 13
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 12
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 8
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 7
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 7
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 6
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 6
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 5
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 5
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 5
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 5
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 4
- ORTQZVOHEJQUHG-UHFFFAOYSA-L copper(II) chloride Chemical compound Cl[Cu]Cl ORTQZVOHEJQUHG-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 4
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 4
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052582 BN Inorganic materials 0.000 description 3
- PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N Boron nitride Chemical compound N#B PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 3
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M Sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 3
- 235000013405 beer Nutrition 0.000 description 3
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 3
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 3
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 3
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 3
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 3
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 2
- WUOACPNHFRMFPN-UHFFFAOYSA-N alpha-terpineol Chemical compound CC1=CCC(C(C)(C)O)CC1 WUOACPNHFRMFPN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000007767 bonding agent Substances 0.000 description 2
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 2
- 229960003280 cupric chloride Drugs 0.000 description 2
- SQIFACVGCPWBQZ-UHFFFAOYSA-N delta-terpineol Natural products CC(C)(O)C1CCC(=C)CC1 SQIFACVGCPWBQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 2
- 230000005496 eutectics Effects 0.000 description 2
- HJOVHMDZYOCNQW-UHFFFAOYSA-N isophorone Chemical compound CC1=CC(=O)CC(C)(C)C1 HJOVHMDZYOCNQW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000035939 shock Effects 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 229940116411 terpineol Drugs 0.000 description 2
- XNWFRZJHXBZDAG-UHFFFAOYSA-N 2-METHOXYETHANOL Chemical compound COCCO XNWFRZJHXBZDAG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZNQVEEAIQZEUHB-UHFFFAOYSA-N 2-ethoxyethanol Chemical compound CCOCCO ZNQVEEAIQZEUHB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910017944 Ag—Cu Inorganic materials 0.000 description 1
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N Calcium Chemical compound [Ca] OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000001856 Ethyl cellulose Substances 0.000 description 1
- ZZSNKZQZMQGXPY-UHFFFAOYSA-N Ethyl cellulose Chemical compound CCOCC1OC(OC)C(OCC)C(OCC)C1OC1C(O)C(O)C(OC)C(CO)O1 ZZSNKZQZMQGXPY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021578 Iron(III) chloride Inorganic materials 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N Zirconium Chemical compound [Zr] QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001093 Zr alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000323 aluminium silicate Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 description 1
- DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N barium atom Chemical compound [Ba] DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 1
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011575 calcium Substances 0.000 description 1
- 239000007795 chemical reaction product Substances 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 1
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 description 1
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 238000007872 degassing Methods 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- HNPSIPDUKPIQMN-UHFFFAOYSA-N dioxosilane;oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Si]=O.O=[Al]O[Al]=O HNPSIPDUKPIQMN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 229920001249 ethyl cellulose Polymers 0.000 description 1
- 235000019325 ethyl cellulose Nutrition 0.000 description 1
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 1
- 238000001125 extrusion Methods 0.000 description 1
- 229910052735 hafnium Inorganic materials 0.000 description 1
- VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N hafnium atom Chemical compound [Hf] VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000004678 hydrides Chemical class 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- RBTARNINKXHZNM-UHFFFAOYSA-K iron trichloride Chemical compound Cl[Fe](Cl)Cl RBTARNINKXHZNM-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 238000004898 kneading Methods 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 229910052747 lanthanoid Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002602 lanthanoids Chemical class 0.000 description 1
- WPBNNNQJVZRUHP-UHFFFAOYSA-L manganese(2+);methyl n-[[2-(methoxycarbonylcarbamothioylamino)phenyl]carbamothioyl]carbamate;n-[2-(sulfidocarbothioylamino)ethyl]carbamodithioate Chemical compound [Mn+2].[S-]C(=S)NCCNC([S-])=S.COC(=O)NC(=S)NC1=CC=CC=C1NC(=S)NC(=O)OC WPBNNNQJVZRUHP-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229920000609 methyl cellulose Polymers 0.000 description 1
- 239000001923 methylcellulose Substances 0.000 description 1
- 239000002362 mulch Substances 0.000 description 1
- 239000005416 organic matter Substances 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 229920000205 poly(isobutyl methacrylate) Polymers 0.000 description 1
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 description 1
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 235000011121 sodium hydroxide Nutrition 0.000 description 1
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 1
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 description 1
- PMTRSEDNJGMXLN-UHFFFAOYSA-N titanium zirconium Chemical compound [Ti].[Zr] PMTRSEDNJGMXLN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005303 weighing Methods 0.000 description 1
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 description 1
- VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N yttrium atom Chemical compound [Y] VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 1
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 description 1
Landscapes
- Ceramic Products (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、ろう材ペースト詳しくはパワー半導体モジュ
ール等に使用される金属板をセラミックス基板に接合し
導体回路を形成する際に有用であるろう材ペースト及び
それを用いた接合体に関する。
ール等に使用される金属板をセラミックス基板に接合し
導体回路を形成する際に有用であるろう材ペースト及び
それを用いた接合体に関する。
近年、ロボット・モーター等の産業機器の高性能化に伴
い、大電力・高能率インバーターなど大電力モジュール
の変遷か進んでおり、半導体素子から発生する熱も増加
の一途をたどっている。この熱を効率よく放散するため
、大電力モジュール基板では従来よりさまざまな方法が
とられてきた。
い、大電力・高能率インバーターなど大電力モジュール
の変遷か進んでおり、半導体素子から発生する熱も増加
の一途をたどっている。この熱を効率よく放散するため
、大電力モジュール基板では従来よりさまざまな方法が
とられてきた。
とくに最近、良好な熱伝導性を有するセラミックス基板
の出現により、基板上に金属板を接合し回路を形成後、
そのまま金属板上に半導体素子を搭載する構造も採用さ
れつつある。
の出現により、基板上に金属板を接合し回路を形成後、
そのまま金属板上に半導体素子を搭載する構造も採用さ
れつつある。
従来より、銅板などの金属とセラミックスを接合する方
法としては種々の提案がなされているが、特に大電力モ
ジュール基板では、高熱伝導性の窒化アルミニウム基板
が注目されている。銅板と窒化アルミニウム基板の接合
方法としては、両者の間に活性金属を含むろう材を介在
させ、加熱処理して接合体を形成する活性金属法(例え
ば特開昭60−177634号公報)や、表面を酸化処
理した窒化アルミニウム基板と銅板を銅の融点以下、C
u、0−0の共晶温度以上で加熱して接合するDBC法
(例えば特開昭56−163093号公報)などが知ら
れている。
法としては種々の提案がなされているが、特に大電力モ
ジュール基板では、高熱伝導性の窒化アルミニウム基板
が注目されている。銅板と窒化アルミニウム基板の接合
方法としては、両者の間に活性金属を含むろう材を介在
させ、加熱処理して接合体を形成する活性金属法(例え
ば特開昭60−177634号公報)や、表面を酸化処
理した窒化アルミニウム基板と銅板を銅の融点以下、C
u、0−0の共晶温度以上で加熱して接合するDBC法
(例えば特開昭56−163093号公報)などが知ら
れている。
活性金属法は、DBC法に比べて、
l)接合処理温度が低いので、A I N−Cuの熱膨
張差によって生じる残留応力か小さい。
張差によって生じる残留応力か小さい。
2)接合層か延性金属であるので、ヒートショックやヒ
ツトサイクルに対して耐久性か大きい。
ツトサイクルに対して耐久性か大きい。
などの利点を有する反面、DBC法で採用されている金
属板の全面接合後のエツチングによる回路形成法いわゆ
る「ベタ付エツチング」が難しいので、生産性が悪いと
いう問題点かある。活性金属法では、加熱処理時にろう
材中の活性金属成分か基板と反応し、活性金属の窒化物
や酸化物を生成することにより結合をはたしている。し
かしなから、このようなろう材を基板全面に配置し銅板
と接触させて接合体を得、その後エツチングにて銅回路
パターンを形成する方法では、例えば塩化第2鉄溶液や
塩化第2銅溶液等通常のエツチング液では、回路パター
ン外にも生成しているそれらの窒化物や酸化物は除去し
にくく、パターン間の短絡の原因になってしまう。
属板の全面接合後のエツチングによる回路形成法いわゆ
る「ベタ付エツチング」が難しいので、生産性が悪いと
いう問題点かある。活性金属法では、加熱処理時にろう
材中の活性金属成分か基板と反応し、活性金属の窒化物
や酸化物を生成することにより結合をはたしている。し
かしなから、このようなろう材を基板全面に配置し銅板
と接触させて接合体を得、その後エツチングにて銅回路
パターンを形成する方法では、例えば塩化第2鉄溶液や
塩化第2銅溶液等通常のエツチング液では、回路パター
ン外にも生成しているそれらの窒化物や酸化物は除去し
にくく、パターン間の短絡の原因になってしまう。
従来、この対策として、以下の方法がとられてきた。
l)回路パターン状にろう材ペーストを塗布し、その上
に同形状の金属板を配置し、加熱接合して回路を形成す
る。
に同形状の金属板を配置し、加熱接合して回路を形成す
る。
2)回路パターン状にろう材ペーストを筒布し、その上
にその形状を含む金属板すなわちへた金属板を配置し加
熱接合後エツチングして回路を形成する。
にその形状を含む金属板すなわちへた金属板を配置し加
熱接合後エツチングして回路を形成する。
2)は1)に比較し、ベタ金属板を用いる点で生産性の
ある方法であるか、ろう材ペーストか接合時に回路間の
絶縁部にはみ出して歩留まりの低下を招く。
ある方法であるか、ろう材ペーストか接合時に回路間の
絶縁部にはみ出して歩留まりの低下を招く。
さらに、パワー半導体モジュール等のセラミックス基板
の適用範囲が拡大しつつある現在、−層の信頼性、特に
耐ヒートシヨツク性や耐ヒートサイクル性の向上が厳し
く求められている。これに対処するため、回路の電極半
田付は部等を基板と接合しない部分つまり非接合部とす
る方法が採用されつつあるが、DBC法では本質的に非
接合部を形成させることは難しく、金属板を加工して基
板と接触しない部分をつくり非接合部としている。
の適用範囲が拡大しつつある現在、−層の信頼性、特に
耐ヒートシヨツク性や耐ヒートサイクル性の向上が厳し
く求められている。これに対処するため、回路の電極半
田付は部等を基板と接合しない部分つまり非接合部とす
る方法が採用されつつあるが、DBC法では本質的に非
接合部を形成させることは難しく、金属板を加工して基
板と接触しない部分をつくり非接合部としている。
この方法では、金属板の加工工程が加わるのでコストア
ップと歩留まりの低下を招き、特に非接触部を金属板の
折り曲げによる浮かせによってつくると、折り曲げ部の
金属が損傷しやすくなる。また、加熱接合に基板−金属
板−スペーサを何層にも積層して行なうことが困難であ
るので生産性は低下する。一方、活性金属法では、非接
合部に、ろう材のはみ出しによる不良が生じた場合、物
理的及び薬液等の使用による化学的な除去は著しく困難
であるので歩留まりが低下する。
ップと歩留まりの低下を招き、特に非接触部を金属板の
折り曲げによる浮かせによってつくると、折り曲げ部の
金属が損傷しやすくなる。また、加熱接合に基板−金属
板−スペーサを何層にも積層して行なうことが困難であ
るので生産性は低下する。一方、活性金属法では、非接
合部に、ろう材のはみ出しによる不良が生じた場合、物
理的及び薬液等の使用による化学的な除去は著しく困難
であるので歩留まりが低下する。
本発明者等は、以上の問題点を解決するために種々検討
した結果、上記長所を有する活性金属法において、ろう
材ペーストとして、活性金属に対して反応性を有するセ
ラミックス粉末の少量を存在させたものを用いればよい
ことを見出し、本発明を完成したものである。
した結果、上記長所を有する活性金属法において、ろう
材ペーストとして、活性金属に対して反応性を有するセ
ラミックス粉末の少量を存在させたものを用いればよい
ことを見出し、本発明を完成したものである。
すなわち、本発明は、以下を要旨とするろう材ペースト
及びそれを用いた接合体である。
及びそれを用いた接合体である。
■、 ろう材100重量部に対し、活性金属5〜40重
量部と該活性金属に対して反応性を有するセラミックス
粉末0.1〜10重量部とを含有してなることを特徴と
するろう材ペースト。
量部と該活性金属に対して反応性を有するセラミックス
粉末0.1〜10重量部とを含有してなることを特徴と
するろう材ペースト。
2、 セラミックス基板と金属板とを請求項1記載のろ
う材ペーストにより接合してなることを特徴とする接合
体。
う材ペーストにより接合してなることを特徴とする接合
体。
以下、さらに詳しく本発明について説明する。
本発明のろう材ペーストは、ろう材と活性金属と該活性
金属に対して反応性を有するセラミックス粉末(以下、
反応性セラミックス粉末という)を含み、それを有機溶
剤又は有機溶剤と有機結合剤で練ったものである。
金属に対して反応性を有するセラミックス粉末(以下、
反応性セラミックス粉末という)を含み、それを有機溶
剤又は有機溶剤と有機結合剤で練ったものである。
ろう材としては、ニッケル(Ni) 、銅(Cu)、銀
(Ag)等から選ばれた少なくとも1種を、それらの単
体、合金もしくは化合物の形態で用いられるが、中でも
、ろう材の融点が低いということと取扱い性の点からA
gとCuを併用するのが望ましい。
(Ag)等から選ばれた少なくとも1種を、それらの単
体、合金もしくは化合物の形態で用いられるが、中でも
、ろう材の融点が低いということと取扱い性の点からA
gとCuを併用するのが望ましい。
活性金属とは、セラミックス基板と反応してろう材の濡
れ性か確保されれば特に限定するものではないが、取扱
い性及びセラミックス基板との反応の容易さを考えれば
、チタン(Ti) 、ジルコニウム(Zr) 、ハフニ
ウム(Hf) 、及びこれらを主成分とする合金、さら
にはろう材の融点までに分解してそれらの活性金属を生
成する化合物か好ましく、特にTi、 Ti−Zr合金
及びTi とZrの混合物あるいはそれらの水素化物が
好ましい。
れ性か確保されれば特に限定するものではないが、取扱
い性及びセラミックス基板との反応の容易さを考えれば
、チタン(Ti) 、ジルコニウム(Zr) 、ハフニ
ウム(Hf) 、及びこれらを主成分とする合金、さら
にはろう材の融点までに分解してそれらの活性金属を生
成する化合物か好ましく、特にTi、 Ti−Zr合金
及びTi とZrの混合物あるいはそれらの水素化物が
好ましい。
通常、金属ろう材の溶融物はセラミックス表面に対して
濡れ性が悪く、これを改善するために本発明のろう材ペ
ーストには活性金属を含む。活性金属が、セラミックス
と金属板を接合する際に、セラミックス基板と反応して
界面で反応生成物を形成し、金属板とろう材の金属成分
が加熱時相互に拡散して強固に結合している。活性金属
の添加量は、活性金属の種類や接合条件、有機溶剤、有
機結合剤の添加量等によって変わるが、ろう材100重
量部に対し5〜40重量部とすることが望ましい。5重
量部よりも少な過ぎると接合FDか悪くなり、特に接合
部の端部か接合しなくなっていわゆる接合不良か生じや
すくなる。一方、40重量部よりも多過ぎると接合時に
ろう材のはみ出し不良を生じやすくなる。
濡れ性が悪く、これを改善するために本発明のろう材ペ
ーストには活性金属を含む。活性金属が、セラミックス
と金属板を接合する際に、セラミックス基板と反応して
界面で反応生成物を形成し、金属板とろう材の金属成分
が加熱時相互に拡散して強固に結合している。活性金属
の添加量は、活性金属の種類や接合条件、有機溶剤、有
機結合剤の添加量等によって変わるが、ろう材100重
量部に対し5〜40重量部とすることが望ましい。5重
量部よりも少な過ぎると接合FDか悪くなり、特に接合
部の端部か接合しなくなっていわゆる接合不良か生じや
すくなる。一方、40重量部よりも多過ぎると接合時に
ろう材のはみ出し不良を生じやすくなる。
適正量の活性金属を添加すれば、接合不良もはみ出し不
良も生じないか、この適正量は、基板の表面状態によっ
ても変化する上、通常あまり広い範囲ではないのでペー
スト塗布条件等の僅かな変化によっても、部分的に逸脱
することかあり、しばしば接合工程上の歩留まり低下の
原因となる。
良も生じないか、この適正量は、基板の表面状態によっ
ても変化する上、通常あまり広い範囲ではないのでペー
スト塗布条件等の僅かな変化によっても、部分的に逸脱
することかあり、しばしば接合工程上の歩留まり低下の
原因となる。
セラミックス基板と金属板の接合からいえば、活性金属
量は上記接合不良もはみ出しもしない適正量よりも少し
多い方か状態は良好である。これはろう材が溶融した際
に、セラミックス界面に偏析した十分な活性金属によっ
てろう材のぬれ性が確保されるためである。しかし、こ
の時、適正量よりも余剰分の活性金属は、基板との反応
が進み反応層を形成していく過程で、不要な部分にも反
応層を形成しその上にろう材が濡れ広がってしまうので
はみ出し不良を生じる。
量は上記接合不良もはみ出しもしない適正量よりも少し
多い方か状態は良好である。これはろう材が溶融した際
に、セラミックス界面に偏析した十分な活性金属によっ
てろう材のぬれ性が確保されるためである。しかし、こ
の時、適正量よりも余剰分の活性金属は、基板との反応
が進み反応層を形成していく過程で、不要な部分にも反
応層を形成しその上にろう材が濡れ広がってしまうので
はみ出し不良を生じる。
本発明においては、活性金属をやや過剰に加えることに
より、ろう材溶融時の十分な濡れ性を確保して接合不良
の発生を抑えると共に、後述する該活性金属と反応する
セラミックス粉末を加えることにより、余剰の活性金属
を消費させて、不要部分での反応層の形成を防いてはみ
出し不良の発生を抑えるものである。これは、ろう材の
溶融温度の方か活性金属の反応が顕著になる温度より低
温にあり、溶融の方が比較的速やかにおこることを利用
している。例えば窒化アルミニウム基板にチタンを活性
金属として、共晶組成のAg−Cu合金をろう材として
銅板を接合する場合、ろう材は780°Cで溶融し、活
性金属は830〜850°Cで窒化アルミニウムとの反
応が顕著になってくる。
より、ろう材溶融時の十分な濡れ性を確保して接合不良
の発生を抑えると共に、後述する該活性金属と反応する
セラミックス粉末を加えることにより、余剰の活性金属
を消費させて、不要部分での反応層の形成を防いてはみ
出し不良の発生を抑えるものである。これは、ろう材の
溶融温度の方か活性金属の反応が顕著になる温度より低
温にあり、溶融の方が比較的速やかにおこることを利用
している。例えば窒化アルミニウム基板にチタンを活性
金属として、共晶組成のAg−Cu合金をろう材として
銅板を接合する場合、ろう材は780°Cで溶融し、活
性金属は830〜850°Cで窒化アルミニウムとの反
応が顕著になってくる。
反応性セラミックス粉末とは、ろう材の溶融後に活性金
属と反応しそれを消費する性質を有するものである。活
性金属との反応性がセラミックス基板よりも小さいセラ
ミックス粉末であると、主に基板と反応してしまい、逆
に、基板より非常に反応しやすいものであると、基板の
反応層の形成が著しく阻害されるため、反応性セラミッ
クス粉末としては、活性金属との反応性が基板とあまり
差のあるものは好ましくない。−例として、セラミック
ス基板に窒化アルミニウムを使用した場合の適切な反応
性セラミックス粉末を例示すれば、窒化アルミニウム、
窒化ケイ素、窒化硼素、酸化アルミニウム、及びこれら
の複合系を主成分とするものなどである。一方、酸化ア
ルミニウム基板の場合は、アルミニウム、シリコン、カ
ルシウム、クロム、マンガン、鉄、コバルト、ニッケル
、銅、亜鉛、バリウム、イツトリウム、ランタノイドな
どの酸化物及びアルミノシリケートのようにそれらのう
ち二種以上の複合酸化物を主成分とするものなど、さら
には窒化珪素、窒化アルミニウム、窒化硼素などの窒化
物などである。
属と反応しそれを消費する性質を有するものである。活
性金属との反応性がセラミックス基板よりも小さいセラ
ミックス粉末であると、主に基板と反応してしまい、逆
に、基板より非常に反応しやすいものであると、基板の
反応層の形成が著しく阻害されるため、反応性セラミッ
クス粉末としては、活性金属との反応性が基板とあまり
差のあるものは好ましくない。−例として、セラミック
ス基板に窒化アルミニウムを使用した場合の適切な反応
性セラミックス粉末を例示すれば、窒化アルミニウム、
窒化ケイ素、窒化硼素、酸化アルミニウム、及びこれら
の複合系を主成分とするものなどである。一方、酸化ア
ルミニウム基板の場合は、アルミニウム、シリコン、カ
ルシウム、クロム、マンガン、鉄、コバルト、ニッケル
、銅、亜鉛、バリウム、イツトリウム、ランタノイドな
どの酸化物及びアルミノシリケートのようにそれらのう
ち二種以上の複合酸化物を主成分とするものなど、さら
には窒化珪素、窒化アルミニウム、窒化硼素などの窒化
物などである。
反応性セラミックス粉末の粒度としては、塗布したペー
ストの厚味が、通常、10〜40μmであることを考え
れば、最大径が50μmを越えるものはよくないので、
好ましくは30μm以下特に20μm以下である。平均
径もあまり大きいと反応性セラミックス粉末の添加量が
増えて、接合状態に悪影響を及はすことかあるので15
μmを越えるものはよくなく、好ましくは10μm以下
特に5μm以下である。
ストの厚味が、通常、10〜40μmであることを考え
れば、最大径が50μmを越えるものはよくないので、
好ましくは30μm以下特に20μm以下である。平均
径もあまり大きいと反応性セラミックス粉末の添加量が
増えて、接合状態に悪影響を及はすことかあるので15
μmを越えるものはよくなく、好ましくは10μm以下
特に5μm以下である。
反応性セラミックス粉末の添加量は、接合条件や活性金
属の添加量によっても異なるか、ろう材100重量部に
対し少なくとも活性金属より3重量部以上少ないことが
好ましく、特に好ましくは5〜35重量部重量部量であ
り、最も好ましくは10〜30重量部少ない量である。
属の添加量によっても異なるか、ろう材100重量部に
対し少なくとも活性金属より3重量部以上少ないことが
好ましく、特に好ましくは5〜35重量部重量部量であ
り、最も好ましくは10〜30重量部少ない量である。
具体的には、ろう材100重量部に対して、0.1〜l
O重量部である。好ましくは1〜9重量部、特に好まし
くは2〜8重量部である。
O重量部である。好ましくは1〜9重量部、特に好まし
くは2〜8重量部である。
有機溶剤や有機接合剤については特に限定するものでは
なく、接合時にペーストの金属成分に対して特に悪影響
を及ぼさないものであればよい。
なく、接合時にペーストの金属成分に対して特に悪影響
を及ぼさないものであればよい。
その−例を示せば、有機溶剤については、メチルセルソ
ルブ、エチルセルソルブ、テレピネオール、イソホロン
、トルエン等、また、有機結合剤については、エチルセ
ルロース、メチルセルロース、PMMA、 PIBM
A等である。
ルブ、エチルセルソルブ、テレピネオール、イソホロン
、トルエン等、また、有機結合剤については、エチルセ
ルロース、メチルセルロース、PMMA、 PIBM
A等である。
以上説明した各成分の量的割合の一例を示せば、ろう材
100重量部に対し、活性金属5〜40重量部、反応性
セラミックス粉末0.1〜10重量部、有機溶剤10〜
30重量部、有機結合剤0〜5重量部である。
100重量部に対し、活性金属5〜40重量部、反応性
セラミックス粉末0.1〜10重量部、有機溶剤10〜
30重量部、有機結合剤0〜5重量部である。
本発明のろう材ペーストは以上のような各成分を混合し
て得られる。混合法は特に限定するものではなく、各成
分か均一に混ざりあえばよい。具体的には、ロール、ニ
ーダ−等の混練機をはじめ、パンバリミキサー、万能混
合機やらいかい機などが一般的である。
て得られる。混合法は特に限定するものではなく、各成
分か均一に混ざりあえばよい。具体的には、ロール、ニ
ーダ−等の混練機をはじめ、パンバリミキサー、万能混
合機やらいかい機などが一般的である。
本発明のろう材ペーストを用いるセラミックス基板と金
属板との接合は、通常の活性金属法の接合と同じでよく
、真空下又は不活性雰囲気下で行なわれる。活性金属と
反応容易な雰囲気は好ましくなく、特に高温では活性か
十分に保てる雰囲気が必要である。
属板との接合は、通常の活性金属法の接合と同じでよく
、真空下又は不活性雰囲気下で行なわれる。活性金属と
反応容易な雰囲気は好ましくなく、特に高温では活性か
十分に保てる雰囲気が必要である。
セラミックス基板の材質としては、窒化ケイ素、窒化ア
ルミニウム、窒化硼素、酸化アルミニウム、及びこれら
の複合系を主成分とするものなどがあげられるが、酸化
アルミニウムと窒化アルミニウムが最も一般的である。
ルミニウム、窒化硼素、酸化アルミニウム、及びこれら
の複合系を主成分とするものなどがあげられるが、酸化
アルミニウムと窒化アルミニウムが最も一般的である。
特に、パワー半導体モジュール基板への適用を考えた場
合、高熱伝導性を有する窒化アルミニウムが最も好まし
い。
合、高熱伝導性を有する窒化アルミニウムが最も好まし
い。
また、金属板としては、銅、ニッケル、アルミニウム、
及びこれらを主成分とする合金などが一般的である。パ
ワー半導体モジュール基板への適用を考えた場合、銅板
を使用することか望ましい。
及びこれらを主成分とする合金などが一般的である。パ
ワー半導体モジュール基板への適用を考えた場合、銅板
を使用することか望ましい。
以下、実施例と比較例をあげて本発明を具体的に説明す
る。
る。
実施例1〜7.比較例1〜4
第1表に示す割合からなる金属成分と反応性セラミック
ス粉末の組成物100重量部に、テレピネオール15重
量部と有機結合剤としてポリイソブチルメタアクリレー
トのトルエン溶液を固形分て1.5重量部加え、大型ら
いかい機で30分混合後セラミックス製3本ロールに4
回通してよく混練しろう材ペーストを調製した。
ス粉末の組成物100重量部に、テレピネオール15重
量部と有機結合剤としてポリイソブチルメタアクリレー
トのトルエン溶液を固形分て1.5重量部加え、大型ら
いかい機で30分混合後セラミックス製3本ロールに4
回通してよく混練しろう材ペーストを調製した。
このろう材ペーストを70mm X 40+nm X
0.65mm tの窒化アルミニウム基板の両面にスク
リーン印刷した。次に、この基板を150°Cで5分間
乾燥後、両面に70w X 40mm X 0.250
1111 tの銅板を接触配置し、炉に各10枚づつ投
入した。これらの試料を、まず高純度窒素ガス気流中4
00°Cで有機分を十分除去後、10°C/minで8
80°Cまで昇温し、I X 10−’torr、88
0°Cで20分間加加熱台し、さらに2°C/minの
降温速度で室温まで冷却して接合体とした。
0.65mm tの窒化アルミニウム基板の両面にスク
リーン印刷した。次に、この基板を150°Cで5分間
乾燥後、両面に70w X 40mm X 0.250
1111 tの銅板を接触配置し、炉に各10枚づつ投
入した。これらの試料を、まず高純度窒素ガス気流中4
00°Cで有機分を十分除去後、10°C/minで8
80°Cまで昇温し、I X 10−’torr、88
0°Cで20分間加加熱台し、さらに2°C/minの
降温速度で室温まで冷却して接合体とした。
この接合体の銅板上に紫外線硬化型のエツチングレジス
トをスクリーン印刷機で回路パターン上に塗布後、塩化
第2銅溶液を用いてエツチング処理を行なって銅板の不
要部分を溶解除去し、さらにエツチングレジストを5重
量%苛性ソーダ溶液で剥離した。
トをスクリーン印刷機で回路パターン上に塗布後、塩化
第2銅溶液を用いてエツチング処理を行なって銅板の不
要部分を溶解除去し、さらにエツチングレジストを5重
量%苛性ソーダ溶液で剥離した。
各試料は接合不良、はみ出し不良の有機をチエツク後、
ビール強度を測定した。それらの結果を第1表に示す。
ビール強度を測定した。それらの結果を第1表に示す。
本発明の実施例1〜7はいずれも接合不良を生じること
な(、はみ出し不良の防止かできており、ビール強度も
、実用強度の目安とされている5kgf/anを下回る
ものはなかった。
な(、はみ出し不良の防止かできており、ビール強度も
、実用強度の目安とされている5kgf/anを下回る
ものはなかった。
実施例8〜13.比較例5〜7
第1表に示す割合からなる金属成分と反応性セラミック
ス粉末の組成物100重量部のかわりに、第2表に示す
割合からなる金属成分と反応性セラミックス粉末の組成
物100重量部を用いた以外は実施例1と同様にしてろ
う材ペーストを調製した。
ス粉末の組成物100重量部のかわりに、第2表に示す
割合からなる金属成分と反応性セラミックス粉末の組成
物100重量部を用いた以外は実施例1と同様にしてろ
う材ペーストを調製した。
このろう材ペーストを50mm X 20mm X 0
.7 mm tの基板に非接合部を設けてスクリーン印
刷し、150°Cで4分間乾燥後両面に50mm X
20mm X 0.2 mm tの銅板を接触配置し、
炉に各10枚ずつ投入した。セラミックス基板の種類を
第2表に示す。これらの試料を真空中、450°Cまで
加熱し、さらに十分脱気後第2表に示す各接合温度まで
昇温し、30分間保持後2℃/minで室温まで冷却し
て接合体とした。
.7 mm tの基板に非接合部を設けてスクリーン印
刷し、150°Cで4分間乾燥後両面に50mm X
20mm X 0.2 mm tの銅板を接触配置し、
炉に各10枚ずつ投入した。セラミックス基板の種類を
第2表に示す。これらの試料を真空中、450°Cまで
加熱し、さらに十分脱気後第2表に示す各接合温度まで
昇温し、30分間保持後2℃/minで室温まで冷却し
て接合体とした。
以下実施例1と同様の工程を経て評価し、第2表の結果
を得た。
を得た。
本発明の実施例8〜13はいずれも接合不良を生じるこ
となく、はみ出し不良の発生防止ができており、ビール
強度も実用強度の目安とされている5 kgf/anを
下回るものはなかった。
となく、はみ出し不良の発生防止ができており、ビール
強度も実用強度の目安とされている5 kgf/anを
下回るものはなかった。
(発明の効果)
本発明のように、反応性セラミックス粉末を含む活性金
属ろう材ペーストを用いることによって、セラミックス
基板と金属板との接合不良を増加させたり接合状態を低
下させたりすることはなく、またろう材ペーストのはみ
出し不良をも抑止することができるので、歩留りが向上
する。
属ろう材ペーストを用いることによって、セラミックス
基板と金属板との接合不良を増加させたり接合状態を低
下させたりすることはなく、またろう材ペーストのはみ
出し不良をも抑止することができるので、歩留りが向上
する。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、ろう材100重量部に対し、活性金属5〜40重量
部と該活性金属に対して反応性を有するセラミックス粉
末0.1〜10重量部とを含有してなることを特徴とす
るろう材ペースト。 2、セラミックス基板と金属板とを請求項1記載のろう
材ペーストにより接合してなることを特徴とする接合体
。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP22472790A JPH04108673A (ja) | 1990-08-27 | 1990-08-27 | ろう材ペースト及びそれを用いた接合体 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP22472790A JPH04108673A (ja) | 1990-08-27 | 1990-08-27 | ろう材ペースト及びそれを用いた接合体 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH04108673A true JPH04108673A (ja) | 1992-04-09 |
Family
ID=16818299
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP22472790A Pending JPH04108673A (ja) | 1990-08-27 | 1990-08-27 | ろう材ペースト及びそれを用いた接合体 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH04108673A (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003034585A (ja) * | 2001-07-19 | 2003-02-07 | Toshiba Corp | 窒化物系セラミックス部材と金属部材の接合体およびそれを用いた窒化物系セラミックス回路基板 |
JP2013227204A (ja) * | 2012-03-26 | 2013-11-07 | Hitachi Metals Ltd | セラミックス回路基板の製造方法及びセラミックス回路基板 |
JP2014172802A (ja) * | 2013-03-12 | 2014-09-22 | Mitsubishi Materials Corp | 銅部材接合用ペースト、接合体、及びパワーモジュール用基板 |
JP2016184606A (ja) * | 2015-03-25 | 2016-10-20 | 京セラ株式会社 | 放熱基板 |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS62187180A (ja) * | 1986-02-10 | 1987-08-15 | 日本ハイブリツドテクノロジ−ズ株式会社 | 高周波誘導加熱によるセラミツクス部品の接合方法及びその接合構造体 |
JPS63256291A (ja) * | 1987-04-10 | 1988-10-24 | Showa Denko Kk | 接着用材料 |
-
1990
- 1990-08-27 JP JP22472790A patent/JPH04108673A/ja active Pending
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS62187180A (ja) * | 1986-02-10 | 1987-08-15 | 日本ハイブリツドテクノロジ−ズ株式会社 | 高周波誘導加熱によるセラミツクス部品の接合方法及びその接合構造体 |
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JP2014172802A (ja) * | 2013-03-12 | 2014-09-22 | Mitsubishi Materials Corp | 銅部材接合用ペースト、接合体、及びパワーモジュール用基板 |
JP2016184606A (ja) * | 2015-03-25 | 2016-10-20 | 京セラ株式会社 | 放熱基板 |
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