JPS63169651A - 感光体 - Google Patents
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- G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
- G03G5/05—Organic bonding materials; Methods for coating a substrate with a photoconductive layer; Inert supplements for use in photoconductive layers
- G03G5/0503—Inert supplements
- G03G5/051—Organic non-macromolecular compounds
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/02—Charge-receiving layers
- G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
- G03G5/06—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being organic
- G03G5/0664—Dyes
- G03G5/0696—Phthalocyanines
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産呈上Ω刊思分野
本発明は、機能分離型感光体に関する。
従来例挾逝
カールソン法の発明以来、電子写真の応用分野は著しい
発展を続け、感光体にも様々な材料が開発され実用化さ
れて来た。
発展を続け、感光体にも様々な材料が開発され実用化さ
れて来た。
従来用いられて来た感光体材料の主な物としては、フタ
ロシアニン系顔料、ジスアゾ系顔料、トリスアゾ系顔料
、ペリレン系顔料、ポリビニルカルバゾール、トリフェ
ニルメタン化合物、トリフェニルアミン化合物、ヒドラ
ゾン化合物、スチリル化合物、ビラプリン化合物、オキ
サゾール化合物、オキサジアゾール化合物、等の有機物
質、非晶質セレン、セレン砒素、セレンテルル、硫化カ
ドミウム、酸化亜鉛、アモルファスシリコン等の無機物
質が挙げられる。また、その構成形態としては、これら
の物質を単体で用いる単層型構成、結着材中に分散させ
て用いるバインダー型構成、機能別に電荷発生層と電荷
輸送層とを設ける積層型構成等が挙げられる。
ロシアニン系顔料、ジスアゾ系顔料、トリスアゾ系顔料
、ペリレン系顔料、ポリビニルカルバゾール、トリフェ
ニルメタン化合物、トリフェニルアミン化合物、ヒドラ
ゾン化合物、スチリル化合物、ビラプリン化合物、オキ
サゾール化合物、オキサジアゾール化合物、等の有機物
質、非晶質セレン、セレン砒素、セレンテルル、硫化カ
ドミウム、酸化亜鉛、アモルファスシリコン等の無機物
質が挙げられる。また、その構成形態としては、これら
の物質を単体で用いる単層型構成、結着材中に分散させ
て用いるバインダー型構成、機能別に電荷発生層と電荷
輸送層とを設ける積層型構成等が挙げられる。
中でもフタロシアニン系顔料は、フタロシアニン単体に
おいて良好な電荷発生能を有するばかりでなく、フタロ
シアニン骨格中に種々の金属原子或は置換基を導入する
ことにより光吸収波長域を比較的任意に選択可能である
ことから、可視域付近に発光波長を有する白色光を光源
に用いた所謂PPC用感光体から780nm付近に発光
波長を有する半導体レーザー光を光源に用いた所謂LB
P用感光感光体、幅広く応用可能な電荷発生材料として
多くの研究並びに発明がなされて来ている。
おいて良好な電荷発生能を有するばかりでなく、フタロ
シアニン骨格中に種々の金属原子或は置換基を導入する
ことにより光吸収波長域を比較的任意に選択可能である
ことから、可視域付近に発光波長を有する白色光を光源
に用いた所謂PPC用感光体から780nm付近に発光
波長を有する半導体レーザー光を光源に用いた所謂LB
P用感光感光体、幅広く応用可能な電荷発生材料として
多くの研究並びに発明がなされて来ている。
フタロシアニン系顔料を樹脂中に分散せしめた塗膜が電
荷発生材料として感光体に使用可能であることは古くよ
り知られており、例えばバケット(C,F、Hacke
t t)により、1971年発行のザ・ジャーナル・オ
ブ・ケミカル・フィジックス(The Journa
1 of Chemica l Pbvsic
s)第55巻第7号第3178頁乃至第3187頁にお
いて、高濃度のフタロシアニン顔料を含有するポリ−N
−ビニルカルバゾール層とポリ−N−ビニルカルバゾー
ル層とを塗布積層することにより電子写真用感光材料が
得られることが報告されている。また、特開昭47−3
0328号公報にはX型及びβ型の無金属フタロシアニ
ン及び金属フタロシアニンを樹脂中に分散塗布せしめた
電子写真プレートが開示されている。この他にも、機能
分離型構成及びバインダー型構成の何れにも、フタロシ
アニン系顔料を分散塗布した薄膜を電荷発生材料に用い
た感光体に関する開示が数多くなされている。
荷発生材料として感光体に使用可能であることは古くよ
り知られており、例えばバケット(C,F、Hacke
t t)により、1971年発行のザ・ジャーナル・オ
ブ・ケミカル・フィジックス(The Journa
1 of Chemica l Pbvsic
s)第55巻第7号第3178頁乃至第3187頁にお
いて、高濃度のフタロシアニン顔料を含有するポリ−N
−ビニルカルバゾール層とポリ−N−ビニルカルバゾー
ル層とを塗布積層することにより電子写真用感光材料が
得られることが報告されている。また、特開昭47−3
0328号公報にはX型及びβ型の無金属フタロシアニ
ン及び金属フタロシアニンを樹脂中に分散塗布せしめた
電子写真プレートが開示されている。この他にも、機能
分離型構成及びバインダー型構成の何れにも、フタロシ
アニン系顔料を分散塗布した薄膜を電荷発生材料に用い
た感光体に関する開示が数多くなされている。
しかしながら、フタロシアニン系顔料を分散塗布した薄
膜を電荷発生材料に用いた感光体の作製には、使用する
フタロシアニン系顔料に適した樹脂の選択とフタロシア
ニン系顔料の分散性に優れた樹脂用溶剤の選択とを行な
う必要がある。そして、これらの材料から、混合比、粘
度、分散法等の調整により均質な塗液を調製し、ざらに
、塗工法、乾燥法等の調整により均等な膜厚を有する薄
膜を形成する必要があり、感光体作製における不安定要
素が多い。
膜を電荷発生材料に用いた感光体の作製には、使用する
フタロシアニン系顔料に適した樹脂の選択とフタロシア
ニン系顔料の分散性に優れた樹脂用溶剤の選択とを行な
う必要がある。そして、これらの材料から、混合比、粘
度、分散法等の調整により均質な塗液を調製し、ざらに
、塗工法、乾燥法等の調整により均等な膜厚を有する薄
膜を形成する必要があり、感光体作製における不安定要
素が多い。
一方、均一なフタロシアニン系顔料の薄膜を容易に形成
する手法に真空蒸着法がある。一般に、フタロシアニン
系顔料の真空蒸着膜は、膜形成速度が低いため、感光体
全層に用いるには産業上不都合な点が多いが、機能分離
型感光体の電荷発生層として用いる場合には膜厚が極め
て薄くて済むため有用である。
する手法に真空蒸着法がある。一般に、フタロシアニン
系顔料の真空蒸着膜は、膜形成速度が低いため、感光体
全層に用いるには産業上不都合な点が多いが、機能分離
型感光体の電荷発生層として用いる場合には膜厚が極め
て薄くて済むため有用である。
フタロシアニン系化合物の蒸着膜が感光体の電荷発生層
として使用可能であることは古くより知られており、例
えばレゲンスバーガー(P、J。
として使用可能であることは古くより知られており、例
えばレゲンスバーガー(P、J。
Regensburger)及びベトルッツエラ(N、
L、Petruzzel la)により、1971年発
行のジャーナル・オブ・ノンクリスタリン・ソリッド(
Journal of N。
L、Petruzzel la)により、1971年発
行のジャーナル・オブ・ノンクリスタリン・ソリッド(
Journal of N。
n−Crystalline 5olid)第6巻第
13乃至第26頁において、無金属フタロシアニンの蒸
着膜を電荷発生層として用いた感光体において、非晶質
セレンを電荷輸送層として明減衰が得られることが報じ
られている。そしてこれまでに、電荷発生層として応用
可能なフタロシアニン系蒸着膜に関する多くの発明がな
されている。同時に、該電荷発生層と積層することによ
り感光体として実質的に機能させるために、接着性に優
れ、電荷発生層からの電荷注入が容易で、ざらに、電荷
輸送性に優れた電荷輸送層材料に関しても多くの発明が
なされている。
13乃至第26頁において、無金属フタロシアニンの蒸
着膜を電荷発生層として用いた感光体において、非晶質
セレンを電荷輸送層として明減衰が得られることが報じ
られている。そしてこれまでに、電荷発生層として応用
可能なフタロシアニン系蒸着膜に関する多くの発明がな
されている。同時に、該電荷発生層と積層することによ
り感光体として実質的に機能させるために、接着性に優
れ、電荷発生層からの電荷注入が容易で、ざらに、電荷
輸送性に優れた電荷輸送層材料に関しても多くの発明が
なされている。
例えば、特開昭49−48334号公報、特公昭59−
32787号公報、米国USP3,895.944号公
報には、無金属、または、Cu。
32787号公報、米国USP3,895.944号公
報には、無金属、または、Cu。
Cd、ZnXPb等の金属を含むフタロシアニンの蒸着
膜を電荷発生層として設け、その上にオキサジアゾール
系の電荷輸送層を塗布した感光体が開示されている。こ
の他にも、フタロシアニン系蒸着膜を電荷発生層に用い
た感光体について数多くの開示が見られる。
膜を電荷発生層として設け、その上にオキサジアゾール
系の電荷輸送層を塗布した感光体が開示されている。こ
の他にも、フタロシアニン系蒸着膜を電荷発生層に用い
た感光体について数多くの開示が見られる。
一方、プラズマ有機重合膜自体は古くより知られており
、例えばジエン(M、5hen)及びベル(A、T、B
el l)により、1973年発行のジャーナル・オブ
・アプライド・ポリマー・サイエンス(Journa
l of Appl ied Polymer
5cience)第17巻第885乃至892頁にお
いて、数多くの有機化合物ガスから作製可能であること
が報じられている。また、同著者らにより、1979年
のアメリカン゛ケミカルソサエティー(America
nChemical 5ociety)発行によるプ
ラズマボリマライゼーション(Plasmapolym
er 1zat 1on)の中でもその成膜性が記され
ている。
、例えばジエン(M、5hen)及びベル(A、T、B
el l)により、1973年発行のジャーナル・オブ
・アプライド・ポリマー・サイエンス(Journa
l of Appl ied Polymer
5cience)第17巻第885乃至892頁にお
いて、数多くの有機化合物ガスから作製可能であること
が報じられている。また、同著者らにより、1979年
のアメリカン゛ケミカルソサエティー(America
nChemical 5ociety)発行によるプ
ラズマボリマライゼーション(Plasmapolym
er 1zat 1on)の中でもその成膜性が記され
ている。
例えば、特開昭59−28161号公報には、基板上に
ブロッキング層及び接着層としてプラズマ重合された網
目構造を有する高分子層を設け、その上にアモルファス
シリコン層を設けた感光体が開示されている。特開昭6
0−63541号公報には、アルミ基板とその上に設け
たアモルファスシリコン層との接着性を改善するために
、接着層として200人〜2μmのダイヤモンド状炭素
膜を中間に設けた感光体が開示きれ、残留電荷の面から
膜厚は2μm以下が好ましいとされている。
ブロッキング層及び接着層としてプラズマ重合された網
目構造を有する高分子層を設け、その上にアモルファス
シリコン層を設けた感光体が開示されている。特開昭6
0−63541号公報には、アルミ基板とその上に設け
たアモルファスシリコン層との接着性を改善するために
、接着層として200人〜2μmのダイヤモンド状炭素
膜を中間に設けた感光体が開示きれ、残留電荷の面から
膜厚は2μm以下が好ましいとされている。
明が解° しようとするW、
前述のフタロシアニン系顔料の蒸着膜は、電荷発生能に
優れる反面、電気抵抗が低いため、その士ま機能分離型
感光体の電荷発生層として使用すると、コロナ帯電等に
より電荷発生層中に形成されるべき電界の強度が低くな
り、光励起キャリアの電荷十に1送層への注入効率を低
減し、感度の低下を招く。また、フタロシアニン系顔料
の蒸着膜の中には半導体レーザー発光波長付近に感度を
有するものもあるが、実用上ざらなる高感度化が望まれ
る。溶剤処理による高感度化が、前述の特開昭58−1
58649号公報に開示されてはいるが、工程の複雑化
を伴う。
優れる反面、電気抵抗が低いため、その士ま機能分離型
感光体の電荷発生層として使用すると、コロナ帯電等に
より電荷発生層中に形成されるべき電界の強度が低くな
り、光励起キャリアの電荷十に1送層への注入効率を低
減し、感度の低下を招く。また、フタロシアニン系顔料
の蒸着膜の中には半導体レーザー発光波長付近に感度を
有するものもあるが、実用上ざらなる高感度化が望まれ
る。溶剤処理による高感度化が、前述の特開昭58−1
58649号公報に開示されてはいるが、工程の複雑化
を伴う。
一方、従来の方法で作製したプラズマ有機重合膜は絶縁
性を前提とした用途に限って用いられ、即ち、それらの
膜は通常のポリエチレン膜の如く1016ΩCm程度の
比抵抗を有する絶縁膜としてしか作用せず、感光体の電
荷輸送層としては使用し得なかった。
性を前提とした用途に限って用いられ、即ち、それらの
膜は通常のポリエチレン膜の如く1016ΩCm程度の
比抵抗を有する絶縁膜としてしか作用せず、感光体の電
荷輸送層としては使用し得なかった。
本発明者らは、フタロシアニン系顔料の蒸着膜並びにプ
ラズマ有機重合膜の両者に対し検討を進める中で、フタ
ロシアニン系顔料と無機酸化物との二成分よりなる共蒸
着膜が、光感度を損なわずに高抵抗化された電荷発生層
として機能し得ることを見出した。また、フタロシアニ
ン系顔料と無機酸化物との二成分よりなる共蒸着膜にお
いては、無機酸化物の含有量に応じて長波長感度が向上
することを見出した。また、従来絶縁性の膜として認識
されていたプラズマ有機重合膜がフタロシアニン系顔わ
1と無機酸化物との二成分よりなる共蒸着との積層にお
いては良好な電荷輸送層として機能することを見出した
。
ラズマ有機重合膜の両者に対し検討を進める中で、フタ
ロシアニン系顔料と無機酸化物との二成分よりなる共蒸
着膜が、光感度を損なわずに高抵抗化された電荷発生層
として機能し得ることを見出した。また、フタロシアニ
ン系顔料と無機酸化物との二成分よりなる共蒸着膜にお
いては、無機酸化物の含有量に応じて長波長感度が向上
することを見出した。また、従来絶縁性の膜として認識
されていたプラズマ有機重合膜がフタロシアニン系顔わ
1と無機酸化物との二成分よりなる共蒸着との積層にお
いては良好な電荷輸送層として機能することを見出した
。
本発明は、これらの新なる知見に基づいてなされたもの
であり、長波長域においても高感度を有し、かつ、帯電
性能に優れた感光体を提供しようとするものである。ま
た、本発明は、製造時においてドライプロセスのみを用
い、簡便化された工程で作製し得る感光体を提供しよう
とするものである。また、本発明は、接着性、耐久性、
及び、耐候性に優れた新規感光体を提供しようとするも
のである。
であり、長波長域においても高感度を有し、かつ、帯電
性能に優れた感光体を提供しようとするものである。ま
た、本発明は、製造時においてドライプロセスのみを用
い、簡便化された工程で作製し得る感光体を提供しよう
とするものである。また、本発明は、接着性、耐久性、
及び、耐候性に優れた新規感光体を提供しようとするも
のである。
月2.Φを 2するための
即ち、本発明は、導電性基板上に電荷発生層と電荷輸送
層とを積層してなる機能分離型感光体において、該電荷
発生層が真空蒸着法により形成されたフタロシアニン系
顔料と無機酸化物との二成分よりなる共蒸着膜(以下、
本発明による電荷発生層をPc膜と称する)であり、か
っ、該電荷輸送層が有機化合物ガスの真空中グロー放電
により形成された少なくとも炭素原子と水素原子とを構
成原子として含有してなるプラズマ重合膜(以下、本発
明による電荷輸送層をa−C膜と称する)であることを
特徴とする感光体に関する。
層とを積層してなる機能分離型感光体において、該電荷
発生層が真空蒸着法により形成されたフタロシアニン系
顔料と無機酸化物との二成分よりなる共蒸着膜(以下、
本発明による電荷発生層をPc膜と称する)であり、か
っ、該電荷輸送層が有機化合物ガスの真空中グロー放電
により形成された少なくとも炭素原子と水素原子とを構
成原子として含有してなるプラズマ重合膜(以下、本発
明による電荷輸送層をa−C膜と称する)であることを
特徴とする感光体に関する。
本発明感光体は少なくとも電荷発生層と電荷輸送層から
構成きれる。
構成きれる。
本発明感光体における電荷発生層、即ち、Pc膜は、フ
タロシアニン系顔料と無機酸化物とを蒸着源とし、真空
蒸着の常法を用いて、同時に蒸着することにより作製可
能である。
タロシアニン系顔料と無機酸化物とを蒸着源とし、真空
蒸着の常法を用いて、同時に蒸着することにより作製可
能である。
蒸着源として使用可能なフタロシアニン系顔料としては
、例えば、CuPc5AICIPc (CI) 、Al
ClPc5H2PC% Ge (OH)2Pc、ZnP
c、MgPc、に2PC,Ti0Pc等が挙げられる。
、例えば、CuPc5AICIPc (CI) 、Al
ClPc5H2PC% Ge (OH)2Pc、ZnP
c、MgPc、に2PC,Ti0Pc等が挙げられる。
また、蒸着源として使用可能な無機酸化物としては、例
えば、Al2O3、Cab。
えば、Al2O3、Cab。
Ce01Ce02、CdO,Coo、Cr 203、C
u ON Cu 20−、 F e 203、In2O
3、MgO,MnO2、MoO3、Nip、PbO1S
in、5i02、S n 02、Ta205、T i
0% T r 02、Ti2O3、W O3、Y2O3
、ZnO1Zr02、等が挙げられる。
u ON Cu 20−、 F e 203、In2O
3、MgO,MnO2、MoO3、Nip、PbO1S
in、5i02、S n 02、Ta205、T i
0% T r 02、Ti2O3、W O3、Y2O3
、ZnO1Zr02、等が挙げられる。
本発明のPcMの膜厚は、200Å以上が好ましい。膜
厚が200人より薄いと、電荷発生層における光吸収量
が低下するため光励起キャリア数が減り、感度低下を招
く。膜厚の上限は物性的には制限を受けず、厚膜化すれ
ばPcFJたけでも感光体として使用できるが、生産性
を考慮すれば、概ね5μm以下の電荷発生層として用い
ることが好ましい。
厚が200人より薄いと、電荷発生層における光吸収量
が低下するため光励起キャリア数が減り、感度低下を招
く。膜厚の上限は物性的には制限を受けず、厚膜化すれ
ばPcFJたけでも感光体として使用できるが、生産性
を考慮すれば、概ね5μm以下の電荷発生層として用い
ることが好ましい。
本発明のPc膜中に含有される無機酸化物の量は、種類
によっても異なるが、膜中に含有されるフタロシアニン
系顔料と無機酸化物との総量に対して、概ね1乃至30
重量%が好ましい。Pc膜中に含有される無機酸化物の
量が1重量%より少ない場合にはフタロシアニン系顔料
の物性が支配的となり、前述の如く、コロナ帯電等によ
り電荷発生層中に形成されるべき電界の強度が低くなり
、光励起キャリアの電荷輸送層への注入効率を低減せし
め、感度低下を招き好ましくない。Pc膜中に含有され
る無機酸化物の量が30重重量より多い場合には無機酸
化物の物性が支配的となり、電荷発生層の高抵抗化に伴
う感度低下を招き好ましくない。本発明のPc膜中に含
有される無機酸化物の量は、常用される元素分析、例え
ば、有機元素分析、オージェ分析、IMA分析等を用い
ることにより知ることができ、また、二種類の蒸着源の
重量減少をそれぞれ計測することにより知ることができ
、ざらに、二種類の蒸着源につき別個に単位時間蒸着を
行ない、形成された蒸着膜の重量をそれぞれ計測するこ
とにより知ることができる。これらの組成分析手段によ
れば、何れも測定誤差程度の範囲でよく一致した結果を
得ることが可能である。
によっても異なるが、膜中に含有されるフタロシアニン
系顔料と無機酸化物との総量に対して、概ね1乃至30
重量%が好ましい。Pc膜中に含有される無機酸化物の
量が1重量%より少ない場合にはフタロシアニン系顔料
の物性が支配的となり、前述の如く、コロナ帯電等によ
り電荷発生層中に形成されるべき電界の強度が低くなり
、光励起キャリアの電荷輸送層への注入効率を低減せし
め、感度低下を招き好ましくない。Pc膜中に含有され
る無機酸化物の量が30重重量より多い場合には無機酸
化物の物性が支配的となり、電荷発生層の高抵抗化に伴
う感度低下を招き好ましくない。本発明のPc膜中に含
有される無機酸化物の量は、常用される元素分析、例え
ば、有機元素分析、オージェ分析、IMA分析等を用い
ることにより知ることができ、また、二種類の蒸着源の
重量減少をそれぞれ計測することにより知ることができ
、ざらに、二種類の蒸着源につき別個に単位時間蒸着を
行ない、形成された蒸着膜の重量をそれぞれ計測するこ
とにより知ることができる。これらの組成分析手段によ
れば、何れも測定誤差程度の範囲でよく一致した結果を
得ることが可能である。
本発明感光体における電荷輸送層、即ち、a −C膜は
、真空中グロー放電を用いたプラズマ重合の常法により
作製することが可能である。該電荷輸送層を作製するた
めの原料ガスとしては有機気体、特に最も単純な組成の
原わ■ガスとしては、炭化水素ガスを用いることができ
る。該炭化水素における相状態は常温常圧において必ず
しも気相である必要はなく、加熱或は減圧等により溶融
、蒸発、昇華等を経て気化し得るものであれば、液相で
も同相でも使用可能である。該炭化水素としては、例え
ば、飽和炭化水素、不飽和炭化水素、脂環式炭化水素、
芳香族炭化水素、等が用いられる。
、真空中グロー放電を用いたプラズマ重合の常法により
作製することが可能である。該電荷輸送層を作製するた
めの原料ガスとしては有機気体、特に最も単純な組成の
原わ■ガスとしては、炭化水素ガスを用いることができ
る。該炭化水素における相状態は常温常圧において必ず
しも気相である必要はなく、加熱或は減圧等により溶融
、蒸発、昇華等を経て気化し得るものであれば、液相で
も同相でも使用可能である。該炭化水素としては、例え
ば、飽和炭化水素、不飽和炭化水素、脂環式炭化水素、
芳香族炭化水素、等が用いられる。
使用可能な炭化水素には種類が多いが、飽和炭化水素と
しては、例えば、メタン、エタン、プロパン、ブタン、
ペンタン、ヘキサン、ヘプタン、オクタン、ノナン、デ
カン、ウンデカン、ドデカン、トリデカン、テトラデカ
ン、ペンタデカン、ヘキサデカン、ヘプタデカン、オク
タデカン、ノナデカン、エイコサン、ヘンエイコサン、
トコサン、トリコサン、テトラコサン、ペンタコサン、
ヘキサコサン、ヘプタコサン、オクタコサン、ノナコサ
ン、トリアコンタン、トドリアコンタン、ペンタトリア
コンタン、等のノルマルパラフィン並びに、イソブタン
、イソペンタン、ネオペンタン、イソヘキサン、ネオヘ
キサン、2,3−ジメチルブタン、2−メチルヘキサン
、3−エチルペンタン、2,2−ジメチルペンタン、2
.4−ジメチルペンタン、3,3−ジメチルペンタン、
トリブタン、2−メチルへブタン、3−メチルへブタン
、2,2−ジメチルヘキサン、2,2.5−ジメチルヘ
キサン、2,2.3−トリメチルペンタン、2.2.4
−トリメチルペンタン、2゜3.3−トリメチルペンタ
ン、2,3.4−トリメチルペンタン、イソナノン、等
のイソパラフィン、等が用いられる。不飽和炭化水素と
しては、例えば、エチレン、プロピレン、イソブチレン
、1−ブテン、2−ブテン、1−ペンテン、2−ペンテ
ン、2−メチル−1−ブテン、3−メチル−1−ブテン
、2−メチル−2−ブテン、1−ヘキセン、テトラメチ
ルエチレン、1−ヘプテン、1−オクテン、1−ノネン
、1−デセン、等のオレフィン、並びに、アレン、メチ
ルアレン、ブタジエン、ペンクジエン、ヘキサジエン、
シクロペンタデカン、等のジオレフィン、並びに、オシ
メン、アロシメン、ミルセン、ヘキサトリエン、等のト
リオレフイン、並びに、アセチレン、メチルアセチレン
、1−ブチン、2−ブチン、1−ペンチン、1−ヘキシ
ン、1−ヘプチン、1−オクチン、1−ノニン、1−デ
シン、等が用いられる。
しては、例えば、メタン、エタン、プロパン、ブタン、
ペンタン、ヘキサン、ヘプタン、オクタン、ノナン、デ
カン、ウンデカン、ドデカン、トリデカン、テトラデカ
ン、ペンタデカン、ヘキサデカン、ヘプタデカン、オク
タデカン、ノナデカン、エイコサン、ヘンエイコサン、
トコサン、トリコサン、テトラコサン、ペンタコサン、
ヘキサコサン、ヘプタコサン、オクタコサン、ノナコサ
ン、トリアコンタン、トドリアコンタン、ペンタトリア
コンタン、等のノルマルパラフィン並びに、イソブタン
、イソペンタン、ネオペンタン、イソヘキサン、ネオヘ
キサン、2,3−ジメチルブタン、2−メチルヘキサン
、3−エチルペンタン、2,2−ジメチルペンタン、2
.4−ジメチルペンタン、3,3−ジメチルペンタン、
トリブタン、2−メチルへブタン、3−メチルへブタン
、2,2−ジメチルヘキサン、2,2.5−ジメチルヘ
キサン、2,2.3−トリメチルペンタン、2.2.4
−トリメチルペンタン、2゜3.3−トリメチルペンタ
ン、2,3.4−トリメチルペンタン、イソナノン、等
のイソパラフィン、等が用いられる。不飽和炭化水素と
しては、例えば、エチレン、プロピレン、イソブチレン
、1−ブテン、2−ブテン、1−ペンテン、2−ペンテ
ン、2−メチル−1−ブテン、3−メチル−1−ブテン
、2−メチル−2−ブテン、1−ヘキセン、テトラメチ
ルエチレン、1−ヘプテン、1−オクテン、1−ノネン
、1−デセン、等のオレフィン、並びに、アレン、メチ
ルアレン、ブタジエン、ペンクジエン、ヘキサジエン、
シクロペンタデカン、等のジオレフィン、並びに、オシ
メン、アロシメン、ミルセン、ヘキサトリエン、等のト
リオレフイン、並びに、アセチレン、メチルアセチレン
、1−ブチン、2−ブチン、1−ペンチン、1−ヘキシ
ン、1−ヘプチン、1−オクチン、1−ノニン、1−デ
シン、等が用いられる。
脂環式炭化水素としては、例えば、シクロプロパン、シ
クロブタン、シクロペンタン、シクロヘキサン、シクロ
へブタン、シクロオクタン、シクロノナン、シクロデカ
ン、シクロウンデカン、シクロドデカン、シクロトリデ
カン、シクロテトラデカン、シクロペンタデカン、シク
ロヘキサデカン、等のシクロパラフィン並びに、シクロ
プロペン、シクロブテン、シクロペンテン、シクロヘキ
セン、シクロヘプテン、シクロオクテン、シクロノネン
、シクロデセン、等のシクロオレフィン並びに、リモネ
ン、テルビノ−リン、フエナントレン、シルベストリン
、ツエン、カレン、ピネン、ボルニリン、カンフエン、
フエンチェン、シクロウンデカン、トリシクレン、ビサ
ボリン、ジンギベリン、クルクメン、フムレン、カジネ
ンセスキベニヘン、セリネン、カリオフィレン、サンタ
レン、セドレン、カンホリン、フイロクラテ゛ン、ポド
カルブレン、ミリン、等のテルペン並びに、ステロイド
等が用いられる。芳香族炭化水素としては、例えば、ベ
ンゼン、トルエン、キシレン、ヘミメリテン、プソイド
クメン、メシチレン、プレニテン、イソジュレン、ジュ
レン、ペンタメチルベンゼン、ヘキサメチルベンゼン、
エチルベンゼン、プロピルベンゼン、クメン、スチレン
、ビフェニル、テルフェニル、ジフェニルメタン、トリ
フェニルメタン、ジベンジル、スチルベン5、インデン
、ナフタリン、テトラリン、アントラセン、フェナント
レン、等が用いられる。
クロブタン、シクロペンタン、シクロヘキサン、シクロ
へブタン、シクロオクタン、シクロノナン、シクロデカ
ン、シクロウンデカン、シクロドデカン、シクロトリデ
カン、シクロテトラデカン、シクロペンタデカン、シク
ロヘキサデカン、等のシクロパラフィン並びに、シクロ
プロペン、シクロブテン、シクロペンテン、シクロヘキ
セン、シクロヘプテン、シクロオクテン、シクロノネン
、シクロデセン、等のシクロオレフィン並びに、リモネ
ン、テルビノ−リン、フエナントレン、シルベストリン
、ツエン、カレン、ピネン、ボルニリン、カンフエン、
フエンチェン、シクロウンデカン、トリシクレン、ビサ
ボリン、ジンギベリン、クルクメン、フムレン、カジネ
ンセスキベニヘン、セリネン、カリオフィレン、サンタ
レン、セドレン、カンホリン、フイロクラテ゛ン、ポド
カルブレン、ミリン、等のテルペン並びに、ステロイド
等が用いられる。芳香族炭化水素としては、例えば、ベ
ンゼン、トルエン、キシレン、ヘミメリテン、プソイド
クメン、メシチレン、プレニテン、イソジュレン、ジュ
レン、ペンタメチルベンゼン、ヘキサメチルベンゼン、
エチルベンゼン、プロピルベンゼン、クメン、スチレン
、ビフェニル、テルフェニル、ジフェニルメタン、トリ
フェニルメタン、ジベンジル、スチルベン5、インデン
、ナフタリン、テトラリン、アントラセン、フェナント
レン、等が用いられる。
キャリアガスとしては、プラズマ重合法においては常用
される、H2、Ar、Ne、He等を用いることができ
る。
される、H2、Ar、Ne、He等を用いることができ
る。
これらの炭化水素とキャリアガスだげから作成されたa
−C膜は、炭素原子と水素原子だけから構成きれ、本発
明においては最も単純な組成となるが、この場合、含有
される水素原子の量は、炭素原子と水素原子の総量に対
して30乃至60原子%が適当である。本発明のa −
C膜中に含まれる水素原子の量は、成膜装置の形態によ
って程度は異なるが、成膜時の条件により変化させるこ
とか可能である。水素量を低くするには、例えば、基板
温度を高くする、圧力を低くする、原料炭化水素ガスの
希釈率を低くする、水素含有率の低い原料ガスを用いる
、印加電力を高くする、交番電界の周波数を低くする、
交番電界に重畳せしめた直流電界強度を高くする、等の
操作、或は、これらを組合せた操作を行なえばよい。水
素量を高くするにはこの反対の操作を行なえばよい。
−C膜は、炭素原子と水素原子だけから構成きれ、本発
明においては最も単純な組成となるが、この場合、含有
される水素原子の量は、炭素原子と水素原子の総量に対
して30乃至60原子%が適当である。本発明のa −
C膜中に含まれる水素原子の量は、成膜装置の形態によ
って程度は異なるが、成膜時の条件により変化させるこ
とか可能である。水素量を低くするには、例えば、基板
温度を高くする、圧力を低くする、原料炭化水素ガスの
希釈率を低くする、水素含有率の低い原料ガスを用いる
、印加電力を高くする、交番電界の周波数を低くする、
交番電界に重畳せしめた直流電界強度を高くする、等の
操作、或は、これらを組合せた操作を行なえばよい。水
素量を高くするにはこの反対の操作を行なえばよい。
本発明のa−C膜の膜厚は、通常の電子写真プロセスで
用いるのであれば、5乃至50μm1特に7乃至20u
mが適当であり、膜厚が5μmより薄い場合には、帯電
電位が低いため充分な複写画像濃度を得ることができな
い。また、50μmより厚いと生産性の面で好ましくな
い。本発明のa−C膜は、高透光性、高暗抵抗を有する
と共に電荷輸送性に富み、膜厚を5μm以上としてもキ
ャリアはトラップされること無く輸送され、明減衰に寄
与することが可能である。
用いるのであれば、5乃至50μm1特に7乃至20u
mが適当であり、膜厚が5μmより薄い場合には、帯電
電位が低いため充分な複写画像濃度を得ることができな
い。また、50μmより厚いと生産性の面で好ましくな
い。本発明のa−C膜は、高透光性、高暗抵抗を有する
と共に電荷輸送性に富み、膜厚を5μm以上としてもキ
ャリアはトラップされること無く輸送され、明減衰に寄
与することが可能である。
本発明のa−C膜においては、ざらに、感光体性能を調
整する目的で、必要に応じて異種原子を化学的修飾物質
として含むことも可能である。例えば、明減衰性能を調
整するためにハロゲン原子、シリコン原子、ゲルマニウ
ム原子、周期律表第■族原子或は周期律表第1II族原
子、等を、帯電性能或は膜特性の経時変化を改善するた
めにハロゲン原子、酸素原子、窒素原子、等を含有して
もよい。具体的に、該異種原子を含有する本発明のa−
C膜を得るには、該異種原子を分子構造中に含有してな
る無機化合物ガスを炭化水素ガスに混合したものを原料
ガスとして用いる、該異種原子を分子構造中に含有して
なる有機化合物ガスを炭化水素ガスに混合したものを原
料ガスとして用いる、或は、該異種原子を分子構造中に
含有してなる有機化合物ガスを原料ガスとして用いる、
等の手段により、プラズマ重合反応を行なえばよい。
整する目的で、必要に応じて異種原子を化学的修飾物質
として含むことも可能である。例えば、明減衰性能を調
整するためにハロゲン原子、シリコン原子、ゲルマニウ
ム原子、周期律表第■族原子或は周期律表第1II族原
子、等を、帯電性能或は膜特性の経時変化を改善するた
めにハロゲン原子、酸素原子、窒素原子、等を含有して
もよい。具体的に、該異種原子を含有する本発明のa−
C膜を得るには、該異種原子を分子構造中に含有してな
る無機化合物ガスを炭化水素ガスに混合したものを原料
ガスとして用いる、該異種原子を分子構造中に含有して
なる有機化合物ガスを炭化水素ガスに混合したものを原
料ガスとして用いる、或は、該異種原子を分子構造中に
含有してなる有機化合物ガスを原料ガスとして用いる、
等の手段により、プラズマ重合反応を行なえばよい。
また、a −C膜中に含有される該異種原子の量を増減
するためには、炭化水素ガスと該異種原子を分子構造中
に含有してなる無機或は有機化合物ガスとを原料ガスと
して使用する場合においては、該異種原子を分子構造中
に含有してなる無機或は有機化合物ガスの使用量を増減
すればよく、該異種原子を分子構造中に含有してなる有
機化合物ガスを原料ガスとして使用する場合においては
、分子構造中の該異種原子の含有比が高い或は低い有機
化合物を選択すればよい。また、該異種原子を含有して
なる無機或は有機化合物ガスにおける相状態は常温常圧
において必ずしも気相である必要はなく、加熱或は減圧
等により溶融、蒸発、昇華等を経て気化しうるものであ
れば、液相でも固相でも使用可能である。
するためには、炭化水素ガスと該異種原子を分子構造中
に含有してなる無機或は有機化合物ガスとを原料ガスと
して使用する場合においては、該異種原子を分子構造中
に含有してなる無機或は有機化合物ガスの使用量を増減
すればよく、該異種原子を分子構造中に含有してなる有
機化合物ガスを原料ガスとして使用する場合においては
、分子構造中の該異種原子の含有比が高い或は低い有機
化合物を選択すればよい。また、該異種原子を含有して
なる無機或は有機化合物ガスにおける相状態は常温常圧
において必ずしも気相である必要はなく、加熱或は減圧
等により溶融、蒸発、昇華等を経て気化しうるものであ
れば、液相でも固相でも使用可能である。
本発明におけるa−C膜は、可視光もしくは半導体レー
ザー光付近の波長の光に対しては明確なる光導電性は有
ざないが好適な電荷輸送性を有し、本発明におけるPc
膜で可視光もしくは半導体レーザー光付近の波長の光に
より発生したキャリアを効率よく輸送し、感光体の明減
衰に効果的に寄与するものである。
ザー光付近の波長の光に対しては明確なる光導電性は有
ざないが好適な電荷輸送性を有し、本発明におけるPc
膜で可視光もしくは半導体レーザー光付近の波長の光に
より発生したキャリアを効率よく輸送し、感光体の明減
衰に効果的に寄与するものである。
本発明における感光体は、電荷発生層と電荷輸送層から
なる機能分離型の構成とするのが最適で、該電荷発生層
と該電荷輸送層のvI層構成は、必要に応じて適宜選択
することが可能である。
なる機能分離型の構成とするのが最適で、該電荷発生層
と該電荷輸送層のvI層構成は、必要に応じて適宜選択
することが可能である。
第1図は、その一形態として、導電性基板(1)上に電
荷輸送層(2)と電荷発生層(3)を順次積層してなる
構成を示したものである。第2図は、別の一形態として
、導電性基板(1)上に電荷発生層(3)と電荷輸送層
(2)を順次積層してなる構成を示したものである。第
3図は、別の一形態として、導電性基板(1)上に、電
荷輸送層(2)と電荷発生層(3)と電荷輸送層(2)
を順次積層してなる構成を示したものである。
荷輸送層(2)と電荷発生層(3)を順次積層してなる
構成を示したものである。第2図は、別の一形態として
、導電性基板(1)上に電荷発生層(3)と電荷輸送層
(2)を順次積層してなる構成を示したものである。第
3図は、別の一形態として、導電性基板(1)上に、電
荷輸送層(2)と電荷発生層(3)と電荷輸送層(2)
を順次積層してなる構成を示したものである。
感光体表面を、例えばコロナ帯電器等により正帯電した
後、画像露光して使用する場合においては、第1図では
電荷発生層(3)で発生した正孔が電荷輸送層(2)中
を導電性基板(1)に向は走行し、第2図では電荷発生
層(3)で発生した電子が電荷輸送層(2)中を感光体
表面に向は走行し、第3図では電荷発生層(3)で発生
した正孔が導電性基板側の電荷輸送層(2)中を導電性
基板(1)に向は走行すると共に、同時に電荷発生層(
3)で発生した電子が表面側の電荷輸送層(2)中を感
光体表面に向は走行し、好適な明減衰に保証された静電
潜像の形成が行なわれる。反対に感光体表面を負帯電し
た後、画像露光して使用する場合においては、電子と正
孔の挙動を入れ代えて、キャリアーの走行性を解すれば
よい。第2図及び第3図では、画像露光用の照射光が電
荷輸送層中を通過することになるが、本発明による感光
体の電荷輸送層は透光性に優れることから、好適な潜像
形成を行なうことが可能である。
後、画像露光して使用する場合においては、第1図では
電荷発生層(3)で発生した正孔が電荷輸送層(2)中
を導電性基板(1)に向は走行し、第2図では電荷発生
層(3)で発生した電子が電荷輸送層(2)中を感光体
表面に向は走行し、第3図では電荷発生層(3)で発生
した正孔が導電性基板側の電荷輸送層(2)中を導電性
基板(1)に向は走行すると共に、同時に電荷発生層(
3)で発生した電子が表面側の電荷輸送層(2)中を感
光体表面に向は走行し、好適な明減衰に保証された静電
潜像の形成が行なわれる。反対に感光体表面を負帯電し
た後、画像露光して使用する場合においては、電子と正
孔の挙動を入れ代えて、キャリアーの走行性を解すれば
よい。第2図及び第3図では、画像露光用の照射光が電
荷輸送層中を通過することになるが、本発明による感光
体の電荷輸送層は透光性に優れることから、好適な潜像
形成を行なうことが可能である。
第4図は、ざらなる一形態として、導電性基板(1)上
に電荷輸送層(2)と電荷発生層(3)と表面保護N(
4)を順次積層してなる構成を示したものである。即ち
第1図の形態に表面保護層を設けた形態にf目当するが
、第1図の形態では、最表面が耐久性に優れた本発明感
光体の電荷発生層であるため表面保護層を設けなくても
よいが、例えば現像剤の付着による感光体表面の汚染を
防止するような、複写機内の各種工1メントに対する整
合性を調整する目的から、表面保護層を設けることもざ
らなる一形態となりうる。第2図及び第3図の構成の場
合にも、最表面が耐久性に優れた本発明感光体の電荷輸
送層であるため表面保護層を設けなくてもよいが、同様
の理由により表面保護層を設けることもざらなる一形態
となりうる。
に電荷輸送層(2)と電荷発生層(3)と表面保護N(
4)を順次積層してなる構成を示したものである。即ち
第1図の形態に表面保護層を設けた形態にf目当するが
、第1図の形態では、最表面が耐久性に優れた本発明感
光体の電荷発生層であるため表面保護層を設けなくても
よいが、例えば現像剤の付着による感光体表面の汚染を
防止するような、複写機内の各種工1メントに対する整
合性を調整する目的から、表面保護層を設けることもざ
らなる一形態となりうる。第2図及び第3図の構成の場
合にも、最表面が耐久性に優れた本発明感光体の電荷輸
送層であるため表面保護層を設けなくてもよいが、同様
の理由により表面保護層を設けることもざらなる一形態
となりうる。
第5図は、ざらなる一形態として、導電性基板(1)上
に中間層(5)と電荷発生層(3)と電荷輸送層(2)
を順次積層してなる構成を示したものである。即ち第2
図の形態に中間層を設けた形態に相当するが、第2図の
形態では、導電性基板との接合面が接着性及び注入阻止
効果に優れた、本発明感光体の電荷発生層であるため、
中間層を設けなくてもよいが、例えば導電性基板の前処
理方法のような、感光層形成以前の製造工程との整合性
を調Vする目的から、中間層を設けることもざらなる一
形態となりうる。第1図及び第3図の構成の場合にも、
導電性基板との接合面が接着性及び注入阻止効果に優れ
た本発明感光体の電荷輸送層であることから、中間層を
設けなくてもよいが、同様の理由により中間層を設ける
こともざらなる一形態となりうる。
に中間層(5)と電荷発生層(3)と電荷輸送層(2)
を順次積層してなる構成を示したものである。即ち第2
図の形態に中間層を設けた形態に相当するが、第2図の
形態では、導電性基板との接合面が接着性及び注入阻止
効果に優れた、本発明感光体の電荷発生層であるため、
中間層を設けなくてもよいが、例えば導電性基板の前処
理方法のような、感光層形成以前の製造工程との整合性
を調Vする目的から、中間層を設けることもざらなる一
形態となりうる。第1図及び第3図の構成の場合にも、
導電性基板との接合面が接着性及び注入阻止効果に優れ
た本発明感光体の電荷輸送層であることから、中間層を
設けなくてもよいが、同様の理由により中間層を設ける
こともざらなる一形態となりうる。
第6図は、ざらなる一形態として、導電性基板(1)上
に中間層(5)と電荷輸送層(2)と電荷発生層(3)
と表面保護層(4)を順次積層してなる構成を示したも
のである。即ち第1図の形態に中間層と表面保護層を設
けた形態に相当する。中間層と表面保護層の設置理由は
前述と同様であり、従って第2図及び第3図の構成にお
いて中間層と表面保護層を設けることもざらなる一形態
となりうる。
に中間層(5)と電荷輸送層(2)と電荷発生層(3)
と表面保護層(4)を順次積層してなる構成を示したも
のである。即ち第1図の形態に中間層と表面保護層を設
けた形態に相当する。中間層と表面保護層の設置理由は
前述と同様であり、従って第2図及び第3図の構成にお
いて中間層と表面保護層を設けることもざらなる一形態
となりうる。
本発明において中間層と表面保護層は、材料的にも、製
法的にも、特に限定を受けるものではなく所定の目的が
達せられるものであれば、適宜選択することが可能であ
る。
法的にも、特に限定を受けるものではなく所定の目的が
達せられるものであれば、適宜選択することが可能であ
る。
第7図は本発明に係わる感光体の電荷発生層製造装置を
示し、図中(501)は真空槽を示し、内部には基板保
持部材(502)により保持された基板(503)が設
置されている。基板(503)と対向して蒸発源材料を
載置した第1ボート(504)及び第2ボート(505
)が配され、各ボートはそれぞれ第1電極(506)及
び第2電極(507)に接続され電力印加により加熱可
能とされている。基板(503)と第1ボート(504
)及び第2ボートとの間には第1遮蔽板(508)及び
第2遮蔽板(509)が設けられ、蒸着時以外において
は、例えば、ボートの昇温降温時或はボート温度の安定
化待機時等においては、蒸発源材料からの不安定な蒸散
物の基板(503)への付着を防止するために閉状態に
、蒸着時には開状態に駆動可能なように駆動ソレノイド
(510)に接続されている。真空槽(501)内は、
排気ポンプ(511)により減圧可能とされている。ま
た、本装置においては、ボートの昇温に所謂抵抗加熱法
を用いているが、蒸発温度の高い蒸着源物質については
、電子ビームを用いて昇温してもよい。
示し、図中(501)は真空槽を示し、内部には基板保
持部材(502)により保持された基板(503)が設
置されている。基板(503)と対向して蒸発源材料を
載置した第1ボート(504)及び第2ボート(505
)が配され、各ボートはそれぞれ第1電極(506)及
び第2電極(507)に接続され電力印加により加熱可
能とされている。基板(503)と第1ボート(504
)及び第2ボートとの間には第1遮蔽板(508)及び
第2遮蔽板(509)が設けられ、蒸着時以外において
は、例えば、ボートの昇温降温時或はボート温度の安定
化待機時等においては、蒸発源材料からの不安定な蒸散
物の基板(503)への付着を防止するために閉状態に
、蒸着時には開状態に駆動可能なように駆動ソレノイド
(510)に接続されている。真空槽(501)内は、
排気ポンプ(511)により減圧可能とされている。ま
た、本装置においては、ボートの昇温に所謂抵抗加熱法
を用いているが、蒸発温度の高い蒸着源物質については
、電子ビームを用いて昇温してもよい。
第8図は本発明に係わる感光体の電荷発生層製造装置の
別の一形態を示し、図中基板保持部材(502)及び基
板(503)の形状が異なり、基板保持部材(502)
が駆動モーター(512)に接続され基板(503)が
回転可能とされること以外は、第7図と同様である。特
に、第8図に示される本発明に係わる感光体の電荷発生
層製造装置においては、円筒状の基板(503)に本発
明感光体の電荷発生層を形成することが可能である。
別の一形態を示し、図中基板保持部材(502)及び基
板(503)の形状が異なり、基板保持部材(502)
が駆動モーター(512)に接続され基板(503)が
回転可能とされること以外は、第7図と同様である。特
に、第8図に示される本発明に係わる感光体の電荷発生
層製造装置においては、円筒状の基板(503)に本発
明感光体の電荷発生層を形成することが可能である。
第9図は本発明に係わる感光体の電荷輸送層製造装置を
示し、図中(701)乃至(706)は常温において気
相状態にある原料化合物及びキャリアガスを密封した第
1乃至第6タンクで、各々のタンクは第1乃至第6調節
弁(707乃至712)と第1乃至第6流量制御器(7
13乃至718)に接続されている。図中(719)乃
至(721)は常温において液相または固相状態にある
原料化合物を封入した第1乃至第3容器で、各々の容器
は気化のため第1乃至第3温調器(722乃至724)
により与熱可能であり、ざらに各々の容器は第7乃至第
9調節弁(725乃至727)と第7乃至第9流量制御
器(728乃至730)に接続されている。これらのガ
スは混合器(731)で混合された後、主管(732)
を介して反応室(733)に送り込まれる。途中の配管
は、常温において液相または固相状態にあった原料化合
物が気化したガスが、途中で凝結しないように、適宜配
置された配管加熱器(734)により、与熱可能とされ
ている。反応室内には接地電極(735)と電力印加電
極(736)が対向して設置され、各々の電極は電極加
熱器(737)により与熱可能とされている。電力印加
電極(736)には、高周波電力用整合器(738)を
介して高周波電源(739)、低周波電力用整合器(7
40)を介して低周波電源(741)、ローパスフィル
タ(742)を介して直流電源(743)が接続されて
おり、接続選択スイッチ(744)により周波数の異な
る電力が印加可能とされている。反応室(733)内の
圧力は圧力制御弁(745)により調整可能であり、反
応室(733)内の減圧は、排気系選択弁(746)を
介して、拡散ポンプ(747) 、油回転ポンプ(74
8) 、或は、冷却除外装置(749) 、メカニカル
ブースターポンプ(750)、油回転ポンプ(748)
により行なわれる。排ガスについては、ざらに適当な除
外装置(753)により安全無害化した後、大気中に排
気される。これら排気系配管についても、常温において
液相または固相状態にあった原料化合物が気化したガス
が、途中で凝結しないように、適宜配置された配管加熱
器(734)により、与熱可能とされている。反応室(
733)も同様の理由から反応室加熱器(751)によ
り与熱可能とされ、内部に配された電極上に基板(75
2)が設置される。図中、基板(752)は接地電極(
735)に固定して配されているが、電力印加電極(7
36)に固定して配されてもよく、ざらに双方に配きれ
てもよい。
示し、図中(701)乃至(706)は常温において気
相状態にある原料化合物及びキャリアガスを密封した第
1乃至第6タンクで、各々のタンクは第1乃至第6調節
弁(707乃至712)と第1乃至第6流量制御器(7
13乃至718)に接続されている。図中(719)乃
至(721)は常温において液相または固相状態にある
原料化合物を封入した第1乃至第3容器で、各々の容器
は気化のため第1乃至第3温調器(722乃至724)
により与熱可能であり、ざらに各々の容器は第7乃至第
9調節弁(725乃至727)と第7乃至第9流量制御
器(728乃至730)に接続されている。これらのガ
スは混合器(731)で混合された後、主管(732)
を介して反応室(733)に送り込まれる。途中の配管
は、常温において液相または固相状態にあった原料化合
物が気化したガスが、途中で凝結しないように、適宜配
置された配管加熱器(734)により、与熱可能とされ
ている。反応室内には接地電極(735)と電力印加電
極(736)が対向して設置され、各々の電極は電極加
熱器(737)により与熱可能とされている。電力印加
電極(736)には、高周波電力用整合器(738)を
介して高周波電源(739)、低周波電力用整合器(7
40)を介して低周波電源(741)、ローパスフィル
タ(742)を介して直流電源(743)が接続されて
おり、接続選択スイッチ(744)により周波数の異な
る電力が印加可能とされている。反応室(733)内の
圧力は圧力制御弁(745)により調整可能であり、反
応室(733)内の減圧は、排気系選択弁(746)を
介して、拡散ポンプ(747) 、油回転ポンプ(74
8) 、或は、冷却除外装置(749) 、メカニカル
ブースターポンプ(750)、油回転ポンプ(748)
により行なわれる。排ガスについては、ざらに適当な除
外装置(753)により安全無害化した後、大気中に排
気される。これら排気系配管についても、常温において
液相または固相状態にあった原料化合物が気化したガス
が、途中で凝結しないように、適宜配置された配管加熱
器(734)により、与熱可能とされている。反応室(
733)も同様の理由から反応室加熱器(751)によ
り与熱可能とされ、内部に配された電極上に基板(75
2)が設置される。図中、基板(752)は接地電極(
735)に固定して配されているが、電力印加電極(7
36)に固定して配されてもよく、ざらに双方に配きれ
てもよい。
第10図は本発明に係わる感光体電荷輸送層製造装置の
別の一形態を示し、反応室(733)内部の形態以外は
、第9図に示した本発明に係わる感光体の電荷輸送層製
造装置と同様である。第10図において、反応室(73
3)内部には、第9図における接地電極(735)を兼
ねた円筒形の基板(752)が設置され、内側には電極
加熱器(737)が配されている。基板(752)周囲
には同じく円筒形状をした電力印加電極(736)が配
きれ、外側には電極加熱器(737)が配されている。
別の一形態を示し、反応室(733)内部の形態以外は
、第9図に示した本発明に係わる感光体の電荷輸送層製
造装置と同様である。第10図において、反応室(73
3)内部には、第9図における接地電極(735)を兼
ねた円筒形の基板(752)が設置され、内側には電極
加熱器(737)が配されている。基板(752)周囲
には同じく円筒形状をした電力印加電極(736)が配
きれ、外側には電極加熱器(737)が配されている。
基板(752)は、外部より駆動モータ(754)を用
いて自転可能となっている。
いて自転可能となっている。
本発明に係わる感光体の製造においては、電荷発生層は
第7図或は第8図に示した本発明に係わる感光体の電荷
発生層製造装置により作製し、電荷輸送層は第9図或は
第10図に示した本発明に係わる感光体の電荷輸送層製
造装置にて作製される。この場合、各装置は独立して使
用してもよいが、第7図に示した本発明に係わる感光体
の電荷発生層製造装置と第9図に示した本発明に係わる
感光体の電荷輸送層製造装置、または、第8図に示した
本発明に係わる感光体の電荷発生層製造装置と第10図
に示した本発明に係わる感光体の電荷輸送層製造装置は
、ゲートバルブを介して接続し、適当な基板搬送装置を
用いて蒸着工程とプラズマ重合工程とを真空を破らずに
連続して行なえる様にしてもよい。また、そうすること
により、真空外へ基板を取り出した時の基板及び装置に
対する種々のコンタミネーションを防止でき、本発明感
光体の作製を安定したドライプロセス下で行なえる様に
なり好ましい。
第7図或は第8図に示した本発明に係わる感光体の電荷
発生層製造装置により作製し、電荷輸送層は第9図或は
第10図に示した本発明に係わる感光体の電荷輸送層製
造装置にて作製される。この場合、各装置は独立して使
用してもよいが、第7図に示した本発明に係わる感光体
の電荷発生層製造装置と第9図に示した本発明に係わる
感光体の電荷輸送層製造装置、または、第8図に示した
本発明に係わる感光体の電荷発生層製造装置と第10図
に示した本発明に係わる感光体の電荷輸送層製造装置は
、ゲートバルブを介して接続し、適当な基板搬送装置を
用いて蒸着工程とプラズマ重合工程とを真空を破らずに
連続して行なえる様にしてもよい。また、そうすること
により、真空外へ基板を取り出した時の基板及び装置に
対する種々のコンタミネーションを防止でき、本発明感
光体の作製を安定したドライプロセス下で行なえる様に
なり好ましい。
第7図或は第8図に示した本発明に係わる感光体の電荷
発生層製造装置において、本発明感光体の電荷発生層製
造に供する真空槽は、排気ポンプにより予め10−5乃
至10”Torr程度にまで減圧し、真空度の確認と装
置内部に吸着したガスの脱離を行なう。次いで、第1乃
至第2電極に電力を印加し第1乃至第2ボートをそれぞ
れ所定の温度まで昇温する。第1乃至第2ボートが所定
の温度で安定化した後、予め閉状態にしておいた第1乃
至第2遮蔽板を駆動ソレノイドを用いて同時に開状態と
し、基板上にフタロシアニン系顔料と無機酸化物との二
成分よりなる共蒸着膜を堆積させる。そして遮蔽板の開
時間を調整するか、もしくば、基板近傍に予め水晶発振
子を取り付は振動数の変化をモニターし、該共蒸着膜が
所定の膜厚に達したところで遮蔽板を閉状態とし、本発
明感光体の電荷発生層を得る。膜堆積終了後は、第1乃
至第2電極の電力印加を停止して第1乃至第2ボートを
冷却すると共に、真空槽内を充分に排気する。最後に、
真空を破り基板を取り出すか、または、工程によっては
ゲートバルブを用いて第9図或は第10図に示した本発
明に係わる感光体の電荷輸送層製造装置に基板を搬送す
る。
発生層製造装置において、本発明感光体の電荷発生層製
造に供する真空槽は、排気ポンプにより予め10−5乃
至10”Torr程度にまで減圧し、真空度の確認と装
置内部に吸着したガスの脱離を行なう。次いで、第1乃
至第2電極に電力を印加し第1乃至第2ボートをそれぞ
れ所定の温度まで昇温する。第1乃至第2ボートが所定
の温度で安定化した後、予め閉状態にしておいた第1乃
至第2遮蔽板を駆動ソレノイドを用いて同時に開状態と
し、基板上にフタロシアニン系顔料と無機酸化物との二
成分よりなる共蒸着膜を堆積させる。そして遮蔽板の開
時間を調整するか、もしくば、基板近傍に予め水晶発振
子を取り付は振動数の変化をモニターし、該共蒸着膜が
所定の膜厚に達したところで遮蔽板を閉状態とし、本発
明感光体の電荷発生層を得る。膜堆積終了後は、第1乃
至第2電極の電力印加を停止して第1乃至第2ボートを
冷却すると共に、真空槽内を充分に排気する。最後に、
真空を破り基板を取り出すか、または、工程によっては
ゲートバルブを用いて第9図或は第10図に示した本発
明に係わる感光体の電荷輸送層製造装置に基板を搬送す
る。
第9図或は第10図に示した本発明に係わる感光体の電
荷輸送層製造装置において、電荷輸送層製造に供する反
応室は、拡散ポンプにより予め1O″′乃至1O−6T
orr程度にまテ減圧し、真空度の確認と装置内部に吸
着したガスの脱着を行なう。同時に電極加熱器により、
電極並びに電極に装着された基板を所定の温度まで昇温
する。次いで、第1乃至第6タンク及び第1乃至第3容
器から、原料ガスを適宜第1乃至第9流量制御器を用い
て定流量化しながら反応室内に導入し、圧力調節弁によ
り反応室内を一定の減圧状態に保つ。ガス流量が安定化
した後、接続選択スイッチにより、例えば低周波電源を
選択し、電力印加電極に低周波電力を投入する。両電極
間には放電が開始きれ、時間と共に基板上に同相の膜が
形成される。反応時間により膜厚を制御し、所定の膜厚
並びに積層構成に達したところで放電を停止し、本発明
感光体の電荷輸送層を得る。次いで、第1乃至第9調節
弁を閉じ、反応室内を充分に排気する。最後に、真空を
破り基板を取り出すか、または、工程によってはゲート
バルブを用いて第7図或は第8図に示した本発明に係わ
る感光体の電荷発生層製造装置に基板を搬送する。
荷輸送層製造装置において、電荷輸送層製造に供する反
応室は、拡散ポンプにより予め1O″′乃至1O−6T
orr程度にまテ減圧し、真空度の確認と装置内部に吸
着したガスの脱着を行なう。同時に電極加熱器により、
電極並びに電極に装着された基板を所定の温度まで昇温
する。次いで、第1乃至第6タンク及び第1乃至第3容
器から、原料ガスを適宜第1乃至第9流量制御器を用い
て定流量化しながら反応室内に導入し、圧力調節弁によ
り反応室内を一定の減圧状態に保つ。ガス流量が安定化
した後、接続選択スイッチにより、例えば低周波電源を
選択し、電力印加電極に低周波電力を投入する。両電極
間には放電が開始きれ、時間と共に基板上に同相の膜が
形成される。反応時間により膜厚を制御し、所定の膜厚
並びに積層構成に達したところで放電を停止し、本発明
感光体の電荷輸送層を得る。次いで、第1乃至第9調節
弁を閉じ、反応室内を充分に排気する。最後に、真空を
破り基板を取り出すか、または、工程によってはゲート
バルブを用いて第7図或は第8図に示した本発明に係わ
る感光体の電荷発生層製造装置に基板を搬送する。
以下実施例を挙げながら、本発明を説明する。
実施例1
本発明に係わる感光体の製造装置を用いて、第けな本発
明感光体を作製した。
明感光体を作製した。
電荷発生層形成工程:
第7図に示す本発明に係わる感光体の電荷発生層製造装
置において、まず、第1ボート(504)にアルミニウ
ムクロロフタロシアニンAlClPcの粉末を、第aボ
ート(505)に−酸化珪素SiOの粉末を載置し、基
板保持部材(502)には*50X横50×厚ざ3mm
のアルミニウム板を基板(503)として取り付けた。
置において、まず、第1ボート(504)にアルミニウ
ムクロロフタロシアニンAlClPcの粉末を、第aボ
ート(505)に−酸化珪素SiOの粉末を載置し、基
板保持部材(502)には*50X横50×厚ざ3mm
のアルミニウム板を基板(503)として取り付けた。
次いで真空槽(501)内を排気ポンプ(511)を用
いて10””T o r r程度の高真空にした後、第
1電極及び第2電極(506及び507)に電力を印加
し、第1ボート(504)を520℃、及び、第2ボー
ト(505)を1080℃にまで昇温した。第1ボート
(504)温度、及び、第2;fニート(505) 温
度が安定したところで、予め閉状態にしておいた第1遮
蔽板(508)及び第2遮蔽板(509)を駆動ソレノ
イド(510)を作動させて同時に開状態にし、I X
10−5程度の真空度のもとで、基板(503)上に
アルミニウムクロロフタロシアニンと一酸化珪素の共蒸
着膜を堆積とせな。約5分間然着を行なった後、第1遮
蔽板(508)及び第2遮蔽板(509)を駆動ソレノ
イド(510)を作動きせて同時に閉状態とし、約20
00人の膜厚を有する本発明によるPc膜を電荷発生層
として得た。Pc膜作製後は、第1電極及び第2電極(
506及び507)への通電を停止すると共に、真空槽
(501)内を充分に排気した。
いて10””T o r r程度の高真空にした後、第
1電極及び第2電極(506及び507)に電力を印加
し、第1ボート(504)を520℃、及び、第2ボー
ト(505)を1080℃にまで昇温した。第1ボート
(504)温度、及び、第2;fニート(505) 温
度が安定したところで、予め閉状態にしておいた第1遮
蔽板(508)及び第2遮蔽板(509)を駆動ソレノ
イド(510)を作動させて同時に開状態にし、I X
10−5程度の真空度のもとで、基板(503)上に
アルミニウムクロロフタロシアニンと一酸化珪素の共蒸
着膜を堆積とせな。約5分間然着を行なった後、第1遮
蔽板(508)及び第2遮蔽板(509)を駆動ソレノ
イド(510)を作動きせて同時に閉状態とし、約20
00人の膜厚を有する本発明によるPc膜を電荷発生層
として得た。Pc膜作製後は、第1電極及び第2電極(
506及び507)への通電を停止すると共に、真空槽
(501)内を充分に排気した。
以上のようにして得られたPc膜中に含有されるアルミ
ニウム原子と珪素原子との比率をオージェ分析装置によ
り測定したところ、アルミニウム原子対珪素原子の比は
1対0.97であり、AlClPcの分子量が574.
0、SiOの分子量が44.1である事から、Pc膜中
に含有される一酸化珪素の量はアルミニウムクロロフタ
ロシアニンと一酸化珪素の総量に対し6.9重量%であ
った。また、第1ボート(504)並びに第2ボート(
505)の重ffi減少率の測定から、Pc膜中に含有
される一酸化珪素の量はアルミニウムクロロフタロシア
ニンと一酸化珪素の総量に対し7.1重量%であり、良
く一致した結果が得られることが確認された。別に、ア
ルミニウムクロロフタロシアニンと一酸化珪素とを個別
に蒸着し、蒸着膜の重量測定からPc膜中に含有される
一酸化珪素の量を算出したところアルミニウムクロロフ
タロシアニンと一酸化珪素の総量に対し7.2重量%で
あり、良く一致した結果が得られることが確認された。
ニウム原子と珪素原子との比率をオージェ分析装置によ
り測定したところ、アルミニウム原子対珪素原子の比は
1対0.97であり、AlClPcの分子量が574.
0、SiOの分子量が44.1である事から、Pc膜中
に含有される一酸化珪素の量はアルミニウムクロロフタ
ロシアニンと一酸化珪素の総量に対し6.9重量%であ
った。また、第1ボート(504)並びに第2ボート(
505)の重ffi減少率の測定から、Pc膜中に含有
される一酸化珪素の量はアルミニウムクロロフタロシア
ニンと一酸化珪素の総量に対し7.1重量%であり、良
く一致した結果が得られることが確認された。別に、ア
ルミニウムクロロフタロシアニンと一酸化珪素とを個別
に蒸着し、蒸着膜の重量測定からPc膜中に含有される
一酸化珪素の量を算出したところアルミニウムクロロフ
タロシアニンと一酸化珪素の総量に対し7.2重量%で
あり、良く一致した結果が得られることが確認された。
電荷輸送層形成工程:
次いで、第9図に示す本発明に係わる感光体の電荷輸送
層製造装置において、まず、反応装置(733)の内部
を1O−6Torr程度の高真空にした後、第1調節弁
(707)を解放し、第1タンク(701)より水素ガ
スを出力圧1.0に87cm2の下で第1流量制t、I
I7器(713)内へ流入させた。同時に、第1容器(
719)よりスチレンガスを第1温調器(722)温度
30℃のもと第7流量制御器(728)内へ流入させた
。水素ガスの流量を10105e、及び、スチレンガス
の流量を36sccmとなるように設定して、途中混合
器(731)を介して、主管(732)より反応室(7
33)内へ流入した。各々の流量が安定した後に、反応
室(733)内の圧力が0.5Torrとなるように圧
力調節弁(745)を調整した。一方、Pc膜が設けら
れ、第7図に示す本発明に係わる感光体の電荷発生層製
造装置より移送されてきた基板(752)は、予め80
℃に加熱しておき、ガス流量及び圧力が安定した状態で
、予め接続選択スイッチ(744)により接続しておい
た低周波電源(741)を投入し、電力印加電極(73
6)に90Wattの電力を周波数20KHzの下で印
加して約30分プラズマ重合反応を行ない、基板(75
2)上に厚と15μmのa−C膜を電荷輸送層として形
成した。成膜完了後は、電力印加を停止し、調節弁を閉
じ、反応室(733)内を充分に排気した。
層製造装置において、まず、反応装置(733)の内部
を1O−6Torr程度の高真空にした後、第1調節弁
(707)を解放し、第1タンク(701)より水素ガ
スを出力圧1.0に87cm2の下で第1流量制t、I
I7器(713)内へ流入させた。同時に、第1容器(
719)よりスチレンガスを第1温調器(722)温度
30℃のもと第7流量制御器(728)内へ流入させた
。水素ガスの流量を10105e、及び、スチレンガス
の流量を36sccmとなるように設定して、途中混合
器(731)を介して、主管(732)より反応室(7
33)内へ流入した。各々の流量が安定した後に、反応
室(733)内の圧力が0.5Torrとなるように圧
力調節弁(745)を調整した。一方、Pc膜が設けら
れ、第7図に示す本発明に係わる感光体の電荷発生層製
造装置より移送されてきた基板(752)は、予め80
℃に加熱しておき、ガス流量及び圧力が安定した状態で
、予め接続選択スイッチ(744)により接続しておい
た低周波電源(741)を投入し、電力印加電極(73
6)に90Wattの電力を周波数20KHzの下で印
加して約30分プラズマ重合反応を行ない、基板(75
2)上に厚と15μmのa−C膜を電荷輸送層として形
成した。成膜完了後は、電力印加を停止し、調節弁を閉
じ、反応室(733)内を充分に排気した。
以上のようにして得られたa −C膜につき有機元素分
析を行なったところ、含有される水素原子の量は炭素原
子と水素原子の総量に対して44原子%であった。
析を行なったところ、含有される水素原子の量は炭素原
子と水素原子の総量に対して44原子%であった。
特性評価結果:
得られた感光体は、常用のカールソンプロセスにおいて
コロナ放電により少なくとも一630Vに初期帯電可能
であった。また、初期帯電電位から初期帯電電位の90
%にまで暗減衰するのに要した時間は約13秒であり、
これらのことから、実用上充分な帯電性能を有すること
が確認された。また、初期帯電後、白色光を用いて半減
電位にまで明減衰させたところ必要とされた光量は1.
5ルツクス・秒であり、このことから好適な感度を有す
ることが確認された。また、初期帯電後、半導体レーザ
ー光を用いて半減電位にまで明減衰させたとこる必要と
された光量は4.7工ルグ/cm2であり、このことか
ら好適な長波長光感度を有することが確認された。また
、初期帯電後、白色光80ルツクス・秒照射時の表面電
位を残留電位として測定したところ一5Vであり、好適
なイレース性能を有することが確認された。
コロナ放電により少なくとも一630Vに初期帯電可能
であった。また、初期帯電電位から初期帯電電位の90
%にまで暗減衰するのに要した時間は約13秒であり、
これらのことから、実用上充分な帯電性能を有すること
が確認された。また、初期帯電後、白色光を用いて半減
電位にまで明減衰させたところ必要とされた光量は1.
5ルツクス・秒であり、このことから好適な感度を有す
ることが確認された。また、初期帯電後、半導体レーザ
ー光を用いて半減電位にまで明減衰させたとこる必要と
された光量は4.7工ルグ/cm2であり、このことか
ら好適な長波長光感度を有することが確認された。また
、初期帯電後、白色光80ルツクス・秒照射時の表面電
位を残留電位として測定したところ一5Vであり、好適
なイレース性能を有することが確認された。
以上より、本例に示した本発明による感光体は、実用上
好適な特性を有するものである。また、この感光体に対
して、常用のカールソンプロセスの中で作像して転写し
たところ、鮮明な画像が得られた。ざらに、この感光体
の表面硬度を、J IS−に−5400規格に基づいて
測定したところ、7H以上の硬度が観測され、実用的な
感光体として好適な表面性能を有することが確認された
。
好適な特性を有するものである。また、この感光体に対
して、常用のカールソンプロセスの中で作像して転写し
たところ、鮮明な画像が得られた。ざらに、この感光体
の表面硬度を、J IS−に−5400規格に基づいて
測定したところ、7H以上の硬度が観測され、実用的な
感光体として好適な表面性能を有することが確認された
。
比較例1
電荷発生層形成工程において、−酸化珪素を使用しない
こと以外は、実施例1と同様にして積層膜を作製した。
こと以外は、実施例1と同様にして積層膜を作製した。
特性評価結果:
得られた積層膜につき、実施例1と同様の評価を行なっ
たところ、常用のカールソンプロセスにおいてコロナ放
電により少なくとも一630Vに初期帯電可能であった
。しかし、初期帯電後、白色光を用いて半減電位にまで
明減衰させたところ必要とされた光量は約65ルツクス
・秒であり、半導体レーザー光を用いた場合には半減電
位に達しなかった。
たところ、常用のカールソンプロセスにおいてコロナ放
電により少なくとも一630Vに初期帯電可能であった
。しかし、初期帯電後、白色光を用いて半減電位にまで
明減衰させたところ必要とされた光量は約65ルツクス
・秒であり、半導体レーザー光を用いた場合には半減電
位に達しなかった。
以上より、本例に示した積層膜は実用上好適な特性を有
するものとはいえず、このことから本発明において無機
酸化物を共蒸着することによる効果が確認される。
するものとはいえず、このことから本発明において無機
酸化物を共蒸着することによる効果が確認される。
比較偲旦
実施例1において電荷輸送層だけを作製した。
特性評価結果:
得られた膜につき、実施例1と同様の評価を行なったと
ころ、常用のカールソンプロセスにおいてコロナ放電に
より少なくとも一630Vの初期帯電が可能であった。
ころ、常用のカールソンプロセスにおいてコロナ放電に
より少なくとも一630Vの初期帯電が可能であった。
しかし、初期帯電後、白色光或は半導体レーザー光を用
いて明減衰を試みたところ、電位減衰は全く観測されな
かった。
いて明減衰を試みたところ、電位減衰は全く観測されな
かった。
以上より、本例に示した膜は、それだけでは光導電性を
有ざないことが確認きれる。
有ざないことが確認きれる。
実施例2
本発明に係わる感光体の製造装置を用いて、第けな本発
明感光体を作製した。
明感光体を作製した。
電荷発生層形成工程:
第7図に示す本発明に係わる感光体の電荷発生層製造装
置において、まず、第1ボート(504)にアルミニウ
ムクロロフタロシアニンクロライドAlClPc (C
I)の粉末を、第2ボート(505)にアルミナAl2
O3の粉末を載置し、基板保持部材(502)には!5
0X横50X厚ざ3mmのアルミニウム板を基板(50
3)として取り付けた。次いで真空槽(501)内を排
気ポンプ(511)を用いて10−’To r r程度
の高真空にした後、第1電極及び第2電極(506及び
5o7)に電力を印加し、第1ボート(504)を49
0℃、及び、第2ボート(505)を1450℃にまで
昇温した。第1ボート(504))都度、及び、第2ボ
ート(505):都度が安定したところで、予め閉状態
にしておいた第1遮蔽板(508)及び第2遮蔽板(5
09)を駆動ソレノイド(510)を作動させて同時に
開状態にし、I X 10−5程度の真空度のもとで、
基板(503)上にアルミニウムクロロフタロシアニン
クロライドとアルミナの共蒸着膜を堆積させな。約5分
間然着を行なった後、第1遮蔽板(508)及び第2遮
蔽板(509)を駆動ソレノイド(510)を作動させ
て同時に閉状態とし、約1500人の膜厚を有する本発
明によるPc膜を電荷発生層として得た。Pc膜作製後
は、第1電極及び第2電極(506及び507)への通
電を停止すると共に、真空槽(501)内を充分に排気
した。
置において、まず、第1ボート(504)にアルミニウ
ムクロロフタロシアニンクロライドAlClPc (C
I)の粉末を、第2ボート(505)にアルミナAl2
O3の粉末を載置し、基板保持部材(502)には!5
0X横50X厚ざ3mmのアルミニウム板を基板(50
3)として取り付けた。次いで真空槽(501)内を排
気ポンプ(511)を用いて10−’To r r程度
の高真空にした後、第1電極及び第2電極(506及び
5o7)に電力を印加し、第1ボート(504)を49
0℃、及び、第2ボート(505)を1450℃にまで
昇温した。第1ボート(504))都度、及び、第2ボ
ート(505):都度が安定したところで、予め閉状態
にしておいた第1遮蔽板(508)及び第2遮蔽板(5
09)を駆動ソレノイド(510)を作動させて同時に
開状態にし、I X 10−5程度の真空度のもとで、
基板(503)上にアルミニウムクロロフタロシアニン
クロライドとアルミナの共蒸着膜を堆積させな。約5分
間然着を行なった後、第1遮蔽板(508)及び第2遮
蔽板(509)を駆動ソレノイド(510)を作動させ
て同時に閉状態とし、約1500人の膜厚を有する本発
明によるPc膜を電荷発生層として得た。Pc膜作製後
は、第1電極及び第2電極(506及び507)への通
電を停止すると共に、真空槽(501)内を充分に排気
した。
以上のようにして得られたPc膜につき、オージェ分析
を行なったところ、含有されるアルミナの量はアルミニ
ウムクロロフタロシアニンとアルミナの総量に対し10
.8重量%であった。
を行なったところ、含有されるアルミナの量はアルミニ
ウムクロロフタロシアニンとアルミナの総量に対し10
.8重量%であった。
電荷輸送層形成工程: 。
次いで、第9図に示す本発明に係わる感光体の電荷輸送
層製造装置において、まず、反応装置(733)の内部
を10″6Torr程度の高真空にした後、第1乃至第
2調節弁(7Q7乃至7゜8)を解放し、第1タンク(
701)より水素ガス、第2タンク(702)よりブタ
ジェンガスを出力圧1.0Kg/am2の下で第1乃至
第2流量制御器(713乃至714)内へ流入させな。
層製造装置において、まず、反応装置(733)の内部
を10″6Torr程度の高真空にした後、第1乃至第
2調節弁(7Q7乃至7゜8)を解放し、第1タンク(
701)より水素ガス、第2タンク(702)よりブタ
ジェンガスを出力圧1.0Kg/am2の下で第1乃至
第2流量制御器(713乃至714)内へ流入させな。
水素ガスの流量を60secm、及び、ブタジェンガス
の流量を60 s c amとなるように設定して、途
中混合器(731)を介して、主管(732)より反応
室(733)内へ流入した。各々の流量が安定した後に
、反応室(733)内の圧力が2.0Torrとなるよ
うに圧力調節弁(745)を調整した。一方、Pc膜が
設けられ、第7図に示す本発明に係わる感光体の電荷発
生層製造装置より移送されてきた基板(752)は、予
め50℃に加熱しておき、ガス流量及び圧力が安定した
状態で、予め接続選択スイッチ(744)により接続し
ておいた低周波電源(741)を投入し、電力印加電t
Em(736)に90Wattの電力を周波数200K
Hzの下で印加して約16分プラズマ重合反応を行ない
、基板(752)上に厚き15μmのa−C膜を電荷輸
送層として形成した。成膜完了後は、電力印加を停止し
、調節弁を閉じ、反応室(733)内を充分に排気した
。
の流量を60 s c amとなるように設定して、途
中混合器(731)を介して、主管(732)より反応
室(733)内へ流入した。各々の流量が安定した後に
、反応室(733)内の圧力が2.0Torrとなるよ
うに圧力調節弁(745)を調整した。一方、Pc膜が
設けられ、第7図に示す本発明に係わる感光体の電荷発
生層製造装置より移送されてきた基板(752)は、予
め50℃に加熱しておき、ガス流量及び圧力が安定した
状態で、予め接続選択スイッチ(744)により接続し
ておいた低周波電源(741)を投入し、電力印加電t
Em(736)に90Wattの電力を周波数200K
Hzの下で印加して約16分プラズマ重合反応を行ない
、基板(752)上に厚き15μmのa−C膜を電荷輸
送層として形成した。成膜完了後は、電力印加を停止し
、調節弁を閉じ、反応室(733)内を充分に排気した
。
以上のようにして得られたa−C膜につき有機元素分析
を行なったところ、含有される水素原子の量は炭素原子
と水素原子の総量に対して40原子%であった。
を行なったところ、含有される水素原子の量は炭素原子
と水素原子の総量に対して40原子%であった。
特性評価結果:
得られた感光体は、常用のカールソンプロセスにおいて
コロナ放電により少なくとも一630Vに初期帯電可能
であった。また、初期帯電電位から初期帯電電位の90
%にまで暗減衰するのに要した時間は約13秒であり、
これらのことから、実用上充分な帯電性能を有すること
が確認された。また、初期帯電後、白色光を用いて半減
電位にまで明減衰させたとこる必要とされた光量は1.
5ルツクス・秒であり、このことから好適な感度を有す
ることが確認された。また、初期帯電後、半導体レーザ
ー光を用いて半減電位にまで明減衰させたところ必要と
された光量は5.3工ルグ/Cm2であり、このことか
ら好適な長波長光感度を有することが確認された。また
、初期帯電後、白色光80ルツクス・秒照射時の表面電
位を残留電位として測定したところ一4■であり、好適
なイレース性能を有することが確認された。
コロナ放電により少なくとも一630Vに初期帯電可能
であった。また、初期帯電電位から初期帯電電位の90
%にまで暗減衰するのに要した時間は約13秒であり、
これらのことから、実用上充分な帯電性能を有すること
が確認された。また、初期帯電後、白色光を用いて半減
電位にまで明減衰させたとこる必要とされた光量は1.
5ルツクス・秒であり、このことから好適な感度を有す
ることが確認された。また、初期帯電後、半導体レーザ
ー光を用いて半減電位にまで明減衰させたところ必要と
された光量は5.3工ルグ/Cm2であり、このことか
ら好適な長波長光感度を有することが確認された。また
、初期帯電後、白色光80ルツクス・秒照射時の表面電
位を残留電位として測定したところ一4■であり、好適
なイレース性能を有することが確認された。
以上より、本例に示した本発明による感光体は、実用上
好適な特性を有するものである。また、この感光体に対
して、常用のカールソンプロセスの中で作像して転写し
たところ、鮮明な画像が得られた。ざらに、この感光体
の表面硬度を、JIS−に−5400規格に基づいて測
定したところ、7H以上の硬度が観測され、実用的な感
光体として好適な表面性能を有することが確認された。
好適な特性を有するものである。また、この感光体に対
して、常用のカールソンプロセスの中で作像して転写し
たところ、鮮明な画像が得られた。ざらに、この感光体
の表面硬度を、JIS−に−5400規格に基づいて測
定したところ、7H以上の硬度が観測され、実用的な感
光体として好適な表面性能を有することが確認された。
衷施例旦
本発明に係わる感光体の製造装置を用いて、第1図に示
す、導電性基板(1)、電荷輸送層けた本発明感光体を
作製した。
す、導電性基板(1)、電荷輸送層けた本発明感光体を
作製した。
電荷輸送層形成工程:
第10図に示す本発明に係わる感光体の電荷輸送層製造
装置において、まず、反応装置(733)の内部を1O
−6Torr程度の高真空にした後、第1乃至第2調節
弁(707乃至708)を解放し、第1タンク(701
)よりアルゴンガス、第2タンク(702)よりアセチ
レンガスを出力圧1.0Kg/cm2の下で第1乃至第
2流量制御器(713乃至714)内へ流入させた。ア
ルゴンガスの流量を120secm、及び、アセチレン
ガスの流量を101005eとなるように設定して、途
中混合器(731)を介して、主管(732)より反応
室(733)内へ流入した。
装置において、まず、反応装置(733)の内部を1O
−6Torr程度の高真空にした後、第1乃至第2調節
弁(707乃至708)を解放し、第1タンク(701
)よりアルゴンガス、第2タンク(702)よりアセチ
レンガスを出力圧1.0Kg/cm2の下で第1乃至第
2流量制御器(713乃至714)内へ流入させた。ア
ルゴンガスの流量を120secm、及び、アセチレン
ガスの流量を101005eとなるように設定して、途
中混合器(731)を介して、主管(732)より反応
室(733)内へ流入した。
各々の流量が安定した後に、反応室(733)内の圧力
が1.0Torrとなるように圧力調節弁(745)を
調整した。一方、基板(752)には直径80X長ざ3
30mmの円筒状アルミニウムドラムを用い、予め50
℃に加熱しておき、ガス流量及び圧力が安定した状態で
、予め接続選択スイッチ(744)により接続しておい
た高周波電源(739)を投入し、電力印加電極(73
6)に130Wattの電力を周波数13.56MHz
の下で印加して約60分プラズマ重合反応を行ない、基
板(752)上に厚ざ15μmのa−C膜を電荷輸送層
として形成した。成膜完了後は、電力印加を停止し、調
節弁を閉じ、反応室(733)内を充分に排気した。
が1.0Torrとなるように圧力調節弁(745)を
調整した。一方、基板(752)には直径80X長ざ3
30mmの円筒状アルミニウムドラムを用い、予め50
℃に加熱しておき、ガス流量及び圧力が安定した状態で
、予め接続選択スイッチ(744)により接続しておい
た高周波電源(739)を投入し、電力印加電極(73
6)に130Wattの電力を周波数13.56MHz
の下で印加して約60分プラズマ重合反応を行ない、基
板(752)上に厚ざ15μmのa−C膜を電荷輸送層
として形成した。成膜完了後は、電力印加を停止し、調
節弁を閉じ、反応室(733)内を充分に排気した。
以上のようにして得られたa−C膜につき有機元素分析
を行なったところ、含有される水素原子の量は炭素原子
と水素原子の総量に対して37原子%であった。
を行なったところ、含有される水素原子の量は炭素原子
と水素原子の総量に対して37原子%であった。
電荷発生層形成工程:
第8図に示す本発明に係わる感光体の電荷発生層製造装
置において、まず、第1ボート(504)にチタニルフ
タロシアニンTi0Pcの粉末を、第2ボート(505
)にマグネシアMgOの粉末を載置し、真空槽(501
’)内を排気ポンプ(511)を用いて10””Tor
r程度の高真空にした。一方、基板保持部材(502)
には、a−C膜が設けられ、第10図に示す本発明に係
わる感光体の電荷輸送層製造装置より移送されてきた基
板(503)を装着し、第1電極及び第2電極(506
及び507)に電力を印加し、第1ボー) (504)
を500℃、及び、第2ボート(505)を1700℃
にまで昇温した。第1ボー) (504)温度、及び、
第2ボート(505)温度が安定したところで、予め閉
状態にしておいた第1遮蔽板(508)及び第2遮蔽板
(509)を駆動ソレノイド(510)を作動させて同
時に開状態にし、lXl0−5程度の真空度のもとで、
基板(503)上にチタニルフタロシアニラとマグネシ
アの共蒸着膜を堆積させた。約5分間然着を行なった後
、第1遮蔽板(508)及び第2遮蔽板(509)を駆
動ソレノイド(510)を作動させて同時に閉状態とし
、約2000人の膜厚を有する本発明によるPc膜を電
荷発生層として得た。Pc膜作製後は、第1電極及び第
2電極(506及び507)への通電を停止すると共に
、真空槽(501)内を充分に排気した。
置において、まず、第1ボート(504)にチタニルフ
タロシアニンTi0Pcの粉末を、第2ボート(505
)にマグネシアMgOの粉末を載置し、真空槽(501
’)内を排気ポンプ(511)を用いて10””Tor
r程度の高真空にした。一方、基板保持部材(502)
には、a−C膜が設けられ、第10図に示す本発明に係
わる感光体の電荷輸送層製造装置より移送されてきた基
板(503)を装着し、第1電極及び第2電極(506
及び507)に電力を印加し、第1ボー) (504)
を500℃、及び、第2ボート(505)を1700℃
にまで昇温した。第1ボー) (504)温度、及び、
第2ボート(505)温度が安定したところで、予め閉
状態にしておいた第1遮蔽板(508)及び第2遮蔽板
(509)を駆動ソレノイド(510)を作動させて同
時に開状態にし、lXl0−5程度の真空度のもとで、
基板(503)上にチタニルフタロシアニラとマグネシ
アの共蒸着膜を堆積させた。約5分間然着を行なった後
、第1遮蔽板(508)及び第2遮蔽板(509)を駆
動ソレノイド(510)を作動させて同時に閉状態とし
、約2000人の膜厚を有する本発明によるPc膜を電
荷発生層として得た。Pc膜作製後は、第1電極及び第
2電極(506及び507)への通電を停止すると共に
、真空槽(501)内を充分に排気した。
以上のようにして得られたPc膜中につきオージェ分析
を行なったところ、含有きれるマグネシアの量はチタニ
ルフタロシアニンとマグネシアの総量に対し3.5重量
%であった。
を行なったところ、含有きれるマグネシアの量はチタニ
ルフタロシアニンとマグネシアの総量に対し3.5重量
%であった。
特性評価結果:
得られた感光体は、常用のカールソンプロセスにおいて
コロナ放電により少なくとも一630Vに初期帯電可能
であった。また、初期帯電電位から初期帯電電位の90
%にまで暗減衰するのに要した時間は約17秒であり、
これらのことから、実用上充分な帯電性能を有すること
が確認された。また、初期帯電後、白色光を用いて半減
電位にまで明減衰させたとこる必要とされた光量は1、
フルックス・秒であり、このことから好適な感度を有す
ることが確認された。また、初期帯電後、半導体レーザ
ー光を用いて半減電位にまで明減衰させたとこる必要と
された光量は5.2工ルグ/cm2であり、このことか
ら好適な長波長光感度を有することが確認された。また
、初期帯電後、白色光80ルツクス・秒照射時の表面電
位を残留電位として測定したところ一3■であり、好適
なイレース性能を有することが確認された。
コロナ放電により少なくとも一630Vに初期帯電可能
であった。また、初期帯電電位から初期帯電電位の90
%にまで暗減衰するのに要した時間は約17秒であり、
これらのことから、実用上充分な帯電性能を有すること
が確認された。また、初期帯電後、白色光を用いて半減
電位にまで明減衰させたとこる必要とされた光量は1、
フルックス・秒であり、このことから好適な感度を有す
ることが確認された。また、初期帯電後、半導体レーザ
ー光を用いて半減電位にまで明減衰させたとこる必要と
された光量は5.2工ルグ/cm2であり、このことか
ら好適な長波長光感度を有することが確認された。また
、初期帯電後、白色光80ルツクス・秒照射時の表面電
位を残留電位として測定したところ一3■であり、好適
なイレース性能を有することが確認された。
以上より、本例に示した本発明による感光体は、実用上
好適な特性を有するものである。また、この感光体をミ
ノルタ製複写機EP470Zに搭載し作像して転写した
ところ、鮮明な画像が得られた。このことから、本例に
示した本発明による感光体は、実用的な円筒状形態でも
作製可能であることが確認された。
好適な特性を有するものである。また、この感光体をミ
ノルタ製複写機EP470Zに搭載し作像して転写した
ところ、鮮明な画像が得られた。このことから、本例に
示した本発明による感光体は、実用的な円筒状形態でも
作製可能であることが確認された。
実施刺戟
本発明に係わる感光体の製造装置を用いて、第けた本発
明感光体を作製した。
明感光体を作製した。
電荷発生層形成工程:
第8図に示す本発明に係わる感光体の電荷発生層製造装
置において、まず、第1ボート(504)にアルミニウ
ムクロロフタロシアニンクロライドAlClPc (C
1)の粉末を、第2ボート(505)に−酸化珪素Si
Oの粉末を載置し、基板保持部材(502)には直径8
0×長ざ330mmの円筒状アルミニウムドラムを基板
(503)として取り付けた。次いで真空槽(501)
内を排気ポンプ(511)を用いて10−’T o r
r程度の高真空にした後、第1電極及び第2電極(50
6及び507)に電力を印加し、第1ボート(504)
を520℃、及び、第2ボート(505)を1070℃
にまで昇温した。第1ボート(504)温度、及び、第
2ボート(505)温度が安定したところで、予め閉状
態にしておいた第1遮蔽板(508)及び第2遮蔽板(
509)を駆動ソレノイド(510)を作動させて同時
に開状態にし、lX10−5程度の真空度のもとで、基
板(503)上にアルミニウムクロロフタロシアニンク
ロライドと一酸化珪素の共蒸着膜を堆積させた。約5分
間然着を行なった後、第1遮蔽板(508)及び第2遮
蔽板(509)を駆動ソレノイド(510)を作動させ
て同時に閉状態とし、約2200人の膜厚を有する本発
明によるPc膜を電荷発生層として得た。Pc膜作製後
は、第1電極及び第2電極(506及び507)への通
電を停止すると共に、真空槽(501)内を充分に排気
した。
置において、まず、第1ボート(504)にアルミニウ
ムクロロフタロシアニンクロライドAlClPc (C
1)の粉末を、第2ボート(505)に−酸化珪素Si
Oの粉末を載置し、基板保持部材(502)には直径8
0×長ざ330mmの円筒状アルミニウムドラムを基板
(503)として取り付けた。次いで真空槽(501)
内を排気ポンプ(511)を用いて10−’T o r
r程度の高真空にした後、第1電極及び第2電極(50
6及び507)に電力を印加し、第1ボート(504)
を520℃、及び、第2ボート(505)を1070℃
にまで昇温した。第1ボート(504)温度、及び、第
2ボート(505)温度が安定したところで、予め閉状
態にしておいた第1遮蔽板(508)及び第2遮蔽板(
509)を駆動ソレノイド(510)を作動させて同時
に開状態にし、lX10−5程度の真空度のもとで、基
板(503)上にアルミニウムクロロフタロシアニンク
ロライドと一酸化珪素の共蒸着膜を堆積させた。約5分
間然着を行なった後、第1遮蔽板(508)及び第2遮
蔽板(509)を駆動ソレノイド(510)を作動させ
て同時に閉状態とし、約2200人の膜厚を有する本発
明によるPc膜を電荷発生層として得た。Pc膜作製後
は、第1電極及び第2電極(506及び507)への通
電を停止すると共に、真空槽(501)内を充分に排気
した。
以上のようにして得られたPc膜につきオージェ分析を
行なったところ、含有される一酸化珪素の量はアルミニ
ウムクロロフタロシアニンクロライドと一酸化珪素の総
量に対し7.4重量%であった。
行なったところ、含有される一酸化珪素の量はアルミニ
ウムクロロフタロシアニンクロライドと一酸化珪素の総
量に対し7.4重量%であった。
電荷輸送層形成工程:
次いで、第10図に示す本発明に係わる感光体の電荷輸
送層製造装置において、まず、反応装置(733)の内
部を1O−6Torr程度の高真空にした後、第1調節
弁(707)を解放し、第1タンク(701)より水素
ガスを出力圧1.0Kg/cm2の下で第1流量制御器
(713)内へ流入させた。同時に、第1容器(719
)よりミルセンガスを第1温調器(722)温度75℃
のもと第7流量制御器(728)内へ流入させた。水素
ガスの流量を10105e、及び、ミルセンガスの流量
を25 s e cmとなるように設定して、途中混合
器(731)を介して、主管(732)より反応室(7
33)内へ流入した。各々の流量が安定した後に、反応
室(733)内の圧力が0.25Torrとなるように
圧力調節弁(745)を調整した。一方、Pc膜が設け
られ、第8図に示す本発明に係わる感光体の電荷発生層
製造装置より移送されてきた基板(752)は、予め8
0℃に加熱しておき、ガス流量及び圧力が安定した状態
で、予め接続選択スイッチ(744)により接続してお
いた低周波電源(741)を投入し、電力印加電極(7
36)に140Wattの電力を周波数100KHzの
下で印加して約40分プラズマ重合反応を行ない、基板
(752)上に厚ざ15μmのa−C膜を電荷輸送層と
して形成した。成膜完了後は、電力印加を停止し、調節
弁を閉じ、反応室(733)内を充分に排気した。
送層製造装置において、まず、反応装置(733)の内
部を1O−6Torr程度の高真空にした後、第1調節
弁(707)を解放し、第1タンク(701)より水素
ガスを出力圧1.0Kg/cm2の下で第1流量制御器
(713)内へ流入させた。同時に、第1容器(719
)よりミルセンガスを第1温調器(722)温度75℃
のもと第7流量制御器(728)内へ流入させた。水素
ガスの流量を10105e、及び、ミルセンガスの流量
を25 s e cmとなるように設定して、途中混合
器(731)を介して、主管(732)より反応室(7
33)内へ流入した。各々の流量が安定した後に、反応
室(733)内の圧力が0.25Torrとなるように
圧力調節弁(745)を調整した。一方、Pc膜が設け
られ、第8図に示す本発明に係わる感光体の電荷発生層
製造装置より移送されてきた基板(752)は、予め8
0℃に加熱しておき、ガス流量及び圧力が安定した状態
で、予め接続選択スイッチ(744)により接続してお
いた低周波電源(741)を投入し、電力印加電極(7
36)に140Wattの電力を周波数100KHzの
下で印加して約40分プラズマ重合反応を行ない、基板
(752)上に厚ざ15μmのa−C膜を電荷輸送層と
して形成した。成膜完了後は、電力印加を停止し、調節
弁を閉じ、反応室(733)内を充分に排気した。
以上のようにして得られたa −C膜につき有機元素分
析を行なったところ、含有される水素原子の量は炭素原
子と水素原子の総量に対して57原子%であった。
析を行なったところ、含有される水素原子の量は炭素原
子と水素原子の総量に対して57原子%であった。
特性評価結果二
得られた感光体は、常用のカールソンプロセスにおいて
コロナ放電により少なくとも一630Vに初期帯電可能
であった。また、初期帯電電位から初期帯電電位の90
%にまで暗減衰するのに要した時間は約11秒であり、
これらのことから、実用上充分な帯電性能を有すること
が確認された。また、初期帯電後、白色光を用いて半減
電位にまで明減衰させたとこる必要とされた光量は1.
2ルツクス・秒であり、このことから好適な感度を有す
ることが確認された。また、初期帯電後、半導体レーザ
ー光を用いて半減電位にまで明減衰させたところ必要と
された光量は4.4工ルグ/Cm2であり、このことか
ら好適な長波長光感度を有することが確認された。また
、初期帯電後、白色光80ルツクス・秒照射時の表面電
位を残留電位として測定したところ一3Vであり、好適
なイレース性能を有することが確認された。
コロナ放電により少なくとも一630Vに初期帯電可能
であった。また、初期帯電電位から初期帯電電位の90
%にまで暗減衰するのに要した時間は約11秒であり、
これらのことから、実用上充分な帯電性能を有すること
が確認された。また、初期帯電後、白色光を用いて半減
電位にまで明減衰させたとこる必要とされた光量は1.
2ルツクス・秒であり、このことから好適な感度を有す
ることが確認された。また、初期帯電後、半導体レーザ
ー光を用いて半減電位にまで明減衰させたところ必要と
された光量は4.4工ルグ/Cm2であり、このことか
ら好適な長波長光感度を有することが確認された。また
、初期帯電後、白色光80ルツクス・秒照射時の表面電
位を残留電位として測定したところ一3Vであり、好適
なイレース性能を有することが確認された。
以上より、本例に示した本発明による感光体は、実用上
好適な特性を有するものである。また、この感光体をミ
ノルタ製複写機EP470Zに搭載し作像して転写した
ところ、鮮明な画像が得られた。また、この感光体の表
面硬度を、JIS−に−5400規格に基づいて測定し
たところ、7H以上の硬度が!!測きれ、実用的な感光
体として好適な表面性能を有することが確認された。ざ
らに、この感光体について耐久試験を行なったところ、
A4紙20万枚の耐刷試験後も、好適な画像が得られた
。
好適な特性を有するものである。また、この感光体をミ
ノルタ製複写機EP470Zに搭載し作像して転写した
ところ、鮮明な画像が得られた。また、この感光体の表
面硬度を、JIS−に−5400規格に基づいて測定し
たところ、7H以上の硬度が!!測きれ、実用的な感光
体として好適な表面性能を有することが確認された。ざ
らに、この感光体について耐久試験を行なったところ、
A4紙20万枚の耐刷試験後も、好適な画像が得られた
。
第1図乃至第6図は本発明感光体の構成を示す図面、第
7図乃至第8図は本発明に係わる感光体の電荷発生層形
成装置を示す図面、及び、第9図乃至第10図は本発明
に係わる感光体の電荷輸送層形成装置を示す図面である
。 出願人 ミノルタカメラ株式会社 第1図 第2図 第3図 第4図 第5図 県6図 第7図 第g図
7図乃至第8図は本発明に係わる感光体の電荷発生層形
成装置を示す図面、及び、第9図乃至第10図は本発明
に係わる感光体の電荷輸送層形成装置を示す図面である
。 出願人 ミノルタカメラ株式会社 第1図 第2図 第3図 第4図 第5図 県6図 第7図 第g図
Claims (1)
- 導電性基板上に電荷発生層と電荷輸送層とを積層してな
る機能分離型感光体において、該電荷発生層が真空蒸着
法により形成されたフタロシアニン系顔料と無機酸化物
との二成分よりなる共蒸着膜であり、かつ、該電荷輸送
層が有機化合物ガスの真空中グロー放電により形成され
た少なくとも炭素原子と水素原子とを構成原子として含
有してなるプラズマ重合膜であることを特徴とする感光
体。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP251687A JPS63169651A (ja) | 1987-01-08 | 1987-01-08 | 感光体 |
DE19883800227 DE3800227A1 (de) | 1987-01-06 | 1988-01-07 | Photoempfindlicher teil mit phthalozyanin-pigmenten |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP251687A JPS63169651A (ja) | 1987-01-08 | 1987-01-08 | 感光体 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS63169651A true JPS63169651A (ja) | 1988-07-13 |
Family
ID=11531534
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP251687A Pending JPS63169651A (ja) | 1987-01-06 | 1987-01-08 | 感光体 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS63169651A (ja) |
-
1987
- 1987-01-08 JP JP251687A patent/JPS63169651A/ja active Pending
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